CN103682063A - 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103682063A
CN103682063A CN201210314529.1A CN201210314529A CN103682063A CN 103682063 A CN103682063 A CN 103682063A CN 201210314529 A CN201210314529 A CN 201210314529A CN 103682063 A CN103682063 A CN 103682063A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
led
draw
connect
view type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210314529.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103682063B (zh
Inventor
林厚德
张超雄
陈滨全
陈隆欣
曾文良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rongchuang Energy Technology Co ltd, Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Rongchuang Energy Technology Co ltd
Priority to CN201210314529.1A priority Critical patent/CN103682063B/zh
Priority to TW101132944A priority patent/TWI531096B/zh
Priority to US13/927,777 priority patent/US20140061698A1/en
Publication of CN103682063A publication Critical patent/CN103682063A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103682063B publication Critical patent/CN103682063B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤：提供装设有多列第一、第二电极的电路板，所述第一、第二电极通过连接条串接，第一、第二电极相反的两端向外延伸形成第一、第二接引电极；形成包覆第一、第二电极且包含反射杯的树脂层，第一、第二接引电极暴露于树脂层的相对两侧；在反射杯的底部设置发光二极管芯片并电连接第一、第二电极；在反射杯内填充封装层覆盖发光二极管芯片；横向切割树脂层及连接条形成多个独立的侧面发光型发光二极管封装结构。本发明还涉及一种由该方法得到的侧面发光型发光二极管封装结构。在本发明中，发光二极管封装结构的树脂层与所述第一、第二接引电极的侧面间隔一定距离设置以形成收容焊锡的空间。

Description

侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种侧面发光型发光二极管的封装结构及其制造方法。
背景技术
发光二极管（light emitting diode，LED）作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。
在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。
在顶部发光型发光二极管封装结构中，通常通过设置于其底部的电极与外部电路结构电连接，以提供该顶部型发光二极管封装结构工作所需电能。
相比于顶部发光型发光二极管封装结构，侧面发光型发光二极管封装结构通过设置于其侧壁上的电极与外部电路结构电连接，这能有效降低侧面发光型发光二极管封装结构的整体厚度。侧面发光型发光二极管被广泛运用于显示成像领域，特别是在背光模组中侧面发光型发光二极管常作为背光模组的背光源使用以有效降低背光模组的整体厚度。
侧面发光型发光二极管封装结构通常包括间隔设置的第一电极和第二电极、围绕该第一电极和第二电极设置的反射杯、设置于该反射杯底部并分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及容置于该反射杯内并覆盖发光二极管芯片的封装层。所述第一电极和第二电极的相反两端分别向反射杯的相对两侧凸伸而出。
所述侧面发光型发光二极管封装结构大多是通过焊接的方式固定于印刷电路板上，该侧面发光型发光二极管的第一电极和第二电极的凸出端通过焊锡与印刷电路板的电路结构电连接。
由于在该侧面发光型发光二极管封装结构中，该第一电极和第二电极的相反的两端分别从反射杯的相对两侧凸伸而出，该第一电极与第二电极的端部用于与印刷电路板焊接的侧面与反射杯用于与印刷电路板贴设的侧面齐平，在焊接过程当中，焊锡仅能在第一电极及第二电极的焊接侧面与印刷电路板表面之间形成薄薄的一层，因而容易出现虚焊的现象，进而导致该侧面发光型发光二极管封装结构与印刷电路板之间的连接强度变弱，时间长了焊锡就会脱落。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种接合强度较佳的侧面发光型发光二极管封装结构。
一种侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤：提供一装设有多列第一电极及第二电极的电路板，所述第一电极、第二电极的相反的两端分别向外延伸形成第一接引电极、第二接引电极，同列的第一电极通过连接条纵向串接，同列的第二电极通过连接条纵向串接；形成包覆所述第一电极、第二电极的树脂层，所述树脂层包含反射杯，所述第一接引电极、第二接引电极暴露于树脂层的相对两侧；在反射杯的底部设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极、第二电极；在反射杯内填充封装层并覆盖发光二极管芯片；以及横向切割树脂层及连接条形成多个独立的侧面发光型发光二极管封装结构，每一个独立的侧面发光型发光二极管封装结构的树脂层包括用于与印刷电路板接触的接触面，每一个独立的侧面发光型发光二极管封装结构的第一接引电极及第二接引电极包括用于焊接至印刷电路板的焊接面，焊接面与接触面隔开距离而形成用于收容焊锡的空间。
本发明还提供一种由该制造方法得到的侧面发光型发光二极管封装结构。
一种侧面发光型发光二极管封装结构，用于安装于印刷电路板上，包括间隔设置的第一电极和第二电极、包覆该第一电极和第二电极且包含反射杯的树脂层、设置于反射杯底部并分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及容置于该反射杯内并覆盖发光二极管芯片的封装层，所述发光二极管封装结构还包括外露于该树脂层相对两侧的第一接引电极和第二接引电极，所述第一接引电极和第二接引电极分别由该第一电极和第二电极延伸形成，树脂层包括用于与印刷电路板贴设的接触面，第一接引电极及第二接引电极包括用于与印刷电路板焊接的焊接面，第一接引电极及第二接引电极的焊接面与树脂层的接触面之间隔开而形成用于收容焊锡的空间。
本发明中由于所述第一接引电极及第二接引电极的焊接面与树脂层的接触面之间隔开一定的距离，从而形成一长条状的空间，在将该侧面型发光二极管封装结构焊接于印刷电路板上时，树脂层的接触面与印刷电路板的表面接触，第一接引电极及第二接引电极的焊接面通过焊锡与印刷电路板上的电路连接。由于空间的存在，在焊接过程中焊锡可渗入该空间内，使焊锡的厚度增加，从而增强了该发光二极管封装结构与印刷电路板之间的连接强度。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1是本发明一实施例的侧面发光型发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2是图1中所示侧面发光型发光二极管封装结构的俯视示意图。
图3是图1中所示侧面发光型发光二极管封装结构的仰视示意图。
图4是图1中所示侧面发光型发光二极管封装结构的右视图。
图5是图1的侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法流程图。
图6是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S101所得的电路板的俯视示意图。
图7是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S101所得的电路板的剖面示意图。
图8是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S102所得的发光二极管封装结构俯视示意图。
图9是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S102所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图10是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S103所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图11是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S104所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图12是图5中所示侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法步骤S105所得的发光二极管封装结构俯视示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 100
第一电极 10
本体部 101、111
凸出部 102、112
沟槽 103、113
第二电极 11
第一接引电极 12
第二接引电极 13
通槽 14
树脂层 20
反射杯 21
发光二极管芯片 30
导线 31、32
封装层 40
电路板 50
连接条 60
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请同时参考图1至图4，本发明第一实施例的侧面发光型发光二极管封装结构100，包括间隔设置的第一电极10和第二电极11、包覆该第一电极10和第二电极11且包含一反射杯21的树脂层20、设置于反射杯21底部并分别与第一电极10和第二电极11电连接的发光二极管芯片30以及容置于该反射杯21内并覆盖发光二极管芯片30的封装层40。
所述发光二极管封装结构100还包括外露于该树脂层20相对两侧的第一接引电极12和第二接引电极13，所述第一接引电极12和第二接引电极13分别由该第一电极10和第二电极11的相反的两端弯折延伸形成。
所述第一电极10和第二电极11的截面形状大致呈“T”字形。该第一电极10包括一本体部101及由所述本体部101一侧朝向远离该发光二极管芯片30的方向一体延伸而出的凸出部102。该本体部101为一矩形的平板。该凸出部102为一截面形状为梯形的倒置棱台。该凸出部102的尺寸朝向远离发光二极管芯片30的方向逐渐缩小。相同地，该第二电极11包括一本体部111及由所述本体部111一侧朝向远离该发光二极管芯片30的方向一体延伸而出的凸出部112。该本体部111为一矩形的平板。该凸出部112为一截面形状为梯形的倒置棱台。该凸出部112的尺寸朝向远离发光二极管芯片30的方向逐渐缩小。
相邻的第一电极10和第二电极11之间形成一通槽14用以绝缘性阻断该第一电极10和第二电极11。该通槽14的截面形状呈倒置的漏斗状。具体地，该通槽14由上下两个部分组成。该通槽14的上半部分为一条状的凹槽，该条状的凹槽由该第一电极10的本体部101与该第二电极11的本体部111共同围设而成。该通槽14的下半部分为一截面形状为梯形的凹槽，该梯形的凹槽由该第一电极10的凸出部102与该第二电极11的凸出部112共同围设而成。该通槽14的上半部分与下半部分相互连通。从整体上看，该通槽14沿发光二极管封装结构100横向上的宽度上窄下宽，越靠近第一电极10、第二电极11的底部，该通槽14的宽度越宽。
该第一电极10和第二电极11均包括相对设置的顶面和底面。该第一电极10的顶面与该第二电极11的顶面平齐。该第一电极10的底面与该第二电极11的底面平齐。
所述树脂层20包覆该第一电极10和第二电极11。该第一电极10和第二电极11位于该反射杯21内的顶面外露于树脂层20以用于承载发光二极管芯片30。所述第一电极10的凸出部102和第二电极11的凸出部112完全包覆于树脂层20内。
该第一接引电极12和第二接引电极13分别由该第一电极10的本体部101和第二电极11的本体部111的相反的两端向下弯折延伸形成。该第一接引电极12和第二接引电极13位于该树脂层20的相对两侧。具体地，该第一接引电极12和第二接引电极13设置于该树脂层20的两相对侧壁上。该第一接引电极12与第一电极10的凸出部102共同围设出一沟槽103。相同地，该第二接引电极13与第二电极11的凸出部112共同围设出一沟槽113。
该第一接引电极12和第二接引电极13均包括相对设置的顶面和底面。在本实施例中，所述第一接引电极12和第二接引电极13对称设置于该树脂层20两相对侧壁中央（图4）。该第一接引电极12和第二接引电极13的截面形状均呈矩形。
该第一接引电极12和第二接引电极13的顶面与第一电极10和第二电极11的顶面相互平齐。该第一接引电极12和第二接引电极13的底面与第一电极10和第二电极11的底面相互平齐。
树脂层20包覆该第一电极10和第二电极11。该树脂层20包含一反射杯21。该反射杯21设置于该第一电极10和第二电极11的顶部。发光二极管芯片30设置于该反射杯21的底部。具体地，该发光二极管芯片30设置于该第二电极11上并通过导线31、导线32分别与第一电极10、第二电极11电连接，即本实施例中的发光二极管芯片30为水平式。在其他实施例中，发光二极管芯片30可以是倒装的方式直接与该第一电极10和第二电极11电连接。该发光二极管芯片30还可以是垂直式，即该发光二极管芯片30通过位于其两侧的电极（图未示）分别与第一电极10和第二电极11电连接。
所述树脂层20包括用于与印刷电路板（图未示）贴设的接触面，第一接引电极12及第二接引电极13包括用于与印刷电路板焊接的焊接面，第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与树脂层20的接触面之间隔开而形成用于收容焊锡的空间。
所述第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与树脂层20的接触面隔开的距离为L，在本实施例中，所述距离L小于100微米。
在本实施例中，该树脂层20和反射杯21均由塑料材质构成并通过注塑的方式一体成型。在其他实施例中，该反射杯21和该树脂层20材质可以不同，且该反射杯21和该树脂层20可以分别成型。
该封装层40由硅胶、环氧树脂或其他高分子材料之一构成。该封装层40容置于反射杯21内并覆盖该发光二极管芯片30。优选地，该封装层40还包含有荧光粉，以用于转换该发光二极管芯片30发出的光线。
本发明中由于所述第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与树脂层20的接触面之间隔开一定的距离，从而形成一长条状的空间，在将该侧面型发光二极管封装结构100焊接于印刷电路板上时，树脂层20的接触面与印刷电路板的表面接触，第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面通过焊锡与印刷电路板上的电路连接。由于空间的存在，在焊接过程中焊锡可渗入该空间内，使焊锡的厚度增加，从而增强了该发光二极管封装结构100与印刷电路板之间的连接强度。此外，应当指出，对于某些特定的焊接方式(如波峰焊)而言，该空间的高度(即第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与印刷电路板表面的间距)需要保持在100微米之内，否则焊锡将由于厚度不够无法到达第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面，起到适得其反的效果。
其次，该发光二极管封装结构100工作时产生的热量也能迅速由第一接引电极12和第二接引电极13通过焊锡传递于印刷电路板上。
另外，该第一电极10和第二电极11的截面形状呈“T”字形，这有利于增加该第一电极10和第二电极11表面与树脂层20的接触面积，从而增加第一电极10、第二电极11与树脂层20的连接强度。
图5为本发明的侧面发光型发光二极管封装结构100的制造方法流程图，请一并参阅图5至图12，该侧面发光型发光二极管封装结构100的制造方法包括如下步骤：
步骤S101，请一并参阅图6和图7，提供一装设有多列第一电极10及第二电极11的电路板50，所述第一电极10、第二电极11的相反的两端分别向延伸形成第一接引电极12、第二接引电极13，同列的第一电极10通过连接条60纵向串接，同列的第二电极11通过连接条60纵向串接。
所述连接条60为第一电极10和第二电极11提供支撑力并用于将所述第一电极10和第二电极11固定于电路板50上。该连接条60由金属材质构成，优选金、铜、银等导电和延展性能较好的材料。该连接条60的厚度小于100微米。
所述第一接引电极12和第二接引电极13分别由该第一电极10的本体部101和第二电极11的本体部111的相反的两端弯折延伸形成。
相邻第一接引电极12和第二接引电极13之间的间距为G。该距离G小于100微米。
步骤S102，请一并参阅图8和图9，形成包覆所述第一电极10、第二电极11的树脂层20，所述树脂层20包含反射杯21，所述第一接引电极12、第二接引电极13暴露于树脂层20的相对两侧。
所述包含反射杯21的树脂层20是采用注塑的方法一体成型。所述第一电极10和第二电极11均包括相对设置的顶面和底面。该第一电极10的顶面与该第二电极11的顶面平齐。该第一电极10的底面与该第二电极11的底面平齐。该反射杯21设置于该第一电极10和第二电极11的顶部。
步骤S103，请一并参阅图10，在反射杯21的底部设置发光二极管芯片30并通过导线31和导线32分别电连接该第一电极10和第二电极11。
在本实施例中，该发光二极管芯片30设置于第二电极11上，并通过导线31和导线32分别电连接第一电极10和第二电极11。在其他实施例中，该发光二极管芯片30也可以通过倒装的形式直接与第一电极10和第二电极11电连接而不需导线31和导线32。
步骤S104，请一并参阅图11，在反射杯21内填充封装层40用以覆盖发光二极管芯片30。
该封装层40由硅胶、环氧树脂或其他高分子材料之一构成。该封装层40容置于反射杯21内并覆盖该发光二极管芯片30。优选地，该封装层40还包含有荧光粉，以用于转换该发光二极管芯片30发出的光线。
步骤S105，请一并参阅图12，横向切割树脂层20及连接条60形成多个独立的侧面发光型发光二极管封装结构100，每一个独立的侧面发光型发光二极管封装结构100的树脂层20包括用于与印刷电路板接触的接触面，每一个独立的侧面发光型发光二极管封装结构100的第一接引电极12及第二接引电极13包括用于焊接至印刷电路板的焊接面，所述第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与树脂层20的接触面隔开距离而形成用于收容焊锡的空间。
所述第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与树脂层20的接触面隔开距离为L，在本实施例中，所述距离L小于100微米。
为了获得厚度较小的多个独立的侧面发光型发光二极管封装结构100，切割线的位置与第一接引电极12、第二接引电极13侧边的间距L应尽可能缩短，但切割线的位置同时还应该避开第一电极10及第二电极11。在本实施例中，切割线的位置与所述第一接引电极12和第二接引电极13之间的间距即为切割之后所述侧面发光型发光二极管封装结构100的第一接引电极12及第二接引电极13的焊接面与树脂层20的接触面之间的间距。
另外，容易理解的是，由于所述连接条60的厚度小于100微米，因此在实际切割时相对比较容易，且这样的切割方式不会影响位于该树脂层20两侧的第一接引电极12和第二接引电极13。
还可以理解的是，在本发明中，所述第一接引电极12和第二接引电极13可以沿树脂层20的侧壁延伸至树脂层20的底部。
还可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种侧面发光型发光二极管封装结构，用于安装于印刷电路板上，包括间隔设置的第一电极和第二电极、包覆该第一电极和第二电极且包含反射杯的树脂层、设置于反射杯底部并分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及容置于该反射杯内并覆盖发光二极管芯片的封装层，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括外露于该树脂层相对两侧的第一接引电极和第二接引电极，所述第一接引电极和第二接引电极分别由该第一电极和第二电极延伸形成，树脂层包括用于与印刷电路板贴设的接触面，第一接引电极及第二接引电极包括用于与印刷电路板焊接的焊接面，第一接引电极及第二接引电极的焊接面与树脂层的接触面之间隔开而形成用于收容焊锡的空间。
2.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于：第一接引电极及第二接引电极的焊接面与树脂层的接触面的间距小于100微米。
3.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极、第二电极包括相对设置的顶面和底面，所述反射杯形成于第一电极、第二电极的顶部，发光二极管芯片设置于反射杯的底部并通过导线分别与第一电极、第二电极电连接。
4.如权利要求3所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极、第二电极均包括本体部及由所述本体部一侧一体延伸而出的凸出部，凸出部包覆于树脂层内。
5.如权利要求4所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一接引电极、第二接引电极分别由所述第一电极的本体部、第二电极的本体部的相反的两端弯折延伸形成，所述第一接引电极、第二接引电极分别与第一电极的凸出部、第二电极的凸出部围设出沟槽。
6.如权利要求4所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极、第二电极的凸出部的截面形状为梯形，所述第一电极、第二电极的凸出部的尺寸朝向远离该发光二极管芯片的方向逐渐缩小。
7.如权利要求6所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极之间形成一通槽用以绝缘性阻断该第一电极、第二电极，所述通槽的截面形状呈倒置的漏斗状。
8.一种侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤：提供一装设有多列第一电极及第二电极的电路板，所述第一电极、第二电极的相反的两端分别向外延伸形成第一接引电极、第二接引电极，同列的第一电极通过连接条纵向串接，同列的第二电极通过连接条纵向串接；
形成包覆所述第一电极、第二电极的树脂层，所述树脂层包含反射杯，所述第一接引电极、第二接引电极暴露于树脂层的相对两侧；
在反射杯的底部设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极、第二电极；
在反射杯内填充封装层并覆盖发光二极管芯片；以及
横向切割树脂层及连接条形成多个独立的侧面发光型发光二极管封装结构，每一个独立的侧面发光型发光二极管封装结构的树脂层包括用于与印刷电路板接触的接触面，每一个独立的侧面发光型发光二极管封装结构的第一接引电极及第二接引电极包括用于焊接至印刷电路板的焊接面，焊接面与接触面隔开距离而形成用于收容焊锡的空间。
9.如权利要求8所述的侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：连接条的厚度小于100微米。
10.如权利要求9所述的侧面发光型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：接触面与焊接面之间的距离小于100微米。
CN201210314529.1A 2012-08-30 2012-08-30 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法 Expired - Fee Related CN103682063B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210314529.1A CN103682063B (zh) 2012-08-30 2012-08-30 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
TW101132944A TWI531096B (zh) 2012-08-30 2012-09-10 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
US13/927,777 US20140061698A1 (en) 2012-08-30 2013-06-26 Light emitting diode package and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210314529.1A CN103682063B (zh) 2012-08-30 2012-08-30 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103682063A true CN103682063A (zh) 2014-03-26
CN103682063B CN103682063B (zh) 2017-03-01

Family

ID=50186218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210314529.1A Expired - Fee Related CN103682063B (zh) 2012-08-30 2012-08-30 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140061698A1 (zh)
CN (1) CN103682063B (zh)
TW (1) TWI531096B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9930750B2 (en) * 2014-08-20 2018-03-27 Lumens Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device packages, light-emitting device package strip, and light-emitting device package
DE102015109755A1 (de) 2015-06-18 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030075724A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
CN101207170A (zh) * 2007-12-13 2008-06-25 佛山市国星光电股份有限公司 一种led引线框架及利用该引线框架制造led的方法
CN101355126A (zh) * 2007-07-23 2009-01-28 瑞莹光电股份有限公司 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法
US20100019267A1 (en) * 2005-11-09 2010-01-28 Alti-Electronics Co., Ltd. Led of side view type and the method for manufacturing the same
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP5122172B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US8030674B2 (en) * 2008-04-28 2011-10-04 Lextar Electronics Corp. Light-emitting diode package with roughened surface portions of the lead-frame

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030075724A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
US20100019267A1 (en) * 2005-11-09 2010-01-28 Alti-Electronics Co., Ltd. Led of side view type and the method for manufacturing the same
CN101355126A (zh) * 2007-07-23 2009-01-28 瑞莹光电股份有限公司 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法
CN101207170A (zh) * 2007-12-13 2008-06-25 佛山市国星光电股份有限公司 一种led引线框架及利用该引线框架制造led的方法
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN103682063B (zh) 2017-03-01
TWI531096B (zh) 2016-04-21
TW201409778A (zh) 2014-03-01
US20140061698A1 (en) 2014-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8088635B2 (en) Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same
TWI415309B (zh) Preform Molded Polycrystalline Bearing Modules with Lead Frame Type
CN102214776B (zh) 发光二极管封装结构、照明装置及发光二极管封装用基板
CN102856464B (zh) 发光二极管封装结构及封装方法
KR101253247B1 (ko) 광 디바이스용 기판
CN104022215A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
TW201417358A (zh) 發光二極體及其製造方法
CN103682028A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
JP5721797B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US8791493B2 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
CN203812910U (zh) 一种高利用率和高光效的led阵列支架
CN103972371B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103682063A (zh) 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
US8545053B2 (en) Light device with multiple LED light sources
CN104103748A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
KR101308090B1 (ko) 광 디바이스용 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스용 기판
KR101764344B1 (ko) 구동회로 및 전원회로 일체형 광 디바이스 기판
CN104022214A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
WO2008138182A1 (fr) Diode électroluminescente de type à puce
KR100754884B1 (ko) 발광소자 및 이의 제조 방법
CN102723420B (zh) 一种支架与led灯
CN212570994U (zh) 一种led显示模组及具有其的显示屏单元板和显示屏
CN201196385Y (zh) 一种表面贴装发光二极管
KR101109754B1 (ko) 발광 다이오드 패키지의 제조방법
CN201060873Y (zh) 一种片式发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170301