CN103579525A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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王平
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黄辉
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂于电子传输材料中的第一掺杂材料，电子注入层的材料包括电子注入材料及掺杂于电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料，第一掺杂材料及第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种。电子传输层和电子注入层中均掺杂有氟化物，电子传输层掺杂的氟化物降低了电子传输层与发光层界面之间的LUMO能级，电子注入层掺杂的氟化物降低了阴极层与电子注入层界面之间的LUMO能级，从而有利于电子从阴极层经过电子传输层和电子注入层注入到发光层中，提高了电子注入效率。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)具有一些独特的优点：(1)OLED属于扩散型面光源，不需要像发光二极管（LED）一样通过额外的导光***来获得大面积的白光光源；(2)由于有机发光材料的多样性，OLED照明可根据需要设计所需颜色的光，目前无论是小分子OLED，还是聚合物有机发光二极管（PLED）都已获得了包含白光光谱在内的所有颜色的光；(3)OLED可在多种衬底如玻璃、陶瓷、金属、塑料等材料上制作，这使得设计照明光源时更加自由；(4)采用制作OLED显示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同时显示信息；(5)OLED在照明***中还可被用作可控色，允许使用者根据个人需要调节灯光氛围。因此，有机电致发光器件是一种极具潜力的发光器件。
有机电致发光器件的发光效率取决于电子和空穴的有效注入和复合。一般情况下，空穴迁移率比电子迁移率要大得多，因此提高电子的注入效率显得至关重要。
发明内容
基于此，有必要提供一种电子注入效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂于所述电子传输材料中的第一掺杂材料，其中所述第一掺杂材料占所述电子传输层的材料的质量百分比为3~8%；所述电子注入层的材料包括电子注入材料及掺杂于所述电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料，所述第二掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为5~10%，所述第三掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为25~35%；所述第一掺杂材料及第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，所述第三掺杂材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯、碳酸锂和氟化锂中的一种，所述电子传输材料及电子注入材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种。
在其中一个实施例中，所述阳极基板为包括透明基板及层叠于所述透明基板上的氧化铟锡薄膜。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层由三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和三氧化铼中的一种掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺和1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的一种中形成，其中所述三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和三氧化铼中的一种的质量百分比为25~35%。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺和1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的一种。
在其中一个实施例中，所述发光层由三（2-苯基吡啶）合铱掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成，所述三（2-苯基吡啶）合铱的质量百分比为5%。
在其中一个实施例中，所述阴极层的材料选自银、铝、金和镁-银合金中的一种。
在其中一个实施例中，所述阳极基板的厚度为100~150纳米，所述空穴注入层的厚度为10~15纳米，所述空穴传输层的厚度为30~50纳米，所述发光层的厚度为10~20纳米，所述电子传输层的厚度为10~60纳米，所述电子注入层的厚度为20~40纳米，所述阴极层的厚度为50~200纳米。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供阳极基板；
在所述阳极基板上真空蒸镀形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上真空蒸镀形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上真空蒸镀形成发光层；
在所述发光层上真空蒸镀形成电子传输层；
在所述电子传输层上真空蒸镀形成电子注入层；及
在所述电子注入层上真空蒸镀形成阴极层得到有机电致发光器件；
其中，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂于所述电子传输材料中的第一掺杂材料，其中所述第一掺杂材料占所述电子传输层的材料的质量百分比为3~8%；所述电子注入层的材料包括电子注入材料及掺杂于所述电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料，所述第二掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为5~10%，所述第三掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为25~35%；所述第一掺杂材料及第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，所述第三掺杂材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯、碳酸锂和氟化锂中的一种，所述电子传输材料及电子注入材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种。
在其中一个实施例中，所述真空蒸镀的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，所述制备空穴注入层及发光层的蒸发速度为
Figure BDA00001921157100031
所述制备空穴传输层、电子传输层及电子注入层的蒸发速度为
Figure BDA00001921157100032
所述制备阴极层的蒸发速度为
Figure BDA00001921157100033
在其中一个实施例中，提供阳极基板的步骤之后还包括对所述阳极基板进行清洗和表面活化处理的步骤，所述清洗的步骤为依次在超声波中用洗洁精、去离子水、丙酮和乙醇进行清洗，所述表面活化处理的步骤为采用紫外-臭氧对阳极基板进行处理30~50分钟。
上述有机电致发光器件的电子传输层和电子注入层中均掺杂有氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，电子传输层掺杂的氟化物降低了电子传输层与发光层界面之间的LUMO能级，电子注入层掺杂的氟化物降低了阴极层与电子注入层界面之间的LUMO能级，从而有利于电子从阴极层经过电子传输层和电子注入层注入到发光层中，使得该有机电致发光器件的电子注入效率较高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1~7与对比例1的有机电致发光器件在亮度80.0~3300.0cd/m2下的发光效率对比图。
具体实施方式
以下通过具体实施方式和附图对上述有机器件发光器件及其制备方法进一步阐述。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的阳极基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106及阴极层107。
阳极基板101用于承载有机电致发光器件100的其他各个组件，并与阴极层107形成电场而将空穴输送至发光层104。阳极基板101采用氧化铟锡（ITO）玻璃基板，在透明的玻璃基板上制备ITO薄膜得到阳极基板101。ITO的导电性及透光性较好，且ITO的功函数较高，能够降低空穴的注入势垒，有利于提高空穴注入效率。可以理解，在其他实施方式中，阳极基板101也可以为掺氟的氧化锡玻璃（FTO）、掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）等。阳极基板101的厚度为100～150纳米。
空穴注入层102用于提高将空穴从阳极基板101注入发光层104的效率。空穴注入层102由P型材料掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）、4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）和1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）中的一种中形成。其中，P型材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）、五氧化二钒（V2O5）和三氧化铼（ReO3）中的一种，P型材料占空穴注入层102的总质量的质量百分比为25~35%。
空穴注入层102的厚度为10~15纳米。
空穴传输层103用于将空穴传输至发光层104。空穴传输层103的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）、4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）和1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）中的一种。
空穴传输层103的厚度为30~50纳米。
电子和空穴在发光层104复合实现发光。发光层104由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成。其中，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层104的总质量的质量百分比为5%。发光层104的厚度为10~20纳米。
电子传输层105用于将电子注入层106注入的电子传输到发光层104。电子传输层105的材料包括电子传输材料及掺杂于电子传输材料中的第一掺杂材料。电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中的一种。第一掺杂材料选自氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化铷(RbF)和氟化铯(CsF)中的一种，第一掺杂材料占电子传输层105的材料的质量百分比为3~8%。
电子传输层105的厚度为10~60纳米。
电子注入层106用于将阴极层107注入的电子传递至电子输入层105。电子注入层106的材料包括电子注入材料及共同掺杂于电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料。电子注入材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中的一种。第二掺杂材料选自氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化铷(RbF)和氟化铯(CsF)中的一种，第二掺杂材料占电子注入层106的材料的质量百分比为5~10%。第三掺杂材料为n型材料，第三掺杂材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮化铯（CsN3）、碳酸锂（Li2CO3）和氟化锂（LiF）中的一种，第三掺杂材料占电子注入层106的材料的质量百分比为25~35%。
电子注入层106的厚度为20~40纳米。
电子传输层105的电子传输材料与电子注入层106的电子注入材料均选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中的一种，两者可以相同也可以不同。优选地，电子传输材料和电子注入材料为同一种材料，有利于平衡电子传输层105与电子注入层106的能级，从而有利于电子注入。
阴极层107与阳极基板101形成电场而将电子输送至发光层104。阴极层107的材料选自银（Ag）、铝（Al）、金（Au）和镁-银（Mg-Ag）合金中的一种。
阴极层107的厚度为50~200纳米。
上述有机电致发光器件100的电子传输层105和电子注入层106中均掺杂有氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，电子传输层105掺杂的氟化物降低了电子传输层105与发光层104界面之间的LUMO（最低未占分子轨道）能级，电子注入层106掺杂的氟化物降低了阴极层107与电子注入层106界面之间的LUMO能级，从而有利于电子从阴极层107经过电子注入层106和电子传输层105注入到发光层104中，使得该有机电致发光器件100的电子注入效率较高。电子注入效率的提高有利于电子和空穴更多地在发光层104中复合，因此，该有机电致发光器件100的发光效率较高。并且，在亮度增加时，其发光效率衰减较小，提高了有机电致发光器件100的发光性能。
电子传输层105掺杂的氟化物与电子注入层106掺杂的氟化物可以相同也可以不同。优选地，当电子传输层105掺杂的氟化物与电子注入层106掺杂的氟化物为同一种氟化物时，如电子传输层105掺杂氟化锂（LiF），电子注入层106也掺杂氟化锂（LiF）时，电子传输层105和电子注入层106的能级将较为匹配，有利于电子传输，因此电子注入效率较高。
请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
步骤S110：提供阳极基板。
阳极基板优选采用氧化铟锡（ITO）玻璃基板。阳极基板的厚度优选为100~150纳米。
首先对阳极基板进行清洗。将阳极基板依次在超声波中用洗洁精、去离子水、丙酮和乙醇进行清洗，每次洗涤5分钟，然后停止5分钟，分别重复3次，然后再用烘箱烘干。
将洗净干燥后的阳极基板进行表面活化处理，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，以提高ITO玻璃基板表面的功函数，提高空穴注入效率。表面活化处理的方法为采用紫外-臭氧（U-ozone）对阳极基板进行处理30~50分钟。
步骤S120：在阳极基板上真空蒸镀形成空穴注入层。
蒸镀真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，蒸发速度为
Figure BDA00001921157100071
空穴注入层由P型材料掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）、4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）和1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）中的一种中形成。其中，P型材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）、五氧化二钒（V2O5）和三氧化铼（ReO3）中的一种，P型材料的掺杂质量百分比为25~35%。空穴注入层的厚度为10~15纳米。
步骤S130：在空穴注入层上真空蒸镀形成空穴传输层。
蒸镀真空度为8×10-5Pa～3×10-4Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）、4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）和1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）中的一种。空穴传输层的厚度为30~50纳米。
步骤S140：在空穴传输层上真空蒸镀形成发光层。
蒸镀真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，蒸发速度为
Figure BDA00001921157100081
发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成的掺杂材料。其中，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)的掺杂质量百分比为5％。发光层的厚度为10~20纳米。
步骤S150：在发光层上真空蒸镀形成电子传输层。
蒸镀真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，蒸发速度为
Figure BDA00001921157100082
电子传输层的材料为包括电子传输材料及掺杂于电子传输材料中的第一掺杂材料。电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中的一种。第一掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，第一掺杂材料占电子传输层的材料的质量百分比为3~8%。电子传输层的厚度为10~60纳米。
步骤S160：在电子传输层上真空蒸镀形成电子注入层。
蒸镀真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括电子注入材料及共同掺杂于电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料。电子注入材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中的一种。第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种。第二掺杂材料的占电子注入层的材料的质量百分比为5~10%。第三掺杂材料为n型材料，第三掺杂材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮化铯（CsN3）、碳酸锂（Li2CO3）和氟化锂（LiF）中的一种，第三掺杂材料占电子注入层的材料的质量百分比为25~35%。电子注入层的厚度为20~40纳米。
步骤S170：在电子注入层上真空蒸镀形成阴极层得到有机电致发光器件。
蒸镀真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，蒸发速度为
Figure BDA00001921157100091
阴极层的材料选自银（Ag）、铝（Al）、金（Au）和镁-银（Mg-Ag）合金中的一种。阴极层的厚度为50~200纳米。
上述有机电致发光器件的制备方法通过真空蒸镀制备各个功能层，其中电子传输层和电子注入层均掺杂有氟化物，氟化物的掺杂提高了有机电致发光器件的电子注入效率，从而提高了发光效率。该制备方法工艺简单，易于大规模制备。
以下为具体实施例。
实施例1
结构为ITO/NPB:MoO3/NPB/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen:LiF/Bphen:Cs2CO3:LiF/Ag的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理30分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为100纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化钼（MoO3）掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）形成，表示为NPB:MoO3。其中三氧化钼（MoO3）占空穴注入层总质量的30%。在真空度5×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100092
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为12纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）。在真空度5×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100093
在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为40纳米；
（4）发光层的制备：发光层的材料由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度5×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100101
在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度15纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为Bphen:LiF。第一掺杂材料为氟化锂（LiF），电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。氟化锂（LiF）的占电子传输层总质量的5%。在真空度5×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100102
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度40纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为Bphen:Cs2CO3:LiF。第二掺杂材料为氟化锂（LiF），第三掺杂材料为碳酸铯（Cs2CO3），电子注入材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。氟化锂（LiF）的占电子注入层总质量的7%，碳酸铯（Cs2CO3）占电子注入层总质量的30%。在真空度5×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100103
在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为30纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用银（Ag）。在真空度5×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100104
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为100纳米。
实施例2
结构为ITO/TCTA:WO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/BCP:NaF/BCP:CsF:NaF/Al的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理30分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为150纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化钨（WO3）掺杂入4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）形成，表示为TCTA:WO3。其中三氧化钨（WO3）占空穴注入层总质量的30%。在真空度3×10-4Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100111
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为14纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。在真空度3×10-4Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100112
在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为35纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度3×10-4Pa下，以蒸发速度为在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度15纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为BCP:NaF。第一掺杂材料为氟化钠（NaF），电子传输材料为4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）。氟化钠（NaF）占电子传输层总质量的5%。在真空度3×10-4Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100114
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为30纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为BCP:CsF:NaF。第二掺杂材料为氟化钠（NaF），第三掺杂材料为氟化铯（CsF），电子注入材料为4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉（BCP）。氟化钠（NaF）占电子注入层总质量的7%，氟化铯（CsF）占电子注入层总质量的30%。在真空度3×10-4Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100115
在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为35纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用铝（Al）。在真空度3×10-4Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100116
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为150纳米。
实施例3
结构为ITO/CBP:V2O5/CBP/TPBI:Ir(ppy)3/BAlq:KF/BAlq:CsN3:KF/Mg-Ag的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理50分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为120纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由五氧化二钒（V2O5）掺杂入4,4'-二（9-咔唑）联苯（CBP）形成，表示为CBP:V2O5。其中五氧化二钒（V2O5）占空穴传输层总质量的30%。在真空度8×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100121
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为12纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为4,4'-二（9-咔唑)联苯（CBP）。在真空度8×10-5Pa下，以蒸发速度为在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为35纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度8×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100123
在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度15纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为BAlq:KF。第一掺杂材料为氟化钾（KF），电子传输材料为4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）。氟化钾（KF）的占电子传输层总质量的5%。在真空度8×10-5Pa下，以蒸发速度为在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为50纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为BAlq:CsN3:KF。第二掺杂材料为氟化钾（KF），第三掺杂材料为叠氮化铯（CsN3），电子注入材料为4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq）。氟化钾（KF）的占电子注入层总质量的7%，叠氮化铯（CsN3）占电子注入层总质量的30%。在真空度8×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100131
在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为25纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用镁-银合金（Mg-Ag）。在真空度8×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100132
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为180纳米。
实施例4
结构为ITO/TPD:ReO3/TPD/TPBI:Ir(ppy)3/Alq3:RbF/Alq3:Li2CO3:RbF/Au的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理50分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为130纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化铼（ReO3）掺杂入N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）形成，表示为TPD:ReO3。其中三氧化铼（ReO3）占空穴注入成总质量的25%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100133
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为10纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺（TPD）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100134
在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为30纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100141
在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度18纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为Alq3:RbF。第一掺杂材料为氟化铷（RbF），电子传输材料为8-羟基喹啉铝（Alq3）。氟化铷（RbF）占电子传输层总质量的3%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100142
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为10纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为Alq3:Li2CO3:RbF。第二掺杂材料为氟化铷（RbF），第三掺杂材料为碳酸锂（Li2CO3），电子注入材料为8-羟基喹啉铝（Alq3）。氟化铷（RbF）占电子注入层总质量的5％，碳酸锂（Li2CO3）占电子注入层总质量的25%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100143
在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为20纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用金（Au）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100144
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为50纳米。
实施例5
结构为ITO/TAPC:MoO3/TAPC/TPBI:Ir(ppy)3/TAZ:CsF/TAZ:Cs2CO3:CsF/Al的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理40分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为140纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化钼（MoO3）掺杂入1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）形成，表示为TAPC:MoO3。其中三氧化钼（MoO3）占空穴注入层总质量的35%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100151
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为15纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为50纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100153
在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度20纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为TAZ:CsF。第一掺杂材料为氟化铯（CsF），电子传输材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。氟化铯（CsF）占电子传输层总质量的8%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100154
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为60纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为TAZ:Cs2CO3:CsF。第二掺杂材料为氟化铯（CsF），第三掺杂材料为碳酸铯（Cs2CO3），电子注入材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。氟化铯（CsF）占电子注入层总质量的10%，碳酸铯（Cs2CO3）占电子注入层总质量的35%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100155
在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为40纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用铝（Al）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100156
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为200纳米。
实施例6
结构为ITO/NPB:WO3/NPB/TPBI:Ir(ppy)3/TPBI:NaF/TPBI:CsCO3:NaF/Ag的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理30分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为110纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化钨（WO3）掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）形成，表示为NPB:WO3。其中三氧化钨（WO3）占空穴注入层总质量的25%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100161
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为10纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100162
在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为30纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度10纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为TPBI:NaF。第一掺杂材料氟化钠（NaF），电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。氟化钠（NaF）占电子传输层总质量的3%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100164
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为20纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为TPBI:CsCO3:NaF。第二掺杂材料为氟化钠（NaF），第三掺杂材料为碳酸锂（Li2CO3），电子注入材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）。氟化钠（NaF）占电子注入层的总质量的5%。碳酸锂（Li2CO3）占电子注入层总质量的25%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100171
在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为20纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用银（Ag）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100172
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为80纳米。
实施例7
结构为ITO/TAPC:MoO3/TAPC/TPBI:Ir(ppy)3/TAZ:CsF/TAZ:Cs2CO3:NaF/Al的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理30分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为140纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化钼（MoO3）掺杂入1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）形成，表示为TAPC:MoO3。其中三氧化钼（MoO3）占空穴注入层总质量的35%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100173
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为15纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100174
在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为50纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100175
在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度20纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为第一掺杂材料掺杂入电子传输材料中形成的掺杂材料，表示为TAZ:CsF。第一掺杂材料为氟化铯（CsF），电子传输材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。氟化铯（CsF）占电子传输层总质量的8%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100181
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为60纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第二掺杂材料和第三掺杂材料共同掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为TAZ:Cs2CO3:NaF。第二掺杂材料为氟化钠（NaF），第三掺杂材料为碳酸铯（Cs2CO3），电子注入材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。氟化钠（NaF）占电子注入层总质量的10%，碳酸铯（Cs2CO3）占电子注入层总质量的35%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为40纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用铝（Al）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100183
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为200纳米。
对比例1
结构为ITO/TAPC:MoO3/TAPC/TPBI:Ir(ppy)3/TAZ/TAZ:Cs2CO3/Al的有机电致发光器件的制备
（1）ITO玻璃基板前处理：提供ITO玻璃基板作为阳极基板，按洗洁精清洗→去离子水清洗→丙酮清洗→乙醇清洗的步骤对ITO玻璃基板进行清洗，各个清洗步骤均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；采用紫外-臭氧对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理30分钟，以增加ITO玻璃基板表面的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度为100纳米；
（2）空穴注入层的制备：空穴注入层由三氧化钼（MoO3）掺杂入1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）形成，表示为TAPC:MoO3。其中三氧化钼（MoO3）占空穴注入层总质量的35%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100184
在ITO玻璃基板上真空蒸镀制备空穴注入层，空穴注入层的厚度为15纳米；
（3）空穴传输层的制备：空穴传输层的材料为1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100191
在空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层，空穴传输层的厚度为50纳米；
（4）发光层的制备：发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）形成，表示为TPBI:Ir(ppy)3。其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层总质量的5%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100192
在空穴传输层上真空蒸镀制备发光层，发光层的厚度20纳米；
（5）电子传输层的制备：电子传输层的材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100193
在发光层上真空蒸镀制备电子传输层，电子传输层的厚度为60纳米；
（6）电子注入层的制备：电子注入层的材料为第三掺杂材料掺杂入电子注入材料中形成的掺杂材料，表示为TAZ:Cs2CO3。第三掺杂材料为碳酸铯（Cs2CO3），电子注入材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。碳酸铯（Cs2CO3）占电子注入层总质量的35%。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为在电子传输层上真空蒸镀制备电子注入层，电子注入层的厚度为40纳米；
（7）阴极层的制备：阴极层的材料采用铝（Al）。在真空度10×10-5Pa下，以蒸发速度为
Figure BDA00001921157100195
在电子注入层上真空蒸镀制备阴极层，阴极层的厚度为200纳米。
表1 实施例1~7及对比例1在亮度80.0~3300.0cd/m2下的发光效率
Figure BDA00001921157100196
Figure BDA00001921157100201
由表1和图3可知，实施例1~7的有机电致发光器件的电子传输和电子注入层均掺杂了氟化物，其发光效率高于对比例1的有机器件的发光亮度，且随着亮度的增加，实施例1~7的发光效率衰减较小。
由表1可知，在有机电致发光器件的电子传输层和电子注入层中掺杂同一种的氟化物，可获得较大的发光效率。
表2 实施例5和对比例1的有机电致发光器件亮度80.0~3300.0cd/m2下的发光效率比较
由表2可知，与对比例1的有机电致发光器件相比，实施例5的有机电致发光器件的区别仅在于电子传输层与电子注入层均掺杂有氟化物，实施例5的有机电致发光器件在亮度80.0~3300.0cd/m2下的发光效率比对比例1的有机电致发光器件至少提高了93.9%，最高达504.2%。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，其特征在于，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂于所述电子传输材料中的第一掺杂材料，其中所述第一掺杂材料占所述电子传输层的材料的质量百分比为3~8%；所述电子注入层的材料包括电子注入材料及掺杂于所述电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料，所述第二掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为5~10%，所述第三掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为25~35%；所述第一掺杂材料及第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，所述第三掺杂材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯、碳酸锂和氟化锂中的一种，所述电子传输材料及电子注入材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基板为包括透明基板及层叠于所述透明基板上的氧化铟锡薄膜。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层由三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和三氧化铼中的一种掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺和1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的一种中形成，其中所述三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和三氧化铼中的一种的质量百分比为25~35%。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4＂-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺和1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由三（2-苯基吡啶）合铱掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成，所述三（2-苯基吡啶）合铱的质量百分比为5%。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的材料选自银、铝、金和镁-银合金中的一种。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基板的厚度为100~150纳米，所述空穴注入层的厚度为10~15纳米，所述空穴传输层的厚度为30~50纳米，所述发光层的厚度为10~20纳米，所述电子传输层的厚度为10~60纳米，所述电子注入层的厚度为20~40纳米，所述阴极层的厚度为50~200纳米。
8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供阳极基板；
在所述阳极基板上真空蒸镀形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上真空蒸镀形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上真空蒸镀形成发光层；
在所述发光层上真空蒸镀形成电子传输层；
在所述电子传输层上真空蒸镀形成电子注入层；及
在所述电子注入层上真空蒸镀形成阴极层得到有机电致发光器件；
其中，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂于所述电子传输材料中的第一掺杂材料，其中所述第一掺杂材料占所述电子传输层的材料的质量百分比为3~8%；所述电子注入层的材料包括电子注入材料及掺杂于所述电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料，所述第二掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为5~10%，所述第三掺杂材料占所述电子注入层的材料的质量百分比为25~35%；所述第一掺杂材料及第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种，所述第三掺杂材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯、碳酸锂和氟化锂中的一种，所述电子传输材料及电子注入材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa，所述制备空穴注入层及发光层的蒸发速度为
Figure FDA00001921157000031
所述制备空穴传输层、电子传输层及电子注入层的蒸发速度为
Figure FDA00001921157000032
所述制备阴极层的蒸发速度为
Figure FDA00001921157000033
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，提供阳极基板的步骤之后还包括对所述阳极基板进行清洗和表面活化处理的步骤，所述清洗的步骤为依次在超声波中用洗洁精、去离子水、丙酮和乙醇进行清洗，所述表面活化处理的步骤为采用紫外-臭氧对阳极基板进行处理30~50分钟。
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