CN103571647A - 一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 - Google Patents

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郭万东
孟祥法
董培才
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Abstract

一种太阳能级硅片水基清洗剂,由下列重量份的原料制成:十二烷基苯磺酸钠2-3、四甲基氢氧化铵3-4、椰油酰单乙醇胺5-6、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠1-2、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120。本发明清洗剂对金属离子、有机物、固体颗粒都能快速清除,无需复杂的制备工艺,大大地提高了生产的效率;清洗剂安全环保,与传统硅片清洗剂相比,常温使用,清洗效率高,对硅片无过腐蚀,并且成本有所下降。本发明的助剂能够在电路板表面形成保护膜,隔绝空气,防止大气中水及其他分子腐蚀电路板,抗氧化,方便下一步制作工艺进行。

Description

一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及清洗剂领域,尤其涉及一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法。
背景技术
硅片清洗剂广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。
目前多数硅片清洗剂采用RAC清洗中的一号液和三号液,但是一号液显碱性,可能会造成硅表面粗糙,要严格控制温度、浓度和时间;三号液显酸性,有强腐蚀性,对人体健康也不利,生产成本高,有刺激性气味,污染环境,因此需要进一步改进配方,以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法,该清洗剂具有清洁彻底、清洁速度快、操作简便的优点。
本发明的技术方案如下:
一种太阳能级硅片水基清洗剂,其特征在于由下列重量份的原料制成:十二烷基苯磺酸钠2-3、四甲基氢氧化铵3-4、椰油酰单乙醇胺5-6、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠1-2、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120;
所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1-2、植酸1-2、吗啉3-4、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3-4、乙醇12-15;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570 、植酸、乙醇混合,加热至60-70℃,搅拌20-30分钟后,再加入其它剩余成分,升温至80-85℃,搅拌30-40分钟,即得。
所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法,其特征在于包括以下步骤:将去离子水、十二烷基苯磺酸钠、四甲基氢氧化铵、椰油酰单乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、柠檬酸、乙醇混合,在1000-1200转/分搅拌下,以6-8℃/分的速率加热到60-70℃,加入其他剩余成分,继续搅拌15-20分钟,即得。
本发明的有益效果
本发明清洗剂对金属离子、有机物、固体颗粒都能快速清除,无需复杂的制备工艺 ,大大地提高了生产的效率;清洗剂安全环保,与传统硅片清洗剂相比,常温使用,清洗效率高,对硅片无过腐蚀,并且成本有所下降。本发明的助剂能够在电路板表面形成保护膜,隔绝空气,防止大气中水及其他分子腐蚀电路板,抗氧化,方便下一步制作工艺进行。
具体实施方式
一种太阳能级硅片水基清洗剂,由下列重量份(公斤)的原料制成:十二烷基苯磺酸钠2.5、四甲基氢氧化铵3.6、椰油酰单乙醇胺5.6、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠1.5、柠檬酸2.5、乙醇35、助剂4.5、去离子水110;
所述助剂由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2.5、抗氧剂1035 1.5、植酸1.5、吗啉3.5、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3.5、乙醇14;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合,加热至65℃,搅拌25分钟后,再加入其它剩余成分,升温至84℃,搅拌34分钟,即得。
所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法,包括以下步骤:将去离子水、十二烷基苯磺酸钠、四甲基氢氧化铵、椰油酰单乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、柠檬酸、乙醇混合,在1100转/分搅拌下,以7℃/分的速率加热到65℃,加入其他剩余成分,继续搅拌17分钟,即得。
该太阳能级硅片水基清洗剂用于清洗太阳能硅片,洗净率为99.4%,对洗净硅片表面不会残留不溶物,不产生新污染,不影响产品的质量,洗净后的硅片表面干净,色泽一致,无花斑。

Claims (2)

1.一种太阳能级硅片水基清洗剂,其特征在于由下列重量份的原料制成:十二烷基苯磺酸钠2-3、四甲基氢氧化铵3-4、椰油酰单乙醇胺5-6、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠1-2、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120;
所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1-2、植酸1-2、吗啉3-4、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3-4、乙醇12-15;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570 、植酸、乙醇混合,加热至60-70℃,搅拌20-30分钟后,再加入其它剩余成分,升温至80-85℃,搅拌30-40分钟,即得。
2.根据权利要求1所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法,其特征在于包括以下步骤:将去离子水、十二烷基苯磺酸钠、四甲基氢氧化铵、椰油酰单乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、柠檬酸、乙醇混合,在1000-1200转/分搅拌下,以6-8℃/分的速率加热到60-70℃,加入其他剩余成分,继续搅拌15-20分钟,即得。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104862134A (zh) * 2015-03-27 2015-08-26 武汉宜田科技发展有限公司 一种硅片脱胶剂、其制造方法和使用方法
CN105039006A (zh) * 2015-07-31 2015-11-11 陕西国防工业职业技术学院 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法
CN105441200A (zh) * 2015-12-04 2016-03-30 三达奥克化学股份有限公司 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法
TWI638043B (zh) * 2017-03-22 2018-10-11 中美矽晶製品股份有限公司 矽晶圓洗劑與清洗矽晶圓的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1047121A1 (en) * 1999-04-20 2000-10-25 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Cleaning solution for substrates of electronic devices
EP1900801A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-19 FUJIFILM Corporation Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same
CN101265439A (zh) * 2008-05-09 2008-09-17 大连三达奥克化学股份有限公司 单晶硅片水基清洗剂
CN101368141A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 江苏海迅实业集团股份有限公司 电子仪表板面清洗剂
CN101892132A (zh) * 2010-07-23 2010-11-24 北京工业大学 一种太阳能硅片清洗剂及其制备方法
CN102010796A (zh) * 2010-12-25 2011-04-13 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 太阳能多晶硅片清洗液
CN102660409A (zh) * 2012-05-14 2012-09-12 陕西省石油化工研究设计院 光伏电池硅片清洗剂及其制备方法
CN103214886A (zh) * 2013-02-04 2013-07-24 安徽省繁昌县皖南阀门铸造有限公司 一种含有丙烯酸丁酯的金属防锈油

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1047121A1 (en) * 1999-04-20 2000-10-25 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Cleaning solution for substrates of electronic devices
EP1900801A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-19 FUJIFILM Corporation Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same
CN101368141A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 江苏海迅实业集团股份有限公司 电子仪表板面清洗剂
CN101265439A (zh) * 2008-05-09 2008-09-17 大连三达奥克化学股份有限公司 单晶硅片水基清洗剂
CN101892132A (zh) * 2010-07-23 2010-11-24 北京工业大学 一种太阳能硅片清洗剂及其制备方法
CN102010796A (zh) * 2010-12-25 2011-04-13 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 太阳能多晶硅片清洗液
CN102660409A (zh) * 2012-05-14 2012-09-12 陕西省石油化工研究设计院 光伏电池硅片清洗剂及其制备方法
CN103214886A (zh) * 2013-02-04 2013-07-24 安徽省繁昌县皖南阀门铸造有限公司 一种含有丙烯酸丁酯的金属防锈油

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104862134A (zh) * 2015-03-27 2015-08-26 武汉宜田科技发展有限公司 一种硅片脱胶剂、其制造方法和使用方法
CN105039006A (zh) * 2015-07-31 2015-11-11 陕西国防工业职业技术学院 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法
CN105039006B (zh) * 2015-07-31 2018-05-15 陕西国防工业职业技术学院 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法
CN105441200A (zh) * 2015-12-04 2016-03-30 三达奥克化学股份有限公司 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法
TWI638043B (zh) * 2017-03-22 2018-10-11 中美矽晶製品股份有限公司 矽晶圓洗劑與清洗矽晶圓的方法

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