CN103571643A - 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 - Google Patents
太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103571643A CN103571643A CN201310527797.6A CN201310527797A CN103571643A CN 103571643 A CN103571643 A CN 103571643A CN 201310527797 A CN201310527797 A CN 201310527797A CN 103571643 A CN103571643 A CN 103571643A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- cleaning agent
- cleaning
- ethanol
- minute
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
一种太阳能级硅片水基清洗剂，由下列重量份的原料制成：氢氟酸2-3、二甲苯磺酸钠1-2、壬基酚聚氧乙烯醚2-3、十二烷基二甲基氧化胺1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、二氯四氟甲烷6-8、丙二醇9-12、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120。本发明不仅可以有效的去除硅片表面的有机、无机污染，而且可以去除附着在硅片表面的金属、非金属颗粒，从而提高了太阳能电池片的优质率与效率。本发明的清洗液配方简单，清洗效果好，且清洗方法简单，清洗时间短，清洗需要的温度不高。本发明的助剂能够在电路板表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀电路板，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。
Description
技术领域
本发明涉及清洗剂领域，尤其涉及一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法。
背景技术
硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。
目前多数硅片清洗剂采用RAC清洗中的一号液和三号液，但是一号液显碱性，可能会造成硅表面粗糙，要严格控制温度、浓度和时间；三号液显酸性，有强腐蚀性，对人体健康也不利，生产成本高，有刺激性气味，污染环境，因此需要进一步改进配方，以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法，该清洗剂具有清洁彻底、清洁速度快、清洗简单的优点。
本发明的技术方案如下：
一种太阳能级硅片水基清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成：氢氟酸2-3、二甲苯磺酸钠1-2、壬基酚聚氧乙烯醚2-3、十二烷基二甲基氧化胺1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、二氯四氟甲烷6-8、丙二醇9-12、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120；
所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1-2、植酸1-2、吗啉3-4、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3-4、乙醇12-15；制备方法是将硅烷偶联剂KH-570 、植酸、乙醇混合，加热至60-70℃，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85℃，搅拌30-40分钟，即得。
所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将去离子水、氢氟酸、二甲苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、十二烷基二甲基氧化胺、月桂醇聚氧乙烯醚、丙二醇、乙醇混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8℃/分的速率加热到60-70℃，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。
本发明的有益效果
本发明不仅可以有效的去除硅片表面的有机、无机污染，而且可以去除附着在硅片表面的金属、非金属颗粒，从而提高了太阳能电池片的优质率与效率。本发明的清洗液配方简单，清洗效果好，且清洗方法简单，清洗时间短，清洗需要的温度不高。本发明的助剂能够在电路板表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀电路板，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。
具体实施方式
一种太阳能电池硅片清洗剂，由下列重量份（公斤）的原料制成：氢氟酸2.5、二甲苯磺酸钠1.5、壬基酚聚氧乙烯醚2.5、十二烷基二甲基氧化胺1.6、月桂醇聚氧乙烯醚4、二氯四氟甲烷7、丙二醇11、乙醇36、助剂4.5、去离子水110；
所述助剂由下列重量份（公斤）的原料制成：硅烷偶联剂KH-570 2.5、抗氧剂1035 1.5、植酸1.5、吗啉3.5、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3.5、乙醇14；制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至65℃，搅拌25分钟后，再加入其它剩余成分，升温至84℃，搅拌34分钟，即得。
所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法，包括以下步骤：将去离子水、氢氟酸、二甲苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、十二烷基二甲基氧化胺、月桂醇聚氧乙烯醚、丙二醇、乙醇混合，在1100转/分搅拌下，以7℃/分的速率加热到65℃，加入其他剩余成分，继续搅拌17分钟，即得。
该太阳能级硅片水基清洗剂用于清洗太阳能电池硅片，洗净率为99.2%，对洗净硅片表面不会残留不溶物，不产生新污染，不影响产品的质量，洗净后的硅片表面干净，色泽一致，无花斑。
Claims (2)
1.一种太阳能级硅片水基清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成：氢氟酸2-3、二甲苯磺酸钠1-2、壬基酚聚氧乙烯醚2-3、十二烷基二甲基氧化胺1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、二氯四氟甲烷6-8、丙二醇9-12、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120；
所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1-2、植酸1-2、吗啉3-4、甲基丙烯酸-2- 羟基乙酯3-4、乙醇12-15；制备方法是将硅烷偶联剂KH-570 、植酸、乙醇混合，加热至60-70℃，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85℃，搅拌30-40分钟，即得。
2.根据权利要求1所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将去离子水、氢氟酸、二甲苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、十二烷基二甲基氧化胺、月桂醇聚氧乙烯醚、丙二醇、乙醇混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8℃/分的速率加热到60-70℃，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310527797.6A CN103571643A (zh) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310527797.6A CN103571643A (zh) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103571643A true CN103571643A (zh) | 2014-02-12 |
Family
ID=50044359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310527797.6A Pending CN103571643A (zh) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103571643A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101724513A (zh) * | 2008-10-18 | 2010-06-09 | 陈维生 | 电器清洁剂 |
| CN103215595A (zh) * | 2013-02-04 | 2013-07-24 | 安徽省繁昌县皖南阀门铸造有限公司 | 一种含有山梨坦单油酸酯的金属防锈油 |
-
2013
- 2013-10-31 CN CN201310527797.6A patent/CN103571643A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101724513A (zh) * | 2008-10-18 | 2010-06-09 | 陈维生 | 电器清洁剂 |
| CN103215595A (zh) * | 2013-02-04 | 2013-07-24 | 安徽省繁昌县皖南阀门铸造有限公司 | 一种含有山梨坦单油酸酯的金属防锈油 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102010796B (zh) | 太阳能多晶硅片清洗液 | |
| CN105039006A (zh) | 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法 | |
| CN103571647A (zh) | 一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 | |
| CN102296001A (zh) | 一种平板显示用清洗液及其制备方法 | |
| CN103571664A (zh) | 一种环保太阳能硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN110923727A (zh) | 一种研磨液清洗剂及其制备方法 | |
| CN103555431A (zh) | 一种印刷电路板清洗剂及其制备方法 | |
| CN103571670A (zh) | 一种光伏电池硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN110591832A (zh) | 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN108385115A (zh) | 一种间冷塔专用清洗剂及其制备方法 | |
| CN103952246A (zh) | 一种用于太阳能硅片制造的清洗液 | |
| CN103897862A (zh) | 一种光伏硅片清洁剂及其清洁方法 | |
| CN103555443A (zh) | 一种水基印刷电路板锡膏清洗剂及其制备方法 | |
| CN102653707A (zh) | 电子元件去污液 | |
| CN103571640A (zh) | 一种水基led芯片清洗剂及其制备方法 | |
| CN103614249A (zh) | 一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂及使用方法 | |
| CN108239433A (zh) | 一种水基型uv三防漆清洗剂及其制备方法 | |
| CN103589525A (zh) | 一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN103571665A (zh) | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法 | |
| CN103589522A (zh) | 一种碱性光伏电池硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN103571643A (zh) | 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 | |
| CN103605270B (zh) | 一种光刻胶水基硅片清洗液及其制备方法 | |
| CN103555452A (zh) | 一种水乳型印刷电路板清洗剂及其制备方法 | |
| CN103571644A (zh) | 一种水基硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN103042009B (zh) | 一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140212 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |