CN103545221A - 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 - Google Patents
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103545221A CN103545221A CN201310564204.3A CN201310564204A CN103545221A CN 103545221 A CN103545221 A CN 103545221A CN 201310564204 A CN201310564204 A CN 201310564204A CN 103545221 A CN103545221 A CN 103545221A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- layer
- metal
- oxide thin
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 186
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 147
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 118
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 84
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 claims description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 3-Phenyl-1-propanol Chemical compound OCCCC1=CC=CC=C1 VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N Phenylpropyl alcohol Natural products CCC(O)C1=CC=CC=C1 DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 18
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 abstract description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法依次包括：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层；e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后对金属层图形化作为源、漏电极图形；f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明制备工艺简单，所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性好、尺寸小，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
近年来，新型平板显示（FPD）产业发展日新月异。消费者对于大尺寸、高分辨率平板显示的高需求量刺激着整个产业不断进行显示技术提升。而作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管（TFT）背板技术，也在经历着深刻的变革。金属氧化物TFT（MOTFT）不仅具有较高的迁移率（在5~50 
左右），而且制作工艺简单，制造成本较低，还具有优异的大面积均匀性。因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。
目前MOTFT主要使用的结构有背沟道刻蚀结构和刻蚀阻挡层结构。背沟道刻蚀结构是在生成有源层之后，在有源层上沉积金属层，并且图形化作为源、漏电极。而刻蚀阻挡层结构是在有源层生成之后，先制作一层刻蚀阻挡层，再在之上沉积金属层并且图形化作为源、漏电极。
刻蚀阻挡层结构的MOTFT的稳定性比较好，目前该结构薄膜晶体管已商业化。但是因为其需要增加额外的光刻掩膜版制作刻蚀阻挡层，导致工艺复杂，制作成本高。
背沟道刻蚀结构制作工艺较为简单，并且与传统非晶硅制作工艺相同，设备投资和生产成本都较低廉。该结构被认为是，金属氧化物薄膜晶体管实现大规模量产和能够广泛使用的必然发展方向。但是在有源层上刻蚀源、漏电极时，无论是采用干法刻蚀还是湿法刻蚀都会出现背沟道损伤的问题：采用干法刻蚀时，金属氧化物容易受到离子损伤，导致暴露的沟道表面有载流子陷阱生成以及氧空位浓度增加，使得器件稳定性较差；采用湿法刻蚀时，因为有源层对大部分酸性刻蚀液都比较敏感，很容易在刻蚀过程中被腐蚀，从而也将极大地影响器件性能。该结构的MOTFT目前还无法实现产品化。
现有技术中，针对背沟道刻蚀结构的稳定性问题，有采用通过在有源层上增加背沟道刻蚀保护层以防止对有源层进行保护的先例。通常考虑以有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层，在金属/刻蚀阻挡层/金属氧化物半导体这样的电极结构中，需要通过有机导电薄膜的导电性实现金属与金属氧化物半导体之间的欧姆接触，因此在作为背沟道刻蚀保护层的材料选择中需要选择具有一定导电性能的材料。
但是有机导电薄膜的制备方法为真空热蒸法、旋涂法或者丝网印刷法，其与现有厂家的设备不相配，在制备过程中，厂家需要额外引入相关设备，导致制备成本较高。此外，有机导电薄膜与背沟道重叠的部分必须被刻蚀掉，否则载流子将直接通过导电薄膜在源、漏电极之间流动，从而使得背沟道失去作用，这意味着需要额外的一次刻蚀工艺。
因此，针对现有技术不足，提供一种稳定性好、制备工艺简单、成本低廉的金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺以克服现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的之一是提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，该制备方法具有制造工艺简单、成本低廉且所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性高的特点。本发明同时提供一种通过该方法制备的金属氧化物薄膜晶体管。
本发明的上述目的通过如下技术手段实现。
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，依次包括如下步骤：
a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；
b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；
c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；
d.在所述有源层上使用物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）方法沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层；
e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后对所述金属层进行图形化作为源、漏电极图形；
f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。
上述步骤d中使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜，具体使用物理气相沉积方法沉积碳膜或者硅膜。
上述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.1~30 nm。
优选的，上述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.5~20 nm。
优选的，上述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.5~1 nm。
优选的，上述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.6~0.8 nm。
优选的，上述步骤a中衬底设置为具有缓冲层的玻璃衬底或者具有水氧阻隔层的柔性衬底；
当所述衬底为柔性衬底时，柔性衬底具体设置为聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚酰亚胺（PI）或者金属箔柔性衬底。
优选的，上述步骤a中在衬底上制备并图形化金属导电层所使用的金属为铝、铜、钼、钛、银、金、钽、钨、铬单质或铝合金；
所述金属导电层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜、银薄膜、金薄膜、钽薄膜、钨薄膜、铬薄膜或铝合金薄膜；或者是由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜；
所述金属导电层的厚度设置为100 nm至2000 nm；
所述金属导电层作为金属氧化物薄膜晶体管栅极。
优选的，上述步骤b中的所述第一绝缘薄膜的厚度为50nm至500 nm；
所述第一绝缘薄膜为氧化硅、氮化硅、氧化铝、五氧化二钽或氧化镱绝缘薄膜的单层薄膜， 或是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜；
所述步骤c中的所述有源层厚度为20 nm至200 nm；
构成所述有源层的半导体材料是金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z=1，M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种或两种以上的任意组合。
优选的，上述步骤e中沉积所述金属层所使用的金属为铝、铜、钼、钛单质，或由以上金属单质作为主体的合金材料；
所述金属层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜或由以上金属单质作为主体的合金材料膜，或者由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜；
所述金属层的厚度为100 nm~2000 nm。
优选的，上述钝化层的厚度为50 nm~2000 nm；
上述钝化层为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镱、聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯单层薄膜，或者是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜。
本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，依次包括如下步骤：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上使用PVD方法沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层；e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后仅对金属层图形化作为源、漏电极图形；f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明基于背沟道刻蚀型金属氧化物薄膜晶体管结构，使用PVD方法沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层。使用非金属薄膜结构的背沟道刻蚀保护层能够大大减少在刻蚀源漏电极的过程中对金属氧化物薄膜晶体管背沟道的损伤。并且所使用的PVD制备方法与现有薄膜晶体管生产线相兼容，且在图形化形成源、漏电极的过程中仅需对金属层进行图形化。故，本发明的方法制备工艺简单、兼容性好，所制备的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性高，而且工艺简单，成本低廉。
本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管，采用上述的方法制备而成。所制备的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性大大提高，满足了金属氧化物薄膜晶体管产品化的要求，而且制备工艺简单、成本低廉。
附图说明
利用附图对本发明作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。
图1是本发明实施例的沉积并图形化金属导电层作为栅极的示意图
图2是本发明实施例的在金属导电层上沉积第一绝缘膜作为栅极绝缘层的示意图；
图3是本发明实施例的沉积有源层的示意图；
图4 是本发明实施例的沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层的示意图；
图5是本发明实施例的在背沟道刻蚀保护层上沉积金属层的示意图；
图6是本发明实施例的图形化源、漏电极的示意图；
图7是本发明实施例的制作钝化层的示意图；
图8是采用有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层时图像化源、漏电极的示意图；
图9是针对图8的结构制作了钝化层的示意图。
在图1至图9中，包括：
衬底01、
栅极02、
第一绝缘薄膜03、
有源层04、
背沟道刻蚀保护层05、
图形化成源、漏电极的金属层06、
钝化层07、
对金属层图形化成源、漏电极后仍然保留的非金属薄膜08。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。
实施例1。
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，依次包括如下步骤。
a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极。
具体的，步骤a中衬底设置为具有缓冲层的玻璃衬底或者具有水氧阻隔层的柔性衬底。
当所述衬底为柔性衬底时，柔性衬底具体设置为聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚酰亚胺（PI）或者金属箔柔性衬底。
步骤a中在衬底上制备并图形化金属导电层所使用的金属为铝、铜、钼、钛、银、金、钽、钨、铬单质或铝合金。
金属导电层的厚度设置为100 nm至2000 nm。金属导电层作为金属氧化物薄膜晶体管栅极，具体可为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜、银薄膜、金薄膜、钽薄膜、钨薄膜、铬薄膜或铝合金薄膜；或者是由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜。
完成金属导电层制作后，进入步骤b。
b.在金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层。
具体的，步骤b中的第一绝缘薄膜的厚度为50 nm至500 nm。
第一绝缘薄膜为氧化硅、氮化硅、氧化铝、五氧化二钽或氧化镱绝缘薄膜的单层薄膜，或是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜。
c.在栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层。
具体的，步骤c中的有源层厚度为20 nm至200 nm。构成有源层的半导体材料是金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z=1，M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种或两种以上的任意组合。
d.在有源层上使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜作为刻蚀保护层。
非金属薄膜具体是硅薄膜、碳薄膜。背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.1~30 nm，优选设置为0.5~20 nm，也可设置为0.5~1 nm或者设置为0.6~0.8nm。
作为本领域公知常识，通常需要采用具有导电功能的薄膜使得有源层与源、漏电极之间进行欧姆接触，由于有机薄膜的导电性，故可被作为背沟道刻蚀保护层。然而，使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜通常导电性不良。本申请打破常规，尝试采用物理气相沉积方法制备的非金属薄膜作为刻蚀保护层。利用非金属薄膜的隧穿效应，实现在工作条件下有源层与源、漏电极之间的导通，而非工作状态下有源层与源、漏电极之间呈非导通状态。
e.在背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后对金属层图形化作为源、漏电极图形。
由于本技术方案中采用导电性极弱，甚至不具备导电性的非金属单质薄膜，在常态下有源层与源、漏电极之间难以导通，因此在制备源、漏电极的过程中，只要对作为源、漏电极的金属层进行刻蚀即可，不需要对再对非金属单质薄膜进行刻蚀。这与采用有机导电薄膜作为刻蚀保护层的方式截然不同，由于采用有机导电薄膜作为刻蚀保护层时，有机导电薄膜制备完成后还需再设置一道工序对部分有机导电薄膜进行刻蚀，以去除和沟道重叠的部分。如果不进行部分去除，电子将直接通过导电薄膜从源极到达漏极，从而导致沟道失效，导致整个氧化物薄膜晶体管作废。
因此，采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层具有制备工序简单的特点。
具体的，步骤e中沉积金属层所使用的金属为铝、铜、钼、钛单质，或由以上金属单质作为主体的合金材料。金属层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜或由以上金属单质作为主体的合金材料膜，或者由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜。金属层的厚度为100 nm~2000 nm。最后，进入步骤f。
f.在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。
钝化层的厚度为50 nm~2000 nm。钝化层为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镱、聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯单层薄膜，或者是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜。
实践发现，采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，其薄膜本身较有机导电薄膜稳定，而且非金属薄膜的粘附性更好，所制备的薄膜不易出现凸起、***的等状况，对于整体金属氧化物薄膜晶体管的性能有良好的改善作用。
本发明基于背沟道刻蚀型金属氧化物薄膜晶体管结构，引入了使用物理气相沉积方法沉积的非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层。背沟道刻蚀保护层不仅能够大大减少在刻蚀源、漏电极的过程中对金属氧化物薄膜晶体管背沟道的损伤，而且与现有制备工艺相容，且能够减少制备工艺步骤。故，本发明的方法所制备的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性高，而且本发明的方法工艺简单、成本低廉。所制备的金属氧化物薄膜晶体管也具有稳定性高，制备工艺简单、成本低廉的特点。
实施例2。
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括如下工序。
如图1所示，在带有200 nm厚的SiO2缓冲层的无碱玻璃衬底01上，使用PVD（Physical Vapor Deposition）法依次沉积Mo/Al/Mo三层金属薄膜作为金属导电层，厚度分别为25 nm/100 nm/25 nm。使用光刻工艺将金属导电层图形化作为栅极02。
需要说明的是，金属导电层的厚度范围在100 nm至2000 nm范围内,其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。金属导电层的构成材料也不限于本实施例的情况。
接着，如图2所示，在已图形化的金属导电层上，使用PECVD法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉积第一绝缘膜03，第一绝缘膜03由300 nm的SiNx和30 nm的SiO2叠层而成作为栅极绝缘层。需要说明的是,第一绝缘膜的厚度范围在50 nm至500 nm范围内,其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置,不限于本实施例的尺寸，第一绝缘膜的构成材料也不限于本实施例的情况。
接着，使用PVD法沉积50 nm金属氧化物IZO薄膜（In、Zn原子比为1:1）作为有源层04，如图3所示。
需要说明的是，有源层的厚度范围在20 nm至200 nm范围内，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。有源层的构成材料也不限于本实施例的情况。
如图4所示，使用物理气相沉积法制作0.5 nm的无定型碳单质薄膜背沟道刻蚀保护层05。此处，制作背沟道刻蚀保护层05，该背沟道刻蚀保护层05能够降低刻蚀源、漏电极过程中对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤。
需要说明的是, 背沟道刻蚀保护层的厚度范围在0.1 nm至30 nm范围内，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸，如可以设置为0.5~20 nm，以0.5~1 nm范围较佳，也可根据需要设置为0.6~0.8 nm。
非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，可以有效防止刻蚀源、漏电极过程中对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，提高所制备的器件的稳定性。
本申请打破常规采用非金属薄膜作为刻蚀保护层。其原理是利用非金属薄膜的隧穿效应，根据量子力学理论，当薄膜足够薄的时候，会存在一定数量的电子直接穿过薄膜从薄膜的一侧达到另一侧的现象。为了有效实现电子从“源极→有源层沟道→漏极”方向的流动，在工作状态下，金属氧化物薄膜晶体管会被施加一定的电压，这样，就可以使电子有效流动形成电流。在非工作状态下，非金属薄膜使得有源层与源、漏电极之间并不导通，而只有工作状态下时才导通。
如图5所示，使用PVD法在背沟道刻蚀保护层上制备Mo/Al/Mo叠层金属层，厚度分别为25 nm/100 nm/25 nm。使用30%的H2O2和1%的KOH作为湿法刻蚀药液，仅仅对此金属层进行刻蚀，使用该方法将Mo/Al/Mo图形化形成源、漏电极的金属层06，如图6所示。
由于本技术方案中采用导电性极弱，甚至不具备导电性的非金属单质薄膜，在常态下有源层与源、漏电极之间难以导通，因此在制备源、漏电极的过程中，只要对作为源、漏电极的金属层进行刻蚀即可，不需要对再对非金属单质薄膜进行刻蚀。这与采用有机导电薄膜作为刻蚀保护层的方式截然不同，由于采用有机导电薄膜作为刻蚀保护层时，有机导电薄膜制备完成后还需再设置一道工序对部分有机导电薄膜进行刻蚀，以去除和沟道重叠的部分，如图8、9所示。如果不进行部分去除，电子将直接通过导电薄膜从源极到达漏极，从而导致沟道失效，导致整个氧化物薄膜晶体管作废。
因此，采用无定型碳单质薄膜作为背沟道刻蚀保护层的制备工艺能够简化工序。
最后，如图7所示，使用PECVD沉积厚度为300 nm的SiO2作为钝化层07，完成金属氧化物薄膜晶体管的制作。
本发明的制备方法，金属氧化物薄膜晶体管的结构为底栅、背沟道刻蚀结构。在背沟道刻蚀制作源、漏电极的过程中，设置了制作背沟道刻蚀保护层结构。该背沟道刻蚀保护层不仅能够降低刻蚀源、漏电极刻蚀的过程对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，而且采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层其制备工艺与现有中的设备相容，能够简化制备工序，具有成本低廉的特点。通过大量实践证明，本发明的制备方法所制备的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性高，而且具有制备工艺简单，成本低廉等特点，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
实践发现，采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，其薄膜本身较有机导电薄膜稳定，而且非金属薄膜的粘附性更好，所制备的薄膜不易出现凸起、***的等状况，对于整体金属氧化物薄膜晶体管的性能有良好的改善作用。
该工艺制作的金属氧化物薄膜晶体管，可以用于液晶显示器LCD (Liquid Crystal Display)以及主动矩阵有机发光二极体面板AMOLED（Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）领域。
需要说明的是，本实施例中涉及的尺寸、配比比例并不限制本发明金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，在实际制备过程中，使用者可以根据具体需要灵活调整。
实施例3。
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括如下工序。
如图1所示，在带有50 nm的Al2O3水氧阻隔层的柔性PET薄膜的衬底01上，使用PVD（Physical Vapor Deposition）法沉积厚度为500 nm的Cu膜作为金属导电层。使用光刻工艺将金属导电层图形化作为栅极02。
需要说明的是，金属导电层的厚度范围在100 nm至2000 nm范围内,其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。金属导电层的构成材料也不限于本实施例的情况。
接着，如图2所示，在已图形化的金属导电层上，使用PECVD法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉积第一绝缘膜03，第一绝缘膜03由200 nm的氧化铝和100 nm的氧化镱叠层而成作为栅极绝缘层。需要说明的是,第一绝缘膜的厚度范围在50 nm至500 nm范围内，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置,不限于本实施例的尺寸，第一绝缘膜的构成材料也不限于本实施例的情况。
接着，使用PVD法沉积50 nm金属氧化物IGZO薄膜（In、Ga、Zn原子比为1:1:1）作为有源层04，如图3所示。
需要说明的是，有源层的厚度范围在20 nm至200 nm范围内，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。有源层的构成材料也不限于本实施例的情况。
如图4所示，使用物理气相沉积方法沉积30 nm的无定型硅单质薄膜作为背沟道刻蚀保护层05。此处，制作背沟道刻蚀保护层05，该防护层能够减少刻蚀源、漏电极过程对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤。
需要说明的是, 背沟道刻蚀保护层的厚度范围在0.1 nm至30 nm范围内，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置,不限于本实施例的尺寸。背沟道刻蚀保护层的构成材料也不限于本实施例的情况。
如图5所示，使用PVD法在背沟道刻蚀保护层上制备Cu金属层，厚度分别为500nm。使用H2O2和H2SO4的混合溶液作为湿法刻蚀药液，对Cu金属层进行刻蚀，使用该方法将Cu膜图形化形成源、漏电极的金属层06，如图6所示。
最后，如图7所示，使用PECVD沉积厚度为800 nm的聚酰亚胺作为钝化层07，完成金属氧化物薄膜晶体管的制作。
非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，可以有效防止刻蚀源、漏电极过程对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，提高所制备的器件的稳定性。
本申请打破常规采用非金属薄膜作为刻蚀保护层。其原理是利用非金属薄膜的隧穿效应，根据量子力学理论，当薄膜足够薄的时候，会存在一定数量的电子直接穿过薄膜从薄膜的一侧达到另一侧。为了有效实现电子从“源极→有源层沟道→漏极”方向的流动，在工作状态下，金属氧化物薄膜晶体管会被施加一定的电压，这样，就可以实现电子的有效流动形成电流。 在非工作状态下，非金属薄膜使得有源层与源、漏电极之间并不导通，而只有工作状态下时才导通。
由于本技术方案中采用导电性极弱，甚至不具备导电性的非金属单质薄膜，在常态下有源层与源、漏电极之间难以导通，因此在制备源、漏电极的过程中，只要对作为源、漏电极的金属层进行刻蚀即可，不需要对再对非金属单质薄膜进行刻蚀。这与采用有机导电薄膜作为刻蚀保护层的方式截然不同，由于采用有机导电薄膜作为刻蚀保护层时，有机导电薄膜制备完成后还需再设置一道工序对部分有机导电薄膜进行刻蚀，以去除和沟道重叠的部分，如图8、9所示。如果不进行部分去除，电子将直接通过导电薄膜从源极到达漏极，从而导致沟道失效，导致整个氧化物薄膜晶体管作废。
因此，采用无定型硅单质薄膜作为背沟道刻蚀保护层的制备工艺能够简化工序。
实践发现，采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，其薄膜本身较有机导电薄膜稳定，而且非金属薄膜的粘附性更好，所制备的薄膜不易出现凸起、***的等状况，对于整体金属氧化物薄膜晶体管的性能有良好的改善作用。
本发明的制备方法，金属氧化物薄膜晶体管的结构为底栅、背沟道刻蚀结构。在背沟道刻蚀制作源、漏电极的过程中，设置了制作背沟道刻蚀保护层结构。该背沟道刻蚀保护层不仅能够降低刻蚀源、漏电极刻蚀的过程对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，而且采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层其制备工艺与现有中的设备相容，能够简化制备工序，具有成本低廉的特点。通过大量实践证明，本发明的制备方法所制备的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性高，而且具有制备工艺简单，成本低廉等特点，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
该工艺制作的金属氧化物薄膜晶体管，可以用于液晶显示器LCD (Liquid Crystal Display)以及主动矩阵有机发光二极体面板AMOLED （Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）领域。
需要说明的是，本实施例中涉及的尺寸、配比比例并不限制本发明金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，在实际制备过程中，使用者可以根据具体需要灵活调整。
实施例4。
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括如下工序。
如图1所示，在带有200 nm的Si3N4水氧阻隔层的柔性PET薄膜的衬底01上，使用PVD（Physical Vapor Deposition）法沉积厚度为200 nm ITO薄膜作为金属导电层。使用光刻工艺将金属导电层图形化作为栅极02。
需要说明的是，金属导电层的厚度范围在100 nm至2000 nm范围内,其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。金属导电层的构成材料也不限于本实施例的情况。
接着，如图2所示，在已图形化的金属导电层上，使用PECVD法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉积第一绝缘膜03，第一绝缘膜03由100 nm的氮化硅、90nm的五氧化二钽和20nm的二氧化硅叠层而成作为栅极绝缘层。需要说明的是，第一绝缘膜的厚度范围在50 nm至500 nm范围内,其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸，第一绝缘膜的构成材料也不限于本实施例的情况。
接着，使用PVD法沉积50 nm金属氧化物IZO薄膜（In、Zn原子比为1:1）作为有源层04，如图3所示。
需要说明的是，有源层的厚度范围在20 nm至200 nm范围内，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。有源层的构成材料也不限于本实施例的情况。
如图4所示，使用物理气相沉积方法，采用反应气体Ar/N2=50:10 sccm,在5 mTorr的压力下，制备15 nm的氮化碳薄膜，并使用250 oC对氮化碳薄膜进行热处理30分钟，作为背沟道刻蚀保护层05。此处，制作背沟道刻蚀保护层05，该保护层能够减少刻蚀源、漏电极过程对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤。
需要说明的是, 背沟道刻蚀保护层的厚度范围在0.1 nm至30 nm范围内，尤以0.5nm至1.0nm较佳，其具体尺寸可以根据实际需要灵活设置，不限于本实施例的尺寸。背沟道刻蚀保护层的构成材料也不限于本实施例的情况。
如图5所示，使用PVD法在背沟道刻蚀保护层上制备Mo单层金属层，厚度为200nm。使用反应离子刻蚀设备对Mo进行干法刻蚀，所使用流量比为50 sccm:10 sccm 的SF6/O2作为反应气体，刻蚀金属层中的Mo。使用该方法将Mo图形化形成源、漏电极的金属层06，如图6所示。
最后，如图7所示，使用PECVD沉积厚度为300 nm的SiO2作为钝化层07，完成金属氧化物薄膜晶体管的制作。
本发明的制备方法，金属氧化物薄膜晶体管的结构为底栅、背沟道刻蚀结构。在背沟道刻蚀制作源、漏电极的过程中，设置了制作背沟道刻蚀保护层结构。该背沟道刻蚀保护层不仅能够降低刻蚀源、漏电极刻蚀的过程对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，而且采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层其制备工艺与现有中的设备相容，能够简化制备工序，具有成本低廉的特点。通过大量实践证明，本发明的制备方法所制备的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性高，而且具有制备工艺简单，成本低廉等特点，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
该工艺制作的金属氧化物薄膜晶体管，可以用于液晶显示器LCD (Liquid Crystal Display)以及主动矩阵有机发光二极体面板AMOLED （Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）领域。
需要说明的是，本实施例中涉及的尺寸、配比比例并不限制本发明金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，在实际制备过程中，使用者可以根据具体需要灵活调整。
实施例5。
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其他工序与实施例1至4中任意一种相同，不同之处在于：本实施例中，作为刻蚀保护层的非金属薄膜的厚度为1 nm。需要说明的是，非金属薄膜的厚度不仅仅局限于本实施例的厚度，可在0.1-30 nm范围灵活选择，如设置为0.5 nm、0.6 nm、0.8 nm、5 nm 、8 nm、10 nm、11 nm、20 nm、23 nm、26 nm等，只需对应调整工作电压即可。
实施例6。
一种金属氧化物薄膜晶体管，采用如上述实施例1至5任意一种方法制备而成。本发明的金属氧化物薄膜晶体管的稳定性高，而且具有制备工艺简单，成本低廉等特点，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
该工艺制作的金属氧化物薄膜晶体管，可以用于液晶显示器LCD (Liquid Crystal Display)以及主动矩阵有机发光二极体面板AMOLED （Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）领域。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；
b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；
c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；
d.在所述有源层上使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层；
e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后对所述金属层进行图形化作为源、漏电极图形；
f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述步骤d中使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜，具体使用物理气相沉积方法沉积碳膜或者硅膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.1~30 nm。
4.根据权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.5~20 nm。
5.根据权利要求4所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.5~1 nm。
6.根据权利要求5所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述背沟道刻蚀保护层的厚度设置为0.6~0.8 nm。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述步骤a中衬底设置为具有缓冲层的玻璃衬底或者具有水氧阻隔层的柔性衬底；
当所述衬底为柔性衬底时，柔性衬底具体设置为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺或者金属箔柔性衬底。
8.根据权利要求1至6任意一项所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述步骤a中在衬底上制备并图形化金属导电层所使用的金属为铝、铜、钼、钛、银、金、钽、钨、铬单质或铝合金；
所述金属导电层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜、银薄膜、金薄膜、钽薄膜、钨薄膜、铬薄膜或铝合金薄膜；或者是由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜；
所述金属导电层的厚度设置为100 nm至2000 nm；
所述金属导电层作为金属氧化物薄膜晶体管栅极；
所述步骤b中的所述第一绝缘薄膜的厚度为50 nm至500 nm；
所述第一绝缘薄膜为氧化硅、氮化硅、氧化铝、五氧化二钽或氧化镱绝缘薄膜的单层薄膜，或者是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜；
所述步骤c中的所述有源层厚度为20 nm至200 nm；
构成所述有源层的半导体材料是金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z=1，M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种或两种以上的任意组合。
9.根据权利要求1至6任意一项所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：
所述步骤e中沉积所述金属层所使用的金属为铝、铜、钼、钛单质，或由以上金属单质作为主体的合金材料；
所述金属层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜或由以上金属单质作为主体的合金材料膜，或者由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜；
所述金属层的厚度为100 nm~2000 nm；
所述钝化层的厚度为50 nm~2000 nm；
所述钝化层为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镱、聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯单层薄膜，或者是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜。
10.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：采用如权利要求1至9任意一项所述的方法制备而成。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310564204.3A CN103545221B (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| PCT/CN2014/090193 WO2015070715A1 (zh) | 2013-11-14 | 2014-11-03 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310564204.3A CN103545221B (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103545221A true CN103545221A (zh) | 2014-01-29 |
| CN103545221B CN103545221B (zh) | 2018-10-09 |
Family
ID=49968560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310564204.3A Active CN103545221B (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103545221B (zh) |
| WO (1) | WO2015070715A1 (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015070715A1 (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | 广州新视界光电科技有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| WO2015143837A1 (zh) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 |
| WO2016112611A1 (zh) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
| WO2016206315A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, array substrate and display device having the same, and method thereof |
| WO2019100425A1 (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN110047851A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法 |
| WO2021022605A1 (zh) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545675B (zh) * | 2018-10-26 | 2020-10-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883169A2 (de) * | 1997-06-04 | 1998-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von einem Dünnschichttransistor |
| CN102723279A (zh) * | 2012-06-12 | 2012-10-10 | 华南理工大学 | 一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 |
| CN102790096A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
| CN103236443A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-08-07 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102842619B (zh) * | 2012-09-03 | 2016-08-03 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种半导体装置及其制造方法 |
| CN103545221B (zh) * | 2013-11-14 | 2018-10-09 | 广州新视界光电科技有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
-
2013
- 2013-11-14 CN CN201310564204.3A patent/CN103545221B/zh active Active
-
2014
- 2014-11-03 WO PCT/CN2014/090193 patent/WO2015070715A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883169A2 (de) * | 1997-06-04 | 1998-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von einem Dünnschichttransistor |
| CN102723279A (zh) * | 2012-06-12 | 2012-10-10 | 华南理工大学 | 一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 |
| CN102790096A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
| CN103236443A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-08-07 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015070715A1 (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | 广州新视界光电科技有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| WO2015143837A1 (zh) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 |
| US9590055B2 (en) | 2014-03-25 | 2017-03-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate, and display device |
| WO2016112611A1 (zh) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
| WO2016206315A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, array substrate and display device having the same, and method thereof |
| WO2019100425A1 (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN110047851A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法 |
| WO2021022605A1 (zh) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103545221B (zh) | 2018-10-09 |
| WO2015070715A1 (zh) | 2015-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103236443B (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN103545221B (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| EP3121840B1 (en) | Thin-film transistor and preparation method therefor, array substrate, and display panel | |
| CN103311130B (zh) | 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| US8022411B2 (en) | Thin-film transistor display panel and method of fabricating the same | |
| CN105552114A (zh) | 一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN103700665B (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN103794652B (zh) | 金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN104934481B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN104600083B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| WO2018006441A1 (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法 | |
| CN103018977B (zh) | 一种阵列基板及其制造方法 | |
| US9818605B2 (en) | Oxide TFT, preparation method thereof, array substrate, and display device | |
| CN105633170A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置 | |
| CN102723279A (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 | |
| WO2016045164A1 (zh) | 钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及其金属氧化物薄膜晶体管 | |
| CN103094205A (zh) | 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板 | |
| CN103337462B (zh) | 一种薄膜晶体管的制备方法 | |
| US8067768B2 (en) | Thin-film transistor display panel including an oxide active layer and a nitrogen oxide passivation layer, and method of fabricating the same | |
| US9893096B2 (en) | LTPS array substrate and method for producing the same | |
| WO2019095408A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| CN105552080A (zh) | 基于金属氧化物薄膜晶体管的非挥发性存储器的制备方法 | |
| CN103400842B (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法 | |
| CN203406293U (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件 | |
| WO2018192210A1 (zh) | 导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |