CN103413898B - 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 - Google Patents

有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法，所述结构包括：薄膜晶体管（20）及位于薄膜晶体管（20）上的有机发光二极管的阳极（40），所述薄膜晶体管（20）包括位于基板（22）上的低温多晶硅层（24）、位于低温多晶硅层（24）上的栅极绝缘层（26）、位于栅极绝缘层（26）上的栅极、位于栅极上的保护层（27）及位于保护层（27）上的源/漏极（28），所述有机发光二极管的阳极（40）连接于所述低温多晶硅层（24）上。本发明通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层，有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距，提高了单位面积（每英寸）内像素的数量，提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。

Description

有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管或有机发光显示器（OrganicLightEmittingDiodeDisplay，OLED）又称为有机电致发光二极管，是自20世纪中期发展起来的一种新型显示技术。与液晶显示器相比，有机电致发光二极管具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低成本、低功耗、快速响应、宽视角、工作温度范围宽、易于柔性显示等诸多优点。有机电致发光二极管的结构一般包括：基板、阳极、阴极和有机功能层，其发光原理是通过阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料，由正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发光。有机电致发光二极管的有机功能层，一般由三个功能层构成，分别为空穴传输功能层（HoleTransportLayer，HTL）、发光功能层（EmissiveLayer，EML）、电子传输功能层（ElectronTransportLayer，ETL）。每个功能层可以是一层，或者一层以上，例如空穴传输功能层，有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层；电子传输功能层，可以细分为电子传输层和电子注入层，但其功能相近，故统称为空穴传输功能层，电子传输功能层。
目前，全彩有机电致发光二极管的制作方法以红绿蓝（RGB）三色并列独立发光法、白光加彩色滤光片法、色转换法三种方式为主，其中红绿蓝三色并列独立发光法最有潜力，实际应用最多，其制作方法是红绿蓝选用不同主体和客体的发光材料。
有机电致发光二极管，根据其驱动方式，可以分为无源驱动和有源驱动两大类。即直接寻址和薄膜晶体管（TFT）矩阵寻址两类。所述有源驱动类有机电致发光二极管即是有源矩阵式有机电致发光二极管（ActiveMatrixOrganicLightEmittingDevice，AMOLED）。
由于AMOLED的像素电路和补偿电路比液晶显示装置（LiquidCrystalDisplay，LCD）像素复杂的多，目前AMOLED产品的每英寸所拥有的像素（PixelsPerInch，PPI）数目少于280个，解析度相对较低。
请参阅图1及图2，为现有的一种有机发光二极管阳极连接结构的示意图，其阳极100通过驱动薄膜晶体管的源/漏极300电性连接于低温多晶硅层500上，由于该源/漏极300的金属层的存在，使得其两侧开关薄膜晶体管之间的间距相对较大，使得像素的面积相对较大，导致每英寸所拥有的像素数目较少，进而导致解析度相对较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管阳极连接结构，其结构简单，成本低，像素面积小，解析度高。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其制程简单，能有效减小像素面积，提高解析度。
为实现上述目的，本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构，包括：薄膜晶体管及位于薄膜晶体管上的有机发光二极管的阳极，所述薄膜晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、位于栅极上的保护层及位于保护层上的源/漏极，所述有机发光二极管的阳极连接于所述低温多晶硅层上。
所述薄膜晶体管与有机发光二极管的阳极之间还设有平坦化层。
所述基板为玻璃基板。
所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
所述有机发光二极管的阳极包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。
本发明还提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一基板，该基板上形成有薄膜晶体管；
步骤2、在薄膜晶体管上形成平坦化层；
步骤3、在平坦化层及薄膜晶体管上挖孔，露出薄膜晶体管的低温多晶硅层；
步骤4、在平坦化层及露出的低温多晶硅层上形成导电层，并图案化该导电层，以在低温多晶硅层上形成新的源/漏极，在平坦化层上形成有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阳极连接于所述新的源/漏极。
所述薄膜晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、位于栅极上的保护层及位于保护层上的源/漏极。
所述基板为玻璃基板。
所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
所述导电层包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。
本发明的有益效果：本发明的有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法，通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层，不需要源/漏极金属层的转接，有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距，进而有效缩小像素的面积，提高了单位面积（每英寸）内像素的数量，提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的有机发光二极管阳极连接结构的结构示意图；
图2为现有的有机发光二极管阳极连接结构的俯视图；
图3为本发明有机发光二极管阳极连接结构的结构示意图；
图4为本发明有机发光二极管阳极连接结构的俯视图；
图5为本发明有机发光二极管阳极连接结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3及图4，本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构，包括：薄膜晶体管20及位于薄膜晶体管20上的有机发光二极管的阳极（Anode）40，所述薄膜晶体管20包括位于基板22上的低温多晶硅层（Poly）24、位于低温多晶硅层24上的栅极绝缘层（GI）26、位于栅极绝缘层26上的栅极（未图示）、位于栅极上的保护层（ILD）27及位于保护层27上的源/漏极（SD）28，所述有机发光二极管的阳极40直接连接于所述低温多晶硅层24上，进而有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距，进而有效缩小像素的面积，提高了单位面积（每英寸）内像素的数量，提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
所述薄膜晶体管20包括开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管，所述有机发光二极管的阳极40连接于所述驱动薄膜晶体管的低温多晶硅层24上。
所述薄膜晶体管20与有机发光二极管的阳极40之间还设有平坦化层60，以避免有机发光二极管的阳极40中的杂质腐蚀断裂，影响显示效果。
具体地，所述基板22为玻璃基板；所述有机发光二极管的阳极40包括氧化铟锡（ITO）层、氧化铟锌（IZO）、铝（Al）层、银（Ag）层、及钼（Mo）层之一或其叠层。
值得一提的是，所述基板22与低温多晶硅层24之间还设有隔离层29，以防止杂质扩散至薄膜晶体管20，导致薄膜晶体管20不良。
请参阅图5，并参考图3及图4，本发明还提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一基板22，该基板22上形成有薄膜晶体管20。
所述基板22为玻璃基板，所述薄膜晶体管20包括位于基板22上的低温多晶硅层24、位于低温多晶硅层24上的栅极绝缘层26、位于栅极绝缘层26上的栅极、位于栅极上的保护层27及位于保护层27上的源/漏极28。
所述薄膜晶体管20包括开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管。
步骤2、在薄膜晶体管20上形成平坦化层60。
所述平坦化层60用于防止有机发光二极管的阳极40中的杂质腐蚀断裂，影响显示效果。
步骤3、在平坦化层60及薄膜晶体管20上挖孔，露出薄膜晶体管20的低温多晶硅层24。
具体地，通过光罩工艺在平坦化层60及驱动薄膜晶体管上对应源/漏极28的位置挖孔，以露出作为源/漏极28的金属层；再蚀刻掉该作为源/漏极28的金属层，以露出下方的低温多晶硅层24。
步骤4、在平坦化层60及露出的低温多晶硅层24上形成导电层，并图案化该导电层，以在低温多晶硅层24上形成新的源/漏极280，以形成完整的驱动薄膜晶体管，同时，在平坦化层60上形成有机发光二极管的阳极40，由于新的源/漏极280与有机发光二极管的阳极40均由导电层形成，在制备过程中，使得该有机发光二极管的阳极40与所述新的源/漏极280之间不切断，使得所述有机发光二极管的阳极40直接连接于所述低温多晶硅层24上，进而有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距，进而有效缩小像素的面积，提高了单位面积（每英寸）内像素的数量，提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
在本实施例中，所述导电层包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。
值得一提的是，所述基板22与低温多晶硅层24之间还设有隔离层29，以防止杂质扩散至薄膜晶体管20，导致薄膜晶体管20不良。
综上所述，本发明的有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法，通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层，不需要源/漏极金属层的转接，有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距，进而有效缩小像素的面积，提高了单位面积（每英寸）内像素的数量，提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，包括：薄膜晶体管(20)及位于薄膜晶体管(20)上的有机发光二极管的阳极(40)，所述薄膜晶体管(20)包括位于基板(22)上的低温多晶硅层(24)、位于低温多晶硅层(24)上的栅极绝缘层(26)、位于栅极绝缘层(26)上的栅极、位于栅极上的保护层(27)及位于保护层(27)上的源/漏极(28)，所述有机发光二极管的阳极(40)连接于所述低温多晶硅层(24)上；
所述阳极(40)连接于新的源/漏极(280)，所述新的源/漏极(280)为薄膜晶体管(20)上对应源/漏极(28)位置的金属层被挖孔及蚀刻掉后暴露的低温多晶硅层(24)上由导电层形成。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述薄膜晶体管(20)与有机发光二极管的阳极(40)之间还设有平坦化层(60)。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述基板(22)为玻璃基板。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述基板(22)与低温多晶硅层(24)之间还设有隔离层(29)。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述有机发光二极管的阳极(40)包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。
6.一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一基板(22)，该基板(22)上形成有薄膜晶体管(20)；
步骤2、在薄膜晶体管(20)上形成平坦化层(60)；
步骤3、在平坦化层(60)及薄膜晶体管(20)上对应源/漏极(28)的位置挖孔，以露出作为源/漏极(28)的金属层，再蚀刻掉该作为源/漏极(28)的金属层，露出薄膜晶体管(20)的低温多晶硅层(24)；
步骤4、在平坦化层(60)及露出的低温多晶硅层(24)上形成导电层，并图案化该导电层，以在低温多晶硅层(24)上形成新的源/漏极(280)，在平坦化层(60)上形成有机发光二极管的阳极(40)，该有机发光二极管的阳极(40)连接于所述新的源/漏极(280)。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管(20)包括位于基板(22)上的低温多晶硅层(24)、位于低温多晶硅层(24)上的栅极绝缘层(26)、位于栅极绝缘层(26)上的栅极、位于栅极上的保护层(27)及位于保护层(27)上的源/漏极(28)。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述基板(22)为玻璃基板。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述基板(22)与低温多晶硅层(24)之间还设有隔离层(29)。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述导电层包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。
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