CN103364941A

CN103364941A - 显示装置及其制造方法

Info

Publication number: CN103364941A
Application number: CN2013100846699A
Authority: CN
Inventors: 洪正武; 李铉大
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2012-04-10
Filing date: 2013-03-15
Publication date: 2013-10-23
Anticipated expiration: 2033-03-15
Also published as: US20130264595A1; CN103364941B; KR20130114996A; US9040323B2

Abstract

一种显示装置及制造显示装置的方法，显示装置的像素包括：第一基板；有机绝缘层，设置在第一基板上且具有以不平坦结构形成的上表面；无机绝缘层，设置在有机绝缘层上且以不平坦结构形成；第一电极，设置在无机绝缘层上且以不平坦结构形成；以及向第一电极提供数据电压的装置，其中第一电极包括反射入射光的反射电极。

Description

显示装置及其制造方法

相关申请的交叉参考

本申请要求2012年4月10日提交的韩国专利申请第10-2012-0037505号的优先权和权益，该专利申请就所有方面而言通过引用方式结合于此，如同其在这里阐述一样。

技术领域

本公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种能够提高反射率和清晰度并简化工艺的显示装置及其制造方法。

背景技术

近来，已经开发了各种显示装置，诸如液晶显示器、有机发光二极管显示器、电润湿显示装置、等离子显示面板（PDP）、以及电泳显示装置。

电润湿显示装置在这些显示装置中已经成为公众注意的中心，电润湿显示装置相比于液晶显示器（LCD）具有低能耗和高清晰度。

电润湿显示装置通过施加电压至作为电解质的水性液体可以改变流体的表面张力，因此可以造成流体的运动或变形。通过根据流体运动而反射或传输来自外部的光以显示图像的方法来驱动电润湿显示装置。

在背景技术部分中公开的上述信息仅用于加强对本发明背景的理解，因此所包含的信息可以既不构成现有技术的任何部分，也不构成对本领域普通技术人员的暗示。

发明内容

本公开提供一种可具有提高的反射率和清晰度且可利用更简单工艺制造的显示装置及其制造方法。

本发明的其他特征将在下面的说明书中阐述，并且部分地将从说明书中显而易见，或者可以从本发明的实践中获知。

本发明的示例性实施方式公开了一种包括被配置成显示图像的多个像素的显示装置。每个像素包括：第一基板；有机绝缘层，设置在第一基板上且具有以不平坦结构形成的上表面；无机绝缘层，设置在有机绝缘层上且具有以不平坦结构形成的上表面；第一电极，设置在无机绝缘层上且具有以不平坦结构形成的上表面；以及被配置成向第一电极提供数据电压的装置。第一电极包括被配置成反射入射光的反射电极。

本发明的示例性实施方式还公开了一种制造包括多个像素的显示装置的方法。该方法包括：在第一基板上形成有机绝缘层；在有机绝缘层上形成无机绝缘层，从而在有机绝缘层的上表面中形成不平坦结构，无机绝缘层形成有位于无机绝缘层的上表面中的不平坦结构；以及在无机绝缘层上形成第一电极，第一电极的上表面形成有不平坦结构。第一电极的形成包括形成反射电极。

本发明的示例性实施方式还公开了另一种制造包括多个像素的显示装置的方法。该方法包括：在第一基板上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二绝缘层，从而使第一绝缘层的上表面***糙；以及在第二绝缘层上形成导电材料。导电材料的上表面和第二绝缘层的上表面具有与第一绝缘层的粗糙上表面对应的粗糙上表面，并且第一绝缘层的粗糙上表面的均方根粗糙度值在大约10nm至大约200nm的范围内。

应该理解，以上一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，旨在对要求保护的发明提供进一步的解释。

附图说明

附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且附图结合在说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施方式并与描述部分一起用于解释本发明的原理。

图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的透视图。

图2是示出图1中所示的任意单个像素的横截面视图。

图3是图2中所示的区域A的放大视图。

图4示出了图2中所示的像素根据施加的电压的操作。

图5A、图5B、图5C、图5D和图5E示出了制造根据本发明的示例性实施方式的显示装置的方法。

图6A和图6B示出了有机绝缘层的不平坦结构。

图7是示出由反射层反射的光的反射率的示图。

图8是示出根据本发明的另一示例性实施方式的显示装置的任意单个像素的横截面视图。

具体实施方式

下面参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施方式。但是本发明可以以很多不同的方式实现，并且不应将本发明理解为仅限于这里所描述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式的目的在于使本公开更充分并将本发明的范围完全传达给本领域技术人员。附图中，为了清楚起见，可能放大了层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中的相同参考标号表示相同元件。

应理解的是，当提到一元件或层位于另一元件或层“上”、或者“连接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上、或者直接连接至另一元件或层，或者存在中间的元件或层。相反，当提到一元件或层“直接位于…上”或“直接连接至”另一元件或层时，则不存在中间的元件或层。应理解的是，为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”可以表示仅X、仅Y、仅Z或者两个或更多个项X、Y和Z的任意组合（例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ）。

参照图1，显示装置100包括：第一基板110，其中限定有以矩阵形式布置的多个像素PX的每个区域；第二基板120，面向第一基板110；以及电润湿层130，设置在第一基板110与第二基板120之间。

图2是示出图1中所示的任意单个像素的横截面视图，并且图3是图2中所示的区域A的放大视图。

由于图1中所示的像素具有相同的构造，所以图2中仅示出了多个像素PX中的单个像素PX的横截面。图3是示出图2中所示的不平坦结构的放大视图，以便具体地描述该不平坦结构。

参照图2和图3，第一基板110包括基底基板111、电子器件（诸如开关元件）、栅极介电层112、有机绝缘层113、无机绝缘层114、第一电极115、绝缘层116、疏水层117和隔离壁118。第一电极115包括透明导电层115_1和反射电极115_2。

图2中的像素PX示出了作为一实例的反射型显示装置的像素。尽管图2和图3中未示出，但对于反射型显示装置而言，第一电极115可以仅包括反射电极115_2，而不包括透明导电层115_1。此外，尽管图2和图3中未示出，但第一电极115可以通过在反射电极115_2上形成透明导电层115_1而形成。

第二电极120包括第二基底基板121、滤色器122和公共电极123。

像素PX的侧面范围可以由图2中所示的两条虚线之间的区域限定。因此，如图2中所示，像素PX的每个区域可以由第一基板110和第二基板120共享。而且，图2中所示的像素PX可以由包括彼此面对的第一基板110和第二基板120以及包括在第一基板110与第二基板120之间的电润湿层130的构造限定。而且，由于像素PX的每个区域可以由第一基板110和第二基板120共享，所以像素PX的每个区域可以限定在第一基底基板111上。

第一基底基板111和第二基底基板121彼此面对。第一基底基板111和第二基底基板121可由透明绝缘材料形成。例如，第一基底基板111和第二基底基板121可以由玻璃或聚合物（诸如塑料）形成。

当第一基底基板111和第二基底基板121由塑料基板形成时，第一基底基板111和第二基底基板121可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、纤维增强塑料或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）形成。而且，当第一基底基板111和第二基底基板121由塑料基板形成时，可以实现柔性显示器。

开关元件可以由设置在第一基底基板111上的薄膜晶体管（TFT）形成。尽管图2中未示出，但像素PX包括接收栅极信号的栅极线和接收数据电压的数据线。TFT包括从栅极线分出来的栅电极GE、从数据线分出来的源电极SE、以及与源电极SE隔开并电连接至第一电极115的漏电极DE。

TFT通过由栅极线提供的栅极信号而导通，并且导通的TFT向第一电极115施加由数据线提供的数据电压。

TFT的栅电极GE设置在第一基底基板111上。栅极介电层112设置在第一基底基板111上，从而覆盖栅电极GE。半导体层SEL设置在覆盖栅电极GE的栅极介电层112上。尽管图2中未示出，但半导体层SEL可包括有源层和欧姆接触层。TFT的源电极SE和漏电极DE彼此隔开并设置在半导体层SEL和栅极介电层112上。

有机绝缘层113设置在第一基底基板111上，从而覆盖TFT和栅极介电层112。有机绝缘层113的上表面（图2中的有机绝缘层的上表面）以不平坦结构形成。

如图3所示，有机绝缘层113的上表面的不平坦结构包括多个突起P和多个沟谷V。突起P和沟谷V的高度差可以定义为高度差H_D，并且相邻沟谷V之间的间距可以定义为线宽L_W。

突起P不规则地形成，因此可能具有彼此不同的高度。而且，沟谷V不规则地形成，因此可能具有彼此不同的高度。突起P和沟谷V的高度可以定位为距有机绝缘层113的下表面的高度。

由于突起P和沟谷V可能具有彼此不同的高度，所以突起P和沟谷V的高度差H_D可能具有多个值。突起P和沟谷V的高度差H_D的最大值可以为大约500nm（或

）。即，突起P和沟谷V的高度差H_D可以等于或小于大约500nm。

而且，由于沟谷V不规则地形成为具有不同的高度，所以相邻沟谷V的线宽L_W可以具有多个值。相邻沟谷V的线宽L_W的最大值可以为大约3μm。即，相邻沟谷V的线宽L_W可以等于或小于大约3μm。

不平坦结构的均方根（RMS）粗糙度值可以在大约10nm至大约200nm的范围内。RMS粗糙度可定义为在表面上形成的微型不平坦的程度，即，粗糙度。

不平坦的横截面可以以曲线（下面，称为RMS粗糙度曲线）来表示。RMS粗糙度曲线的最低位置和最高位置之间的高度差可以定义为粗糙度，并且通常以Rmax表示。而且，RMS粗糙度可以以中心线RMS的两侧处的高度的绝对值的平均值表示，中心线RMS表示RMS粗糙度曲线的平均值的均方值。

可通过对适当的有机绝缘材料进行固化而形成有机绝缘层113。例如，有机绝缘材料可包括3-甲氧基丙酸甲酯（MMP）、二丙二醇二甲醚（DPM）、丙烯酸共聚物、丙烯酸单体、光敏引发剂和烷氧基硅烷。

无机绝缘层114设置在有机绝缘层113上。当无机绝缘层114形成在有机绝缘层113上时，通过工艺条件向有机绝缘层113提供应力。有机绝缘层113的上表面通过在无机绝缘层114的沉积过程中产生的应力而形成为不平坦结构。即，有机绝缘层113和无机绝缘层114之间的界面形成为不平坦结构。

当无机绝缘层114形成在有机绝缘层113上时，有三种控制应力的工艺条件。具体地，这三种工艺条件是无机绝缘层114的形成温度、无机绝缘层114的厚度和无机绝缘层114的形成速度（下面，称为“沉积速度”）。即，根据无机绝缘层114的形成温度、无机绝缘层114的厚度和无机绝缘层114的沉积速度来确定有机绝缘层113的不平坦尺寸。

具体地，随着无机绝缘层114的形成温度的升高、无机绝缘层114的厚度的增加和无机绝缘层114的沉积速度的降低，提供给有机绝缘层113的应力增大。有机绝缘层113的不平坦性的高度差H_D与应力成比例地增大。

例如，无机绝缘层114的形成温度越高，提供给有机绝缘层113的应力越高，并且形成在有机绝缘层113的上表面上的不平坦结构的高度差H_D越大。

沉积在有机绝缘层113上的无机绝缘层114的厚度越厚，提供给有机绝缘层113的应力越高，并且形成在有机绝缘层113的上表面上的不平坦结构的高度差H_D越大。

沉积在有机绝缘层113上的无机绝缘层114的沉积速度越低，提供给有机绝缘层113的应力越高，并且形成在有机绝缘层113的上表面上的不平坦结构的高度差H_D越大。

无机绝缘层114的形成温度的应用时间可以设定为将无机绝缘层114沉积至设定高度的时间。

由于无机绝缘层114沉积在具有以不平坦结构形成的上表面的有机绝缘层113上，所以无机绝缘层114可以形成为与有机绝缘层113相同的不平坦结构。无机绝缘层114可以由适当的无机绝缘材料形成。例如，无机绝缘层114可以由氮化硅（SiN_x）层形成。

第一电极115设置在无机绝缘层114上。图2中所示的像素PX的第一区域B是其中未形成第一电极115的区域。由于第一电极115设置在具有不平坦结构的有机绝缘层113和无机绝缘层114上，所以第一电极115可以形成为与有机绝缘层113相同的不平坦结构。

因此，第一电极115的透明导电层115_1设置在无机绝缘层114上并且可以形成为与有机绝缘层113相同的不平坦结构。而且，第一电极115的反射电极115_2设置在透明导电层115_1上并且可以形成为与有机绝缘层113相同的不平坦结构。该不平坦结构具有光漫射（散射）功能。

如上所述，第一电极115可仅包括反射电极115_2，并且在这种情况下，反射电极115_2可形成为位于无机绝缘层114上的不平坦结构。而且如上所述，第一电极115可通过在反射电极115_2上形成透明导电层115_1而形成。在这种情况下，反射电极115_2和透明导电层115_1可以形成为位于无机绝缘层114上的不平坦结构。

第一电极115的透明导电层115_1可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料可包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、导电聚合物和碳纳米管（CNT）中的至少一种。

第一电极115的反射电极115_2可以由反射材料形成。例如，反射材料可包括铝（Al）、铝-钕（AlNd）中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。

第一电极115通过接触孔H连接至TFT，该接触孔穿过有机绝缘层113和无机绝缘层114而形成。即，透明导电层115_1和反射电极115_2通过接触孔H连接至TFT。

绝缘层116设置在无机绝缘层114上，从而覆盖第一电极115。疏水层117设置在绝缘层116上。绝缘层116和疏水层117可具有平坦的上表面，如图2所示。

隔离壁118设置在疏水层117上。隔离壁118隔开像素PX。隔离壁118可以由光致抗蚀剂PR形成。而且，隔离壁118可通过对绝缘层（SiN_x或SiO_x）进行图案化而形成。

滤色器122设置在第二基底基板121上。滤色器122可包括显示例如红色、绿色和蓝色中的任何一种颜色的彩色像素。第二电极123设置在滤色器122上。第二电极123可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料可包括氧化铟锡（ITO）。第二电极123设置成面对第一电极115，并且向第二电极123施加公共电压。

电润湿层130包括在每个像素PX中，并且包括彼此不混和的第一流体131和第二流体132。

第一流体131具有非导电性或非极性，并且第二流体132具有导电性或极性。而且，第一流体131是疏水的，并且第二流体132是亲水的。

例如，第一流体131可以由硅油、矿物油和有机溶剂（诸如四氯化碳（CCl₄））形成，并且第二流体132可以由水溶液和电解质材料（诸如氯化钠（NaCl））形成。

通过具有黑色染料或由吸光材料形成，第一流体131可以用来吸收入射光。而且，第一流体131可通过分散在整个像素PX中或移动至像素PX的一侧而用作遮光件（light shutter）。第二流体132可以是透明的，并且因此可以透过入射光。

具有不同极性的第一流体131和第二流体132彼此不混和且彼此接触以形成边界。第一流体131设置在每个像素PX的疏水层117上，并且第二流体132设置在第一流体131上。

根据本发明的示例性实施方式，第一流体131可包括能够显示红色、绿色和蓝色中的任意一种颜色的染料，或者可由能够显示红色、绿色和蓝色的材料形成。在这种情况下，显示装置100可以不包括滤色器122。当然，作为本领域技术人员应该理解其他颜色也是可能的。

通过分别施加于第一电极115和第二电极123的电压来控制电润湿层130的运动。

图4示出了图2中所示的像素根据施加的电压的操作。

参照图4，由于在向第一电极115施加数据电压之前第一流体131覆盖每个像素PX的疏水层117，所以每个像素PX呈现出黑色渐变（blackgradation）。

TFT通过由栅极线提供的栅极信号而导通，并且导通的TFT向第一电极115施加由数据线提供的数据电压。如上所述，公共电压施加给第二电极123。在这种情况下，第二流体132被极化并与疏水层117开始接触，同时第二流体132将第一流体131推到像素PX的一侧。

第一流体131是具有聚集性质的有机溶剂。第一流体131开始聚集在稳定区域，同时第一流体131被第二流体132推到像素PX的一侧。

例如，由于图4所示的像素PX的第一区域B是其中未设置第一电极115的区域，所以其中未形成电场。而且，第一电极115的形成于接触孔H区域中的部分与第二电极123之间的距离大于第一电极115的形成于接触孔H区域之外的部分与第二电极123之间的距离。

因此，在第一电极115的形成于接触孔H区域中的部分与第二电极123之间形成的电场的强度弱于在第一电极115的形成于接触孔H区域之外的部分与第二电极123之间形成的电场的强度。所以，第一流体131可以聚集在作为稳定区域的包括第一区域B的区域以及其中形成有接触孔H的区域中。即，如图4所示，第一流体131可以聚集在像素PX的左侧区域中。

在这种情况下，穿过第二基板120入射的光被形成为不平坦结构的反射电极115_2扩散和反射。反射光透射穿过其中未聚集有第一流体131的像素PX区域中的第二流体132，并且透射穿过第二流体132的光由于透射穿过滤色器122而可以被观察者看到。

公共电压可以具有恒定值，并且数据电压可以对应于由像素PX呈现的渐变。根据施加于第一电极115和第二电极123的电压之间的差，通过控制第一流体131和第二流体132的运动，显示装置100可呈现出渐变。第一流体131的推动量由施加于第一电极115的数据电压的水平决定。即，像素PX可呈现出与通过TFT施加于第一电极115的数据电压对应的渐变。

由于穿过第二基板120入射到像素PX上的光被形成为不平坦结构的反射电极115_2扩散和反射，所以显示装置100的视角变宽。

为了扩散光，第一基板110可包括平面反射电极，并且第二基板120可包括扩散膜。而且，第一电极115可包括通过使用掩模被图案化为不平坦结构的单独金属层，以便扩散光。但是，当使用扩散膜时，入射光透射穿过扩散膜，并且由反射电极反射的光再次透射过扩散膜。由于光透射穿过扩散膜两次，所以出现光损失（或者反射率的降低）。所以，显示装置的清晰度会降低。而且，当金属层被图案化以形成不平坦结构时，需使用单独的掩模。

然而，显示装置100包括具有不平坦结构的有机绝缘层113，在无机绝缘层114的沉积期间通过工艺条件而产生该不平坦结构。而且，具有不平坦结构的无机绝缘层114设置在具有不平坦结构的有机绝缘层113上，并且具有不平坦结构的第一电极115设置在无机绝缘层114上。因此，显示装置100可包括具有不平坦结构的反射电极115_2，用于扩散和反射入射光。

所以，由于根据本发明的示例性实施方式的显示装置100可以在不使用扩散膜的情况下扩散和反射入射光，所以可提高反射率和清晰度。而且，因为无需使用用于形成不平坦结构的单独的掩模，所以可利用更简单的工艺制造显示装置100。

图5A至图5E示出了制造根据本发明的示例性实施方式的显示装置100的方法。

参照图5A和图5B，首先在第一基底基板111上形成TFT。在第一基底基板111上形成有机绝缘层113，以覆盖TFT。

具体地，在形成于第一基底基板111上的栅极介电层112上形成有机绝缘材料，以覆盖TFT。有机绝缘层113可通过固化该有机绝缘材料而形成。

如上所述，有机绝缘材料可包括3-甲氧基丙酸甲酯、二丙二醇二甲醚、丙烯酸共聚物、丙烯酸单体、光敏引发剂和烷氧基硅烷。

3-甲氧基丙酸甲酯的化学分子式为CH₃OCH₂CH₂COOCH₃，并且二丙二醇二甲醚的化学分子式为CH₃OCH₂CH₂OCH₂CH₂OH。

有机绝缘材料中的3-甲氧基丙酸甲酯的含量在约65wt%至约75wt%的范围内，二丙二醇二甲醚的含量在约10wt%至约20wt%的范围内，丙烯酸共聚物的含量在约1wt%至约10wt%的范围内，丙烯酸单体的含量在约1wt%至约10wt%的范围内，光敏引发剂的含量为约1wt%或更少，并且烷氧基硅烷的含量为约1wt%或更少。

参照图5C，在有机绝缘层113上形成（以下，称为“沉积”）无机绝缘层114。当在有机绝缘层113上沉积无机绝缘层114时，向有机绝缘层113提供应力。通过无机绝缘层114的沉积期间产生的应力，有机绝缘层113的上表面形成为不平坦结构。有机绝缘层113的不平坦结构的高度差与应力成比例。

具体地，随着无机绝缘层114的形成温度的升高、无机绝缘层114的厚度的增加和无机绝缘层114的沉积速度的降低，提供给有机绝缘层113的应力增大。有机绝缘层113的不平坦结构的高度差与应力成比例地增大。即，有机绝缘层113的不平坦结构的高度差与无机绝缘层114的形成温度成正比，与无机绝缘层114的厚度成正比，并与无机绝缘层114的沉积速度成反比。

根据本发明的示例性实施方式，可以在约150°C至约245°C的温度范围内形成无机绝缘层114。沉积在有机绝缘层113上的无机绝缘层114的厚度可以在约1000埃（下文，用“

”表示）至约

的范围内。无机绝缘层114可以以约

至约

范围内的沉积速度形成。

在无机绝缘层114具有相同的厚度和沉积速度的条件下，无机绝缘层114的形成温度越高，提供给有机绝缘层113的应力越高。因此，形成在有机绝缘层113的上表面上的不平坦结构的高度差增大。

在无机绝缘层114具有相同的形成温度和沉积速度的条件下，无机绝缘层114的厚度越厚，提供给有机绝缘层113的应力越高。因此，形成在有机绝缘层113的上表面上的不平坦结构的高度差增大。

在无机绝缘层114具有相同的形成温度和厚度的条件下，无机绝缘层114的沉积速度越低，提供给有机绝缘层113的应力越高。因此，形成在有机绝缘层113的上表面上的不平坦结构的高度差增大。

表1是通过使用在无机绝缘层114的上述形成温度、厚度和沉积速度范围内的示例性设定值而得出的实验结果。

表1

当比较表1中的条件2和3时，条件2和3中的无机绝缘层114的厚度和沉积速度具有相同的值，分别为约

和在条件2中，无机绝缘层114的形成温度为180°C，并且有机绝缘层113的不平坦结构的高度差在约30nm至约60nm的范围内。在条件3中，无机绝缘层114的形成温度为245°C，并且有机绝缘层113的不平坦结构的高度差在约40nm至约80nm的范围内。因此，无机绝缘层114的形成温度越高，有机绝缘层113的不平坦结构的高度差越大。

当比较表1中的条件2和4时，条件2和4中的无机绝缘层114的形成温度和沉积速度具有相同的值，分别为约180°C和

在条件2中，无机绝缘层114的厚度为

并且有机绝缘层113的不平坦结构的高度差在约30nm至约60nm的范围内。在条件4中，无机绝缘层114的厚度为

并且有机绝缘层113的不平坦结构的高度差在约70nm至约120nm的范围内。因此，无机绝缘层114的厚度越厚，有机绝缘层113的不平坦结构的高度差越大。

当比较表1中的条件3和5时，条件3和5中的无机绝缘层114的形成温度具有相同的值，为约245°C。在条件3中，无机绝缘层114的厚度为

无机绝缘层114的沉积速度为约

并且有机绝缘层113的不平坦结构的高度差在约40nm至约80nm的范围内。在条件5中，无机绝缘层114的厚度为

无机绝缘层114的沉积速度为约

并且有机绝缘层113的不平坦结构的高度差在约100nm至约170nm的范围内。因此，除了无机绝缘层114的厚度增大的原因之外，无机绝缘层114的沉积速度越低，有机绝缘层113的不平坦结构的高度差越大。

由于无机绝缘层114形成在上表面形成为不平坦结构的有机绝缘层113上，所以无机绝缘层114可以形成为与有机绝缘层113同样的不平坦结构。

参照图5D和图5E，在无机绝缘层114上形成第一电极115的透明导电层115_1，并且在透明导电层115_1上形成反射电极115_2。尽管图5D和图5E中未示出，可首先在无机绝缘层114上形成第一电极115，然后可对第一电极进行图案化，以对应于每个像素PX。

由于透明导电层115_1和反射电极115_2形成在具有不平坦结构的有机绝缘层113和无机绝缘层114上，所以透明导电层115_1和反射电极115_2可以形成为与有机绝缘层113同样的不平坦结构。

第一电极115通过接触孔H连接至TFT，该接触孔穿过有机绝缘层113和无机绝缘层114而形成。在无机绝缘层114上形成绝缘层116，以覆盖第一电极115。在绝缘层116上形成疏水层117。在疏水层117上形成隔离壁118。

尽管图5A至图5E中未示出，但在第二基板120的第二基底基板121上形成滤色器122，并且在滤色器122上形成第二电极123。而且，在第一基板110与第二基板120之间设置电润湿层130。

图6A和图6B示出了有机绝缘层的不平坦结构。图6A是形成在有机绝缘层的上表面上的不平坦结构的任意区域的电子显微照片，而图6B是图6A中所示的不平坦结构的电子显微照片的三维视图。

参照图6A和图6B，有机绝缘层113的不平坦结构包括多个突起和多个沟谷，如图6A和图6B所示。

如上所述，突起和沟谷的高度差可以等于或小于大约500nm，并且相邻沟谷V的线宽可以等于或小于3μm。而且，不平坦结构的均方根粗糙度值可以在大约10nm至大约200nm的范围内。

图7是示出由反射层反射的光的反射率的示图。

参照图7和前面的表1，出现在表1中的镜面分量包含（specularcomponent included（SCI））是入射和反射直光以及扩散光的测量结果。镜面分量排除（specular component excluded（SCE））是入射和反射后的扩散光的测量结果。以同样的角度入射和反射的光可以定义为镜面光，而沿各个方向散射和反射的光可以定义为扩散光。

图7中所示的第一条件C1是由表1中的条件1所形成的高度差的SCI和SCE测量结果。例如，由第一条件C1所形成的高度差可以为大约5nm，如图7中所示。

图7中所示的第二条件C2是由表1中的条件2所形成的高度差的SCI和SCE测量结果。例如，由第二条件C2所形成的高度差可以为大约40nm，如图7中所示。

图7中所示的第三条件C3是由表1中的条件3所形成的高度差的SCI和SCE测量结果。例如，由第三条件C3所形成的高度差可以为大约60nm，如图7中所示。

图7中所示的第四条件C4是由表1中的条件4所形成的高度差的SCI和SCE测量结果。例如，由第四条件C4所形成的高度差可以为大约90nm，如图7中所示。

图7中所示的第五条件C5是由表1中的条件5所形成的高度差的SCI和SCE测量结果。例如，由第五条件C5所形成的高度差可以为大约130nm，如图7中所示。

参照表1中的SCE，有机绝缘层113的不平坦结构的高度差越大，由反射电极115_2反射的扩散光的反射率越高。即，尽管未使用在不平坦结构中被图案化的扩散膜或金属层，但可以通过使用有机绝缘层113的不平坦结构来形成具有不平坦结构的反射电极115_2。因此，入射光可通过反射电极115_2反射并被扩散。

所以，由于根据本发明的示例性实施方式的显示装置100可以在不使用扩散膜的情况下扩散和反射该入射光，所以可提高反射率和清晰度。而且，因为无需使用用于形成不平坦结构的单独的掩模，所以可利用更简单的工艺来制造显示装置100。

图8中所示的显示装置的像素是半透明型显示装置的像素，该半透明型显示装置包括反射区域和透射区域，并且具有与图2中所示的显示装置的像素相同的构造，除了在反射区域中形成有反射电极的构造之外。因此，图8中所示的显示装置的像素的构造和图2中所示的显示装置的像素的构造使用相同的参考标号。

下面，将描述图8中所示的显示装置的像素的构造与图2中所示的显示装置的像素的构造的不同之处。

参照图8，像素PX包括反射区域L1和透射区域L2，并且第一电极115包括透明导电层115_1和反射电极115_2。反射电极115_2在反射区域L1中形成在透明导电层115_1上。可替换地，与以上所述类似，第一电极115可通过在反射电极115_2上形成透明导电层115_1而形成。

如上所述，由于有机绝缘层113和无机绝缘层114形成为不平坦结构，所以透明导电层115_1和反射电极115_2也形成为不平坦结构。

当向第一电极115施加数据电压并向第二电极123施加公共电压时，第一流体131聚集在像素PX的一侧。入射到反射区域L1上的光被反射电极115_2反射并被扩散。入射到透射区域L2上的光透射过透明导电层115_1。

因此，包括图8中所示像素的显示装置以半透明型进行操作。结果，由于图8中所示的显示装置也可以在不使用扩散膜的情况下扩散和反射光，如包括图2中所示像素的显示装置100一样，因此可以提高反射率和清晰度。而且，因为无需使用用于形成不平坦结构的单独的掩模，所以可利用更简单的工艺制造包括图8中所示像素的显示装置。

根据本发明的示例性实施方式的显示装置可以具有提高的反射率和清晰度，并且根据工艺条件，通过形成不平坦结构的反射电极，可以利用更简单的工艺制造该显示装置。

尽管参照电润湿显示装置描述了以上示例性实施方式，但本发明可以应用在其他装置中。例如，本发明的示例性实施方式可以应用于液晶显示装置、有机显示装置以及使用反射电极或构件来扩散和反射入射光的任何其他显示装置。

对本领域技术人员很显然，可对本发明进行多种修改和变型，而不会背离本发明的精神或范围。因此，本发明应该覆盖本发明上述修改和变型，只要这些修改和变型在所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims

1.一种显示装置，包括被配置成显示图像的多个像素，每个像素包括：

第一基板；

有机绝缘层，设置在所述第一基板上且具有以不平坦结构形成的上表面；

无机绝缘层，设置在所述有机绝缘层上且具有以所述不平坦结构形成的上表面；

第一电极，设置在所述无机绝缘层上且具有以所述不平坦结构形成的上表面；以及

配置成向所述第一电极提供数据电压的装置，

其中，所述第一电极包括被配置成反射入射光的反射电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极进一步包括设置在所述无机绝缘层上的透明导电层，所述反射电极设置在所述透明导电层上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，每个像素包括被配置成反射所述入射光的反射区域和被配置成传输所述入射光的透射区域，所述反射电极设置在所述反射区域中。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述不平坦结构包括多个突起和多个沟谷，并且所述突起和所述沟谷的高度差等于或小于大约500nm。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，相邻沟谷之间的间距等于或小于大约3μm。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层的厚度在大约

至大约

的范围内。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括：

约65wt%至约75wt%的3-甲氧基丙酸甲酯；以及

约10wt%至约20wt%的二丙二醇二甲醚。

8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

绝缘层，设置在所述反射电极上；

疏水层，设置在所述绝缘层上；

隔离壁，设置在所述疏水层上，所述隔离壁隔开所述像素；

电润湿层，设置在所述像素中且包括彼此不混和的第一流体和第二流体，所述第二流体具有导电性或极性；以及

第二基板，面对所述第一基板且包括设置在面对所述第一基板的表面上的第二电极，公共电极配置成接收公共电压。

9.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括多个像素，所述方法包括：

在第一基板上形成有机绝缘层；

在所述有机绝缘层上形成无机绝缘层，从而在所述有机绝缘层的上表面中形成不平坦结构，所述无机绝缘层形成有位于所述无机绝缘层的上表面中的所述不平坦结构；以及

在所述无机绝缘层上形成第一电极，所述第一电极的上表面形成有所述不平坦结构，

其中，所述第一电极的形成包括形成反射电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一电极的形成进一步包括在所述无机绝缘层上形成透明导电层，所述反射电极形成在所述透明导电层上。