CN103329041A - 光学修剪的***和方法 - Google Patents

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Abstract

一种将图案曝光于光敏表面上的方法，该方法包括：在表面上形成包括图像数据的行和列的矩形矩阵图案的空间调制光束，其中空间调制光束可操作以曝光表面的连续子曝光区域，每一个子曝光区域与图像数据的一数据关联；将空间调制光束的行或列之一与扫描方向对准，而将空间调制光束的行或列中的另一个与交叉扫描方向对准，用于曝光表面；在交叉扫描方向上，将调制光束的至少一部分相对于调制光束的第二部分修剪了小于两个子曝光区域之间在交叉扫描方向上的中心到中心的距离的量；使用修剪的空间调制光束在扫描方向上曝光表面；以及由于扫描而在交叉扫描方向上重叠曝光的子区域。

Description

光学修剪的***和方法
相关申请的交叉引用
本申请涉及于2009年5月12日申请的、题目为“光学成像***”的以色列专利申请No.198719，其转让共同的受让人，同时该发明由共同的发明人作出和发明。
技术领域
本发明涉及无掩模光刻，并且更特别地，但不排他地涉及无掩模光刻中的空间分辨率控制。
背景技术
在众所周知的一类无掩模光刻***中，诸如数字微反射镜器件（DMD）或光栅光阀（Grating Light Valve,GLV）或液晶（LC）光阀的空间光调制器（SLM）用于空间调制光束，以形成将被印刷的图像或图案。DMD为如下的SLM，其中调制元件为布置为包括行和列的矩形阵列的几十万个微反射镜。如这里使用的，矩形阵列中的行和列被限定为使得行比列包括更多的调制元件。阵列中的每一个反射镜都可被单独地旋转为ON（开）或OFF（关）状态。在ON状态，来自光源的光被反射入光学***中，该光学***朝向写入表面引导光，而在OFF状态，光被引导远离写入表面，例如进入光阱（lighttrap）或热沉（heat sink）。
尽管DMD用于无掩模光刻***，但是它们主要意在用于数字光处理投影仪和背投电视。因此，将该矩形阵列的高宽比配置为标准图片格式，例如电视和投影仪屏幕。当使用DMD用于无掩模光刻时，需要扫描以在一区域上提供成像，典型地，该区域比由单个DMD获得或者甚至由几个DMD获得的曝光区域大得多。
一般来说，常常平行于列方向执行扫描。因为DMD包括多个行，所以在每一通（pass）期间扫描的区域被重复写入（overwrite）许多次（对应于DMD中的行的数量）。已经提出了不同的***和方法，以利用DMD上可用的多个行来例如改进分辨率、避免像素化（pixelation）或其他失真效应（例如斜图案中的锯齿边缘）、和/或控制曝光强度。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“Laser system for recording datapatterns on a planar substrate（用于在平面基板上记录数据图案的激光***）”的美国专利No.5,208,818描述了使用脉冲受激准分子激光器将DMD成像至基板上的照相工具发生器（phototool generator）。典型地，受激准分子激光器具有高斯或梯形的束剖面（beam profile），这导致基板上不均匀的曝光。通过使用其中利用曝光之间轻微的二维度位移而将每一个斑点（spot）曝光四次的重叠方法，来改进使用受激准分子激光器获得的曝光的不均匀性，从而曝光的结果总和是均匀的。通过步进和重复处理来执行重叠和重复写入，其中在每一次扫描结尾时改变精度级（precision stage）。这种步进和重复处理的一个不期望的特征是其需要多个横向位移的扫描。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“Maskless Exposure System（无掩模曝光***）”的美国专利No.6,425,669描述了用于写入自像素面板产生的图案的光刻***和方法。像素面板典型地包括多个DMD或可选地包括LCD。在某些实施例中，交替地将来自像素面板的像素元件引导至第一位置（site），然后至与第一位置部分重叠的第二位置。图像级（image level）的重叠可以补偿由图像之间的间隙或像素面板中的缺陷像素导致的误差。附加地，像素级（pixel level）的重叠用于适应斜投影或非线性结构。在一个实施例中，通过平行棱镜提供重叠，该平行棱镜位于像素面板和晶片之间的光路中并偏移图像。马达交替地将棱镜安置在光路中或光路外，以在第一和第二位置之间交替。典型地，这种***特别适合用于步进和重复曝光***。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“System and method for makingsmooth diagonal components with a digital photolithography system（使用数字光刻***制造平滑的斜组件的方法和***）”的美国专利No.6,537,738描述了用于制造平滑的斜组件（例如线和边缘）的数字光刻***。DMD提供第一数字图案，用于曝光于多个晶片位点（site）上。在曝光之后，将晶片偏移小于晶片的位点长度的距离。然后，DMD接收第二数字图案，用于将第二多个像素元件曝光于对象的所述多个位点上。曝光的第二多个像素元件与曝光的第一多个像素元件重叠。该重叠允许使用步进和重复处理在被曝光的图像中进行递增改变，因此适应平滑边缘的斜组件的创建。在某些实施例中，像素面板关于对象和扫描方向成角度。当***扫描时，在y方向上略偏移地曝光连续的像素元件。典型地，在这种***的情况下，使用仅实现中度密集寻址的实质倾斜角度，以减轻写入数据处理的负担。这继而在多通之间产生实质上细长条（swath）的重叠。具有倾斜的扫描的另一个已知优点是倾斜典型地导致所扫描的像素的非笛卡尔寻址。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“Pattern Writing Apparatus andPattern Writing Method（图案写入设备和图案写入方法）”的美国专利No.6,903,798描述了使用DMD在光敏材料上写入图案的图案写入设备。相对于主扫描方向倾斜DMD。使布置在主扫描方向上的这样的两个相邻辐射区域之间的沿着扫描方向的中心至中心的距离等于基底上的写入单元关于扫描方向的节距（pitch）的“a倍”（a为整数，等于或大于2）。该几何形状确定了笛卡尔寻址空间的寻址节距。更小的DMD旋转角度与更细的寻址空间关联。
典型地，对于小的DMD旋转和相应更细的寻址节距，寻址均匀性变得易受光学和机械畸变影响。此外，更小的DMD旋转和相应更细的寻址节距实际上指示了更大的“n”值。使“n”值更大允许更高的写入速度，但是由于在活动帧时间期间的连续运动会导致“拖尾（smear）”（或模糊（blurring））。以曝光能量利用率为代价，通过在下一帧重置之前将关闭光源可稍微补偿该模糊效应。替代地，通过使用仅一部分DMD，例如仅使用可用的768行DMD之中的192行用于写入，并且其余都永久地保持在OFF位置，可在减少曝光的数量的同时实现更高的写入速度。这当然也会导致降低的曝光能量效率。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“Multi-Exposure Drawing Methodand Apparatus Therefore（多曝光制图方法及其设备）”的美国专利No.7,136,087描述了包括DMD的曝光单元，该DMD在关于该DMD的元件形成微小角度的制图方向上以固定的速度移动。当DMD在制图方向上移动“A+a”的距离时，提供曝光，其中“A”为与由DMD的一个元件曝光的距离的整数倍对应的距离，并且“a”为由DMD的一个元件曝光的距离的一部分。可调整制图方向的倾斜角度和曝光速率，以获得期望的分辨率。小的DMD旋转典型地需要长的重置间隔，其导致实质的运动模糊。典型地，该效应通过在任意两个活动帧之间将整个DMD转为OFF状态而最小化。尽管以该方式减少了运动模糊，但是也减少了曝光能量效率。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“Continuous Direct-Write OpticalLithography（连续直接写入的光刻***）”的美国专利No.7,295,362描述了光刻方法，该光刻方法包括照明具有单独可开关的元件的区域阵列的空间光调制器，以及在基板的表面上移动图像的同时将空间光调制器的图像投影于基板的光敏表面上。当图像移动时，开关空间光调制器的元件，使得光敏表面上的像素顺序地接收来自空间光调制器的多个元件的能量剂量，因此在表面上形成隐藏的图像（latent image）。该图像被模糊为达到子像素分辨率的特征边缘布置。在扫描期间，在交叉扫描方向上曝光于基板表面上的像素数量对应于沿着空间光调制器的行可得的元件数量。
通过引用将其内容并入于此的、名称为“Method and Apparatus forMulti-Beam Exposure（用于多光束曝光的方法和设备）”的美国专利申请公开No.20060060798属于平板印刷领域，并描述了多光束曝光方法和设备，用于当使用DMD执行曝光过程时通过增加在与扫描方向正交的方向上同时曝光的点的数量（束斑的数量），而使用FM屏记录具有锐利的点边缘的稳定半色调表达（halftone expression）。该设备包括像素块位移部件，以在扫描方向上将自DMD发出的多个曝光束斑分为多个块，并在与扫描方向正交的方向上关于另一像素块位移每一个像素块，用于在曝光的束斑与另一块的曝光束斑之间的方向上扫描曝光一空间。典型地，块位移部件布置在光路上的微透镜阵列的后方并接近微透镜阵列，以将点聚焦于记录介质上。微透镜阵列提供非重叠的曝光束斑。可选地，使用孔径阵列掩模代替微透镜阵列产生分离点的阵列。可选地，使用偏振元件进一步将分离的束斑分***部分重叠的斑点的对，以获得近似矩形的形状。
发明内容
本发明的某些实施例的一个方面是提供一种用于改进和/或调整使用DMD或其他SLM用于扫描的无掩模光刻***的印刷质量特性、同时减少或消除与已知的倾斜和步进-重复方法关联的一些或所有问题的***和方法。根据本发明的某些实施例，通过在交叉扫描方向上光学变形空间调制光束来控制所扫描图案的交叉扫描分辨率。根据本发明的某些实施例，同时，通过控制在扫描方向上的连续曝光区域的重叠量来同步控制扫描方向上的分辨率。
如这里所用的，扫描方向是指在单通或单个细长条行进期间目标物体的前进方向，而交叉扫描方向是指基本上与扫描方向垂直的方向。在多通扫描的情况下，多通之间的步进通常在交叉扫描方向上。
本发明的某些实施例的一个方面提供一种将图案曝光于光敏表面上的方法，该方法包含：在表面上形成包括图像数据的行和列的矩形矩阵图案的空间调制光束，其中所述空间调制光束可操作以曝光所述表面的连续子曝光区域，每一个子曝光区域与所述图像数据的一数据关联；将所述空间调制光束的行或列之一与扫描方向对准，而将所述空间调制光束的行或列中的另一个与交叉扫描方向对准，从而曝光所述表面；在所述交叉扫描方向上，将所述调制光束的至少一部分相对于所述调制光束的第二部分修剪了小于两个子曝光区域之间在所述交叉扫描方向上的中心到中心的距离的量；使用修剪的空间调制光束在所述扫描方向上曝光所述表面；以及由于所述扫描而在所述交叉扫描方向上重叠曝光的子区域。
可选地，所述连续子曝光区域形成其间没有间隔的连续曝光区域。
可选地，将所述修剪施加于所述图像数据的连续行的2-6个块上。
可选地，将所述修剪限定为连续子曝光区域之间的中心到中心距离的1/n，其中“n”为块的数量。
可选地，所述修剪限定所述交叉扫描方向上的分辨率。
可选地，采用笛卡尔寻址曝光所述表面。
可选地，所述空间调制光束由单个DMD形成。
可选地，将重置间隔限定为由所述空间调制光束的子曝光区域曝光的区域的非整数倍。
可选地，将所述曝光间隔限定为与在所述交叉扫描方向上提供的分辨率匹配。
可选地，曝光包括写入。
本发明的某些实施例的一个方面是提供在表面上扫描图案的***，其包括：扫描器，其操作以在扫描方向上扫描表面；空间光调制器，其操作以提供包括以行和列的矩阵图案布置的图像数据的空间调制光束，每一个数据操作以在所述表面上曝光子曝光区域，其中所述列与扫描方向对准，而所述行与交叉扫描方向对准；光学修剪元件，其操作以在交叉扫描方向上将所述图像数据的矩阵图案的至少第一部分相对于至少第二部分位移小于两个连续子曝光区域之间的中心到中心的距离的量，以形成修剪的矩阵图案；以及成像***，其操作以将所述修剪的矩阵图案曝光于所述表面上，作为基本相邻的子曝光区域的图案，使得在所述扫描期间，来自所述矩阵图案的所述第一和第二部分中的一个的子曝光区域与所述第一和第二部分中的另一个的子曝光区域重叠。
可选地，将所述修剪施加于所述图像数据的连续行的2-6个块上。
可选地，每一个块包括192-270个连续行。
可选地，所述光学修剪元件包括多个透光部分，该多个透光部分相对于彼此成一角度，其中，透光部分的数量对应于块的预定数量，其中每一个所述透光部分操作以位移所述图像数据的预定块之一。
可选地，使每一个透光部分成角度，以提供与连续寻址点之间的距离的1/n对应的位移，其中“n”为所述图像数据的块的数量。
可选地，所述光学修剪元件为弯曲的表面，该弯曲的表面操作以提供行方向上的线性修剪。
可选地，所述光学修剪元件位于接近目标物体。
可选地，所述空间光调制器为DMD。
可选地，所述***包含控制器，该控制器操作以响应于所述扫描方向上的期望分辨率设置扫描间隔。
可选地，将所述扫描间隔限定为与在所述交叉扫描方向上提供的分辨率匹配。
可选地，所述扫描器操作以使用笛卡尔寻址来扫描。
除了另外限定的，这里使用的所有技术和/或科学术语具有与本领域普通技术人员一般所理解的相同的意义。尽管与这里描述的那些类似或等价的方法和材料可用于本发明实施例的实践或测试中，但是下面仍描述了示例方法和/或材料。在抵触的情形中，以本专利说明书（包括定义）为准。此外，这些材料、方法和示例仅为说明性的，并且不意味着必要的限制。
附图说明
参考所附附图，在此仅以示例的方式描述了本发明的某些实施例。现在详细地参考附图，需要强调的是示出的细节是以示例的方式，并且用于本发明实施例的示意性讨论的用途。在这点上，关于附图的描述使得如何实践本发明的实施例对于本领域技术人员来说是显而易见的。
附图中：
图1A和1B为根据本发明的某些实施例的、在修剪（shearing）之前和之后从示例性的4行SLM获得的图像数据的代表性的布置的简化示意图；
图2A和2B为根据本发明的某些实施例的、在修剪之前和之后从示例性的20行SLM投影的图像数据的代表性的布置的简化示意图；
图3为根据本发明的某些实施例的、用于使用修剪的曝光图案扫描表面的示例性方法的简化流程图；
图4A和4B为比较已知的矩形寻址栅格和从根据本发明的某些实施例的三个连续曝光获得的修剪的寻址栅格的简化示意图；
图5A和5B为示出了在来自根据本发明的某些实施例的修剪的曝光图案的13和39次曝光上获得的寻址点的示例性图案的简化示意图；
图6为根据本发明的某些实施例的、写入从SLM获得的图像的简化示意图，该SLM被分为空间上关于彼此位移的连续行的块；
图7A和7B为根据本发明的某些实施例的、用于产生来自数据的矩形矩阵的SLM数据的交叉扫描空间位移的两个示例性光学修剪元件；
图8A和8B为根据本发明的某些实施例的、利用图7A和7B中分别示出的示例性光学修剪元件而获得的示例性修剪图案；
图9A和9B为根据本发明的某些实施例的、用于在交叉扫描方向上空间位移曝光数据的两个示例性光学***的简化示意图；以及
图10为根据本发明的某些实施例的、用于在PCB板上曝光图案的无掩模光刻***的简化示意图。
具体实施方式
本发明涉及无掩模光刻，以及更特别地，但不是排他地涉及无掩模光刻中的空间频率控制。
本发明的某些实施例的一个方面通过利用在交叉扫描方向上被光学修剪的DMD图像来扫描目标表面来增加曝光的目标表面的寻址密度。根据本发明的一些实施例，修剪方向与DMD的行方向对准，并且扫描方向与DMD的列方向对准。在其他实施例中，这些方向可以是颠倒的。根据本发明的某些实施例，DMD图像的地址密度的增加导致曝光的区域的重叠。根据本发明的一些实施例，当在扫描期间保持正交的寻址空间的同时，增加寻址的密度。寻址中的增加的密度提供了平滑和精确的图案。多个重叠曝光改善了斜的边缘（diagonal edge）。可维持每一个寻址点处的均匀曝光数量，以确保图案边缘质量。
在一些示例实施例中，修剪被施加在图像的离散部分之间，例如在DMD上的图像数据的连续（contiguous）行的定义块之间。在一些示例实施例中，修剪（在两个相邻部分之间的空间位移）对应于从DMD的单个元件曝光的区域的尺寸的一部分（fraction），例如曝光区域（斑点尺寸）的一部分和/或两个相邻寻址点之间的距离的一部分。根据本发明的一些实施例，位移的部分是DMD上的连续行的定义块。典型地，包括在每一个块中的连续行的数量限定了为每一个寻址点提供的重复写入的量。另外，位移的部分或块限定了交叉扫描方向上的寻址密度。可选地，交叉扫描方向上的寻址密度被增加到每曝光区域2-5个寻址点。发明人已经发现，将交叉扫描方向上的寻址密度增加到每曝光区域2-5个寻址点降低了像素化和/或混淆效应，而未显著增加***电子装置写入数据的处理负担。
根据本发明的一些实施例，将扫描方向上的曝光区域之间的重叠限定为在交叉扫描方向上匹配重叠。典型地，通过控制（例如减少）连续帧之间的重置间隔，增加扫描方向上的曝光区域之间的重叠。根据本发明的一些实施例，可独立地控制扫描和交叉扫描方向上的重叠，以获得期望的寻址密度和/或曝光区域之间的重叠。
根据本发明的一些实施例，修剪规定了在交叉扫描方向上将来自DMD图像的图像数据的行之间的对准改变一距离，该距离等于DMD元件尺寸的一部分。典型地，将每一个部分关于相邻部分位移相同的量，并且该位移在交叉扫描方向上对应于DMD元件尺寸的1/n，其中“n”为整数。典型地，“n”对应于相对于基本的DMD分辨率的寻址分辨率增加。在空间调制的光束的部分之间的子元件（sub-element）位移将寻址点的数量提高了“n”倍，并且因此提高了扫描方向上的分辨率。部分之间的子元件位移也减少每一个寻址点的重复写入的量。典型地，当寻址点的数量增加时，每一个寻址点的重复写入的量减少。
需注意的是，尽管合并的在平板印刷领域的美国专利公布No.20060060798描述了看起来可能与本发明类似的离散光学修剪方法，但是专利公布No.20060060798中的光学修剪的期望最终结果在于在保持锐利的点边缘的同时增加可以在交叉扫描方向上曝光的点的数量。在专利公布No.20060060798中，在扫描或交叉扫描方向上的点曝光拖尾效应被抑制。相对比的，在本发明中，光学修剪提供多个重叠曝光，以为写入***获得平滑和精确的图案。
本发明人已经发现基于在此描述的***和方法而提高的分辨率改善了能量效率，并提供高质量可控制输出。上文中已经讨论了例如关于印刷的斜图案和边缘的高质量输出。此外，本发明人已经发现数据处理和扫描速度中的易管理性也通过修剪曝光的图像而得到改善。典型地，连续的DMD帧之间需要的重置间隔直接与来自DMD的连续行的重复写入的量相关。
在一些示例实施例中，修剪空间调制的光束减少了相邻扫描之间的重叠的量，同时也消除了对连续DMD帧之间的空白时段（blanking period）的需要。消除空白时段增加了曝光对基本连续曝光的占空因子（duty factor），并因此增加了能量效率。在一些示例实施例中，空白时段的消除被提供有最小的、低的和/或减少的运动模糊。关于重叠，相邻扫描的降低的重叠典型地减少了数据处理中的负担。可选地，通过限定关于其他部分而光学修剪的DMD图像的部分的尺寸，来直接控制在相邻扫描之间的重叠的量。
此外，因为根据本发明的一些实施例，平行于列方向执行扫描，所以与在扫描期间将倾斜施加于空间调制的数据上的***和方法相比，在交叉扫描方向上、在相邻DMD单元或扫描的细长条进行（通）之间典型地需要更少的重叠。通过减少所需重叠的量，所需的扫描细长条的数量可减少（而不增加DMD单元的数量），并因此提高了用于扫描的扫描速度。
现在参考示出了根据本发明实施例的、在修剪之前和之后的、从示例的4行SLM投影的图像数据的代表性布置的简化示意图的图1A和1B。在图1A和1B中，为了简化说明，示出了仅包括4行和7列的曝光图案。根据本发明的一些实施例，将布置在曝光图案100中的来自空间调制光束的图像数据光学地改变为修剪的矩阵图案110。典型地，图像数据由多个连续的子曝光区域120构成，它们之间几乎没有和/或基本没有间距。典型地，每一个子曝光区域120与每一个子曝光区域120的中心的寻址点150关联。根据本发明的一些实施例，通过光学位移矩阵图案110的连续部分，例如如图1B所示，在行（交叉扫描）方向135上光学位移整个行101、102、103和104（或连续行的整个块，如下所述），来获得修剪的图案110。为了简化说明，附图中示出了简化的4行SLM，其中修剪单行块。
根据本发明的一些实施例，行之间的位移等于子曝光区域120在行方向135上的尺寸的一部分，例如行方向上的两个连续寻址点150之间的距离“d”的一部分。典型地，将相同的位移施加于每一行之间，并且位移等于子曝光区域120的一部分，该部分通过1除以位移的块的数量来给定，使得子曝光区域120'和寻址点150'对称地位移和/或均匀地或均一地分布在行方向上，并且在交叉扫描方向上的分辨率是均匀的。
例如，在图1B中，曝光图案110被分为4个部分（n=4），例如行101、102、103和104，并且每一个部分关于彼此在行方向135上位移子曝光区域120'在行方向135上的尺寸的1/n（1/n=1/4），例如d/4。与位移相应，所有的寻址点150'均匀地分布在行方向上，行方向上的分辨率是寻址点150（图1A）的情况下的4倍。在其他的示例实施例中，曝光图案110被分为两个部分，例如行101和102是第一部分，而行103和104是第二部分，并且每个部分之间的位移为d/2。
对于包括比四行多许多的空间光调制器矩阵，可使用其他的分割和位移尺寸。例如，包含768行的DMD阵列可被分为192行的4个连续块，每一个都渐进位移元件尺寸的1/4。替代地，765行可被分为5个连续行的块，每一个都由153行组成，每一个都渐进地位移元件尺寸的1/5。一些行可能被留为空白，以使每一块中的活动行的数量相等。根据本发明的一些实施例，基于施加于图像数据的定义部分之间的位移的量，直接控制行方向135上的空间分辨率。例如，减少位移尺寸和/或增加位移部分的数量增加了行方向135上的空间分辨率。替代地，增加位移尺寸和/或减少位移的部分的数量减少了空间分辨率。
现在参考图2A和2B，其示出了根据本发明的一些实施例的、在修剪之前和之后的、从示例的20行SLM投影的图像数据的代表性的布置的简化示意图。根据本发明的一些实施例，布置于曝光图案200上的来自空间调制光束的图像数据被光学地改变为修剪的矩阵图案210，其包括行的块，例如在行方向135上渐进位移的块201、202、203和204。典型地，每一个块都包括多个行，例如关于彼此对准（未位移）的行101、102、103、104和105。
根据本发明的一些实施例，在块之间的位移等于子曝光区域120的尺寸的一部分和/或连续寻址点150之间的距离“d”的一部分。典型地，将相同的位移施加于每一对连续块之间，例如块201和块202、块202和块203、块203和块204。例如，在被分为4个行块的曝光图案210中，每一对连续块之间的位移为d/4。作为该示例性位移的结果，来自不同块的寻址点150'均匀地分布在行方向上，行方向上的分辨率是由曝光图案200提供的分辨率的4倍。在其他示例实施例中，曝光图案200被分为两个部分，并且每一部分之间的位移为子曝光区域120在行方向135上的尺寸的1/2，例如d/2。
现在参考图3，其示出了根据本发明的一些实施例的、用修剪的曝光图案扫描表面的示例性方法的简化流程图。典型地，将被印刷的图案的曝光数据被提供给DMD，以形成图像，例如用于曝光的图像100或200（块230）。典型地，响应于提供给DMD的重置脉冲以限定的曝光间隔提供图像，同时扫描目标物体。
根据本发明的一些实施例，使用限定的在交叉扫描方向上修剪的曝光图案，例如曝光图案110和210，将由DMD提供的图像投影到目标物体上（块235）。通常，提供修剪模块，以将DMD图像修剪为经修剪的图像。典型地，图像，例如由DMD提供的图像数据被配置用于修剪。根据本发明的一些实施例，在每一个重置间隔之间，更新DMD图像（块245），并且曝光区域在扫描方向上前进预定的距离（块250）。在一些示例实施例中，每当曝光区域前进d/n的量（该量等于图像的修剪部分之间在交叉扫描方向上的位移）时，提供后续曝光，以产生沿着扫描和交叉扫描方向具有相同分辨率（相邻寻址点之间的距离）的曝光寻址栅格。产生相等的扫描和交叉扫描寻址分辨率的其他重置间隔也是可以的。例如，在图2B示出的4块的情形下，等于3d/4或d/4的一起其它奇数倍的重置间隔在扫描和交叉扫描方向上产生相等的寻址分辨率。可选地，通过每当曝光区域前进d*(M+1/n)（其中M为0或某一整数）时曝光后续曝光，在扫描和交叉扫描方向上提供相同的分辨率。本发明的其他实施例可采用不同的重置间隔，例如对于特定应用，如果需要，产生不相等的扫描和交叉扫描分辨率。典型地，持续该处理直到完成目标物体的扫描（块240）。如果需要附加的扫描（细长条）以扫描未曝光的区域（块255），那么更新DMD图像（块260），在交叉扫描方向上将曝光的区域位移至未曝光区域（块265），并且这时，典型地在相反的方向上开始附加的扫描。典型地，在扫描之间提供某一细长条重叠。细长条重叠可用于补偿对准中的公差。典型地，单个SLM图像的整个足迹在10至60mm的范围内，并且细长条重叠的量典型地在0.1至1mm的范围内，这依赖于使用的SLM的行元件的数量和印刷分辨率。替代地，在本发明的其他实施例中，多个SLM装置或光学上分区的SLM装置被用于跨越基板的整个宽度，如在2010年4月22日申请的国际专利申请No.PCT/IL2010/000320中所描述的一样，通过引用将其内容并入于此。在这种实施例中，可以在单次扫描中扫描基板，无需交叉扫描运动。
现在参考图4A和4B，其示出了比较已知的矩形曝光图案和根据本发明的一些实施例的从三个连续曝光而获得的修剪的曝光图案的简化示意图。在图4A和4B中，为了简化说明，示出了仅包括4行和7列的曝光图案。根据本发明的一些实施例，在曝光之间的重置间隔被限定为在扫描方向145上提供曝光区域之间的重叠，如上面参考图3所述。
在图4A和4B中，将来自每一次曝光的寻址点绘制为具有不同的形状，使得可将它们区分开。圆点状地址点150和150'分别对应于第一曝光图像211和221。三角形地址点150和150′分别对应于第二曝光图像212和222。星形地址点150和150′分别对应于第三曝光图像213和223。
在列方向145上的扫描期间，将图4A中的每一个图像211、212和213和图4B中的每一个图像221、222和223投影到基板上，使得它们彼此部分地重叠。每一个图像在扫描方向145上位移d/n（该情况下为d/4），但是在交叉扫描方向135上不位移。在图4A中，交叉扫描方向上的图像的对准导致维持曝光图案100中示出的原始交叉扫描寻址分辨率，而没有增加新的寻址列。分辨率（和寻址）仅在扫描方向增加。可选地，图4A中，与图案100的原始寻址分辨率相比，寻址分辨率增加四倍。图4B中，来自图像221、222和223的修剪的寻址点在图4A的曝光图案中示出的列之间提供附加寻址列，使得4B中的寻址在扫描方向上增加四倍，并在交叉扫描方向上增加四倍。
现在参考图5A，其示出了根据本发明的一些实施例的、从修剪的曝光图案的多次曝光上获得的寻址点的图案。为了简化说明，省略曝光子区域，并且仅示出它们关联的寻址点。寻址点160'对应于自第一图像（图4B中的图像221）获得的寻址点，而寻址点150'对应于自所有后续图像帧（例如图像222、223等）获得的寻址点。示出了来自13次曝光的寻址点，曝光间隔对应于子曝光区域120的尺寸的1/4（对应于图像221中的修剪部分的数量的倒数）。
用于在交叉扫描方向135上增加寻址分辨率的现有方法需要同一区域的重复扫描（例如步进和重复方法），SLM（典型地采用DMD）关于扫描方向的倾斜，和/或使用多于一个SLM或DMD扫描同一区域。这些现有方法的每一个都与一个或多个上述缺点关联。本发明人已经发现，例如如图5A中所示，以修剪的矩阵图案布置的图像数据使用单个DMD在列方向145上的一个连续扫描在交叉扫描方向和扫描方向两者上提供了提高的分辨率。
当扫描修剪的矩阵图案中的图像数据时，在列方向145上选择地位移每一组寻址点，例如第一图像221的寻址点160'，以将图像数据印刷于如图5A中所示的寻址点150'的精细分辨栅格上。由于在列方向上的该位移，当扫描在列方向上推进时，提供了新的寻址点150'，至少最初没有重复写入先前的寻址点。在第13次曝光时（图5A示出的最后一个），完全交叉扫描分辨率的第一行305正好被填满。
注意到，寻址点的重复写入不会在块由一个单行组成的示例情况下出现，如图1B、4B、5A和5B的简化示例中所示。已注意到，典型地，重复写入是DMD印刷的有用方面，因为其与低亮度（非激光）光源兼容。此外，这允许在每一点对曝光的精确控制。在其他的示例实施例中，以及典型地，在块中位移多个连续行，例如100-400行或192-270行。在这种情况下，重复写入会出现，并且依赖于包括在每一个块中的行的数量。典型地，寻址点的重复写入的量与交叉扫描方向上的分辨率（例如寻址点的数量）成相反关系。当交叉扫描方向上的分辨率增加时，寻址点的重复写入减少。典型地，例如，当与诸如DMD的区域SLM结合地使用诸如LED和弧光灯的非相干光源时，需要一定量的重复写入，以增加和控制曝光强度。可选地，较长的重置间隔被用于减少和/或控制重复写入循环的数量，并且可变得有益于以较高的速度曝光。可选地，每一个块中的一些行是空白的（blank）。
在图5A中示出的示例中，在13次曝光之后，完成第一寻址行305。图5B示出了根据本发明的一些实施例的、在附加的曝光上使用交叉扫描空间位移获得的寻址点的简化示意图。从图5A中示出的示例继续，图5B示出了在39次曝光之后的寻址。在第12次曝光之后的每一次曝光填充另一寻址行。
这里描述的***和方法的优点在于因为寻址点150'与扫描方向对准，所以与具有倾斜的成像所需的细长条重叠相比，后续扫描所需要的细长条重叠极小。
现在参考图6，其示出了根据本发明的一些实施例的、从分为关于彼此在空间上位移的连续行的块的SLM获得的写入图像的简化示意图。典型地，DMD类型的SLM包括巨大数量的反射镜元件，例如1024x768个元件，每一个元件都在被成像至光敏表面上时与子曝光区域关联。在一些示例实施例中，可光学地将DMD图像分为2-6个块，例如4个块的连续行，并且每一个块典型地包括多个行，例如关于彼此位移的192个行。
在图6中示出的简化示例中，将来自SLM的图像分为块501、502、503和504，并且在行方向135上，在每一个块之间施加子曝光区域的1/4的预定位移。在这种构造中，在具有等于1/4子曝光区域位移的重置间隔的扫描期间，多次重复写入每一个寻址点，重复写入的次数对应于包括在每一个块中的行的数量，在图6的简化示例中即为12。在使用同一SLM的另一实施例中，可将重置间隔选择为子曝光区域的3/4，该情况下，每一个寻址点将被曝光12/3或4次。
已注意到，例如子曝光区域120和/或120'的子曝光区域可为通过成像光学***而投影的SLM元件或像素的图像，并且因此可不具有与SLM的原始像素完全一样的形状和尺寸。可选地，图1A、1B、2A、2B、4A、4B、5A、5B和6中的相邻寻址点150和/或150'分开SLM的两个相邻像素之间的乘以成像光学***的放大率的距离。
现在参考根据本发明的一些实施例的图7A和7B以及图8A和8B，图7A和7B示出了用于施加SLM数据的交叉扫描空间位移的光学修剪元件的两个示例，图8A和8B分别示出了使用图7A和7B中示出的示例性光学修剪元件而获得的对应修剪图案。根据本发明的一些实施例，光学修剪元件530包含多个有角度的窗口531、532、533、534。这些窗口的每一个都成一专有角度，以在行方向上将DMD图像的部分位移子曝光区域的一部分，以如上所述。根据本发明的一些实施例，修剪矩形DMD图像，以使用光学修剪元件530获得修剪的DMD图像形状2530（图8A）。为了说明的目的，图7A中示出的倾斜角度和图8A中的修剪量被夸大许多。典型地，倾斜角度在视觉上几乎不可感知。
有角度的窗口的数量和每一个的尺寸对应于期望的位移部分的数量和每一个部分的尺寸。在一些示例实施例中，有角度的窗口531-535在共同的边缘539会合。在其他的示例实施例中，有角度的窗口的顶面在沿着每一个表面的中间长度的公共线处会合。当表面在沿着每一个表面的中间长度的公共线处会合时，不同表面之间的高度差减少，并且它们由于高度差而导致的与焦平面的未对准性也减小。
在一些示例实施例中，光学元件由双折射材料的相邻板构成。可选地，光学元件类似于所并入的上面引用的美国专利申请2006/0060798的图7中示出的元件50。典型地，通过光学元件的折射，提供图像数据的位移。
在一些示例实施例中，落在靠近离散表面531-534的边缘的图像部分的目的地是不确定的（ambiguous）。在一些示例实施例中，该不确定性是由于渐晕、光学修剪元件530的公差、和/或由于来自表面之间高度变化的遮拦。在一些示例实施例中，通过使落在靠近表面边缘的子曝光区域空白，来避免该不确定性。
现在参考图7B和图8B，在一些示例实施例中，光学元件560提供与离散的块或部分相反的连续方式的空间横向位移。可选地，表面560的形状对应于光学元件530的平滑版本，并且在交叉扫描方向上提供图像数据的线性修剪，以获得修剪的图像形状2560，如图8B中所示。已注意到，为了说明的目的，夸大了所示的线性修剪。
优选地，例如光学修剪元件530或光学修剪元件560的光学修剪元件与DMD对准，使得位移仅在行方向上。
现在参考图9A和9B，其示出了根据本发明的一些实施例的、用于在交叉扫描方向上空间地位移曝光数据的两个示例性光学***的简化示意图。根据本发明的一些实施例，当入射束705照到SLM710上时，形成空间调制束790。在一些示例实施例中，SLM710为DMD。可选地，束790穿过将SLM710成像至光学修剪元件730上的成像***720。典型地，束790被折射通过束修剪元件730，以将束的部分关于彼此位移预定的位移，如在此上面所述。
在一些示例实施例中，***元件730横跨（straddle）于SLM710的图像的焦平面725上和/或附近。本发明人已经发现，将修剪元件730横跨于焦平面725上减少了SLM的由于修剪元件730的不同表面之间的非连续性而不能用的部分。在一些示例实施例中，使束***元件730横跨于SLM焦平面上和/或附近减少了渐晕效应，并避免了混束（beam mixing）。可选地，主成像***720包括SLM和***元件730之间的远心成像。
根据本发明的一些实施例，二次成像***750用于将子束795聚焦于诸如可写入表面760的表面上。典型地，二次成像***750包括附加的远心透镜***。典型地，子束795基本上以法线方向（例如，迎面地）照到可写入表面上。
现在参考图9B，在一些示例实施例中，将束修剪元件730置于紧邻曝光的写入表面760，将SLM成像于该曝光的写入表面760上，并且不需要二级成像***750。
已注意到，尽管本发明的实施例已经描述了在列方向上扫描时空间位移图像数据的行，但是应理解的是，在本发明的一些实施例中，当使用这里描述的方法和***在行方向上扫描时，可空间地位移图像数据的列。
现在参考图10，其示出了根据本发明的一些实施例的、用于将图案曝光于PCB板上的无掩模光刻***的简化示意图。典型地，PCB板1510位于可移动的工作台1520上。根据本发明的一些实施例，当马达1530以线性扫描运动控制工作台1520的运动时，光学头1550以预定速率将修剪的图像图案曝光于涂有光刻胶的PCB上。
典型地，在扫描期间，运动致动器/编码器1530控制工作台1520在扫描方向1570上的运动。可选地，可提供第二运动致动器，以在交叉扫描方向1575上移动工作台1520或光学头1550，例如用于随后的扫描。典型地，控制器1540调整曝光光学头1550的曝光速率和时间，例如DMD重置间隔，工作台1520的运动速度基于扫描方向上的期望分辨率。典型地，依照典型地存储在存储器中的计算机辅助制造（CAM）写入数据库1560（诸如盘文件），控制器1540控制用于曝光图像的速率和工作台1520的运动。
在一些示例实施例中，在扫描期间运动的主方向在扫描方向上。尽管马达1530被示出为控制工作台1520的运动，但仍应注意，在扫描期间，工作台1520可是固定的，而光学头1550可在扫描和交叉扫描方向上前进。可选地，在扫描期间，一个或更多的马达控制工作台1520和光学头1550的运动。
根据本发明的一些实施例，曝光光学头1550包括一个或更多的入射束源，一个或更多的SLM（诸如DMD），以及一个或更多的光学***。典型地，光学***包括一个或更多的束修剪元件，以提供在交叉扫描方向上的图像数据的限定位移。
术语“包含”及其变体、“包括”及其变体、“具有”以及它们的变体意味着“包括但不限于”。
术语“由……组成”意味着“包括且限于”。
术语“基本由……组成”意味着构成、方法或结构可包括附加成分、步骤及/或部分，但这仅在附加成分、步骤及/或部分未在实质上改变主张的构成、方法和结构的基本且新颖的特征时是这样。
应意识到，也可以组合的方式，将为清楚起见而在独立实施例的背景中描述的本发明的某些特征提供于单个实施例中。相反地，也可分离地或以任何合适的子组合或与本发明的任何其他所述实施例中一样合适地提供为简短起见而在单个实施例的内容中描述的本发明的各种特征。不能将在各种实施例的内容中描述的某些特征视为这些实施例的必要特征，除非在没有这些元素的情况下，实施例不起作用。

Claims (21)

1.一种将图案曝光于光敏表面上的方法，所述方法包括：
在表面上形成包括图像数据的行和列的矩形矩阵图案的空间调制光束，其中所述空间调制光束可操作以曝光所述表面的连续子曝光区域，每一个子曝光区域与所述图像数据的一数据关联；
将所述空间调制光束的行或列之一与扫描方向对准，而将所述空间调制光束的行或列中的另一个与交叉扫描方向对准，从而曝光所述表面；
在所述交叉扫描方向上，将所述调制光束的至少一部分相对于所述调制光束的第二部分修剪了小于两个子曝光区域之间在所述交叉扫描方向上的中心到中心的距离的量；
使用修剪的空间调制光束在所述扫描方向上曝光所述表面；以及
由于所述扫描而在所述交叉扫描方向上重叠曝光的子区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述连续子曝光区域形成其间没有间隔的连续曝光区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述修剪施加于所述图像数据的连续行的2-6个块上。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述修剪限定为连续子曝光区域之间的中心到中心距离的1/n，其中“n”为块的数量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述修剪限定所述交叉扫描方向上的分辨率。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，采用笛卡尔寻址曝光所述表面。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空间调制光束由单个DMD形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，将重置间隔限定为由所述空间调制光束的子曝光区域曝光的区域的非整数倍。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述曝光间隔限定为与在所述交叉扫描方向上提供的分辨率匹配。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，曝光包括写入。
11.一种在表面上扫描图案的***，其包含：
扫描器，其操作以在扫描方向上扫描表面；
空间光调制器，其操作以提供包括以行和列的矩阵图案布置的图像数据的空间调制光束，每一个数据操作以在所述表面上曝光子曝光区域，其中所述列与扫描方向对准，而所述行与交叉扫描方向对准；
光学修剪元件，其操作以在交叉扫描方向上将所述图像数据的矩阵图案的至少第一部分相对于至少第二部分位移小于两个连续子曝光区域之间的中心到中心的距离的量，以形成修剪的矩阵图案；以及
成像***，其操作以将所述修剪的矩阵图案曝光于所述表面上，作为基本相邻的子曝光区域的图案，使得在所述扫描期间，来自所述矩阵图案的所述第一部分和第二部分中的一个的子曝光区域与所述第一部分和第二部分中的另一个的子曝光区域重叠。
12.根据权利要求11所述的***，其中，将所述修剪施加于所述图像数据的连续行的2-6个块上。
13.根据权利要求11所述的***，其中，每一个块包括192-270个连续行。
14.根据权利要求12所述的***，其中，所述光学修剪元件包括多个透光部分，该多个透光部分相对于彼此成一角度，其中，透光部分的数量对应于块的预定数量，其中每一个所述透光部分操作以位移所述图像数据的预定块之一。
15.根据权利要求14所述的***，其中，使每一个透光部分成角度，以提供与连续寻址点之间的距离的1/n对应的位移，其中“n”为所述图像数据的块的数量。
16.根据权利要求11所述的***，其中，所述光学修剪元件为弯曲的表面，该弯曲的表面操作以提供行方向上的线性修剪。
17.根据权利要求11所述的***，其中，所述光学修剪元件位于接近目标物体。
18.根据权利要求11所述的***，其中，所述空间光调制器为DMD。
19.根据权利要求11所述的***，其包含控制器，该控制器操作以响应于所述扫描方向上的期望分辨率设置扫描间隔。
20.根据权利要求19所述的***，其中，将所述扫描间隔限定为与在所述交叉扫描方向上提供的分辨率匹配。
21.根据权利要求11所述的***，其中，所述扫描器操作以使用笛卡尔寻址来扫描。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112236721A (zh) * 2018-06-19 2021-01-15 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于像点曝光的方法和设备

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9508168B2 (en) * 2008-12-18 2016-11-29 Xerox Corporation Method and system for utilizing transformation matrices to process rasterized image data
US9626602B2 (en) * 2008-12-18 2017-04-18 Xerox Corporation Method and system for utilizing transformation matrices to process rasterized image data
US9626603B2 (en) * 2008-12-18 2017-04-18 Xerox Corporation Method and system for utilizing transformation matrices to process rasterized image data
US8584057B2 (en) * 2012-03-01 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Copmany, Ltd. Non-directional dithering methods
KR101591155B1 (ko) * 2012-10-08 2016-02-02 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP2016188923A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 ウシオ電機株式会社 露光装置及び露光方法
KR102102296B1 (ko) * 2015-09-04 2020-04-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스텝 크기 변경을 통한 라인 에지 거칠기 감소
CN109478018B (zh) * 2015-12-17 2020-11-24 株式会社尼康 图案描绘装置
JP7023601B2 (ja) * 2016-11-14 2022-02-22 株式会社アドテックエンジニアリング ダイレクトイメージング露光装置及びダイレクトイメージング露光方法
US11460777B2 (en) 2016-12-20 2022-10-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for exposure of photosensitive layer
US10852528B2 (en) * 2016-12-20 2020-12-01 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for exposure of photosensitive layer
SG11202000903TA (en) * 2017-08-02 2020-02-27 Trio Labs Inc Solid freeform fabrication utilizing in situ infusion and imaging
US10495979B1 (en) 2019-02-19 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Half tone scheme for maskless lithography
WO2024075396A1 (ja) * 2022-10-05 2024-04-11 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270792A (en) * 1990-03-28 1993-12-14 Blue Sky Research, Inc. Dynamic lateral shearing interferometer
US20010035944A1 (en) * 2000-03-14 2001-11-01 Hiroshi Sunagawa Image exposing method and image exposing apparatus
US6903198B2 (en) * 2001-01-31 2005-06-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Compound, dye, ink and ink-jet recording method
US20050190376A1 (en) * 2004-01-21 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Device and method for the determination of imaging errors and microlithography projection exposure system
US20050225788A1 (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure apparatus and exposure method
US20050225859A1 (en) * 2004-01-29 2005-10-13 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry
US20060001890A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Asml Holding N.V. Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor
JP2006148916A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Xerox Corp 文書照明装置
US7379161B2 (en) * 2002-07-19 2008-05-27 Applied Materials, Israel, Ltd. Printer and a method for recording a multi-level image
CN101297244A (zh) * 2005-09-16 2008-10-29 迈普尔平版印刷Ip有限公司 光刻***和投影方法
US20100060874A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Maskless lithographic apparatus and methods of compensation for rotational alignment error using the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208818A (en) 1991-12-12 1993-05-04 Creo Products Inc. Laser system for recording data patterns on a planar substrate
US5453778A (en) 1993-07-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for spatial modulation in the cross-process direction
US5459492A (en) 1993-08-30 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for printing stroke and contone data together
US5699168A (en) 1995-06-22 1997-12-16 Texas Instruments Incorporated Grayscale printing with sliding window memory
US5841956A (en) 1996-01-05 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Anti-aliasing for digital printing with dot shape modulation and greyscale
EP0785524A3 (en) 1996-01-05 1999-01-13 Texas Instruments Incorporated Printing with dot shape modulation and greyscale
US5923426A (en) 1997-07-24 1999-07-13 Mirage Development, Ltd. Bi-lateral shearing interferometer
US6576384B1 (en) * 1998-10-19 2003-06-10 Vanguard International Semiconductor Corporation Mask image scanning exposure method
US6425669B1 (en) 2000-05-24 2002-07-30 Ball Semiconductor, Inc. Maskless exposure system
US6537738B1 (en) 2000-08-08 2003-03-25 Ball Semiconductor, Inc. System and method for making smooth diagonal components with a digital photolithography system
JP4728536B2 (ja) 2001-07-05 2011-07-20 株式会社オーク製作所 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
JP3719213B2 (ja) 2002-01-16 2005-11-24 ノーリツ鋼機株式会社 画像処理装置、画像処理方法、画像処理プログラム、および画像処理プログラムを記録した記録媒体
JP3938714B2 (ja) 2002-05-16 2007-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 露光装置
CN100470298C (zh) 2002-08-24 2009-03-18 无掩模平版印刷公司 连续地直接写的光刻技术
EP2302457B1 (en) * 2002-10-25 2016-03-30 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system
JP2005210112A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
JP2006085072A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fuji Photo Film Co Ltd マルチビーム露光装置
JP2006085070A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fuji Photo Film Co Ltd マルチビーム露光方法及び装置
US7868909B2 (en) 2004-09-17 2011-01-11 Fujifilm Corporation Method and apparatus for multi-beam exposure
JP2006308994A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
WO2007081913A2 (en) * 2006-01-06 2007-07-19 President And Fellows Of Harvard College Surface plasmon enhanced radiation methods and apparatus
DE102008022253A1 (de) * 2008-05-06 2009-11-12 Miva Technologies Gmbh Hochauflösendes Fotoplottverfahren und Anordnung zur hochauflösenden Aufzeichnung eines computergespeicherten Rasterbildes auf einen ebenen lichtempfindlichen Aufzeichnungsträger
IL198719A0 (en) 2009-05-12 2010-02-17 Orbotech Ltd Optical imaging system

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270792A (en) * 1990-03-28 1993-12-14 Blue Sky Research, Inc. Dynamic lateral shearing interferometer
US20010035944A1 (en) * 2000-03-14 2001-11-01 Hiroshi Sunagawa Image exposing method and image exposing apparatus
US6903198B2 (en) * 2001-01-31 2005-06-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Compound, dye, ink and ink-jet recording method
US7379161B2 (en) * 2002-07-19 2008-05-27 Applied Materials, Israel, Ltd. Printer and a method for recording a multi-level image
US20050190376A1 (en) * 2004-01-21 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Device and method for the determination of imaging errors and microlithography projection exposure system
US20050225859A1 (en) * 2004-01-29 2005-10-13 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry
US20050225788A1 (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure apparatus and exposure method
US20060001890A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Asml Holding N.V. Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor
JP2006148916A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Xerox Corp 文書照明装置
CN101297244A (zh) * 2005-09-16 2008-10-29 迈普尔平版印刷Ip有限公司 光刻***和投影方法
US20100060874A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Maskless lithographic apparatus and methods of compensation for rotational alignment error using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112236721A (zh) * 2018-06-19 2021-01-15 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于像点曝光的方法和设备

Also Published As

Publication number Publication date
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