CN103296881B - 可自行产生正电压或负电压的切换电路 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种可自行产生正电压或负电压的切换电路，其由一第一开关的一第一端接收一电源，第一开关的一第二端耦接一储能元件的一第一端。一第二开关的一第一端耦接储能元件的一第二端，第二开关的一第二端接收一参考电位。一第三开关的一第一端耦接一输入端，第三开关的一第二端耦接储能元件的第一端。一第四开关的一第一端耦接储能元件的第二端，第四开关的一第二端耦接一输出端。如此，不需要使用超高耐压组件，并且不需要额外多使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。

Description

可自行产生正电压或负电压的切换电路

技术领域

本发明是有关于一种切换电路，其尤指一种可自行产生正电压或负电压的切换电路。

背景技术

液晶显示装置广泛地应用做为个人计算机等的显示装置。液晶显示装置具有液晶显示面板及用以驱动液晶显示面板的驱动电路。液晶显示面板使两片基板相对，在该两片基板间保留间隙，并将液晶组成物封入该间隙后形成。形成液晶显示面板的基板具有像素电极及对向电极。在像素电极与对向电极间施加电压，会使存在于像素电极与对向电极间的液晶分子的配向方向发生变化，进而使液晶显示面板的透光率发生变化：利用该透光率变化来进行显示。TFT式的液晶显示装置中，每个像素电极均具有开关组件，利用该开关组件将电压供应给像素电极。

已知的TFT式液晶显示装置有：纵向电场式的液晶显示装置，其使像素电极设在一侧的基板上，对向电极设在另一侧的基板上；及横向电场式的液晶显示装置，其将像素电极及对向电极设置在同一侧的基板上。

欲施加在像素电极上的电压经由影像信号线传送至像素电极附近，连接于开关组件。此外，使开关组件进行开/关动作的信号由扫描信号线供应。TFT式液晶显示装置中，影像信号线例如在纵方向上延伸且在横方向上平行设置复数条。此外，扫描信号线与影像信号线交叉，在横方向上延伸且在纵方向上平行设置复数条。尚且，在由相邻2条影像信号线及与该影像信号线交叉的2条扫描信号线所围成的区域上，形成有像素电极。该像素电极配置成矩阵状而形成显示区域。显示区域的周围形成有驱动电路，用以将信号传送至影像信号线及扫描信号线。

为因应人类对色彩的需求，液晶显示借着彩色滤光片达到彩色化的目的，而对于多色彩化的要求即须经由液晶透光度的多寡来区分各个色彩的明暗。一般我们引述的电压与透光度的关系可以了解，不同的透光度必须由不同的电位来提供，因此驱动芯片必需藉由一些不同方法来达到各种不同的灰阶(grayscale)。常见的方法有脉冲宽度调变法(Pulse Width Modulation，PWM)，脉冲高度调变法(Amplitude Modulation，AM或PulseHeight Modulation，PHM)，及图框调变法(Frame Modulation，FM或Frame Rate Control，FRC)，或者是这几种方法的混用。

为了进一步降低液晶显示装置的耗电，属于Alt-Preshko Technique(APT)驱动方式的High-Frequency Amplitude Selection(Hi-FAS)的驱动波形也被提出，利用提高较少切换的COM讯号的电压，降低较常切换的SEG讯号的电压，来达到省电的效果。又由于使用低压组件在讯号线数目较多的SEG，也能达到节省芯片IC成本的目的。

然而，现行内建电容的Hi-FAS架构的液晶显示器由于讯号推力的问题，在大尺寸的面板可能会有驱动能力不足的问题，因此必须要有可以提供客户外加电压的应用。而Hi-FAS架构中，COM讯号的电压有正电压以及负电压，并且FPC***端仅能提供一正电压，所以必须额外使用一个电源供应器产生一负电压，即需要使用二个以上的电源供应器提供正电压与负电压，如此，将会增加电路面积，进而增加成本。

再者，由于软性电路板(FPC)***端仅能提供正电压，并且COM讯号的电压有正电压以及负电压，所以，COM讯号产生电路必须要具备可以承受FPC***端的正电压的耐压，例如在FPC***端产生正电压为50V时，使COM讯号产生电路可以产生正电压+25V与负电压-25V，但COM讯号产生电路内部的组件必须可以承受50V的耐压，而需要使用高耐压组件，进而增加FPC电路面积与成本。

因此，如何针对上述问题而提出一种新颖可自行产生正电压或负电压的切换电路，其可自行产生正电压或负电压而不需要额外多使用一个电源供应器，并且不需要使用高耐压组件，进而节省电路面积与成本。

发明内容

本发明的目的之一，在于提供一种可自行产生正电压或负电压的切换电路，其可依据接收的正电压或负电压而对应自行产生负电压或正电压，而不需要额外多使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。

本发明的目的之一，在于提供一种可自行产生正电压或负电压的切换电路，其藉由控制复数开关导通或截止并且不需要使用超高耐压组件，进而节省电路面积与成本。

本发明的可自行产生正电压或负电压的切换电路包含一第一开关、一第二开关、一第三开关与一第四开关。第一开关具有一第一端与一第二端，第一端接收一电源，第一开关的第二端耦接一储能元件的一第一端。第二开关具有一第一端与一第二端，第二开关的第一端耦接储能元件的一第二端，第二开关的第二端接收一参考电位，第三开关具有一第一端与一第二端，第三开关的第一端耦接一输入端，第三开关的第二端耦接储能元件的第一端。第四开关具有一第一端与一第二端，第四开关的第一端耦接储能元件的第二端，第四开关的第二端耦接一输出端。如此，本发明藉由控制复数开关导通或截止并且不需要使用超高耐压组件，进而节省电路面积与成本。再者，本发明可依据接收的正电压或负电压而对应自行产生负电压或正电压，而不需要额外使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。

实施本发明产生的有益效果是：本发明的可自行产生正电压或负电压的切换电路，其由一第一开关的一第一端接收一电源，第一开关的一第二端耦接一储能元件的一第一端。一第二开关的一第一端耦接储能元件的一第二端，第二开关的一第二端接收一参考电位。一第三开关的一第一端耦接一输入端，第三开关的一第二端耦接储能元件的第一端。一第四开关的一第一端耦接储能元件的第二端，第四开关的一第二端耦接一输出端。如此，不需要使用高耐压组件，并且不需要额外使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的切换电路的电路图；

图2为本发明的切换电路应用于显示驱动电路的电路图；

图3为本发明的第二实施例的切换电路的电路图；

图4为图3的切换电路的剖面图；

图5为本发明的第三实施例的切换电路的电路图；

图6为图5的切换电路的剖面图；

图7为本发明的第四实施例的切换电路的电路图；

图8为本发明的第五实施例的切换电路的电路图。

【图号对照说明】

1 切换电路 10 第一开关

12 第一N型井 14 第一P型掺杂区

16 第二P型掺杂区 18 第一栅极层

19 第一N型掺杂区 20 第二开关

22 第二N型井 23 第二P型井

220 第七N型掺杂区 24 第二N型掺杂区

26 第三N型掺杂区 28 第二栅极层

29 第五P型掺杂区 30 第三开关

32 第三N型井 34 第三P型掺杂区

36 第四P型掺杂区 38 第三栅极层

39 第四N型掺杂区 40 第四开关

42 第四N型井 420 第八N型掺杂区

43 第三P型井 44 第五N型掺杂区

46 第六N型掺杂区 48 第四栅极层

49 第六P型掺杂区 50 储能元件

6 低电压差线性稳压器 62 第一分压电路

64 稳压器 640 操作放大器

642 输出开关 66 第二分压电路

67 第三分压电路 68 电荷帮浦

680 第一切换开关 681 第二切换开关

682 第一电容 683 第一控制开关

684 第二控制开关 685 第三控制开关

686 第四控制开关 687 缓冲器

688 第二电容 689 第五控制开关

690 第六控制开关 69 第一比较器

691 第七控制开关 692 第八控制开关

70 P型基底 72 第一P型井

82 第五N型井 820 第十一N型掺杂区

83 第四P型井 84 第九N型掺杂区

86 第十N型掺杂区 88 第五栅极层

89 第八P型掺杂区

具体实施方式

为了使本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：

请参阅图1，为本发明的一实施例的切换电路的电路图。如图所示，本发明的可自行产生正电压或负电压的切换电路1包含一第一开关10、一第二开关20、一第三开关30与一第四开关40。第一开关10具有一第一端与一第二端，第一开关10的第一端接收一电源Vcc，该第一开关10的第二端耦接一储能元件50的一第一端。第二开关20具有一第一端与一第二端，第二开关20的第一端耦接储能元件50的一第二端，第二开关20的第二端接收一参考电位Vg。第三开关30具有一第一端与一第二端，第三开关30的第一端耦接一输入端IN，第三开关30的该第二端耦接储能元件50的第一端。第四开关40具有一第一端与一第二端，第四开关40的第一端耦接储能元件50的第二端，第四开关40的第二端耦接一输出端OUT。

承上所述，当第一开关10导通时，而第二开关20也导通，使电源Vcc对储能元件50进行充电，经过一段时间，储能元件50充满能量后，则第三开关30导通，并且第四开关40也导通，而输出储能元件50所储存的电压，以产生一正电压或一负电压。

例如在25伏特V的制程中，即电源Vcc为25V，而参考电位Vg为0V时，并控制第一开关10与第二开关20导通，并且第三开关30与第四开关40而截止，所以，电源Vcc经第一开关10与第二开关20而对储能元件50充电，使储能元件50储存25V的能量。在储能元件50充满电荷能量后，控制第一开关10与第二开关20截止，而第三开关30与第四开关40导通，使储能元件50所储存的电荷会经由第四开关40与输出端OUT而输出，其中由于在第一开关10与第二开关20导通时，电源Vcc对储能元件50充电，使储能元件50储存25V，所以，储能元件50的第一端相当于正极(+)，而储能元件50的第二端相当于负极(-)，而当第一开关10与第二开关20截止，而第三开关30与第四开关40导通后，储能元件50所储存的25V的能量会从储能元件50的第二端输出，而相当于切换电路1自行产生-25V。

基于上述可知，本发明可依据接收的正电压或负电压而对应自行产生负电压或正电压，也就是说，本发明的切换电路1接收正电压25V，而可以自行产生负电压-25V，或是切换电路1接收负电压-25V，而可以自行产生正电压25V，如此，本发明不需要额外多使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。再者，本发明的切换电路1在25V制程中，外接25V电源，并藉由控制第一开关10、第二开关20、第三开关30与第四开关40导通或截止而可自行产生-25V电源，其中25V外接电源不需断开，而使正电压+25V与负电压-25V能共存于***中，意即可达到二倍的耐压50V，以达到不需要使用超高耐压组件(例如使用可耐压超过25V以上的组件)，进而节省电路面积与成本。其中，本发明的储能元件50为一电容或一电感。

请一并参阅图2，为本发明的切换电路应用于显示驱动电路的电路图。如图所示，本实施例的切换电路可应用于电源电路，于本实施例中，本实施例的切换电路应用于一低电压差线性稳压器(Low Dropout regulator，LDO)6，低电压差线性稳压器6包含一第一分压电路62、一稳压器64、一第二分压电路66、一第三分压电路67、一电荷帮浦68与一第一比较器69。

第一分压电路62的一端接收电源Vcc，而第一分压电路62的另一端耦接于接地端，而分压电源Vcc后产生一输入电压，并将分压后的输入电压传送至稳压器64，稳压器64耦接第一分压电路62而接收第一分压电路62分压后的输入电压，产生一输出讯号Vo，以提供输出讯号Vo至后续电路而作为后续电路的电源。第二分压电路66耦接稳压器64，并分压稳压器64输出的输出讯号Vo，而产生一参考讯号Vr，并传送参考讯号Vr至稳压器64，以控制稳压器64输出稳定的输出讯号Vo。

再者，第三分压电路67的一端耦接稳压器64的输出端，电荷帮浦68耦接第三分压电路67的另一端，以提供帮浦电压至第三分压电路67，所以，第三分压电路67分压稳压器64的输出讯号Vo与电荷帮浦68的帮浦电压之间的电压差，而产生一分压电压Vd，第一比较器69耦接第三分压电路67，而接收分压电压Vd，第一比较器69依据一门坎值Vth与分压电压Vd，产生一比较讯号而供后续电路使用。

此外，本实施例的稳压器64为低压差线性稳压器，稳压器64包含一操作放大器640与一输出开关642。操作放大器640具有一第一输入端、一第二输入端与一输出端。操作放大器640的第一输入端耦接第一分压电路62，操作放大器640的第二输入端耦接第二分压电路66，输出开关642的控制端耦接操作放大器640的输出端，输出开关642的一第一端接收电源讯号，输出开关642的一第二端耦接第二分压电路66，所以，稳压器64会依据第一分压电路62分压后的输入电压与第二分压电路66输出的参考讯号Vr，而产生输出讯号Vo。

再者，电荷帮浦68包含一第一切换开关680、一第二切换开关681、一第一电容682、一第一控制开关683，一第二控制开关684、一第三控制开关685、一第四控制开关686、一缓冲器687、一第二电容688、一第五控制开关689、一第六控制开关690、一第七控制开关691与第八控制开关692。第一切换开关680的一第一端耦接接地端，第一切换开关680的一第二端耦接第二切换开关681的一第一端与第二控制开关684的一第一端，第一控制开关683的一第一端接收0伏特电压(即接地)，第一控制开关683的一第二端耦接第二控制开关684的一第二端与第一电容682的一第一端，第一电容682的一第二端耦接第四控制开关686的一第一端，第三控制开关685的一第一端接收电源Vcc，第三控制开关685的一第二端耦接第四控制开关682的一第二端与缓冲器687。

接上所述，第二切换开关681的一第二端耦接第六控制开关690的一第一端，第五控制开关689的一第一端接收0伏特电压(即接地)，第五控制开关689的一第二端耦接第六控制开关684的一第二端与第二电容688的一第一端，第二电容688的一第二端耦接第八控制开关692的一第一端，第七控制开关691的一第一端接收电源Vcc，第七控制开关691的一第二端耦接第八控制开关692的一第二端与接地端。

基于上述，本实施例的电荷帮浦68产生帮浦电压的方式先对第一电容682与第二电容688进行充电，即第一控制开关683、第三控制开关685、第五控制开关689与第七控制开关691导通，而第二控制开关684、第四控制开关686、第六控制开关690与第八控制开关692截止，并且第一切换开关680与第二切换开关681也皆为截止状态，所以，电源Vcc对第一电容682与第二电容692进行充电。

当第一电容682与第二电容692充完电后，第一控制开关683、第三控制开关685、第五控制开关689与第七控制开关691截止，而第二控制开关684、第四控制开关686、第六控制开关690与第八控制开关692导通，此时，电荷帮浦68则开始正常运作，即第一切换开关680导通，而第二切换开关681截止，缓冲器687则对第一电容682充电，的后，第一切换开关680截止，而第二切换开关681导通，则第一电容682储存的电压则传送至第二电容688，并输出为帮浦电压。

由于第一电容682与第二电容688会被电源Vcc充满电荷或是部分电荷，以致于缓冲器687在对第一电容682进行充电时，可以很快速地充到预定的电位，并且第一电容682与第二电容688所接收的电源Vcc可以为所使用的装置中任何提供电源的地方，如此，本发明可以达到省电与的目的。

再者，若电源Vcc为25V时，电源Vcc会经由第三控制开关685与第一控制开关683对第一电容682充电到25V，再经由第四控制开关686与第一控制开关684而输出-25V，所以，本发明可依据接收的正电压而对应自行产生负电压，而不需要额外多使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。

另外，本实施例的电荷帮浦68仅为一个实施例，但并不局限于此实施例，亦可仅使用第一电容682即可提供电压至第三分压电路67。

请一并参阅图3与图4，为本发明的另一实施例的切换电路的电路图与剖面图。如图所示，本实施例的切换电路1的第一开关10、第二开关20、第三开关30与第四开关40皆为一金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)，其中，第一开关10与第三开关30为一P型金氧半场效晶体管，而第二开关20与第四开关40为一N型金氧半场效晶体管，本实施例的切换电路1的半导体电路结构如图4所示，提供一P型基底70，一第一P型井72形成于P型基底70的上方，一第一N型井12、一第二N型井22、一第三N型井32与一第四N型井42皆形成于第一P型井72内，其中，本实施例的第一开关10与第三开关30直接形成于第一N型井12与第三N型井32内，也就是说，一第一P型掺杂区14与一第二P型掺杂区16形成于第一N型井12内，并一第一栅极层18形成于第一P型掺杂区14与第二P型掺杂区16的上方，以形成P型金氧半场效晶体管，即是第一开关10，其中，第一P型掺杂区14耦接储能元件50的第一端，而第二P型掺杂区16耦接电源Vcc。另外，第一N型井12内更包含一第一N型掺杂区19，第一N型掺杂区19位于第二P型掺杂区16的一侧，并第一N型掺杂区19与第二P型掺杂区16皆耦接电源Vcc。

同理，第三N型井32包含一第三P型掺杂区34、一第四P型掺杂区36与一第三栅极层38。第三P型掺杂区34位于第四P型掺杂区36的一侧，并第三P型掺杂区34耦接储能元件50的第一端，第四P型掺杂区36耦接输入端IN，第三栅极层38位于第三P型掺杂区34与第四P型掺杂区36的上方。另外，第三N型井32更包含一第四N型掺杂区39。第四N型掺杂区39位于第四P型掺杂区36的一侧，并接收电源Vcc。

另外，第二N型井22包含一第二P型井23。第二P型井23包含一第二N型掺杂区24、一第三N型掺杂区26、一第二栅极层28与一第五P型掺杂区29。第二N型掺杂区24位于第二P型井23内，第三N型掺杂区26位于第二P型井23内，并位于第二N型掺杂区24的一侧，第二栅极层28位于第二N掺杂区24与第三N型掺杂区26的上方，第五P型掺杂区29设置于第二P型井23内，并位于第三N型掺杂区26的一侧，其中，第二N型掺杂区24耦接储能元件50的第二端，第三N型掺杂区26接收参考电位Vg，第五P型掺杂区29耦接输出端OUT。

第四N型井42包含第三P型井43。第三P型井43包含一第五N型掺杂区44、一第六N型掺杂区46、一第四栅极层48与一第六P型掺杂区49。第五N型掺杂区44位于第三P型井43内，第六N型掺杂区46位于第三P型井43内，并位于第五N型掺杂区44的一侧，第四栅极层48位于第五N型掺杂区44与第六N型掺杂区46，且在第五N型掺杂区44与第六N型掺杂区46的上方，第六P型掺杂区49位于第三P型井43内，并在第六N型掺杂区46的一侧。其中，第五N型掺杂区44耦接储能元件50的第二端，而第六N型掺杂区46与第六P型掺杂区49皆耦接于输出端OUT。

另外，本实施例的第二N型井22与第四N型井42分别包含一第七N型掺杂区220与一第八N型掺杂区420。第七N型掺杂区220与第八N型掺杂区420分别位于第二P型井23与第三P型井43的一侧，并皆耦接于接地端。

基于上述，本发明的切换电路1藉由第二N型井22与第四N型井42，而使第二开关20与第四开关40各有独立的井，而隔离其它开关组件，如此，第二N型井22与第四N型井42内的电压可以和第二N型井22与第四N型井42外的电压不同。如此，本发明的切换电路1可以藉由控制第一开关10、第二开关20、第三开关30与第四开关40的导通或截止，并配合第二N型井22与第四N型井42的独立井，而可以达到依据接收的正电压或负电压而对应自行产生负电压或正电压，而不需要额外使用一个电源供应器，并且不需要使用高耐压组件，进而节省电路面积与成本。

请参阅图5与图6，为本发明的另一实施例的切换电路的电路图与剖面图。如图所示，本实施例与图3和图4的实施例不同的处，在于本实施的第三开关30为一传输闸，即第三开关30包含一第五N型井82、一第四P型井83、一第九N型掺杂区84、第十N型掺杂区86、一第五栅极层88与一第八P型掺杂区89。第五N型井82位于P型基底70的上，第四P型井83位于第五N型井82内，第九N型掺杂区84位于第四P型井83内，第十N型掺杂区86位于第四P型井83内，并位于第九N型掺杂区84的一侧，第八P型掺杂区89位于第四P型井83内，且位于第十N型掺杂区86的一侧，其中，第九N型掺杂区84耦接第三P型掺杂区34与储能元件50的第一端，第十N型掺杂区86耦接第八P型掺杂区89与输入端IN。

此外，第五N型井82包含一第十一N型掺杂区820。第十一N型掺杂区位于第五N型井82内，并位于第四P型井83的一侧，且耦接第十N型掺杂区86、第八P型掺杂区89与输入端IN。

请一并参阅图7与图8，为本发明的第四实施例与第五实施例的切换电路的电路图。如图所示，本第四实施例与第五实施例与上述实施例不同的处，在于第四实施例的第一开关10至第四开关40为一传输闸，而第五实施例的第一开关10至第四开关40为一双极性接面晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)，其动作原理皆与第一实施例的切换电路相同，于此将不再加以赘述，另外，第一开关10至第四开关40皆可以从场效晶体管、双极性接面晶体管或传输闸之间任意选择与组合。

综上所述，本发明的可自行产生正电压或负电压的切换电路，其由一第一开关的一第一端接收一电源，第一开关的一第二端耦接一储能元件的一第一端。一第二开关的一第一端耦接储能元件的一第二端，第二开关的一第二端接收一参考电位。一第三开关的一第一端耦接一输入端，第三开关的一第二端耦接储能元件的第一端。一第四开关的一第一端耦接储能元件的第二端，第四开关的一第二端耦接一输出端。如此，不需要使用高耐压组件，并且不需要额外使用一个电源供应器，进而达到节省电路面积与成本的目的。

上文仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (8)

1.一种可自行产生一正电压或一负电压的切换电路，其特征在于，其包括：

一第一开关，具有一第一端与一第二端，该第一端接收一电源，该第一开关的该第二端耦接一储能元件的一第一端；

一第二开关，具有一第一端与一第二端，该第二开关的该第一端耦接该储能元件的一第二端，该第二开关的该第二端接收一参考电位；

一第三开关，具有一第一端与一第二端，该第三开关的该第一端耦接一输入端，该第三开关的该第二端耦接该储能元件的该第一端；以及

一第四开关，具有一第一端与一第二端，该第四开关的该第一端耦接该储能元件的该第二端，该第四开关的该第二端耦接一输出端；

其中，该第一开关更包含一第一N型井、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区、一第一栅极层以及一第一N型掺杂区，该第一N型井位于一第一P型井内，该第一P型井位于一P型基底；该第一P型掺杂区位于该第一N型井内，并耦接于该储能元件的该第一端；该第二P型掺杂区位于该第一N型井内，并位于该第一P型掺杂区的一侧；该第一栅极层位于该第一P型掺杂区与该第二P型掺杂区之间，并在该第一P型掺杂区与该第二P型掺杂区之间的上方；该第一N型掺杂区位于该第一N型井内，并位于该第二P型掺杂区的一侧。

2.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中当该第一开关导通时，该第二开关也导通，以该电源对该储能元件进行充电。

3.如权利要求2所述的切换电路，其特征在于，其中当该第三开关导通时，该第四开关也导通，以输出该储能元件所储存的电压，以产生该正电压或该负电压。

4.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中该第二开关更包含：

一第二N型井，位于该第一P型井内；

一第二P型井，位于该第二N型井内；

一第二N型掺杂区，位于该第二P型井内，并耦接于该储能元件的该第二端；

一第三N型掺杂区，位于该第二P型井内，并位于该第二N型掺杂区的一侧，且耦接于一接地端；以及

一第二栅极层，位于该第二N型掺杂区与该第三N型掺杂区之间，且在该第二N型掺杂区与该第三N型掺杂区的上方；

一第三P型掺杂区，位于该第二P型井内，并位于该第三N型掺杂区的一侧，且耦接于该输出端；

其中，该第二N型井为一独立井，以隔离其它组件。

5.如权利要求4所述的切换电路，其特征在于，其中该第三开关更包含：

一第三N型井，位于该第一P型井内；

一第四P型掺杂区，位于该第三N型井内，并耦接于该储能元件的该第一端；

一第五P型掺杂区，位于该第三N型井内，并耦接于该输入端；

一第三栅极层，位于该第四P型掺杂区与该第五P型掺杂区之间，且在该第四P型掺杂区与该第五P型掺杂区的上方；以及

一第四N型掺杂区，位于该第三N型井内，并位于该第五P型掺杂区的一侧。

6.如权利要求5所述的切换电路，其特征在于，其中该第四开关更包含：

一第四N型井，位于该第一P型井内；

一第三P型井，位于该第四N型井内；

一第五N型掺杂区，位于该第三P型井内，并耦接于该储能元件的该第二端；

一第六N型掺杂区，位于该第三P型井内，并位于该第五N型掺杂区的一侧，且耦接于该输出端；

一第四栅极层，位于该第五N型掺杂区与该第六N型掺杂区之间，并在该第五N型掺杂区与该第六N型掺杂区之间的上方；以及

一第六P型掺杂区，位于该第三P型井内，并位于该第六N型掺杂区的一侧，且耦接于该输出端；

其中，该第四N型井为一独立井，以隔离其它组件。

7.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中该储能元件为一电容或一电感。

8.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中该第一开关、该第二开关、该第三开关与该第四开关为一场效晶体管、一传输闸或一双极性接面晶体管。