CN103290364A - 连续式真空蒸发镀膜装置 - Google Patents

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CN103290364A CN2013101968570A CN201310196857A CN103290364A CN 103290364 A CN103290364 A CN 103290364A CN 2013101968570 A CN2013101968570 A CN 2013101968570A CN 201310196857 A CN201310196857 A CN 201310196857A CN 103290364 A CN103290364 A CN 103290364A
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Abstract

本发明公开了一种连续式真空蒸发镀膜装置,包括:镀膜室、工件架和膜料架;镀膜室一端连通第一过渡室,另一端连通第二过渡室;第一过渡室、镀膜室、第二过渡室内分别设有第一轨道和第二轨道;第一过渡室两端和第二过渡室两端分别设有插板阀;第一过渡室、镀膜室、第二过渡室分别配置有独立的抽气***。本发明所提供的装置运行中,除了工件架和膜料的装卸采用人工外,其他操作由装置自动完成,大大提高了镀膜效率,保证了产品膜层的一致性。同时镀膜室内可保持高真空状态,杂质气体少,可有效地防止膜料蒸气被杂质气体污染,从而可以获得品质更优的膜层。

Description

连续式真空蒸发镀膜装置
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域,尤其是涉及一种连续式真空蒸发镀膜装置。
背景技术
真空蒸发镀膜(简称蒸镀)技术是PVD(物理气相沉积)技术中发展最早,应用领域很广的镀膜技术。其工作原理:将膜材置于真空镀膜设备的蒸发源(用来加热膜材使之气化蒸发的装置)中,在高真空条件下通过蒸发源加热膜材使之蒸发形成蒸气,蒸气到达被镀的基材表面后由于基材温度较低,蒸气便凝结在基材表面形成薄膜。
目前广泛应用的是箱式蒸发镀膜机,这种箱式蒸发镀膜机主要采用电阻加热蒸发源和电子束加热蒸发源(由电子枪和坩埚组成)两种蒸发源。这种镀膜机主要包括:真空室、抽气***、蒸发源、膜厚测量***、离子源、加热器等。
现有的箱式蒸发镀膜机对基材镀膜加工的基本流程为:a、装载(将待蒸镀的基材装载至工件架上);b、上架(将装好基材的工件架安装到真空室内);c、抽气(关闭真空室大门,通过真空泵对真空室抽气直至真空压力值到设定值,如优于10-2Pa);d、加热(对基材加热直至基材温度到设定值,另外根据镀膜要求也可不加热);e、离子清洗(旋转工件架,通过离子源对基材进行清洗,另外根据镀膜要求也可不清洗);f、镀膜(开启蒸发源实现镀膜,直至膜厚达到设定值);g、停机(停止加热、停止旋转工件架、真空室放大气);h、下架(打开真空室门,将镀膜后的基材工件架取出);然后返回第a步执行下一个生产流程。
上述这种箱式蒸发镀膜机对基材进行镀膜过程中存在如下问题:
1、由于其按开机-停机-开机的模式循环工作,这种循环过程中不同周期所涉及镀膜工艺条件如真空压力、加热温度、抽气速度、室体放气、室体污染很难每一个工艺条件完全一致,而只有一个工艺条件少有变动,都将导致膜层质量的变化,因此这种镀膜机生产出来的膜层质量一致性难以得到保证。
2、由于上述这种镀膜机一般采用油扩散泵+罗茨泵+油封式旋片泵的抽气***,油蒸气对真空室体会有一定的污染,进而会污染膜层品质;另外实际过程中由于想获得高的真空度环境,抽气时间会很长,综合蒸镀要求和生产效率的考虑,一般控制真空度在10-2Pa左右,即此时真空室中还残留有较多的H2O,CO2,O2,N2,有机蒸气等气体,在镀膜过程中,这些气体会和蒸发粒子一起被吸附或结合,在薄膜中造成污染,进而影响膜层品质。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种连续式真空蒸发镀膜装置,提高镀膜效率,保证产品膜层的一致性,防止膜层被杂质气体污染,获得品质更优的膜层。
本发明提出一种连续式真空蒸发镀膜装置,包括:镀膜室、工件架和膜料架;
所述镀膜室一端连通第一过渡室,另一端连通第二过渡室;
所述第一过渡室、镀膜室、第二过渡室内分别设有传输所述工件架的第一轨道和传输所述膜料架的第二轨道;
所述第一过渡室两端和第二过渡室两端分别设有可开关的用于隔离气体的插板阀;
所述第一过渡室、镀膜室、第二过渡室分别配置有独立的抽气***。
优选地,所述第一过渡室的第一轨道与镀膜室的第一轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠;镀膜室的第一轨道和第二过渡室的第一轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠;
所述第一过渡室的第二轨道与镀膜室的第二轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠;镀膜室的第二轨道和第二过渡室的第二轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。
优选地,所述第一过渡室包括:上第一过渡室,与上第一过渡室连通的下第一过渡室;上第一过渡室内设有所述第一轨道;所述下第一过渡室内设有所述第二轨道;
所述第二过渡室包括:上第二过渡室,与上第二过渡室连通的下第二过渡室;上第二过渡室内设有所述第一轨道;所述下第二过渡室内设有所述第二轨道。
优选地,所述插板阀包括:上插板阀和下插板阀;
所述上第一过渡室两端和上第二过渡室两端设置有上插板阀;
所述下第一过渡室两端和下第二过渡室两端设置有下插板阀。
优选地,所述第一轨道包括:第一滑轮,该第一滑轮的一侧设置有第一齿轮;
所述工件架包括:工件架本体,该工件架本体的顶部设置有与所述第一滑轮适配的第一滑块,该第一滑块一侧设有与所述第一齿轮啮合的第一齿条。
优选地,所述第二轨道包括:第二滑轮,该第二滑轮的一侧设置有第二齿轮;所述膜料架包括:膜料架本体,该膜料架本体的底部设置有与所述第二滑轮适配的第二滑块,所述第二滑块的一侧设有与所述第二齿轮啮合的第二齿条。
优选地,连续式真空蒸发镀膜装置还包括第一底架、平移架,以及用于运输平移架的第二底架;所述第一过渡室、镀膜室以及第二过渡室置于所述第一底架上;所述第二底架两端分别于所述第一底架的两端连接,二者的顶部外表面处于同一水平面上;
所述平移架上分别设置有第一轨道和第二轨道;当所述平移架置于第二底架上与第一底架上设有第一过渡室的一端连接的一端时,所述平移架的第一轨道与第一过渡室的第一轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。
优选地,连续式真空蒸发镀膜装置还包括:
用于蒸发膜料的蒸发器;
用于对上第一过渡室、镀膜室的加热器;
用于对基材进行清洗的离子轰击装置。
优选地,连续式真空蒸发镀膜装置还包括:
用于监测基材镀膜厚度的膜厚监控仪器;
用于监测第一过渡室、镀膜室、第二过渡室的真空度的复合真空计。
本发明所提供的一种连续式真空蒸发镀膜装置,所述镀膜室一端连通第一过渡室,另一端连通第二过渡室;第一过渡室、镀膜室、第二过渡室内分别设有传输工件架、膜料架的第一、二轨道;第一过渡室两端和第二过渡室两端均设有插板阀;第一过渡室、镀膜室、第二过渡室分别配置有独立的抽气***的方式,所述装置运行中,除了工件架和膜料的装卸采用人工外,其他操作由装置自动完成,大大提高了镀膜效率,保证了产品膜层的一致性。同时镀膜室内可保持高真空状态,杂质气体少,可有效地防止膜料蒸气被杂质气体污染,从而可以获得品质更优的膜层。
附图说明
图1是本发明的连续式真空蒸发镀膜装置一实施例的立体结构示意图;
图2是本发明的连续式真空蒸发镀膜装置的主视原理示意图;
图3是本发明的连续式真空蒸发镀膜装置的俯视原理示意图;
图4是本发明的镀膜室的第一轨道与工件架的配合结构示意图;
图5是本发明的工件架的结构示意图;
图6是本发明的镀膜室的第一轨道与工件架的另一配合结构示意图;
图7是本发明的膜料架的结构示意图;
图8是本发明的膜料架与第二轨道的配合结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参见图1,提出本发明的一种连续式真空蒸发镀膜装置100一实施例,包括:镀膜室110、工件架120和膜料架130,所述镀膜室110一端连通第一过渡室140,另一端连通第二过渡室150。所述第一过渡室140、镀膜室110、第二过渡室150内分别设有传输所述工件架120的第一轨道160和传输所述膜料架130的第二轨道170。所述第一过渡室140两端和第二过渡室150两端均设置有可开关的用于隔离气体的插板阀(图1未示出)。所述第一过渡室140、镀膜室110、第二过渡室150分别配置有独立的抽气***。
本实施例所提供的装置100在工作过程中,所述工件架120和膜料架130运输方向是第一过渡室140→镀膜室110→第二过渡室150。所述镀膜室110是用于蒸发膜料架130上的膜料,实现对工件架120中的基材进行镀膜的工作场所。
所述插板阀用于隔断或连通第一过渡室140、镀膜室110和第二过渡室150,使完成第一过渡室140和第二过渡室150大气环境和真空环境的转换。保证所述装置100工作过程中所述镀膜室110始终处于设定的真空度范围的真空环境。
所述第一过渡室140用于使工件架120和膜料架130由大气环境向真空环境转换。第二过渡室150用于使工件架120和膜料架130由真空环境向大气环境转换。
本实施例中,所述第一过渡室140和第二过渡室150的配置的抽气***相同,都采用了干泵+罗茨泵机组(用于粗抽)、涡轮分子泵+直联旋片泵机组(用于精抽),泵组间歇式抽气,完成第一过渡室140和第二过渡室150大气环境与真空环境之间的转换。而所述镀膜室110配置的抽气***采用了涡轮分子泵+直联旋片泵机组(用于精抽),泵组持续抽气,使镀膜室110一直保持高真空环境,以保证镀膜时膜层的良好品质。由于所述所述第一过渡室140、第二过渡室150,以及镀膜室110所采用的抽气泵是无油的机械真空泵,不会对第一过渡室140、第二过渡室150,以及镀膜室110造成油污染,基材在清洁的真空环境下镀膜,可获得品质更高的膜层。
进一步地,参见图2、图3,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例中,所述插板阀包括:第一过渡室140未与镀膜室110连接的一端的插板阀VS10、第一过渡室140与镀膜室110之间的插板阀VS20、镀膜室110与第二过渡室150之间的插板阀VS30、第二过渡室150未与镀膜室110连接的一端的插板阀VS40。其中所述第一过渡室140的第一轨道160与镀膜室110的第一轨道160由置纳插板阀VS20的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。镀膜室110的第一轨道160和第二过渡室150的第一轨道160由置纳插板阀VS30的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。所述第一过渡室140的第二轨道170与镀膜室110的第二轨道170由置纳插板阀VS20的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。镀膜室110的第二轨道170和第二过渡室150的第二轨道170由置纳插板阀VS30的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。即保证了所述第一过渡室140的第一轨道160、镀膜室110的第一轨道160、第二过渡室150第一轨道160处于同一直线上;工件架120可以平稳地由第一过渡室140的第一轨道160上运行到镀膜室110的第一轨道160上,再运行到第二过渡室150的第一轨道160上。同理保证了所述第一过渡室140的第二轨道170、镀膜室110的第二轨道170、第二过渡室150的第二轨道170处于同一直线上,膜料架130可以平稳地由第一过渡室140的第二轨道170上运行到镀膜室110的第二轨道170上,再运行到第二过渡室150的第二轨道170上。
进一步地,参见图1和图2,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例,所述第一过渡室140包括:上第一过渡室141,与上第一过渡室141连通的下第一过渡室142;上第一过渡室141内设有所述第一轨道160;所述下第一过渡室142内设有所述第二轨道170。所述第二过渡室150包括:上第二过渡室151,与上第二过渡室151连通的下第二过渡室152;上第二过渡室151内设有所述第一轨道160;所述下第二过渡室152内设有所述第二轨道170。
进一步地,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例,所述插板阀包括上插板阀和下插板阀,其中所述上第一过渡室141两端和上第二过渡室151两端均设置有上插板阀;所述下第一过渡室142两端和下第二过渡室152两端均设置有下插板阀。参见图2和图3,所述插板阀包括第一过渡室140未与镀膜室110连接的一端的插板阀VS10、第一过渡室140与镀膜室110之间的插板阀VS20、镀膜室110与第二过渡室150之间的插板阀VS30、第二过渡室150未与镀膜室110连接的一端的插板阀VS40。所述VS10包括上插板阀VS11和下插板阀VS12。所述VS20包括上插板阀VS21和下插板阀VS22。所述VS30包括上插板阀VS31和下插板阀VS32。所述VS40包括上插板阀VS41和下插板阀VS42。所述上第一过渡室141与镀膜室110间、上第二过渡室151与镀膜室110间,以及上第一过渡室141未与所述镀膜室110连通的一端、上第二过渡室151未与所述镀膜室110连通的一端分别设置有上插板阀VS11、VS21、VS31、VS41。所述下第一过渡室142与镀膜室110间、下第二过渡室152与镀膜室110间,以及下第一过渡室142未与所述镀膜室110连通的一端、下第二过渡室142未与所述镀膜室110连通的一端设置有下插板阀VS12、VS22、VS32、VS42。
进一步地,参见图4、图5、图6,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例中,所述第一轨道160包括:第一滑轮161,该第一滑轮161的一侧设置有第一齿轮162。所述工件架120包括:工件架120本体121,该工件架120本体121的顶部设置有与所述第一滑轮161适配的第一滑块122,该第一滑块122一侧设有与所述第一齿轮162啮合的第一齿条123。当工件架120安装至第一轨道160上后,所述第一滑轮161与第一滑块122滑动适配,所述第一齿轮162与第一齿条123啮合,所述第一齿轮162在电机的驱动下转动,第一齿条123随着第一齿轮162转动带动所述工件架120沿着第一齿条123的长度方向移动,从而达到运输所述工件架120的目的。
另外,参见图4和图6,本实施例中,所述工件架120的第一滑块122顶部中心位置处设置有第一转动齿轮124,所述第一转动齿轮124与所述工件架120本体固定,即所述工件架120随第一转动齿轮124同步转动,所述镀膜室110的第一轨道160内设置有与所述第一转动齿轮124啮合的第二转动齿轮163。当所述工件架120运输到镀膜室110设定位置后开始对工件架120上的基础进行镀膜时,所述第二转动齿轮163在电机的启动下转动,第一转动齿轮124随着所述第二转动齿轮163转动而转动,从而使工件架120随着第二转动齿轮163转动而转动,使得基材上的镀膜膜层均匀。
进一步地,参见图7和图8,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例中,所述第二轨道170包括:第二滑轮171,该第二滑轮171的一侧设置有第二齿轮172;所述膜料架130包括:膜料架130本体131,该膜料架130本体131的底部设置有与所述第二滑轮171适配的第二滑块132,所述第二滑块132的一侧设有与所述第二齿轮172啮合的第二齿条133。当膜料架130安装至第二轨道170上后,所述第二滑轮171与第二滑块132滑动适配,所述第二齿轮172与第二齿条133啮合,所述第二齿轮172在电机的驱动下转动,由于第二齿条133与所述第二齿轮172啮合,因此所述膜料架130沿着第二齿条133的长度方向移动,从而达到运输所述膜料架130的目的。
本实施例中,所述第一齿轮162和第二齿轮172所采用的是减速电机驱动,可以通过调节电机转速可改变工件架120和膜料架130的运行速度。相邻的第一齿轮162的连接、相邻的第二齿轮172的连接分别采用同步带连接,因此可以保证所有第一齿轮转动的一致性,以及所有第二齿轮转动的一致性。使工件架120和膜料架130传动顺畅、平稳。
另外,本实施例中,所述第一齿轮162与第一齿条123、以及第二齿轮172与第二齿条133的离合都采用电磁离合器控制,从而使得第一齿轮162与第一齿条123、第二齿轮172与第二齿条133啮合顺畅。这种啮合精度高,使得工件架120和膜料架130的运行十分平稳,不会产生基材或膜料掉落的情况。
进一步地,参见图1,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例中,上述装置100还包括第一底架101、平移架102,用于运输平移架102的第二底架103。第一过渡室140、镀膜室110以及第二过渡室150置于所述第一底架101上。所述第二底架103两端分别与所述第一底架101的两端连接,且二者的顶部外表面处于同一水平面上。所述平移架102上分别设置有第一轨道160和第二轨道170。当所述平移架102置于第二底架103上与第一底架101上设有第一过渡室140的一端连接的一端时,所述平移架102的第一轨道160与第一过渡室140的第一轨道160由置纳插板阀VS10的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。
本实施所提供的装置100需要两个所述平移架102,其中一个将安装好的工件架120和膜料架130处于第一过渡室140未连接镀膜室110的一端,然后平移架102通过第一轨道160将工件架120运输第一过渡室140的第一轨道160上,与此同时通过第二轨道170将膜料架130运输到第一过渡室140的第二轨道170上。当所述工件架120上的基材镀膜完成后,所述工件架120由第二过渡室150的第一轨道160运输进入另一个空的平移架102上的第一轨道160上;与此同时所述膜料架130由第二过渡室150的第二轨道170运输进入另一个空的平移架102上的第二轨道170上。
进一步地,上述连续式真空蒸发镀膜装置100实施例中,所述装置100还包括用于使膜料蒸发的蒸发器(图未示出),所述蒸发器为电阻式蒸发源或电子束蒸发源,若采用电阻式蒸发源,则当所述膜料架130进入镀膜室110后,采用气缸驱动的电极连通装置给电阻式蒸发源的蒸发舟连通电路。所述电子束蒸发源包括两种结构:电子枪与坩埚一体式、电子枪与坩埚分体式。当镀膜量小的膜料则采用电子枪与坩埚一体式的电子束蒸发源;镀膜量大的膜料则采用电子枪与坩埚分体式的电子束蒸发源。
本实施例中,所述装置100为第一过渡室140、镀膜室110、第二过渡室150分别配置有复合真空计(图未示出),分别用于实时监控第一过渡室140、镀膜室110、第二过渡室150的真空度。
本实施例中,所述装置100还为上第一过渡室141、镀膜室110分别配置有加热器(图未示出)。本实施例的加热器可以采用不锈钢管状加热器,这种加热器可实现大面积加热均匀,且工作稳定,使用寿命长。其中,所述加热器采用PID温控模块控制,控制精度可达到±2.5℃。
本实施例中,所述装置100还包括用于监测基材镀膜厚度的膜厚监控仪器(图未示出),所述监测器可以采用石英晶体探头。其中根据基材镀膜膜层厚度的不同,石英晶体探头可选用单探头、双探头或多探头(两个探头以上,如六探头)。
本实施例中,所述装置100还包括用于对基材进行清洗的离子轰击装置(图未示出),所述离子轰击装置可以是离子源。
以下通过上述实施例提供的装置100对基材镀膜过程为例对本发明进行进一步的说明。参见图2和图3,所述装置100对基材镀膜过程具体如下:
一、开机
关闭镀膜室110大门,以及关闭上插板阀下插板阀VS21、VS22、VS31、VS32。
开启直联旋片泵,开启分子泵前置阀(FV1—FV7);分子泵前级真空达到分子泵启动压力后开启分子泵。
启动第一过渡室140、第二过渡室150、镀膜室110内加热器,使之分别达到设定温度(根据镀膜工艺设定)。
干泵机组启动。
二、进架
打开上插板阀VS11、下插板阀VS12,关闭上插板阀VS21、下插板阀VS22,使上第一过渡室141、下第一过渡室142处于大气环境状态。
将第一个工件架120和膜料架130分别从左端平移架102上直线运行进入上第一过渡室141、下第一过渡室142中停止,关闭上插板阀VS11、下插板阀VS12。
平移架输送完第一个工件架120和膜料架130后,从凹形循环103间上接到第二个工件架120和膜料架130,并在上第一过渡室141、下第一过渡室142外等待位置上等待。
三、真空过渡
控制加热器对上第一过渡室141中的第一个工件架120上基材加热。
打开第一过渡室140对应的干泵机组粗抽阀RV1,干泵机组给上第一过渡室141、下第一过渡室142抽气,使其真空压强达到设定值(一般为10-1帕数量级)。
关闭干泵机组粗抽阀RV1,打开分子泵精抽阀HV1、HV2;分子泵对上第一过渡室141、下第一过渡室142抽气,使其真空压强达到设定值(一般为10-3Pa数量级)。
打开上插板阀VS21和下插板阀VS22,第一个工件架120和膜料架130分别从上第一过渡室141、下第一过渡室142直线运行进入镀膜室110中停止,关闭上插板阀VS21、下插板阀VS22。
关闭上第一过渡室141、下第一过渡室142对应的分子泵精抽阀HV1、HV2,打开上第一过渡室141、下第一过渡室142的放气阀,对上第一过渡室141、下第一过渡室142放气至大气状态。
打开上插板阀VS11、下插板阀VS12,第二个工件架120和膜料架130分别从平移架102上直线运行进入上第一过渡室141、下第一过渡室142中停止,关闭上插板阀VS11、下插板阀VS12。此后重复第一个工件架120和膜料架130动作。
四、镀膜
到达镀膜室110的第一个工件架120中第一转动齿轮124与镀膜室110的第一轨道160上的第二转动齿轮163啮合,开启电机启动第二转动齿轮163转动,工件架120开始在镀膜室110内做自转运动。
到达镀膜室110的第一个膜料架130与镀膜室110内蒸发源位置定位,其中电极连通装置给蒸发舟连通电路。
镀膜室110内离子源对工件架120上基材进行离子清洗,同时对基材加热。
基材清洗结束后,根据镀膜工艺需要,通过电阻式蒸发源或电子束蒸发源膜料蒸发,实现对基材镀膜。
五、真空过渡
关闭粗抽阀RV2,打开分子泵精抽阀HV3、HV4,使上第二过渡室151、下第二过渡室152处于抽真空状态;分子泵对上第二过渡室151、下第二过渡室152抽气,使其真空压强达到设定值(一般为10-3Pa数量级)。
镀膜结束后,第一个工件架120停止自转运动。
打开上插板阀VS31、下插板阀VS32,第一个工件架120和膜料架130从镀膜室直线运行进入上第二过渡室151、下第二过渡室152中停止,关闭上插板阀VS31、下插板阀VS32。
打开上插板阀VS21、下插板阀VS22,第二个工件架120和膜料架130从上第一过渡室141、下第一过渡室142直线运行进入镀膜室中停止,关闭上插板阀VS21、下插板阀VS22。此后重复第一个工件架120和膜料架130动作。
六、出架
待第一个工件架120和膜料架130分别进入上第二过渡室151、下第二过渡室152,关闭上插板阀VS31、下插板阀VS32,然后关闭分子泵精抽阀HV3、HV4。
打开上第二过渡室151、下第二过渡室152的放气阀,对上第二过渡室151、下第二过渡室152放气至大气状态。
打开上插板阀VS41、下插板阀VS42,第一个工件架120和膜料架130分别从上第二过渡室151、下第二过渡室152直线运行至平移架上,关闭上插板阀VS41、下插板阀VS42。
打开上第二过渡室151、下第二过渡室1520对应的干泵机组粗抽阀RV2,干泵机组给上第二过渡室151、下第二过渡室152抽气,使真空压强达到设定值(一般为10-1Pa数量级)。
关闭干泵机组粗抽阀RV2,打开分子泵精抽阀HV3、HV4;分子泵对上第二过渡室151、下第二过渡室152抽气,使真空压强达到设定值(一般为10-3Pa数量级)。
上第二过渡室151、下第二过渡室152处于高真空状态,等待第二个工件架120和膜料架130镀膜完成。
七、循环走架
第一个工件架120和膜料架130通过平移架底架103的传动装置,从右端平移架102运行至左端平移架102上。
在左端平移架102上,工人取下基材已镀好的工件架120,换上一个装好待镀基材的工件架120。
在左端平移架102上,工人给膜料架130上的蒸发舟或坩埚添加或更换膜料。
左端平移架102上准备好的工件架120和膜料架130在上第一过渡室141、下第一过渡室142外等待进入。
为保证所述装置100能够连续运转,根据工作节拍的不同,工件架和膜料架的个数可以分别为两个或多个;最少的工件架或膜料架配置的数量=单个工件架或膜料架循环运行一次的时间÷工作节拍(即相邻两个工件架或膜料架通过生产线同一位置的时间间隔)。
上述装置100中的各个操作步骤由PLC程序控制,采用工控计算机控制界面,用户可以设置各自工艺参数和镀膜配方。
由上可知:本发明所提供的连续式真空蒸发镀膜装置100在运行中,除了工件架和膜料的装卸采用人工外,其他操作由装置自动完成,大大提高了镀膜效率,保证了产品膜层的一致性。同时镀膜室内可保持高真空状态,杂质气体少,可有效地防止膜料蒸气被杂质气体污染,从而可以获得品质更优的膜层。
应当理解的是,以上仅为本发明的优选实施例,不能因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种连续式真空蒸发镀膜装置,包括:镀膜室、工件架和膜料架,其特征在于,
所述镀膜室一端连通第一过渡室,另一端连通第二过渡室;
所述第一过渡室、镀膜室、第二过渡室内分别设有传输所述工件架的第一轨道和传输所述膜料架的第二轨道;
所述第一过渡室两端和第二过渡室两端分别设有可开关的用于隔离气体的插板阀;
所述第一过渡室、镀膜室、第二过渡室分别配置有独立的抽气***。
2.根据权利要求1所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,
所述第一过渡室的第一轨道与镀膜室的第一轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠;镀膜室的第一轨道和第二过渡室的第一轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠;
所述第一过渡室的第二轨道与镀膜室的第二轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠;镀膜室的第二轨道和第二过渡室的第二轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。
3.根据权利要求2所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,所述第一过渡室包括:上第一过渡室,与上第一过渡室连通的下第一过渡室;上第一过渡室内设有所述第一轨道;所述下第一过渡室内设有所述第二轨道;
所述第二过渡室包括:上第二过渡室,与上第二过渡室连通的下第二过渡室;上第二过渡室内设有所述第一轨道;所述下第二过渡室内设有所述第二轨道。
4.根据权利要求3所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,所述插板阀包括:上插板阀和下插板阀;
所述上第一过渡室两端和上第二过渡室两端均设置有上插板阀;
所述下第一过渡室两端和下第二过渡室两端均设置有下插板阀。
5.根据权利要求1至4任一项所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,所述第一轨道包括:第一滑轮,该第一滑轮的一侧设置有第一齿轮;
所述工件架包括:工件架本体,该工件架本体的顶部设置有与所述第一滑轮适配的第一滑块,该第一滑块一侧设有与所述第一齿轮啮合的第一齿条。
6.根据权利要求1至4任一项所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,所述第二轨道包括:第二滑轮,该第二滑轮的一侧设置有第二齿轮;所述膜料架包括:膜料架本体,该膜料架本体的底部设置有与所述第二滑轮适配的第二滑块,所述第二滑块的一侧设有与所述第二齿轮啮合的第二齿条。
7.根据权利要求1至4任一项所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,还包括第一底架、平移架,以及用于运输平移架的第二底架;所述第一过渡室、镀膜室以及第二过渡室置于所述第一底架上;所述第二底架两端分别与所述第一底架的两端连接,二者的顶部外表面处于同一水平面上;
所述平移架上分别设置有第一轨道和第二轨道;当所述平移架置于第二底架上与第一底架上设有第一过渡室的一端连接的一端时,所述平移架的第一轨道与第一过渡室的第一轨道由置纳插板阀的空隙隔离,二者延长部分相互重叠。
8.根据权利要求7所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,还包括:
用于蒸发膜料的蒸发器;
用于对上第一过渡室、镀膜室的加热器;
用于对基材进行清洗的离子轰击装置。
9.根据权利要求7所述的连续式真空蒸发镀膜装置,其特征在于,还包括:
用于监测基材镀膜厚度的膜厚监控仪器;
用于监测第一过渡室、镀膜室、第二过渡室的真空度的复合真空计。
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