RU2600047C2 - Способ и устройство для осаждения атомных слоев - Google Patents
Способ и устройство для осаждения атомных слоев Download PDFInfo
- Publication number
- RU2600047C2 RU2600047C2 RU2014139815/02A RU2014139815A RU2600047C2 RU 2600047 C2 RU2600047 C2 RU 2600047C2 RU 2014139815/02 A RU2014139815/02 A RU 2014139815/02A RU 2014139815 A RU2014139815 A RU 2014139815A RU 2600047 C2 RU2600047 C2 RU 2600047C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dry air
- reactor
- reaction chamber
- precursor
- deposition
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу химического осаждения атомных слоев на подложку, устройству и линии для упомянутого осаждения. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку включает использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора. Устройство для упомянутого осаждения содержит реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру упомянутого устройства и средства для использования сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора. Производственная линия для химического осаждения атомных слоев на подложку, которая содержит в качестве средства для химического осаждения атомных слоев на подложку упомянутое устройство. Обеспечивается простая и экономичная конструкция устройства для упомянутого осаждения с использованием сухого воздуха в качестве продувочного и несущего инертного газа для увеличения давления во время осаждения. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение, в общем, относится к осадительным реакторам. Более конкретно, но не исключительно, изобретение относится к таким осадительным реакторам, в которых материал осаждается на поверхностях в результате последовательных поверхностных реакций самонасыщения.
ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Способ атомной эпитаксии слоев АЭС (ALE) изобрел доктор Туома Сунтола в начале 1970-х годов. В настоящее время вместо АЭС (ALE) используется другое название способа - осаждение атомных слоев ОАС (ALD). ОАС (ALD) представляет собой специальный способ химического осаждения, основанный на последовательном введении по меньшей мере двух видов активного прекурсора на по меньшей мере одну подложку.
Тонкие пленки, выращенные способом ОАС (ALD) являются плотными, без точечных отверстий и имеют равномерную толщину. Например, во время эксперимента с помощью термического ОАС (ALD) был выращен оксид алюминия из триметилалюминия (СН3)3Al, называемого также ТМА, и воды при температуре 250-300°С; в результате неравномерность пластины подложки составила всего 1%.
Типовые реакторы ОАС (ALD) являются достаточно сложными устройствами. Соответственно, всегда существует необходимость поиска решений, которые упростили бы сами устройства или их использование.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В соответствии с первым примерным аспектом настоящего изобретения обеспечен способ, содержащий: эксплуатацию реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения; и использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления сухой воздух поступает (или может поступать) по линии подачи продувочного газа. В некоторых примерах осуществления сухой воздух в качестве продувочного газа поступает из источника инертного газа по линии подачи продувочного газа в реакционную камеру.
В некоторых примерах осуществления способ содержит использование сухого воздуха в качестве несущего газа.
В некоторых примерах осуществления сухой воздух поступает (или может поступать) по линии подачи паров прекурсора. В некоторых примерах осуществления это может происходить во время процесса ОАС (ALD). В некоторых примерах осуществления сухой воздух в качестве несущего газа поступает из источника инертного газа через источник прекурсора в реакционную камеру. В некоторых примерах осуществления сухой воздух в качестве несущего газа используется для увеличения давления в источнике прекурсора. В некоторых других вариантах осуществления сухой воздух в качестве несущего газа поступает из источника инертного газа по линии подачи паров прекурсора в реакционную камеру, минуя источник прекурсора. Тракт потока может быть выполнен в зависимости от того, является ли давление паров прекурсора само по себе достаточно высоким или его нужно увеличить за счет направления потока инертного газа, в источник прекурсора.
Можно использовать один или несколько источников сухого воздуха. Понятие «сухой воздух (или высушенный воздух)» в настоящем контексте означает «воздух без остаточной влажности». Сухой воздух может быть сжатым газом. Его можно использовать для перемещения прекурсора из источника прекурсора в реакционную камеру.
В некоторых примерах осуществления заявленный способ содержит: подачу сухого воздуха в реакционную камеру реактора в течение всей последовательности осаждения. Последовательность осаждения состоит из одного или более последовательных циклов осаждения, причем каждый цикл состоит, по меньшей мере, из первого периода воздействия прекурсора (импульса А), за которым следует первый этап продувки (продувка А), за которым следует второй период воздействия прекурсора (импульс В), за которым следует второй этап продувки (продувка В).
В некоторых примерах осуществления нагревание реакционной камеры осуществляется, по меньшей мере, частично, путем подачи нагретого сухого воздуха в реакционную камеру. Это может произойти во время начальной продувки и/или во время процесса ОАС (ALD) (осаждения).
Соответственно, в некоторых примерах осуществления способ содержит использование сухого воздуха при нагревании реакционной камеры реактора.
В некоторых примерах осуществления способ содержит нагревание сухого воздуха после клапана подачи продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления способ содержит обеспечение обратного соединения для подачи тепла из выпускной части реактора в нагреватель линии подачи продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления выпускная часть содержит теплообменник; выпускной частью может служить выпускная часть реакционной камеры реактора. Выпускная часть может быть газовой выпускной частью.
В некоторых примерах осуществления способ содержит использование указанного реактора для осаждения атомных слоев при давлении окружающей среды.
В таких вариантах осуществления отсутствует необходимость в вакуумном насосе.
В некоторых примерах осуществления способ содержит использование эжектора, соединенного с выпускной частью реактора, для снижения рабочего давления в реакторе.
Вместо вакуумного насоса может использоваться эжектор, если требуется работать при давлении ниже атмосферного, но вакуум не нужен. Выпускной частью может служить крышка камеры реактора. В качестве эжектора может использоваться вакуумный эжектор, соединенный с крышкой или выпускным каналом.
Вход газов в реакционную камеру может осуществляться в нижней части реакционной камеры, а выход остаточных продуктов реакции - в верхней части реакционной камеры. Возможен альтернативный вариант, при котором вход газов в реакционную камеру может осуществляться в верхней части реакционной камеры, а выход остаточных продуктов реакции - в нижней части реакционной камеры.
В некоторых примерах осуществления реакционная камера может быть облегченной. Не требуется использование сосуда под давлением в качестве реакционной камеры.
Согласно второму примерному аспекту настоящего изобретения обеспечено устройство, содержащее: реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения; и линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру реактора.
Устройством может являться реактор для осаждения атомных слоев ОАС (ALD).
В некоторых примерах осуществления устройство содержит линию подачи прекурсора из источника сухого воздуха через источник прекурсора в реакционную камеру для подачи паров прекурсора в реакционную камеру.
В некоторых примерах осуществления устройство содержит нагреватель, выполненный с возможностью нагревания сухого воздуха. В некоторых примерах осуществления устройство содержит указанный нагреватель после клапана подачи продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления устройство содержит обратное соединение для подачи тепла из выпускной части реактора в нагреватель линии подачи продувочного газа. В некоторых примерах осуществления выпускная часть содержит теплообменник. Выпускная часть может являться выпускной частью реакционной камеры реактора. Выпускная часть может являться газовой выпускной частью.
В некоторых примерах осуществления используется облегченный реактор, выполненный с возможностью работы при давлении окружающей среды или давлении, близком к давлению окружающей среды. Возможно использование облегченного реактора без вакуумного насоса. Формулировка «близкое к давлению окружающей среды» означает, что давление может быть пониженным, но не вакуумным. В этих вариантах осуществления реактор может иметь тонкие стенки. В некоторых примерах осуществления осаждение атомных слоев происходит без использования вакуумного насоса. Также в некоторых примерах осуществления осаждение атомных слоев происходит без использования сосуда под давлением. Соответственно, облегченный реактор (имеющий облегченную конструкцию) в некоторых примерах осуществления реализуется с облегченной (имеющей облегченную конструкцию) реакционной камерой без сосуда под давлением.
В некоторых примерах осуществления устройство содержит эжектор, присоединенный к выпускной части реактора для снижения рабочего давления в реакторе.
Эжектор может использоваться вместо вакуумного насоса, если нужно работать при давлении ниже атмосферного, но вакуум не нужен. Выпускной частью может служить крышка камеры реактора. Эжектором может являться вакуумный эжектор, присоединенный к крышке или к выпускному каналу.
В соответствии с третьим примерным аспектом заявленного изобретения обеспечена производственная линия, содержащая устройство согласно второму аспекту заявленного изобретения, являющееся частью производственной линии.
В соответствии с четвертым примерным аспектом заявленного изобретения обеспечено устройство, содержащее: средства для работы реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения; и средства для использования сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа.
Раскрытые выше аспекты и варианты осуществления настоящего изобретения не имеют ограничительного характера. Вышеприведенные варианты осуществления используются только для пояснения избранных аспектов или этапов, которые могут использоваться при реализациях настоящего изобретения. Следует понимать, что соответствующие варианты осуществления также можно использовать в других примерных аспектах. Можно создавать любые требуемые комбинации вариантов осуществления.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Изобретение будет раскрыто далее, только в качестве примера, со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых:
на фиг. 1 изображен осадительный реактор и способ загрузки согласно примеру осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 2 изображен осадительный реактор по фиг. 1 при работе на этапе продувки;
на фиг. 3 изображен осадительный реактор по фиг. 1 при работе во время первого периода воздействия прекурсора;
на фиг. 4 изображен осадительный реактор по фиг. 1 при работе во время второго периода воздействия прекурсора;
на фиг. 5 изображено загрузочное устройство согласно примеру осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 6 изображен осадительный реактор согласно еще одному примеру осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 7 изображена реакция осаждения в соответствии с еще одним примером осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 8 изображен еще один пример осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 9 более подробно изображены некоторые детали осадительного реактора в соответствии с определенными примерами осуществления; и
на фиг. 10 изображен осадительный реактор как часть производственной линии в соответствии с некоторыми примерами осуществления.
ПОДРОБНОЕ РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В данном описании технология осаждения атомных слоев ОАС (ALD) используется в качестве примера. Основы механизма роста ОАС (ALD) известны специалисту. Как было упомянуто во введении к этой патентной заявке, осаждение атомных слоев является специальным способом химического осаждения, основанным на последовательном введении по меньшей мере двух видов активного прекурсора на по меньшей мере одну подложку. Подложка или, во многих случаях, группа подложек располагается внутри реакционного пространства. Реакционное пространство, как правило, подогревается. Базовый механизм роста ОАС (ALD) основывается на различиях в прочности связей между химической адсорбцией (хемосорбцией) и физической адсорбцией (физической сорбцией). ОАС (ALD) использует хемосорбцию и не использует физическую сорбцию в процессе осаждения. В процессе хемосорбции образуется сильная химическая связь между атомом (атомами) сплошной фазовой поверхности и молекулой, приходящей из газовой фазы. Связь с помощью физической сорбции намного слабее, потому что здесь действует только сила Ван-дер-Ваальса. Связь физической сорбции легко разрывается тепловой энергией, если местная температура превышает конденсационную температуру молекул.
Реакционное пространство реактора ОАС (ALD) содержит все обычно нагретые поверхности, которые могут попеременно или последовательно подвергаться воздействию со стороны каждого прекурсора ОАС (ALD), используемого для осаждения тонких пленок или слоев. Базовый цикл ОАС (ALD) состоит из четырех последовательных этапов: импульса А, продувки А, импульса В и продувки В. Импульс А обычно состоит из паров металлического прекурсора, а импульс В - из паров неметаллического прекурсора, в частности паров азотного или кислородного прекурсора. В ходе продувки А и продувки В для продувки побочных продуктов газовой реакции и остаточных молекул реагирующего вещества из реакционного пространства обычно используют инертный газ, такой как азот или аргон, и вакуумный насос. Последовательность осаждения состоит из по меньшей мере одного цикла осаждения. Циклы осаждения повторяются до тех пор, пока последовательность осаждения не создаст тонкую пленку или слой требуемой толщины.
В обычном процессе ОАС (ALD), вещества-прекурсоры образуют посредством хемосорбции химическую связь на реакционноспособных участках нагретых поверхностей. Обычно создают такие условия, что образуется не более одного молекулярного монослоя сплошного материала на поверхностях за один импульс прекурсора. Таким образом, процесс роста является самопрекращающимся или самонасыщаемым. Например, в состав первого прекурсора могут входить лиганды, которые остаются в составе абсорбированных частиц и насыщают поверхность, что предотвращает продолжение хемосорбции. Температура в реакционном пространстве поддерживается выше температуры конденсации и ниже температуры термического разложения используемых прекурсоров, так что молекулы вещества прекурсора химически адсорбируются на подложке (подложках), по существу, в неизменном виде. Формулировка «по существу, в неизменном виде» означает, что от молекулы прекурсора могут отделиться летучие лиганды во время хемосорбции молекул прекурсора на поверхности. Поверхность, по существу, насыщается первым типом реакционноспособных участков, т.е. адсорбированным веществом из молекул первого прекурсора. После этого этапа хемосорбции обычно следует первый этап продувки (продувка А), на котором излишки первого прекурсора и возможные побочные продукты реакции удаляются из реакционного пространства. После этого в реакционное пространство поступает пар второго прекурсора. Молекулы второго прекурсора обычно вступают в реакцию с адсорбированным веществом из молекул первого прекурсора и, таким образом, образуют требуемый тонкопленочный материал или покрытие. Этот рост прекратится, когда будет использовано все количество абсорбированного первого прекурсора и поверхность, по существу, насытится вторым типом реакционноспособных участков. Избыток паров второго прекурсора и возможные побочные пары реакции удаляются на втором этапе продувки (продувка В). Потом цикл повторяется до тех пор, пока пленка или покрытие не нарастет до нужной толщины. Циклы осаждения также могут быть более сложными. Например, в состав циклов может входить три или более импульса пара-реагента, разделенные этапами продувки. Все эти циклы осаждения образуют во времени последовательность осаждения, управляемую логическим устройством или микропроцессором.
На фиг. 1 изображен осадительный реактор и способ загрузки в соответствии с примером осуществления. Осадительный реактор содержит реакционную камеру 110, образующую пространство для размещения держателя 130 подложки, удерживающего по меньшей мере одну подложку 135. Указанная по меньшей мере одна подложка фактически может быть группой подложек. В варианте осуществления, изображенном на фиг. 1, по меньшей мере одна подложка 135 установлена вертикально в держателе 130 подложки. Держатель 130 подложки в этом варианте осуществления содержит первый ограничитель 131 потока в нижней части и второй (опциональный) ограничитель 132 потока в верхней части. Второй ограничитель 132 потока обычно более грубый, чем первый ограничитель 131 потока. Как вариант, один или оба ограничителя 131, 132 потока могут быть отдельными от держателя 130 подложки. Реакционная камера 110 закрыта крышкой 120 реакционной камеры в верхней части реакционной камеры. К крышке 120 присоединен выпускной клапан 125.
Осадительный реактор содержит линии 101 и 102 подачи паров прекурсора в нижней части осадительного реактора. Первая линия 101 подачи паров прекурсора проходит от источника 141 инертного несущего газа через первый источник 142 прекурсора (здесь - ТМА) и через первый клапан 143 подачи прекурсора в нижнюю часть реакционной камеры 110. Первый клапан 143 подачи прекурсора управляется приводом 144. Аналогично, вторая линия 102 подачи паров прекурсора проходит из источника 151 инертного несущего газа через второй источник 152 прекурсора (здесь - H2O) и через второй клапан 153 подачи прекурсора в нижнюю часть реакционной камеры 110. Второй клапан 153 подачи прекурсора управляется приводом 154. Источники 141, 151 инертного несущего газа могут быть реализованы посредством одного источника или отдельных источников. В варианте осуществления, изображенном на фиг. 1, в качестве инертного несущего газа используют азот. Тем не менее, при использовании источников прекурсора с высоким давлением пара, в некоторых случаях несущий газ вообще не нужно использовать. Как вариант, в таких случаях маршрут несущего газа может быть следующим: газ будет поступать по линии подачи паров прекурсора, о которой идет речь, но мимо источника прекурсора, о котором идет речь.
Осадительный реактор дополнительно содержит линию 105 подачи продувочного газа в нижней части осадительного реактора. Линия 105 подачи продувочного газа проходит из источника 162 продувочного газа через клапан 163 продувочного газа в нижнюю часть реакционной камеры 110.
Клапан 163 продувочного газа управляется приводом 164. В варианте осуществления, изображенном на фиг. 1, в качестве продувочного газа используют сжатый газ, такой как сухой воздух (или высушенный воздух). В настоящем документе выражения «сухой воздух» и «высушенный воздух» означают «воздух без остаточной влажности».
В реакционную камеру 110 загружают по меньшей мере одну подложку путем опускания держателя 130 подложки в реакционную камеру 110 с верхней части осадительного реактора. После осаждения реакционная камера 110 разгружается в противоположном направлении, иными словами, путем поднятия держателя 130 подложки из реакционной камеры 110. Для выполнения загрузки и разгрузки крышку 120 реакционной камеры сдвигают в сторону.
Как упоминалось ранее, последовательность осаждения состоит из одного или более последовательных циклов осаждения; каждый цикл состоит, по меньшей мере, из первого периода воздействия прекурсора (импульса А), после которого наступает первый этап продувки (продувка А), после которого следует второй период воздействия прекурсора (импульс В), после которого следует второй этап продувки (продувка В). После загрузки, но до начала последовательности осаждения выполняется продувка реакционной камеры 110.
На фиг. 2 изображен осадительный реактор по фиг. 1, работающий во время такой фазы продувки, иными словами, во время начальной продувки или во время продувки А, или продувки В.
В этом примере осуществления, как упоминалось ранее, в качестве продувочного газа используют сжатый газ, такой как сухой воздух. Клапан 163 продувочного газа остается открытым, что позволяет продувочному газу поступать из источника 162 продувочного газа по линии 105 подачи продувочного газа в реакционную камеру 110. Продувочный газ входит в реакционную камеру 110 у расширяющего объема 171 перед первым ограничителем 131 потока. Благодаря ограничителю 131 потока продувочный газ распространяется в стороны в расширяющем объеме 171. Давление в расширяющем объеме 171 выше, чем давление в зоне с подложками, иными словами, в объеме 172. Продувочный газ поступает через ограничитель 131 потока в зону с подложками. Давление в объеме 173 крышки за вторым ограничителем 132 расхода ниже, чем давление в зоне 172 с подложками, поэтому продувочный газ поступает из зоны 172 с подложками через второй ограничитель 132 потока в объем 173 крышки. Из объема 173 крышки продувочный газ поступает через выпускной клапан 125 в выпускной канал. В ходе продувки А и В задача продувки заключается в удалении побочных продуктов газовой реакции и остаточных молекул реагирующего вещества. В ходе начальной продувки задача, как правило, состоит в удалении остаточной влажности и любых загрязнителей.
В одном из примеров осуществления продувочный газ используют для нагревания реакционной камеры 110. Нагревание продувочным газом может происходить во время начальной продувки или во время начальной продувки и последовательности осаждения, в зависимости от обстоятельств. Если сжатый газ, такой как сухой воздух, используемый для нагрева реакционной камеры 110, является инертным в отношении используемых прекурсоров и используемых несущих газов (если они используются), то нагрев продувочным газом может использоваться в периоды воздействия прекурсора (импульс А и импульс В).
В вариантах осуществления с нагреванием продувочный газ нагревается в линии 105 подачи продувочного газа. Нагретый продувочный газ поступает в реакционную камеру 110, нагревает реакционную камеру 110 и, в частности, указанную по меньшей мере одну подложку 135. Применяемый способ передачи тепла в общем является конвекцией, а в частности - принудительной конвекцией.
«Сухой воздух (или высушенный воздух)» означает «воздух без остаточной влажности»; его можно легко получить, например, с помощью обычного устройства для получения чистого сухого воздуха (источника чистого сухого воздуха), которое самого по себе известно. Такое устройство может использоваться в качестве источника 162 продувочного газа.
На фиг. 3 изображен осадительный реактор по фиг. 1, при работе во время импульса А, где используемый прекурсор (первый прекурсор) является триметилалюминием (ТМА). В этом варианте осуществления в качестве инертного несущего газа используют азот N2. Инертный несущий газ поступает через первый источник 142 прекурсора, перенося пары прекурсора в реакционную камеру 110. Перед попаданием в зону 172 с подложками, пары прекурсора распространяются по сторонам в расширяющем объеме 171. Первый клапан 143 подачи прекурсора остается открытым, а второй клапан 153 подачи прекурсора - закрытым.
Одновременно нагретый инертный продувочный газ поступает в реакционную камеру 110 по линии 105 продувочного газа через открытый клапан 163 продувочного газа и нагревает реакционную камеру 110.
На фиг. 4 изображен осаждающий реактор по фиг. 1 при работе во время импульса В, где используемый прекурсор (второй прекурсор) является водой H2O. В этом варианте осуществления в качестве инертного несущего газа используют азот N2. Инертный несущий газ проходит через второй источник 152 прекурсора и несет пары прекурсора в реакционную камеру 110. Перед поступлением в зону 172 подложки пары прекурсора распространяются по сторонам в расширяющем объеме 171. Второй клапан 153 подачи прекурсора остается открытым, а первый клапан 143 подачи прекурсора - закрытым.
Одновременно нагретый инертный продувочный газ поступает в реакционную камеру 110 по линии 105 продувочного газа через открытый клапан 163 продувочного газа, нагревая реакционную камеру 110.
На фиг. 5 изображена компоновка с загрузкой в соответствии с одним из примеров осуществления. В этом варианте осуществления реакционная камера 110 имеет двери в боковых стенках, а держатель 130 подложек загружается с одной стороны и выгружается с другой стороны, например с противоположной стороны. Крышку 120 реакционной камеры можно не открывать.
В некоторых примерах осуществления последовательность осаждения в осадительном реакторе может проходить при давлении окружающей среды (обычно при комнатном давлении) или при давлении, близком к одной стандартной атмосфере (1 атм). В этих вариантах осуществления не требуется использовать в выпускном канале вакуумный насос или что-то подобное. Также не нужна вакуумная камера для обеспечения реакционной камеры 110. Можно не использовать сосуд под давлением. Можно использовать облегченную реакционную камеру 110. Стенки реакционной камеры 110 могут быть тонкими, изготовленными, например, из листового металла. Перед использованием стены можно пассивировать, нанеся на них пассивирующий слой. Можно использовать способ ОАС (ALD). Фактически внутреннюю поверхность реакционной камеры 110 можно пассивировать заранее (перед выполнением последовательностей осаждения на подложках), используя для этого сам осадительный реактор с соответствующими прекурсорами.
Если требуется работать при давлении ниже давления окружающей среды, то осадительный реактор можно оснастить вакуумным эжектором, который сам по себе известен. На фиг. 6 изображен такой вакуумный эжектор 685, установленный в выпускном канале осадительного реактора. В вакуумном эжекторе 685 подходящий инертный движущийся газ поступает в эжектор и создает зону низкого давления путем засасывания газа и мелких частиц из реакционной камеры 110, таким образом снижая давление в реакционной камере 110.
На фиг. 7 изображена реакция осаждения в соответствии с еще одним примером осуществления. В этом изобретении тот же газ, используемый в качестве продувочного газа в линии 105 продувочного газа, также используется в качестве инертного несущего газа. Во время работы сжатый газ, такой как сухой воздух, поочередно поступает из источника 141 через первый источник 142 прекурсора в реакционную камеру 110 и из источника 151 через второй источник 152 прекурсора в реакционную камеру 110 и несет с собой пары прекурсора. Дополнительно, инертный продувочный газ поступает по линии 105 подачи продувочного газа в реакционную камеру 110. Возможен альтернативный вариант маршрута, при котором несущий газ поступает по рассматриваемой линии подачи паров прекурсора, но мимо рассматриваемого источника прекурсора. В данном примере осуществления инертный несущий газ подается из рассматриваемого источника инертного газа по рассматриваемой линии подачи паров прекурсора в реакционную камеру 110, при этом фактически не проходит через рассматриваемый источник прекурсора. Источники газа 141, 151 и 162 могут быть реализованы как один источник или как отдельные источники.
На фиг. 8 изображена реакция осаждения в соответствии с еще одним примером осуществления изобретения. Этот вариант осуществления особенно подходит для случаев, когда продувочный газ из линии 105 подачи не должен поступать в реакционную камеру 110 во время последовательности осаждения (например, если продувочный газ не является инертным по отношению к используемым прекурсорам). В этом варианте осуществления линия 105 подачи продувочного газа открыта во время начальной продувки. Во время начальной продувки подогретый продувочный газ поступает из линии 105 подачи продувочного газа в реакционную камеру 110 для нагревания реакционной камеры 110. После начальной продувки клапан 163 продувочного газа закрывается и остается в закрытом положении в течение всей последовательности осаждения.
На фиг. 9 более подробно изображены некоторые детали осадительного реактора в соответствии с некоторыми примерами осуществления. На фиг. 9 показан нагреватель (или нагреватели) 902 реакционной камеры, теплообменник 905, нагреватель (или нагреватели) 901 линии подачи продувочного газа и обратное соединение 950 для подачи тепла.
Нагреватель 902 реакционной камеры, расположенный вокруг реакционной камеры 110, обеспечивает реакционную камеру 110 теплом, когда это необходимо. Нагреватель 902 может быть электронагревателем или чем-либо подобным. Используемым способом передачи тепла является в основном излучение.
Нагреватель 901 линии подачи продувочного газа нагревает продувочный газ в линии 105 подачи, который, в свою очередь, нагревает реакционную камеру 110. Используемый способ передачи тепла - принудительная конвекция, как было раскрыто ранее. Нагреватель 901 линии подачи газа в линии 105 подачи находится за клапаном 163 продувочного газа на фиг. 9. В альтернативном варианте, нагреватель 901 линии подачи продувочного газа может находиться перед клапаном 163 продувочного газа, ближе к источнику 162 продувочного газа.
Теплообменник 905, присоединенный к верхней части крышки 120 реакционной камеры или к выпускному каналу, может использоваться для осуществления обратного соединения 950. В некоторых вариантах осуществления полученная от выпускных газов тепловая энергия используется при нагревании продувочного газа нагревателем 901 и/или тепловая энергия может использоваться в нагревателе 902.
В каждом из представленных вариантах осуществления крышка 120 реакционной камеры или выпускной канал осадительного реактора могут быть оснащены газовым скруббером. Такой газовый скруббер содержит активный материал для поглощения таких газов, соединений и/или частиц, которые не должны покидать осадительный реактор.
В некоторых вариантах осуществления источники 142, 152 прекурсора могут нагреваться. В своей конструкции источники 142, 152 могут быть сквозными. В некоторых вариантах осуществления опционально могут использоваться ограничители 131, 132 потока, особенно - более крупный, иными словами, ограничитель 132 второго потока. Если у последовательности осаждения медленный механизм роста, то в некоторых вариантах осуществления выпускной клапан 125 можно закрыть во время импульсов А и В, а в остальное время он будет открыт для снижения потребления прекурсора. В некоторых вариантах осуществления осадительный реактор установлен вверх дном по сравнению с представленными здесь вариантами.
На фиг. 10 изображен осадительный реактор, являющийся частью производственной линии, то есть реактор ОАС (ALD) является встроенным в линию реактором (или реакторным модулем) ОАС (ALD). Осадительный реактор, аналогично реактору, ОАС (ALD), раскрытому выше, может использоваться в производственной линии. Пример осуществления на фиг. 10 изображает три соседних модуля или установки в производственной линии. По меньшей мере, одна подложка, или держатель подложки, или кассета, или подобное устройство, удерживающее по меньшей мере одну указанную подложку, подается из модуля или установки 1010, расположенной перед модулем 1020 реактора ОАС (ALD), через впускной проход или дверь 1021. Выпускной проход или дверь 1022 может находиться на противоположной стороне реакторного модуля ОАС (ALD) относительно впускного прохода или двери 1021.
Без ограничения объема и интерпретации притязаний настоящего изобретения, ниже перечислены некоторые технические результаты одного или нескольких раскрытых в настоящем документе примеров осуществления. Техническим результатом является более простая и экономичная конструкция осадительного реактора. Еще один технический результат заключается в нагревании или предварительном нагревании реакционной камеры и поверхностей подложки путем принудительной конвекции. Еще один технический результат заключается в использовании сухого воздуха в качестве продувочного и несущего газа во время последовательности осаждения ОАС (ALD). Еще одной технической особенностью является работа ОАС (ALD) при давлении окружающей среды или немного ниже, что позволяет удобно использовать реактор ОАС (ALD) / реакторный модуль ОАС (ALD) 110 в производственной линии.
Вышеприведенное описание обеспечило с помощью не ограничивающих примеров конкретных реализаций и вариантов исполнения изобретения полное и информативное раскрытие наилучшего варианта, рассматриваемого в настоящее время изобретателями для реализации заявленного изобретения. Тем не менее специалисту в данной области понятно, что изобретение не ограничено деталями вышеизложенных вариантов осуществления и что его можно реализовать в других вариантах осуществления посредством эквивалентных средств, не отклоняясь от отличительных признаков заявленного изобретения.
Кроме того, некоторые признаки раскрытых выше вариантов осуществления этого изобретения можно успешно применять без соответствующего использования других признаков. В связи с этим вышеприведенное описание нужно рассматривать только как иллюстрацию принципов настоящего изобретения, а не как их ограничение. Таким образом, объем заявленного изобретения ограничен только прилагаемой формулой изобретения.
Claims (15)
1. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку, включающий использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора.
2. Способ по п. 1, включающий подачу сухого воздуха в реакционную камеру реактора в течение всей последовательности осаждения.
3. Способ по п. 1 или 2, включающий использование сухого воздуха при нагревании реакционной камеры реактора.
4. Способ по п. 1 или 2, включающий нагревание сухого воздуха после клапана подачи продувочного газа.
5. Способ по п. 1 или 2, включающий обеспечение обратного соединения для подачи тепла из выпускной части реактора в нагреватель линии подачи продувочного газа.
6. Способ по п. 1 или 2, включающий использование указанного реактора для осаждения атомных слоев при давлении окружающей среды для осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения.
7. Способ по п. 1 или 2, включающий использование эжектора, присоединенного к выпускной части реактора, для снижения рабочего давления в реакторе.
8. Устройство для химического осаждения атомных слоев на подложку, содержащее реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру упомянутого устройства и средства для использования сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора.
9. Устройство по п. 8, содержащее линию подачи прекурсора, идущую из источника сухого воздуха через источник прекурсора в реакционную камеру, для подачи паров прекурсора в реакционную камеру.
10. Устройство по п. 8 или 9, содержащее нагреватель, выполненный с возможностью нагрева сухого воздуха.
11. Устройство по п. 10, содержащее указанный нагреватель, расположенный после клапана подачи продувочного газа.
12. Устройство по п. 8 или 9, содержащее обратное соединение для подачи тепла из выпускной части упомянутого устройства в нагреватель линии подачи продувочного газа.
13. Устройство по п. 8 или 9, которое является облегченным реактором, выполненным с возможностью работы при давлении окружающей среды или давлении, близком к давлению окружающей среды.
14. Устройство по п. 8 или 9, содержащее эжектор, присоединенный к выпускной части упомянутого устройства для снижения рабочего давления в упомянутом устройстве.
15. Производственная линия для химического осаждения атомных слоев на подложку, отличающаяся тем, что она содержит в качестве средства для химического осаждения атомных слоев на подложку устройство по любому из пп.8-14.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/FI2012/050296 WO2013140021A1 (en) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | Atomic layer deposition method and apparatuses |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014139815A RU2014139815A (ru) | 2016-05-20 |
RU2600047C2 true RU2600047C2 (ru) | 2016-10-20 |
Family
ID=49221892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014139815/02A RU2600047C2 (ru) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | Способ и устройство для осаждения атомных слоев |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150307989A1 (ru) |
EP (1) | EP2841621A4 (ru) |
JP (1) | JP2015512471A (ru) |
KR (1) | KR20140144243A (ru) |
CN (1) | CN104204290A (ru) |
IN (1) | IN2014DN07267A (ru) |
RU (1) | RU2600047C2 (ru) |
SG (1) | SG11201405417YA (ru) |
TW (1) | TW201348504A (ru) |
WO (1) | WO2013140021A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2748658C1 (ru) * | 2020-07-16 | 2021-05-28 | Пикосан Ой | Устройство для осаждения или очистки с подвижной конструкцией и способ его эксплуатации |
US11725279B2 (en) | 2017-02-08 | 2023-08-15 | Picosun Oy | Deposition or cleaning apparatus with movable structure |
Families Citing this family (208)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
RU2724260C1 (ru) * | 2016-10-14 | 2020-06-22 | АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН | Устройство для отбора повторным нагреванием для газофазного процесса |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
CN110249454B (zh) | 2017-01-23 | 2023-09-29 | 巴斯夫欧洲公司 | 制造阴极材料的方法和适用于进行所述方法的反应器 |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
FI129627B (en) * | 2019-06-28 | 2022-05-31 | Beneq Oy | Nuclear layer cultivation equipment |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
JP7378357B2 (ja) * | 2020-06-17 | 2023-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7750558B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-07-06 | Global Oled Technology Llc | OLED with protective electrode |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3061067B2 (ja) * | 1991-04-23 | 2000-07-10 | 株式会社ニコン | 焦点検出装置 |
WO2002067301A1 (fr) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Tokyo Electron Limited | Systeme d'utilisation de rejet thermique, procede d'utilisation de rejet thermique et installation de production de semiconducteurs |
JP4921652B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2012-04-25 | エイエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法 |
US6893506B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
US6849464B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a multilayer dielectric tunnel barrier structure |
JP2006294750A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Toshiba Corp | 薄膜堆積装置及び方法 |
US7521356B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-04-21 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition systems and methods including silicon-containing tantalum precursor compounds |
CN101370992A (zh) * | 2005-11-28 | 2009-02-18 | Beneq有限公司 | 防止金属从铜及其合金中浸出的方法 |
JP2008175948A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | 原子層堆積膜の形成装置 |
US10041169B2 (en) * | 2008-05-27 | 2018-08-07 | Picosun Oy | System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor |
GB0816186D0 (en) * | 2008-09-05 | 2008-10-15 | Aviza Technologies Ltd | Gas delivery device |
US8282334B2 (en) * | 2008-08-01 | 2012-10-09 | Picosun Oy | Atomic layer deposition apparatus and loading methods |
US20100143710A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Lotus Applied Technology, Llc | High rate deposition of thin films with improved barrier layer properties |
JP5343838B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2013-11-13 | 富士電機株式会社 | 薄膜製造装置 |
FI20105906A0 (fi) * | 2010-08-30 | 2010-08-30 | Beneq Oy | Laite |
FI20105903A0 (fi) * | 2010-08-30 | 2010-08-30 | Beneq Oy | Laite |
-
2012
- 2012-03-23 JP JP2015500954A patent/JP2015512471A/ja active Pending
- 2012-03-23 CN CN201280071733.3A patent/CN104204290A/zh active Pending
- 2012-03-23 RU RU2014139815/02A patent/RU2600047C2/ru active
- 2012-03-23 WO PCT/FI2012/050296 patent/WO2013140021A1/en active Application Filing
- 2012-03-23 EP EP12871801.2A patent/EP2841621A4/en not_active Withdrawn
- 2012-03-23 US US14/386,504 patent/US20150307989A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-23 KR KR1020147029804A patent/KR20140144243A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-03-23 SG SG11201405417YA patent/SG11201405417YA/en unknown
-
2013
- 2013-03-07 TW TW102108019A patent/TW201348504A/zh unknown
-
2014
- 2014-08-29 IN IN7267DEN2014 patent/IN2014DN07267A/en unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7750558B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-07-06 | Global Oled Technology Llc | OLED with protective electrode |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11725279B2 (en) | 2017-02-08 | 2023-08-15 | Picosun Oy | Deposition or cleaning apparatus with movable structure |
RU2748658C1 (ru) * | 2020-07-16 | 2021-05-28 | Пикосан Ой | Устройство для осаждения или очистки с подвижной конструкцией и способ его эксплуатации |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2841621A1 (en) | 2015-03-04 |
CN104204290A (zh) | 2014-12-10 |
IN2014DN07267A (ru) | 2015-04-24 |
JP2015512471A (ja) | 2015-04-27 |
US20150307989A1 (en) | 2015-10-29 |
RU2014139815A (ru) | 2016-05-20 |
EP2841621A4 (en) | 2016-03-16 |
SG11201405417YA (en) | 2014-10-30 |
WO2013140021A1 (en) | 2013-09-26 |
TW201348504A (zh) | 2013-12-01 |
KR20140144243A (ko) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2600047C2 (ru) | Способ и устройство для осаждения атомных слоев | |
JP5977886B2 (ja) | 原子層堆積法による基板ウェブのコーティング | |
US20180305813A1 (en) | Methods and Apparatus for Deposition Reactors | |
TWI588286B (zh) | 經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置 | |
WO2010103751A1 (ja) | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 | |
KR102197576B1 (ko) | 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들 | |
CN109689930B (zh) | 用于原子层沉积的设备和方法 | |
RU2586956C2 (ru) | Реактор атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек и способ обработки партии подложек | |
CN110582591B (zh) | 原子层沉积设备、方法和阀 | |
WO2011088024A1 (en) | Methods and apparatus for atomic layer deposition on large area substrates | |
JP6814136B2 (ja) | Ald法およびald装置 | |
US10597778B2 (en) | ALD method and apparatus including a photon source |