CN103258745A - 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，涉及显示，解决形成层间过孔时，刻蚀不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。本发明提供一种阵列基板制备方法，包括：形成有源层，所述形成有源层之后，还包括：在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层；所述有源层与源、漏电极通过所述层间过孔连接。

Description

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
背景技术
现有显示器多基于非晶硅(a-si)，即显示面板的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)多采用非晶硅材料，但相比之下，多晶硅(Poly-Si)具有更高的电子迁移率，被认为是比非晶硅更佳的TFT制作材料。
如图1所示，现有多晶硅阵列基板自下而上依次包括：基板10、设置在基板10上的缓冲层11(SiOx/SiNx的叠层结构)、多晶硅有源层12、栅绝缘层13、栅极14和层间绝缘层(ILD)15，还包括设置在层间绝缘层15之上的源漏金属层源漏电极(图中未示出)，源漏金属层源漏电极通过层间过孔100与多晶硅有源层12接触导通。其中，层间绝缘层15除了需要良好的覆盖特性与绝缘效果外，还需要高的可见光透过度，为了达到以上目的及抵挡外来水汽及机械性刮伤，层间绝缘层15多采用SiOx、SiNx或者二者的叠层结构SiOx/SiNx作为层间绝缘层。具体实施中多采用SiOx/SiNx的叠层结构，除拥有相当不错的电学特性外，而且，制备SiNx层的工作气体包含氢气，因此形成SiNx层的同时还具有对已有膜层进行氢化处理的效果。
在形成层间过孔100时，发明人发现现有技术至少存在如下问题：
由于层间绝缘层15一般较厚，而且是叠层结构，再加上形成层间过孔100时，除刻蚀层间绝缘层15外还需要刻蚀栅绝缘层13，待刻蚀膜层过厚，并且与多晶硅相比，SiOx刻蚀难度大很多，物理刻蚀时很难调试出二者极佳的选择刻蚀比工艺，而且有源层的多晶硅比较薄，往往出现有的区域没刻蚀透，有的区域又严重过刻蚀导致有源层损坏，严重影响产品良率，以及低温多晶硅技术在大尺寸显示上的应用。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，可解决形成层间过孔时，刻蚀不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
为解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，包括：形成有源层，所述形成有源层之后，还包括：
在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层；
所述有源层与源、漏电极通过所述层间过孔连接。
进一步地，在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层之后，还包括：
在设置有刻蚀阻挡层的有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极；
在所述栅极之上形成层间绝缘层；
刻蚀所述层间绝缘层及下方的所述栅绝缘层，形成所述层间过孔。
可选地，所述刻蚀阻挡层为金属膜层或掺杂的半导体膜层。
优选地，所述刻蚀阻挡层与所述源漏电极采用相同的材质。
可选地，所述刻蚀阻挡层为钼金属膜、铝金属膜、铜金属膜中的一种，或者，
层叠结构钛/铝/钛和层叠结构钼/铝钕/钼中的一种。
优选地，所述有源层为多晶硅有源层。
具体地，所述形成有源层，具体包括：
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅层；
将所述非晶硅层转化为多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层，形成TFT的有源层；
对所述有源层的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；或者，
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅层；
将所述非晶硅层转化为多晶硅层；
对所述多晶硅层的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；
对掺杂后的多晶硅层进行刻蚀，形成TFT的多晶硅有源层。
可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度为
Figure BDA00003061862800031
另一方面，本发明还提供一种薄膜晶体管，包括：有源层，还包括：
用以在形成层间过孔时保护有源层的刻蚀阻挡层，设置在所述有源层上后继形成层间过孔的位置；
所述层间过孔用以连接所述有源层和源漏电极。
进一步地，所述的薄膜晶体管，还包括：
栅绝缘层，设置在所述有源层及所述刻蚀阻挡层上；
栅极，设置在所述栅绝缘层上；
层间绝缘层，设置在所述栅极之上；
所述层间绝缘层及下方的所述栅绝缘层上设置有层间过孔。
可选地，所述刻蚀阻挡层为金属膜层或掺杂的半导体膜层。
可选地，所述刻蚀阻挡层采用与所述源漏电极相同的材质。
可选地，所述刻蚀阻挡层为钼金属膜、铝金属膜、铜金属膜中的一种，或者，
层叠结构钛/铝/钛和层叠结构钼/铝钕/钼中的一种。
可选地，所述有源层为多晶硅有源层。
可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度为
Figure BDA00003061862800032
本发明还提供一种阵列基板，包括所述的任一薄膜晶体管。
此外，本发明还提供一种显示装置，包括所述的任一薄膜晶体管。
本发明提供一种列基板及其制备方法、阵列基板、显示装置，在有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，在刻蚀层间绝缘层以形成层间过孔时，可保护有源层不被刻蚀，解决了层间绝缘层刻蚀时不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为阵列基板的截面结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的薄膜晶体管制备方法的流程图；
图3为本发明实施例一中薄膜晶体管上刻蚀阻挡层的结构示意图；
图4为本发明实施例二提供的薄膜晶体管制备方法的流程图；
图5为本发明实施例二中形成多晶硅有源层的流程示意图；
图6为本发明实施例二中形成刻蚀阻挡层的流程示意图；
图7为本发明实施例二中栅绝缘层、栅极和层间绝缘层的示意图；
图8为本发明实施例二中形成层间过孔的示意图。
附图标记说明
10-基板，11-缓冲层，12-多晶硅有源层，13-栅绝缘层，
14-栅极15-层间绝缘层，100-层间过孔100，120-有源层，
121-非晶硅层，122-多晶硅层，160-金属膜层，16-刻蚀阻挡层，
17-光刻胶，171-刻蚀窗口。
具体实施方式
本发明提供一种列基板及其制备方法、显示装置，可解决层间绝缘层刻蚀不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一
本发明实施例提供一种薄膜晶体管制备方法，如图2和3所示，该方法包括：
101、形成有源层120，在形成有源层120之后，还包括：
102、在有源层120上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层16，用以在刻蚀层间过孔时保护有源层120，所述层间过孔(图中未示出)用以连接有源层120和源漏电极(图中未示出)。
本实施例所述的层间过孔为贯穿有源层120与源、漏电极之间所有膜层的过孔，源电极、漏电极分别通过层间过孔与有源层120的掺杂区域电连接。
优选地，所述刻蚀阻挡层16的材质应为能导电的金属或掺杂半导体，刻蚀时不怕有残留，这样才能在刻蚀层间过孔时保护有源层120不被损坏。具体而言，本步骤在有源层120上沉积金属膜层(或掺杂的半导体膜层)，通过光刻工艺在后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层16，刻蚀阻挡层16用以在采用刻蚀方法形成层间过孔时保护有源层120，因此刻蚀阻挡层16的面积应大于层间过孔的截面面积。
且，刻蚀阻挡层16应具有足够的厚度，能保证在完全刻蚀掉有源层120上的层间绝缘层(对于顶栅结构的TFT，则是刻蚀掉有源层120上的栅绝缘层及层间绝缘层)时，不损伤栅绝缘层下面的有源层120，但是刻蚀阻挡层16的厚度又不宜太厚，以免形成的台阶太高影响上面膜层的沉积，具体实施中所述刻蚀阻挡层16的厚度一般选择
Figure BDA00003061862800051
本发明实施例提供一种列基板制备方法，在有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，在采用刻蚀方法以形成层间过孔时，可保护有源层120不被刻蚀，解决了层间绝缘层刻蚀时不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
实施例二
进一步地，本发明实施例还提供一种薄膜晶体管制备方法，如图4和图5～7所示，该方法具体包括：
201、在基板10上形成缓冲层11；
202、在所述缓冲层11上形成非晶硅层121；
203、将所述非晶硅层121转化为多晶硅层122；
204、刻蚀所述多晶硅层，形成TFT的有源层12；
205、对有源层12的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；
如图5所示，可选地，步骤201～204中首先采用化学气相沉积法(PECVD)沉积缓冲层11及非晶硅层121，然后进行脱氢，再采用准分子激光晶化法(ELA)将非晶硅层121转化为多晶硅层(P-Si)122，最后再通过光刻工艺对多晶硅层122进行有源层刻蚀，利用光刻胶做掩膜进行源漏掺杂，形成TFT的有源层12，当然也可以先进行源漏掺杂再进行有源层刻蚀(这两个步骤的顺序可以调换)，然后再进行退火活化，激活掺杂离子。
优选地，上述缓冲层11为SiNx/SiO2的叠层结构。
206、如图6所示，沉积金属膜层160，通过构图工艺，在有源层12上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层16；
本实施例所述的层间过孔为贯穿栅绝缘层和层间绝缘层的过孔，源漏电极中的源电极、漏电极分别通过层间过孔与有源层120的掺杂区域电连接。
本步骤在掺杂的多晶硅层(有源层12)上形成一层刻蚀阻挡层16，用以在刻蚀层间过孔时保护有源层。优选地，该刻蚀阻挡层16一般采用与源漏电极相同的材质，如钼Mo、铝Al、铜Cu等，或者层叠结构钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)，层叠结构钼/铝钕/钼(Mo/AlNd/Mo)等。在刻蚀层间过孔时，即便刻蚀阻挡层16有残留，也不会影响源、漏电极与有源层之间的欧姆接触。
刻蚀阻挡层16选择钼Mo、铝Al、铜Cu等金属或金属的层叠结构钛，刻蚀速率较低，而且这样刻蚀阻挡层16不怕被少量的过刻蚀，也不怕有残留，这样就避免了因为刻蚀均一性不好，以及刻蚀选择比不佳，而造成的工艺不良。
207、在设置有刻蚀阻挡层16的有源层12上形成栅绝缘层13；
208、在栅绝缘层13上形成栅极14；
209、在栅极14之上形成层间绝缘层15；
如图7所示，步骤207～209在设置有刻蚀阻挡层16的有源层12上继续沉积栅绝缘层13和栅极金属层，通过光刻工艺形成栅极14，然后再继续沉积层间绝缘层15。其中，栅绝缘层13和层间绝缘层15均为SiOx/SiNx的叠层结构，栅极14为Mo金属膜刻蚀而成。
210、刻蚀层间绝缘层15及下方的栅绝缘层13，形成层间过孔。
如图8所示，本步骤在层间绝缘层15涂覆光刻胶17，经曝光、显影后，在层间过孔的预设位置形成光刻胶完全剥离的刻蚀窗口171，然后再对刻蚀窗口171处露出的层间绝缘层进行干法刻蚀，去除刻蚀窗口171处的层间绝缘层15及下方的栅绝缘层13，形成层间过孔100。最后，继续进行后续工序，形成源、漏电极、像素电极(或者像素电极和公共电极)和钝化保护层，完成薄膜晶体管的制备。
本发明实施例提供一种薄膜晶体管制备方法，在多晶硅有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，在采用干法刻蚀以形成层间过孔时，可保护多晶硅有源层不被刻蚀，解决了层间绝缘层刻蚀时不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
实施例三
对应地，另一方面本发明还提供一种薄膜晶体管，包括：有源层，还包括：
用以在形成层间过孔时保护有源层的刻蚀阻挡层，设置在所述有源层上后继形成层间过孔的位置；
所述层间过孔用以连接有源层和源漏电极。
进一步地，所述的薄膜晶体管，还包括：
栅绝缘层，设置在所述有源层及所述刻蚀阻挡层上；
栅极，设置在所述栅绝缘层上；
层间绝缘层，设置在栅极之上；
所述层间过孔贯穿所述层间绝缘层及下方的栅绝缘层。
本发明实施例提供一种薄膜晶体管，有源层上后继形成层间过孔的位置设置有刻蚀阻挡层，用以在采用干法刻蚀形成层间过孔时保护多晶硅有源层不被刻蚀，可解决层间绝缘层刻蚀时不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
可选地，所述刻蚀阻挡层为金属膜层或掺杂的半导体膜层。
可选地，所述刻蚀阻挡层采用与所述源漏电极相同的材质。
可选地，所述刻蚀阻挡层为钼金属膜、铝金属膜、铜金属膜中的一种，或者，
层叠结构钛/铝/钛和层叠结构钼/铝钕/钼中的一种。
可选地，所述有源层为多晶硅有源层。
可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度为
Figure BDA00003061862800081
此外，本发明还提供一种阵列基板，包括所述的任一薄膜晶体管。
本发明还提供一种显示装置，包括所述的任一薄膜晶体管。
本发明提供的阵列基板、显示装置，在有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，在形成层间过孔时，可保护有源层不被刻蚀，解决了层间绝缘层刻蚀时不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：形成有源层，其特征在于，所述形成有源层之后，还包括：
在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层；
所述有源层与源、漏电极通过所述层间过孔连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层之后，还包括：
在设置有刻蚀阻挡层的有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极；
在所述栅极之上形成层间绝缘层；
刻蚀所述层间绝缘层及下方的所述栅绝缘层，形成所述层间过孔。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层为金属膜层或掺杂的半导体膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层采用与所述源漏电极相同的材质。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为钼金属膜、铝金属膜、铜金属膜中的一种，或者，
层叠结构钛/铝/钛和层叠结构钼/铝钕/钼中的一种。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述有源层为多晶硅有源层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成有源层，具体包括：
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅层；
将所述非晶硅层转化为多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层，形成TFT的有源层；
对所述有源层的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；或者，
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅层；
将所述非晶硅层转化为多晶硅层；
对所述多晶硅层的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；
对掺杂后的多晶硅层进行刻蚀，形成TFT的多晶硅有源层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层的厚度为
Figure FDA00003061862700021
9.一种薄膜晶体管，包括：有源层，其特征在于，还包括：
用以在刻蚀层间过孔时保护有源层的刻蚀阻挡层，设置在所述有源层上后继形成层间过孔的位置；
所述层间过孔用以连接所述有源层和源漏电极。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
栅绝缘层，设置在所述有源层及所述刻蚀阻挡层上；
栅极，设置在所述栅绝缘层上；
层间绝缘层，设置在所述栅极之上；
所述层间过孔贯穿所述层间绝缘层及下方的栅绝缘层。
11.根据权利要求9或10所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层为金属膜层或掺杂的半导体膜层。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层采用与所述源漏电极相同的材质。
13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为钼金属膜、铝金属膜、铜金属膜中的一种，或者，
层叠结构钛/铝/钛和层叠结构钼/铝钕/钼中的一种。
14.根据权利要求9或10所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层为多晶硅有源层。
15.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层的厚度为
Figure FDA00003061862700022
16.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求9-15任一项所述的薄膜晶体管。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9-15任一项所述的薄膜晶体管。
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