CN103236491A - 一种led陶瓷cob光源日光灯及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种LED陶瓷COB光源日光灯及其制备方法，使用高热传导的陶瓷基板替换传统的金属封装基板，加上应用在日光灯条上的多芯片集成COB芯片模组,具有高光效、高可靠、高品质的优点，并可选择非隔离电源及全部PC外壳来降低生产成本，达到最好的性价比；本发明LED陶瓷COB光源日光灯产品在色温5700-6300K时，显指超过70，整灯光效超过100lm/w。使制得的日光灯具耗能低、寿命长、光效高，满足了生产及应用的需要。

Description

一种LED陶瓷COB光源日光灯及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种LED 日光灯及其制造方法，尤其是一种LED陶瓷COB光源日光灯及其制备方法。

背景技术

LED是一种由半导体材料制成的组件，是一种新型的用微弱的电能就能发光的高效固体光源。LED主要特点是：寿命长、能耗低、显色度高、易维护、体积小、直流电驱动、驱动电压低、点亮速度快、无频闪、眩光少、耐震性强、发热少、防爆（无高气压组件）等特性，是近年来全球最具发展前景的高新技术领域之一。LED封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到LED的使用性能和寿命，一直是近年来的研究热点，特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点。LED封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性；2.加强散热，以降低芯片结温，提高LED性能；3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。传统LED芯片的封装步骤主要为:1、扩晶，把排列的密密麻麻的芯片弄开一点便于固晶。 2、固晶，在支架底部点上导电/不导电的胶水(导电与否视芯片是上下型PN结还是左右型PN结而定）然后把芯片放入支架里面。 3、短烤，让胶水固化焊线时芯片不移动。 4、焊线，用金线把芯片和支架导通。　5、前测，初步测试能不能亮。 6、灌胶，用胶水把芯片和支架包裹起来。 7、长烤，让胶水固化。 8、后测，测试能亮与否以及电性参数是否达标。 9、分光分色，把颜色和电压大致上一致的产品分出来。 10、包装。

LED封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。经过40多年的发展，LED封装先后经历了支架式(Lamp LED)、贴片式(SMD LED)、功率型LED(Power LED)等发展阶段。随着芯片功率的增大，特别是固态照明技术发展的需求，对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效地降低封装热阻，提高出光效率，必须采用全新的技术思路来进行封装设计与灯具设计。

     COB(Chip On Board)封装是一种通过粘胶剂或焊料将LED芯片直接粘贴到印制电路板(PCB)板上，再通过引线键合实现芯片与PCB板间电互连的新型封装技术。PCB板材料有几种 :1.  低单价FR4，2.  高导热金属铜基板或铝基板，3.  敷铜陶瓷基板，4.  烧结银线路陶瓷基板。COB技术主要用于大功率多芯片阵列的LED封装，同SMT相比，不仅大大提高了封装功率密度，而且降低了封装热阻(一般为6-12W/m.K)。

     陶瓷基板是指用银或者银合金浆料丝印在陶瓷基板上，然后在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，并可像PCB板一样制出各种复杂图形，具有很大的载流能力。 

半导体照明灯具要进入通用照明领域，生产成本是第一大制约因素。要降低半导体照明灯具的成本，必须首先考虑如何降低LED的封装成本。传统的LED灯具做法是：LED光源分立器件→MCPCB光源模组→LED灯具，主要是基于没有适用的核心光源组件而采取的做法，不但耗工费时，而且成本较高。且采用支架做为芯片的封装，增加灯源的制造步骤及成本，加上使用金属基板，不耐电压冲击安全隐患大(<600V)，支架与金属基板使用高分子绝缘膜绝缘，不但增加热阻且化学稳定性差，加上高分子材质不耐高热热，无法确保灯源的长期寿命。此外，金属基板与芯片热膨胀系数差太多，易造成芯片长期使用下的应力疲劳而造成死灯。所以传统SMD LED灯具，俗称“满天星”，灯具光源焊点多、故障多、炫光多、光效低(60-100ml/w)、光衰大(>3%)。

发明内容

本发明的目的是提供了一种LED陶瓷COB光源日光灯及其制备方法，使用高热传导的陶瓷基板替换传统的金属封装基板，加上应用在日光灯条上的多芯片集成COB芯片模组,具有高光效、高可靠、高品质的优点，并可选择非隔离电源及全部PC外壳来降低生产成本，达到最好的性价比。

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板、氮化铝陶瓷板、氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银浆料或者银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为0.9-1.1g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，即得。

其中氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为5%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，再经1550-1650℃烧结3小时制得；氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1600-1700℃烧结3小时制得；氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为50%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经800-900℃烧结1小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为3-15%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经750-850℃烧结1小时制得；银浆料是纯银经750-850℃烧结1小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷基板中的一种，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行不同尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

玻璃粉的型号为TF-888，生产厂家为磊盈股份有限公司。

1023芯片的生产厂家为三安光电股份有限公司。

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，第一步骤中所制成的陶瓷基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，并可像PCB板一样制出各种复杂图形，具有很大的载流能力；第二步骤中小芯片工艺相对老练，且高热传系数的陶瓷基板也便于芯片集成和散热；第三步骤中避免了导热硅胶或是导热双面胶带在安装过程中出现气泡，同时灯具散热***为导热系数0.9W/mK,能有效将热量导出至灯壳。

    本发明首创使用陶瓷基板进行多芯片COB封装应用在日光灯管中，可将多颗芯片直接封装在氧化铝及氮化铝的陶瓷基板上，通过陶瓷基板直接散热，不仅能减少支架的制造工艺及其成本，还具有减少热阻的散热优势。在应用上，LED陶瓷基板COB光源模块可以使照明灯具厂的安装生产更简单和方便，可以弹性使用隔离与非隔离电源，也可以使用铝或者铝合金等金属灯壳或者全部使用PC灯壳来降低成本。在生产上，现有的工艺技术和设备完全可以支持高良品率的COB光源模块的大规模制造。随着LED照明市场的拓展，灯具需求量在快速增长，我们完全可以根据不同灯具应用的需求，逐步形成各种陶瓷系列多芯片集成COB光源模块主流产品，以便大规模生产，提高灯具的性价比。

本发明采用陶瓷COB封装技术、高效率驱动电源设计及高导热灯具散热***，具有多项特点:1. 大功率集成COB芯片模组与单晶LED在效果方面相比较，无多影现象，无眩光，实现高品质灯泡或者灯具的制作。 2. 可以将红光、绿光、蓝光、白光封于一体，实现暖光到冷光色温可调，可将红光与白光封于一体，轻松实现显色指数＞85及90以上。3. 大功率集成COB光源模块更易实现模块化及可替换功能，灯具造型更好设计、灯具配光更易设计。4.  在光源成本制作方面，集成光源在固晶焊线方面效率与单晶相差不大，在封胶，切割，分光等在人工和设备上节约大量成本。 5.在灯具成本方面，COB灯具在生产成本上都低于单晶LED灯具，设计上无铝基板的设计、layout、打板过程，节约了设计成本和时间，并节约了焊板成本和时间。 6. 在可靠性方面避免了焊板时过高温回流焊对LED造成的隐形伤害，避免死灯等不良现象发生。7.功率大，光通亮高，热阻小，散热好。可做到薄性化，外形设计多样化，可适合不同特殊要求灯具使用。 8. 光效高，本发明LED陶瓷COB光源日光灯产品经效能测试在色温5700-6300K时，显指超过70，整灯光效超过100lm/w，满足生产的需要。

具体实施方式：

实施例1：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板，上面用银浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为0.9g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度12.5mm，即得。

其中氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为5%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，再经1550℃烧结3小时制得。

银浆料是纯银经750℃烧结1小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行T8(Φ26X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例2：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银合金浆料的用量为1.0g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为5%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，再经1600℃烧结3小时制得,。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为9%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经800℃烧结1小时制得。

其余同实施例1。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例3：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为1.1g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为5%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，1650℃烧结3小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为15%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经850℃烧结1小时制得。

其余同实施例1。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例4：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氮化铝陶瓷板，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为0.9g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1600℃烧结3小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为3%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经750℃烧结1小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氮化铝陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行T5(Φ16X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例5：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氮化铝陶瓷板，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为1.0g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度12.5mm，即得。

其中氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1650℃烧结3小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为9%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经800℃烧结1小时制得。

其余同实施例4。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例6：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氮化铝陶瓷板，上面用银浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为1.1g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1700℃烧结3小时制得。

银浆料是纯银经850℃烧结1小时制得。

其余同实施例4。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例7：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银浆料的用量为0.9g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为50%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经800℃烧结1小时制得。

银浆料是纯银经800℃烧结1小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行T8(Φ26X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例8：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银合金浆料的用量为1.0g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为50%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经850℃烧结1小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为9%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经800℃烧结1小时制得。

其余同实施例7。

完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

实施例9：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银合金浆料的用量为1.1g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度12.5mm，即得。

其中氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为50%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经900℃烧结1小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为15%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经850℃烧结1小时制得。

其余同实施例4。

实施例10：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板，上面用银或者银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银浆料的用量为0.8g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度12.5mm，即得。

其中氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为6%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为3%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，再经1500℃烧结3小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行T5(Φ16X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

实施例11：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氮化铝陶瓷板，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为1.2g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1750℃烧结3小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为16%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经700℃烧结1小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氮化铝陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行T5(Φ16X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

实施例12：

一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银或者银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银合金浆料的用量为1.3g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得。

其中氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为52%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为1%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经950℃烧结1小时制得。

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为2%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经900℃烧结1小时制得。

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷基板中的一种，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成。

第三步骤，进行T5(Φ16X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

对比例1：

一种传统封装的LED日光灯，第一步骤，制作单芯片或者多芯片的灯珠，采用聚邻苯二甲酰胺材质的基板。第二步骤，将灯珠封装在铝条上面形成传统金属灯条。第三步骤，进行T8(Φ26X1200mm)尺寸的日光灯的组装，采用隔离式宽压(100-265V)驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%。使用铝金属加PC的日光灯灯壳。完成的灯管经标准效能测试，测试温度25℃，湿度65%。

各实施例1-12和对比例1制得的LED日光灯管的效能比较如下表所示：

 

由上表结果可以看出，在本发明工艺范围内制得的LED陶瓷COB光源日光灯产品实施例1-9经效能测试在色温5700-6300K时，显指超过70，整灯光效超过100lm/w，光效高于在工艺范围外的实施例10-12和传统封装的LED灯具，使用功率低于工艺范围外的实施例10-12的传统封装的LED灯具，节能性更佳，满足生产及应用的需要。

Claims (6)

1.一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，其特征在于：分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板、氮化铝陶瓷板、氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银浆料或者银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为0.9-1.1g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，即得；

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷基板中的一种，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成；

第三步骤，进行不同尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

2.如权利要求1所述的一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，其特征在于：

其中氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为5%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，再经1550-1650℃烧结3小时制得；氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1600-1700℃烧结3小时制得；氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为50%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经800-900℃烧结1小时制得。

3.如权利要求1所述的一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，其特征在于：

其中银合金浆料是纯银加上质量份数为3-15%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经750-850℃烧结1小时制得；银浆料是纯银经750-850℃烧结1小时制得。

4.如权利要求1或2或3所述的一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，其特征在于：分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝陶瓷板，上面用银或者银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银合金浆料的用量为1.0g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得；

氧化铝陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为5%的氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%的聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时经流延成型得所需的氧化铝胚体，再经1600℃烧结3小时制得；

银合金浆料是纯银加上质量份数为9%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经800℃烧结1小时制得；

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成；

第三步骤，进行T8(Φ26X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

5.如权利要求1或2或3所述的一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，其特征在于：分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氮化铝陶瓷板，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银或者银合金浆料的用量为1.0g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度12.5mm，即得；

氮化铝陶瓷板是将氮化铝添加质量份数为5%氧化硅，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时候经流延成型所需的氮化铝胚体，经1650℃烧结3小时制得；

银合金浆料是纯银加上质量份数为9%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经800℃烧结1小时制得；

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氮化铝陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成；

第三步骤，进行T5(Φ16X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。

6.如权利要求1或2或3所述的一种LED陶瓷COB光源日光灯的制备方法，其特征在于：分为下列步骤：

第一步骤：陶瓷基板的准备，选用制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板中的一种，上面用银合金浆料丝印线路，整支1.2M的灯管中银合金浆料的用量为1.0g，雷射切割取得所需的陶瓷基板尺寸，基板宽度16mm，即得；

氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷板是将氧化铝添加质量份数为50%的玻璃粉，再添加质量份数为35%的酒精作为熔剂及质量份数为2%聚邻苯二甲酰胺作为黏结剂，混合及研磨24小时再经流延成型所需的氧化铝胚体，经850℃烧结1小时制得；

银合金浆料是纯银加上质量份数为9%的铋硼硅酸盐玻璃做为黏结剂，经800℃烧结1小时制得；

第二步骤：进行多芯片集成COB封装，选用第一步骤制得的氧化铝+50%玻璃粉的复合陶瓷基板，选用的芯片规格为1023芯片，封装工艺采用COB封装集成；

第三步骤，进行T8(Φ26X1200mm)尺寸的日光灯的组装，组装工艺中采用非隔离式宽压100-265V驱动电源，电源效率为91-93%,PF值为0.94,恒流精度95%；采用了导热系数为0.9W/mK的灯具散热***；光源基板底部采用3M8805热固化导热胶。