CN103221575B - 多通道脉冲气体输送***的方法和装置 - Google Patents
多通道脉冲气体输送***的方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103221575B CN103221575B CN201180056053.XA CN201180056053A CN103221575B CN 103221575 B CN103221575 B CN 103221575B CN 201180056053 A CN201180056053 A CN 201180056053A CN 103221575 B CN103221575 B CN 103221575B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- conveying
- process chamber
- valve
- passage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 82
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 123
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 24
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000541 pulsatile effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 108010022579 ATP dependent 26S protease Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007474 system interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0676—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on flow sources
- G05D7/0682—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on flow sources using a plurality of flow sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0623—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the set value given to the control element
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
一种将规定量气体的一系列脉冲输送到处理工具的脉冲气体输送***,其包括:(a)多个通道,每个通道包括:(i)气体输送室;(ii)进气阀,其连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;以及(iii)排气阀,其连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及(b)专用多通道控制器,其配置成控制每个通道的进气阀和排气阀,这样规定量的气体脉冲可以根据脉冲气体输送过程的预定顺序提供给处理工具。
Description
相关申请
本申请要求于2011年2月25日提交的美国专利申请第13/035,534号的利益,该美国专利申请第13/035,534号是于2010年9月29日提交的美国专利申请序列号为12/893,554的继续部分申请,这些申请的全部教导通过引用并入本文。
技术领域
本公开通常涉及摩尔或气体输送装置,以及更具体地涉及快速脉冲气体输送(PGD)的方法和***。如本文所用的术语“气体”包括术语“蒸气”,如果这两个术语被认为是不同的话。
背景技术
半导体器件的制造或加工往往需要将多达十几种的气体以密切同步以及精确测量的方式输送到处理工具,例如真空处理室。对于本发明目的,术语“处理工具”意旨包括工具和处理室两者。在制造过程中使用各种配方,且会需要许多分立的处理步骤,在上述处理步骤中通常对半导体器件进行清洗、抛光、氧化、掩膜、蚀刻、掺杂、金属化等。所使用的步骤、其特定的顺序和涉及的材料都有助于特定器件的制备。
随着越来越多的器件尺寸缩小到90nm以下,对于各种应用而言对已知为原子层沉积或ALD的技术仍存在持续需求,诸如沉积屏蔽层以便铜互连、形成钨成核层、以及制备高导电的电介质。在ALD工艺中,两种或两种以上的前体气体以脉冲的方式输送以及流过在保持于真空下的处理工具内的晶圆表面。两种或两种以上的前体气体以交替或相继的方式流动,这样气体可与晶圆表面上的位点或官能团起反应。当所有可用的位点由前体气体(例如,气体A)饱和后,反应停止,并使用吹扫气体将多余的前体分子从处理室中吹扫走。当下一前体气体(即,气体B)流过晶圆表面时,该过程重复进行。对于涉及两种前体气体的过程而言,一次循环可限定成前体A的一次脉冲,吹扫,前体B的一次脉冲,以及吹扫。一次循环可包括附加前体气体的多次脉冲,以及前体气体的多次重复,在两种前体气体的相继脉冲之间使用吹扫气体。该顺序重复,直到达到最终厚度。这些按序的自限式表面反应导致在每次循环中沉积一个单层膜。
使用通/断型阀来控制引入到处理工具内的前体气体的脉冲输送,上述阀仅打开一段预定的时间以便将每个脉冲所需量(质量)的前体气体输送到处理室内。备选地,质量流量控制器用于在短的时间间隔内以预定的和可重复的流率输送一定量(质量)的气体,该质量流量控制器为自我控制装置,其包括换能器、控制阀、以及控制和信号处理的电子器件。在这两种情况下,流入处理室内的材料量(质量)未经实际测量,而是由理想气体定律的测量参数来推断的。
已知为脉冲气体输送(PGD)装置的***已被研发出来,其可将测量的前体气体脉冲的质量流量输送到半导体处理工具内。这种装置设计成提供适用于半导体制造工艺(诸如原子层沉积(ALD)工艺)中的可重复的和精确量(质量)的气体。
每个单通道PGD装置包括在处理工具上游的输送容器或输送室,其包括在ALD工艺期间中将被输送的气体。在充气阶段(当相应的进气阀和排气阀分别打开和关闭),气体通过进气阀被引入到输送室,而在输送阶段,气体通过排气阀从输送室输送走。压力传感器和温度传感器用于测量输送室内的气体压力和温度,以及专用控制器用于感测压力和温度信息以及控制进气阀和排气阀的打开和关闭。由于输送室的体积是固定的且是已知的,由每一脉冲输送的测得的摩尔数气体量为在脉冲的持续时间内的气体类型、室内气体温度以及气体压降的函数。
多通道PGD装置包括多个输送室,每个输送室都包括在气体输送过程中使用的前体或吹扫气体。然后在气体输送过程中使用的每一前体和吹扫气体可以通过不同的通道而被引入。这允许装置在充气阶段操作提供到一个通道内的气体,同时输送另一个通道内提供的气体脉冲。由位于PGD输送室和接收气体的处理工具之间的通/断型排气阀来控制从每个输送室的气体脉冲流动。阀打开即接通以便输送给定质量的脉冲气体所需的时间量进一步是相应输送室内的气体起始压力和处理工具的下游侧压力的函数。例如,对于需要输送的给定量的气体而言,输送室内的起始压力处于较高的起始压力与处于较低的起始压力相比需要阀打开更短的时间,其原因在于在较高的起始压力下更迅速地发生质量流量。对于快速脉冲气体输送应用而言,应严格控制PGD的充气阶段和输送阶段,以确保精确地输送规定量的一种或多种气体。因此应严格控制PGD的上游侧压力以及PGD中的充气压力,以便满足ALD工艺的可重复性和精确性的要求。通过使用多个通道,以及通道的充气和输送阶段错开,与由单一通道的装置相比,不同气体的按序脉冲输送的速度更快,其原因在于多通道装置能够用一个通道给输送室充气,同时用另一通道从气体输送室输送预定量的气体。
现有的多通道PGD装置包括用于操作每个通道的独立专用的通道控制器。每个通道控制器接收来自工具/主机控制器的用于在工具内控制过程的所有指令。以这种方式,每个通道受控于工具/主机控制器,这样整个过程可由该中央控制器来协调和控制。因此,在过程(处理或工艺)运行期间,工具/主机控制器连续将指令命令发送给每个通道控制器,以确保来自多个通道的气体单个脉冲以适时和协调一致的方式输送。
最近以来,某些工艺最近被研发成需要高速脉冲或时间复用处理。例如,半导体行业研发出先进3-D集成电路通过硅通孔(TSV),以便给晶粒与晶粒的堆叠和晶圆与晶圆的堆叠提供互连能力。制造商们正在考虑具有同等广泛TSV蚀刻要求的各种3-D集成方案。等离子蚀刻技术非常适合于为形成TSV,等离子蚀刻技术诸如Bosch工艺,其已被广泛用于在存储设备和MEMS生产中进行深硅蚀刻。也已知为高速脉冲或时间复用蚀刻的Bosch工艺在两种模式之间交替地重复以便获得使用SF6的几乎垂直结构以及使用C4F8沉积化学惰性钝化层。对于TSV而言商业成功所需的目标是:足够的功能性、低成本和久经考验的可靠性。
高速处理(过程或工艺)需要相继(连续)脉冲之间的快速响应时间,以便更好地控制该处理。虽然多通道PGD装置已经使得处理成为可能,但通常情况下,多通道PGD装置在交替蚀刻和钝化步骤之间过渡的速度越快,则可以更好地控制处理。时序对于控制蚀刻和钝化步骤而言是非常重要的,特别是在蚀刻步骤之后引入钝化气体所需的时间是非常重要的,这样蚀刻步骤在精确的时间停止。步骤执行的速度越快越好。
因此,希望设计一种多通道PGD装置,其可更快速地执行高速处理,而不会有损于多通道PDG装置的优势。
相关技术的描述
可在下述专利中找到脉冲质量流量输送***的实例:美国专利第7615120,7615120,7628860,7628861,7662233,7735452,7794544号;美国专利公开第2006/00601139以及2006/0130755号;以及于2010年1月19日以PaulMeneghin名义提交和转让给本申请受让人(代理人登记编号56231-751(MKS-194))的待决美国申请序列号12/689,961,其标题为“适于脉冲气体输送的控制和方法(CONTROLFORANDMETHODOFPULSEDGASDELIVERY)”;以及于2010年9月29日以JunhuaDing名义提交和转让给本申请受让人(代理人登记编号86400-015(MKS-218))的母案申请12/893,554,其标题为“适于快速脉冲气体输送的***和方法(SYSTEMFORANDMETHODOFFASTPULSEGASDELIVERY)”。
发明内容
根据一方面,提供一种改进的多通道PGD***,其包括专用的多通道控制器,其配置成用于在运行完将由PGD***执行的所有工艺步骤之前接收来自主机控制器或用户界面的所有指令。因此,多通道控制器配置成通过蚀刻钝化工艺的步骤来控制所有的单独通道,在蚀刻钝化工艺的步骤中,气体被引入到处理工具以便执行蚀刻处理,之后引入第二钝化气体以便停止蚀刻处理。因此,专用的多通道控制器可易于编程以便为整个处理过程为多通道提供控制信号,降低主机控制器的计算开销,这样其自由地执行与处理工具相关的其它功能。在一个实施例中,主计算机或用户界面将启动命令提供给专用多通道控制器,以及控制器通过将所有指令提供给所有通道的各个组成部分同时接收来自通道的压力和温度传感器的信号来单独地运行该处理过程。
根据本文所述教导的一方面,提供一种适于将规定量气体的一系列脉冲输送到处理工具的脉冲气体输送***,其包括:
多个通道,每个通道包括:
气体输送室;
进气阀,其连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;
排气阀,其连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;
专用的多通道控制器,其配置成控制每个通道的进气阀和排气阀,这样规定量的气体脉冲能够以根据脉冲气体输送过程的预定顺序提供给处理工具。
根据本文所述教导的另一方面,提供处理工具***以及用于将规定量的气体脉冲按序输送给处理工具的脉冲气体输送***的组合设备,其中所述脉冲气体输送***包括:
多个通道,每个通道包括:
气体输送室;
进气阀,其连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;以及
排气阀,其连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;
专用多通道控制器,其配置成控制每个通道的进气阀和排气阀,这样规定量的气体脉冲能够以根据脉冲气体输送过程的预定顺序提供给处理工具。多通道控制器可配置成在多个通道中复用充气和输送步骤,使得整体的脉冲气体输送速率增加。
根据本文所述教导的又一方面,提供使用脉冲气体输送***将规定量气体的一系列脉冲输送到处理工具的方法。所述气体输送***为下述类型,其包括多个通道,每个通道包括气体输送室;进气阀,其连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;排气阀,其连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及专用的多通道控制器。所述方法包括:配置专用的多通道控制器,这样控制器控制每个通道的进气阀和排气阀,这样可将规定量的气体脉冲提供给处理工具。
根据本文所述教导的又一方面,提供使用脉冲气体输送***将规定量气体的一系列脉冲输送到处理工具的方法。所述气体输送***为下述类型,其包括多个通道,每个通道包括气体输送室;进气阀,其连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;排气阀,其连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及专用的多通道控制器。专用多通道控制器配置成产生对应于每一脉冲的输送前的触发信号,其中所述输送前的信号包括与将要以相应脉冲被输送的气体类型和气体量有关的信息。输送前的信号可由压力控制阀使用以便在相应脉冲的输送过程中控制处理工具内的压力。
现在从以下对示例性实施例的详细描述、附图和权利要求将明了这些以及其它组件、步骤、特征、目的、益处和优势。
附图说明
附图公开了示例性实施例。它们无需列出所有实施例。也可以使用除了上述之外或代替上述的其它实施例。为了节省空间或更有效地进行示例可省略显而易见的或不必要的细节。相反,也可以在不使用所有公开细节的情况下来实施一些实施例。
该图是利用配置成提供高速脉冲输送的专用多通道控制器的多通道气体输送***的一个实施例的方框图。
具体实施方式
现在论述示例性的实施例。也可以使用除了上述之外或代替上述的其它实施例。为了节省空间或更有效地进行示出可省略显而易见的或不必要的细节。相反,也可以在不使用所有公开细节的情况下来实施一些实施例。
该图示出多通道PGD***的一个实施例的方框图,所述多通道PGD***包括配置成提供控制高速气体脉冲输送的专用多通道控制器。所述多通道PGD***10和通过使用该***执行的方法尤其意旨将无污染的、精确计量数量的工艺气体输送到半导体工具,诸如半导体处理室或等离子蚀刻机。
如图所示,所述多通道PGD***10包括多个通道12。每个通道12为连接到气源(图中未示出)的气体供应管线,且配置成将特定的气体提供给相应的输送室14。进气阀16控制流入到相应输送室14内的流量(流动)。由相应的排气阀18控制流出每个输送室14的流量,以便将精确的气体量输送到处理室或工具20。在所示的实施例中,进气阀和排气阀都是关断阀,其具有比较快的在1至5毫秒量级的关断响应(即从打开状态过渡到关断状态)时间,但是显然其可变化。给每个输送室提供温度传感器22和压力传感器24,这样从每个输送室输送到处理室的气体的量可以根据特定输送室内气体的温度和压力、气体类型以及相应排气阀打开时间来精心地控制。根据本公开的一个示例性实施例,温度传感器22与相应输送室12的壁相接触,并提供相应输送室12壁的温度测量值,同时压力传感器24提供输送室12内的气体压力的测量值。专用控制器26被设置成接收来自相应温度传感器22和压力传感器24的读数,以及操作进气阀16和排气阀18。专用的多通道控制器26接收来自用户界面或主机控制器28的指令。专用控制器26可配置成在多个通道内复用充气和输送步骤,可使得整体的脉冲气体输送速率增加。
根据本发明的一个实施例,专用的多通道控制器26设有用于执行PDG工艺步骤的所有指令,包括接收来自每个相应温度传感器22和压力传感器24的温度和压力信号,以及以正确的顺序打开和关闭每一个进气阀16和排气阀18。程序存储于控制器上,这样***10可由来自主计算机或用户界面28的单一启动命令运行一个完整的工艺过程,而无需用户或主计算机进一步与***交互,除非希望提前结束该工艺过程。在后一种情况下,可启动单个停止命令,并提供给多通道控制器。该方法提供更好的反馈,也减少了对于主计算机而言的计算机***开销,或减少由用户通过用户界面的交互。此外,这种工艺步骤可在非常严格的公差内重复。分析表明,与例如由相应的质量流量控制器(MFC)控制每个通道内的流量时相比,实际流速可以是约3.5倍。一个实例在100毫秒内提供输送1000微摩尔的SF6或C4F8。
在操作中,通过用户界面或主机控制器28将配方程序上传到控制器26,从而将适于多通道PGD装置10的工艺步骤提供给专用输送控制器26。一旦控制器被正确编程和配置,各个通道中的脉冲气体输送的操作可以错开,以便在一系列的步骤之间提供更快的响应。如上所述,由每个脉冲输送的质量数量为从相应的温度传感器22和压力传感器24接收的温度和压力测量值、以及相应输送室14内的初始压力和压降的函数。
专用的多通道控制器26配置成将数据和指令提供给构成每个通道的组件和接收来自构成每个通道的组件的数据和指令,以及将任何额外的数据和指令提供给用户界面/主计算机28或接收来自用户界面/主计算机28的任何额外的数据和指令。用户界面/主计算机28可以是配置成使得操作者可以操作PGD***10的任何合适的装置,诸如包括键盘和显示器的计算机。应该明了其中主计算机为用于操作该工具的计算机,使用专用的控制器来执行步骤顺序释放主计算机的***操作开销,从而允许其更有效地操作。
下面是总结的一些优势:
1.用于控制流动到处理工具的流量的现有PGD***由主计算机(其使得整个处理工具运行)控制。此外主计算机通过将控制信号发送到***的各个作用组件、以及处理从压力传感器和温度传感器接收到的信号来运行PGD***。因此,用于运行PGD***的控制逻辑是处在与处理工具相关联的主计算机上。对于诸如在本申请附图中所示的PGD***而言,适于PGD***的专用多通道控制器用于接管控制逻辑和时序。由于这种布置,主机只需要发送指令来开始脉冲。其结果是以前在主计算机上进行的许多***处理开销已转移到专用的多通道控制器。这将释放主机的开销,使得主机可以完成其它功能。这允许主计算机攫取更多的数据,读取更多的指令等等。
2.在PGD工艺中,通常存在两个独立的PGD装置(一个适于蚀刻气体,以及另一个适于钝化气体),已经利用现有***使用主计算机来同时操作两者。但是,在这种布置下,主机与其中一个PGD装置通信,然后与另一个通信。因此主机需要将两者同步操作。根据本发明的布置,两个PGD装置可由专用的多通道控制器来控制。其导致接管双倍的开销。其再次释放主机。多通道PGD可通过在多个通道内复用输送和充气步骤来进一步提高整体的脉冲气体输送速率。
3.专用的多通道控制器也可将控制信号提供到独立于主机的工具上的其它装置,尤其是需要结合工具处理进行控制的那些装置。例如,在脉冲气体的时序和其它装置的操作(诸如用于控制工具室内压力的钟摆阀的打开位置)之间需要非常严格的同步。时序的密切配合导致气体的高流率。在现有的***中,主机必须进行所有的协调。因此主计算机必须通知PGD***进行脉冲,然后通知钟摆阀移动。这需要严格的同步以确保处理动作正确。这允许更好的同步,同时释放在主计算机上的控制逻辑和处理时间。
以上导致当与其中主控制器用于运行工艺类型的现有技术***相比降低PGD***的成本。该装置还允许更快的自主操作。多通道脉冲气体输送***可在不同的通道上复用充气和输送过程,这样与由主计算机控制的多个单通道脉冲气体输送***相比在多通道脉冲气体输送步骤顺序中实现了更快的输送速率。例如,当一个通道处于输送步骤时,而其它通道可处于多通道脉冲气体输送***中的充气模式。有效效果或净效益是输送速率增加。这与多个单通道脉冲气体输送***是相反的,在单通道脉冲气体输送***中,下一脉冲气体输送需要等待完成前一脉冲气体输送,其在单个通道装置中同时包括充气步骤和输送步骤。在比较实例中,充气和输送过程的步骤可在主计算机控制下在多个单通道脉冲气体输送***上同时执行时的整体输送速率通常为5赫兹,而充气和输送过程的步骤可在专用控制器(诸如由图中的附图标记26示出)的控制下在多通道脉冲气体输送***上同时执行时的输送速率通常为10赫兹。专用控制器26也可用于将输送前的触发信号提供给处理工具上的其它设备以便进行其它操作。例如,其可用于提供控制信号(从控制器26到阀控制装置32)以便打开阀(通常由附图标记30示出,且通常为节流阀或钟摆阀的形式)以及精确地控制阀的打开位置,用于控制在工具20的处理室内的在处理室中输出端处的压力。在以前,节流阀或钟摆阀30仅基于室内的不与***PGD通信的压力测量值来进行操作。根据所提出的***,多通道PGD控制器可用于控制节流阀或钟摆阀的打开位置,以便保持处理室内的压力。通过使用专用处理器来控制多个通道产生触发信号(即表示准备好系列脉冲的信号),降低工具处理器的***开销。在工艺过程运行之前,触发信号或输送前的信号使下游设备做准备。专用控制器可针对每一脉冲产生输送前的触发信号。在后一种情况下,适于每一脉冲的每一输送前的信号可包含与将要被输送的脉冲相关的信息,诸如将要被输送的气体(数)量和类型。这种信息可与用于控制处理工具内压力的钟摆阀或节流阀的阀位置相关。在工艺过程运行之前可从主机控制器或用户界面上传多脉冲气体输送工艺的配置,这样主机控制器可以做更多工作。如果使用多于一个的PGD***以及主机用于彼此相对同步,这甚至具有更大的优势。最后,专用控制器独立于主机地将输出信号提供到工具。
所述组件、步骤、特征、目的、益处和优势仅仅是说明性的。它们以及关于它们的论述决不意旨以任何方式限制保护范围。也可预期到许多其它实施例。这些其它实施例包括具有更少的、附加的、和/或不同的组件、步骤、特征、目的、益处和优势。这些也包括其中布置和/或顺序不同的组件和/或步骤的实施例。
除非另外指出,在本说明书中所提出的以及在随后的权利要求中所包括的所有测量值、值、等级、位置、幅度、尺寸以及其它规格是近似的而非确切的。它们意旨具有合理的范围,其与它们的相关功能以及它们所属领域内的惯例是相一致的。
由此在本公开中被引用的所有文献、专利、专利申请和其他出版物通过引用并入本文。
术语“用于......的装置”在权利要求中使用时意旨并应被解释为包含已被描述的相应结构和材料及其等同物。类似地,术语“用于......的步骤”在权利要求中使用时意旨并应被解释为包含已被描述的相应动作及其等同物。这些术语在权利要求中缺失的情况下意味着权利要求并不意旨且并不应被解释为被限制到相应的结构、材料或动作或其等同物。
无论是否在权利要求中记载,没有被说明或示出的内容也并不意旨或并不应被解释为对于公众而言导致任何组件、步骤、特征、目的、益处、优势、或等同物是专用的。
保护范围仅由所随附的权利要求限定。该范围意旨且应被解释为尽可能宽泛地与根据该说明书和惯例进行解释时在权利要求中所使用语言的普通意义相一致,且该范围意旨且应被解释为涵盖所有的结构和功能等同物。
Claims (21)
1.一种用于将规定质量气体的一系列脉冲输送到处理室的脉冲气体输送***,所述处理室包括被构造成控制处理室内的压力的处理室阀,所述脉冲气体输送***包括:
多个通道,每个通道包括:
气体输送室;
进气阀,其被连接成控制流入相应气体输送室内的气体;和
排气阀,其被连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及
专用多通道控制器,其配置成控制每个通道的进气阀和排气阀,以便规定质量的气体脉冲能够以根据脉冲气体输送过程的预定顺序提供给处理室;
其中,所述专用多通道控制器配置成为每个通道产生对应于该通道用的每一脉冲的输送前触发信号,其中所述输送前触发信号包括与将在相应脉冲中输送的气体的气体类型和气体质量相关的信息;
所述专用多通道控制器配置成将指令信号提供给处理室;以及
所述专用多通道控制器配置成提供输送前触发信号,以便打开处理室阀并精确地控制处理室阀的打开位置,从而控制处理室内的压力。
2.根据权利要求1所述的***,其中所述处理室包括有主计算机,其中所述脉冲气体输送过程通过由主计算机提供给专用多通道控制器的指令来启动。
3.根据权利要求1所述的***,还包括用户界面,其耦联到专用的多通道控制器,以便脉冲气体输送过程通过由用户界面提供给专用多通道控制器的指令来启动。
4.根据权利要求1所述的***,其中每个通道还包括温度传感器和压力传感器,所述温度传感器布置成提供代表输送室内气体温度的信号,以及压力传感器布置成提供代表输送室内气体压力的信号。
5.根据权利要求4所述的***,其中输送到处理室的每一气体脉冲的规定量为相应输送室内的气体温度、以及在脉冲持续时间内的相应输送室内的气体压降的函数。
6.根据权利要求1所述的***,其中所述处理室阀是一钟摆阀。
7.根据权利要求1所述的***,其中关于多通道操作的指令从与处理室相关联的主计算机或通过用户界面上传。
8.根据权利要求1所述的***,其中所述专用多通道控制器配置成独立于主机控制器在气体输送过程中控制每个通道的进气阀和排气阀。
9.根据权利要求8所述的***,其中所述主机控制器触发输送过程的启动。
10.一种组合设备,包括具有处理室的处理室***以及包括用于将规定质量气体的一系列脉冲输送到处理室的脉冲气体输送***,其中所述脉冲气体输送***包括:
多个通道,每个通道包括:
气体输送室;
进气阀,其被连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;和
排气阀,其被连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及
专用多通道控制器,其配置成控制每个通道的进气阀和排气阀,以便规定量的气体脉冲能够以根据脉冲气体输送过程的预定顺序提供给处理室;
其中,所述专用多通道控制器配置成为每个通道产生对应于该通道用的每一脉冲的输送前触发信号,其中所述输送前触发信号包括与将在相应脉冲中输送的气体的气体类型和气体质量相关的信息;
所述专用多通道控制器配置成将指令信号提供给处理室;以及
所述处理室包括配置成控制处理室内压力的处理室阀,以及所述专用多通道控制器配置成提供输送前触发信号,以便打开处理室阀并精确地控制处理室阀的打开位置,从而控制处理室内的压力。
11.根据权利要求10所述的组合设备,其中所述专用多通道控制器配置成独立于主机控制器在气体输送过程中控制每个通道的进气阀和排气阀。
12.根据权利要求11所述的组合设备,其中所述主机控制器触发输送过程的启动。
13.根据权利要求10的组合设备,其中每个通道还包括温度传感器和压力传感器,所述温度传感器布置成提供代表输送室内气体温度的信号,以及压力传感器布置成提供代表输送室内气体压力的信号。
14.根据权利要求10所述的组合设备,其中所述专用多通道控制器还配置成产生所述输送前触发信号,用于在脉冲气体输送过程之前准备处理室。
15.一种使用脉冲气体输送***将规定质量气体的一系列脉冲输送到处理室的方法,所述处理室包括被构造成控制处理室内的压力的处理室阀,所述脉冲气体输送***包括多个通道,每个通道包括:气体输送室;进气阀,其被连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;排气阀,其被连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及专用多通道控制器;所述方法包括:
配置专用多通道控制器,以使得控制器控制每个通道的进气阀和排气阀,从而能够将规定质量的气体脉冲以根据脉冲气体输送过程的预定顺序提供给处理室;
其中,所述专用多通道控制器配置成为每个通道产生对应于该通道用的每一脉冲的输送前触发信号,其中所述输送前触发信号包括与将在相应脉冲中输送的气体的气体类型和气体质量相关的信息;
所述专用多通道控制器配置成将指令信号提供给处理室;以及
所述专用多通道控制器配置成提供输送前触发信号,以便打开处理室阀并精确地控制处理室阀的打开位置,从而控制处理室内的压力。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述控制器配置成根据每个通道内的气体温度和压力来控制每个通道。
17.一种与处理室和主控制器一起使用的多通道脉冲气体输送***,所述处理室包括被构造成控制处理室内的压力的处理室阀,所述***包括多个通道,每个通道包括:气体输送室;压力传感器,其配置成测量气体输送室中的压力;进气阀,其被连接以便控制流入相应气体输送室内的气体;以及排气阀,其被连接以便控制流出相应气体输送室的气体的量;以及专用多通道控制器;
其中,所述专用多通道控制器配置成控制和协调每个通道,以便复用用气体填充所述气体输送室和从所述气体输送室输送气体的步骤;
其中,所述专用多通道控制器配置成为每个通道产生对应于该通道用的每一脉冲的输送前触发信号,其中所述输送前触发信号包括与将在相应脉冲中输送的气体的气体类型和气体质量相关的信息;
所述专用多通道控制器配置成将指令信号提供给处理室;以及
所述专用多通道控制器配置成提供输送前触发信号,以便打开处理室阀并精确地控制处理室阀的打开位置,从而控制处理室内的压力。
18.根据权利要求17所述的多通道脉冲气体输送***,其中每个通道还包括温度传感器和压力传感器,所述温度传感器布置成提供代表输送室内气体温度的信号,以及压力传感器布置成提供代表输送室内气体压力的信号。
19.根据权利要求17所述的多通道脉冲气体输送***,其中所述专用多通道控制器还配置成为每个通道产生输送前触发信号,其还包括与处理室阀位置相关的信息,所述处理室阀用于在相应的脉冲输送过程中控制在处理室内的压力。
20.根据权利要求17所述的多通道脉冲气体输送***,其中所述处理室阀为钟摆阀。
21.根据权利要求17所述的多通道脉冲气体输送***,其中所述处理室阀为节流阀。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/893,554 | 2010-09-29 | ||
US12/893,554 US8997686B2 (en) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | System for and method of fast pulse gas delivery |
US13/035,534 US9348339B2 (en) | 2010-09-29 | 2011-02-25 | Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system |
US13/035,534 | 2011-02-25 | ||
PCT/US2011/053618 WO2012050866A1 (en) | 2010-09-29 | 2011-09-28 | Method of and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103221575A CN103221575A (zh) | 2013-07-24 |
CN103221575B true CN103221575B (zh) | 2016-08-03 |
Family
ID=44863209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180056053.XA Active CN103221575B (zh) | 2010-09-29 | 2011-09-28 | 多通道脉冲气体输送***的方法和装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9348339B2 (zh) |
JP (1) | JP5903436B2 (zh) |
KR (4) | KR20180121692A (zh) |
CN (1) | CN103221575B (zh) |
DE (1) | DE112011103337T5 (zh) |
GB (1) | GB2501003B (zh) |
SG (2) | SG189097A1 (zh) |
TW (1) | TWI509100B (zh) |
WO (1) | WO2012050866A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8997686B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-04-07 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
US9348339B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-05-24 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system |
US10031531B2 (en) * | 2011-02-25 | 2018-07-24 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery |
US10126760B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-11-13 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
US10353408B2 (en) | 2011-02-25 | 2019-07-16 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
US9223319B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-12-29 | Intermolecular, Inc. | High dilution ratio by successively preparing and diluting chemicals |
JP6107327B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法 |
CN107447202B (zh) * | 2015-11-11 | 2019-05-14 | 南通大学 | 制备铝镓酸铋薄膜的气体脉冲序列 |
JP6366021B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-08-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 流量計測装置 |
US10649471B2 (en) | 2018-02-02 | 2020-05-12 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for pulse gas delivery with isolation valves |
US10698426B2 (en) | 2018-05-07 | 2020-06-30 | Mks Instruments, Inc. | Methods and apparatus for multiple channel mass flow and ratio control systems |
KR102421587B1 (ko) * | 2018-06-26 | 2022-07-15 | 가부시키가이샤 후지킨 | 유량 제어 방법 및 유량 제어 장치 |
US10725484B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-07-28 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for pulse gas delivery using an external pressure trigger |
JP7122335B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2022-08-19 | Ckd株式会社 | パルスショット式流量調整装置、パルスショット式流量調整方法、及び、プログラム |
US11772958B2 (en) * | 2020-09-17 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Mass flow control based on micro-electromechanical devices |
CN116288264A (zh) * | 2022-08-29 | 2023-06-23 | 厦门韫茂科技有限公司 | 原子层沉积设备和原子层沉积设备的定温定量输气装置 |
GB2615414A (en) * | 2022-12-22 | 2023-08-09 | Anaero Tech Limited | Fluid flow control device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101023199A (zh) * | 2004-04-12 | 2007-08-22 | Mks仪器公司 | 脉冲质量流量输送***及方法 |
CN101096753A (zh) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | 株式会社堀场制作所 | 成膜装置及成膜方法 |
US20080167748A1 (en) * | 2007-01-10 | 2008-07-10 | Mks Instruments, Inc. | Integrated pressure and flow ratio control system |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61229319A (ja) | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
JPS62273714A (ja) | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Clarion Co Ltd | 有機金属ガス供給方法および装置 |
NL8702096A (nl) | 1987-09-04 | 1989-04-03 | Stichting Katholieke Univ | Werkwijze en inrichting voor het mengen van gassen en het met behulp van een gasmengsel epitactisch vervaardigen van halfgeleiderproducten. |
US5565038A (en) | 1991-05-16 | 1996-10-15 | Intel Corporation | Interhalogen cleaning of process equipment |
JPH0645256A (ja) | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法 |
US5660207A (en) | 1994-12-29 | 1997-08-26 | Tylan General, Inc. | Flow controller, parts of flow controller, and related method |
US5524084A (en) * | 1994-12-30 | 1996-06-04 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for improved flow and pressure measurement and control |
US5865205A (en) | 1997-04-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic gas flow controller |
US6000830A (en) | 1997-04-18 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | System for applying recipe of semiconductor manufacturing apparatus |
US6269279B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | Control system |
JP3932389B2 (ja) | 1998-01-19 | 2007-06-20 | Smc株式会社 | マスフローコントローラの自己診断方法 |
JPH11212653A (ja) | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Fujikin Inc | 流体供給装置 |
JP4708516B2 (ja) * | 1998-06-01 | 2011-06-22 | 財団法人国際科学振興財団 | 半導体又は液晶製造用装置並びに液体材料ガスの気化方法 |
JP2000012464A (ja) | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 処理装置のコントローラ |
KR100427563B1 (ko) | 1999-04-16 | 2004-04-27 | 가부시키가이샤 후지킨 | 병렬분류형 유체공급장치와, 이것에 사용하는 유체가변형압력식 유량제어방법 및 유체가변형 압력식 유량제어장치 |
JP2000306884A (ja) | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6119710A (en) | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
US6089537A (en) * | 1999-06-23 | 2000-07-18 | Mks Instruments, Inc. | Pendulum valve assembly |
US6389364B1 (en) | 1999-07-10 | 2002-05-14 | Mykrolis Corporation | System and method for a digital mass flow controller |
US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
KR100444149B1 (ko) | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
US6631334B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-10-07 | Mks Instruments, Inc. | Pressure-based mass flow controller system |
US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
US6701066B2 (en) | 2001-10-11 | 2004-03-02 | Micron Technology, Inc. | Delivery of solid chemical precursors |
JP4197648B2 (ja) | 2001-10-18 | 2008-12-17 | シーケーディ株式会社 | パルスショット式流量調整装置とパルスショット式流量調整方法 |
US6766260B2 (en) | 2002-01-04 | 2004-07-20 | Mks Instruments, Inc. | Mass flow ratio system and method |
WO2003062490A2 (en) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sundew Technologies, Llc | Ald apparatus and method |
US20040050326A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
EP1649076B1 (en) | 2003-06-27 | 2010-05-19 | Sundew Technologies, LLC | Apparatus and method for chemical source vapor pressure control |
JP4285184B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
KR100589053B1 (ko) | 2003-10-15 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 소스 공급 장치, 소스 공급 방법 및 이를 이용한 원자층증착 방법 |
US20050103264A1 (en) | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Frank Jansen | Atomic layer deposition process and apparatus |
US7437944B2 (en) * | 2003-12-04 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for pressure and mix ratio control |
DE102004015174A1 (de) | 2004-03-27 | 2005-10-13 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Metalloxiden mittels nicht kontinuierlicher Precursorinjektion |
US20060207503A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Paul Meneghini | Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery |
US20060060139A1 (en) | 2004-04-12 | 2006-03-23 | Mks Instruments, Inc. | Precursor gas delivery with carrier gas mixing |
US7628861B2 (en) | 2004-12-17 | 2009-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Pulsed mass flow delivery system and method |
JP2005322668A (ja) | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Renesas Technology Corp | 成膜装置および成膜方法 |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
JP3945519B2 (ja) | 2004-06-21 | 2007-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
JP4595702B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
KR100590570B1 (ko) | 2004-11-30 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 레벨 셋 방식을 이용한 얼굴 형상 검출방법 및 장치 |
US20060130755A1 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Clark William R | Pulsed mass flow measurement system and method |
JP4705789B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
US7608549B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-10-27 | Asm America, Inc. | Method of forming non-conformal layers |
US7474968B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-01-06 | Mks Instruments, Inc. | Critical flow based mass flow verifier |
US7735452B2 (en) | 2005-07-08 | 2010-06-15 | Mks Instruments, Inc. | Sensor for pulsed deposition monitoring and control |
WO2007086458A1 (ja) | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
JP5050369B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US7369920B2 (en) | 2006-03-21 | 2008-05-06 | Mks Instruments, Inc. | Pressure control system with optimized performance |
US8202367B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-06-19 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Atomic layer growing apparatus |
US7795143B2 (en) * | 2006-08-11 | 2010-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP5235293B2 (ja) | 2006-10-02 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給機構および処理ガス供給方法ならびにガス処理装置 |
KR100835276B1 (ko) | 2006-10-23 | 2008-06-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장비 제어 시스템 및 제어 방법 |
US20090004836A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma doping with enhanced charge neutralization |
US8297223B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-10-30 | Msp Corporation | Method and apparatus for particle filtration and enhancing tool performance in film deposition |
JP5082989B2 (ja) | 2008-03-31 | 2012-11-28 | 日立金属株式会社 | 流量制御装置、その検定方法及び流量制御方法 |
US7891228B2 (en) | 2008-11-18 | 2011-02-22 | Mks Instruments, Inc. | Dual-mode mass flow verification and mass flow delivery system and method |
US8790464B2 (en) | 2010-01-19 | 2014-07-29 | Mks Instruments, Inc. | Control for and method of pulsed gas delivery |
US8997686B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-04-07 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
US9348339B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-05-24 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system |
US10353408B2 (en) | 2011-02-25 | 2019-07-16 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
-
2011
- 2011-02-25 US US13/035,534 patent/US9348339B2/en active Active
- 2011-09-28 GB GB1305776.5A patent/GB2501003B/en active Active
- 2011-09-28 KR KR1020187031516A patent/KR20180121692A/ko active Application Filing
- 2011-09-28 KR KR1020197029044A patent/KR102596243B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-28 KR KR1020137010981A patent/KR20130097214A/ko active Application Filing
- 2011-09-28 SG SG2013022280A patent/SG189097A1/en unknown
- 2011-09-28 CN CN201180056053.XA patent/CN103221575B/zh active Active
- 2011-09-28 KR KR1020157015618A patent/KR20150074210A/ko active Application Filing
- 2011-09-28 DE DE112011103337T patent/DE112011103337T5/de active Pending
- 2011-09-28 JP JP2013531758A patent/JP5903436B2/ja active Active
- 2011-09-28 SG SG10201507900QA patent/SG10201507900QA/en unknown
- 2011-09-28 WO PCT/US2011/053618 patent/WO2012050866A1/en active Application Filing
- 2011-09-29 TW TW100135295A patent/TWI509100B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101023199A (zh) * | 2004-04-12 | 2007-08-22 | Mks仪器公司 | 脉冲质量流量输送***及方法 |
CN101096753A (zh) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | 株式会社堀场制作所 | 成膜装置及成膜方法 |
US20080167748A1 (en) * | 2007-01-10 | 2008-07-10 | Mks Instruments, Inc. | Integrated pressure and flow ratio control system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013543540A (ja) | 2013-12-05 |
SG10201507900QA (en) | 2015-10-29 |
KR20190114054A (ko) | 2019-10-08 |
TWI509100B (zh) | 2015-11-21 |
GB201305776D0 (en) | 2013-05-15 |
CN103221575A (zh) | 2013-07-24 |
DE112011103337T5 (de) | 2013-07-18 |
TW201231713A (en) | 2012-08-01 |
KR20130097214A (ko) | 2013-09-02 |
GB2501003B (en) | 2017-04-19 |
SG189097A1 (en) | 2013-05-31 |
US20120076935A1 (en) | 2012-03-29 |
KR102596243B1 (ko) | 2023-10-31 |
KR20150074210A (ko) | 2015-07-01 |
WO2012050866A1 (en) | 2012-04-19 |
US9348339B2 (en) | 2016-05-24 |
KR20180121692A (ko) | 2018-11-07 |
JP5903436B2 (ja) | 2016-04-13 |
GB2501003A (en) | 2013-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103221575B (zh) | 多通道脉冲气体输送***的方法和装置 | |
CN103608486B (zh) | 快速脉冲气体传输***及其方法 | |
TWI487806B (zh) | 用於快速脈衝氣體傳送的系統及方法 | |
US10969799B2 (en) | System for and method of fast pulse gas delivery | |
TW201320185A (zh) | 用於控制時間多工的深反應式離子蝕刻製程的系統及方法 | |
CN106103796B (zh) | 用于快速脉冲气体输送的***和方法 | |
US10031531B2 (en) | System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |