CN103187512A - 发光器件 - Google Patents
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Abstract
本文公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；支撑元件，位于该发光结构下方；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开。第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接，以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的***部分。
Description
相关申请交叉引用
本申请要求2012年1月3日提交的韩国专利申请第10-2012-0000723号和10-2012-0000724号的优先权，其全文通过引用全部合并在此。
技术领域
本实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。
背景技术
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被广泛用作发光器件（例如，发光二极管（LED）或激光二极管（LD））的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括组分分子式为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1）的半导体材料。
LED是半导体器件，其通过使用化合物半导体的特性将电信号转换成红外线或光来传送/接收信号。LED还用作光源。
使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或LD用作各种产品的光源，这些产品例如为移动电话的键盘发光部件、电子广告牌以及照明器件。
发明内容
本实施例提供一种具有新颖结构的发光器件。
本实施例提供一种晶片级封装发光器件。
本实施例提供一种包括支撑元件的发光器件，该支撑元件具有布置在第一电极和第二电极周围的陶瓷基添加剂。
本实施例提供一种发光器件，其中具有第一极性的多个连接电极被嵌入支撑发光结构的支撑元件中。
本实施例提供一种发光器件，其中具有第一极性的第一连接电极被布置在具有第一极性的多个第二连接电极之间。
本实施例提供一种具有发光器件和发光模块的发光器件封装。
根据实施例的发光器件包括：发光结构，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层，位于第一导电半导体层下方；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；支撑元件，位于该发光结构下方；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开，其中第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接且与第二连接电极电性绝缘，以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的***部分。
根据实施例的发光器件包括：透明衬底；支撑元件，位于透明衬底下方；发光结构，布置在透明衬底与支撑元件之间，并且该发光结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开，其中第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接且与第二连接电极电性绝缘，以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的***部分。
根据实施例的发光器件封装包括：主体，具有空腔；第一引线电极，位于主体的空腔中；第三引线电极，位于主体的空腔中；第二引线电极，布置在空腔中的第一引线电极与第三引线电极之间；发光器件，布置在第一引线电极至第三引线电极上且电性连接至第一引线电极至第三引线电极；以及间隙部，置于第一引线电极至第三引线电极中，其中发光器件包括：发光结构，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；支撑元件，位于发光结构下方；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开，以及其中第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接且与第二连接电极电性绝缘，支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的***部分；以及第一引线电极至第三引线电极以相同的间距与支撑元件和第一连接电极至第三连接电极间隔开。
附图说明
图1为示出根据第一实施例的具有发光器件的发光器件封装的侧剖视图；
图2为图1所示的发光器件的侧剖视图；
图3为图2所示的发光器件的仰视图；
图4为示出图1的第一电极和第二电极的具体结构的视图；
图5为示出根据第二实施例的发光器件封装的侧剖视图；
图6为示出根据第三实施例的发光器件封装的侧剖视图；
图7为示出根据第四实施例的发光器件封装的侧剖视图；
图8为示出根据第五实施例的发光器件封装的侧剖视图；
图9为图8所示的发光器件封装的侧剖视图；
图10为示出图1所示的发光器件的第一变型示例的视图；
图11为示出图1所示的发光器件的第二变型示例的视图；
图12为示出根据第六实施例的发光器件封装的侧剖视图；
图13为示出图12所示的发光器件封装的发光器件的视图；
图14为示出图12所示的发光器件的第一变型示例的视图；
图15为示出根据第七实施例的具有发光器件的发光器件封装的侧剖视图；
图16为图15所示的发光器件的侧剖视图；
图17至图19为示出图16所示的发光器件的第一连接电极至第三连接电极的示例的视图；
图20为示出根据第七实施例的具有发光器件的发光模块的侧剖视图；
图21为示出根据第八实施例的具有发光器件的发光器件封装的平面图；
图22为图21所示的发光器件封装的侧剖视图；
图23为图21所示的发光器件的侧剖视图；
图24至图29为示出图16所示的发光器件的制造过程的视图；
图30为示出根据第九实施例的发光器件的侧剖视图；
图31为示出根据第十实施例的发光器件的侧剖视图；
图32为图31所示的发光器件的第一示例的仰视图；
图33为图31所示的发光器件的第二示例的仰视图；
图34为图31所示的发光器件的第三示例的仰视图；
图35为示出根据第十一实施例的发光器件的侧剖视图；
图36为图35所示的发光器件的第一示例的仰视图；
图37为图35所示的发光器件的第二示例的仰视图；
图38为示出根据第十二实施例的发光器件的侧剖视图；
图39为图38所示的发光器件的第一示例的仰视图；
图40为图38所示的发光器件的第二示例的仰视图；以及
图41为示出根据第十三实施例的发光器件的侧剖视图。
图42为示出根据实施例的具有发光器件封装的显示器显示装置的透视图；
图43为示出根据实施例的具有发光器件封装的显示器显示装置的剖视图；以及
图44为具有带有发光器件的发光器件封装的照明单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解，当某一层（或膜）、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一层（或膜）、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案的“上方”或“下方”时，其可“直接”或“间接”位于另一个衬底、层（或膜）、区域、焊盘或图案上方或下方，并且也可以存在一个或多个中间层。参考附图描述层的这种位置。
为了方便或清晰起见，附图所示的每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性示出。另外，元件的尺寸并不完全反映其实际尺寸。
在下文中，将参考附图来描述实施例。
图1为示出根据第一实施例的具有发光器件的发光器件封装的侧剖视图，图2为图1所示的发光器件的侧剖视图，以及图3为图2所示的发光器件的仰视图。
参照图1，发光器件封装200包括：主体211，具有空腔212；第一引线电极215和第二引线电极217，其至少一部分布置在空腔212中；以及发光器件100。
主体211可以包括绝缘材料或导电材料。主体211可以包括树脂材料（例如，聚酞酸酯（PPA）或聚对苯二甲酸环己二醇脂（polycyclohexyleneterephthalate）（PCT）、硅（Si））、金属材料、磷硅玻璃（PSG）、蓝宝石（Al2O3）以及印刷电路板（PCB）中的至少一个。例如，主体211通过使用树脂材料（例如，环氧树脂或硅树脂）进行注塑。
主体211可以通过使用对从发光器件100发射的光反射50%或更多的材料形成。另外，主体211可以通过使用对从发光器件100发射的光传送50%或更多的材料形成。
主体211包括具有环氧树脂的环氧塑封料（EMC）材料，并且EMC材料呈现经改善的成形性、防潮性以及粘着性，并包括绝缘材料。为了增强反射效率，主体211可以具有包括金属氧化物（例如，TiO2或SiO2）的填充剂。具有至少10wt%（例如，至少15wt%）的含量的填充剂可以包含于主体211中。主体211可以包括用于光反射的反射材料，或者可以包括用来扩大光定向角（orientation angle）的分布的透明材料，但实施例不限于此。
根据另一个实施例，主体211可以包括树脂衬底或陶瓷衬底，并能够形成为单层衬底或复合层衬底。
主体的空腔212是出光区域，并且空腔212的顶面是开放的。空腔212的侧壁213倾斜或垂直于空腔212的底面。如果空腔的侧壁213是倾斜的，则相对于空腔212的底面的倾斜角处于5°至90°的范围中。空腔212的侧壁213可以离发光器件100的支撑元件151比离衬底111近。空腔的底面可以用作第一引线电极215和第二引线电极217的顶面，但实施例不限于此。
第一引线电极215和第二引线电极217的至少一部分布置在空腔212中。第一电极215的一部分在主体211中延伸的同时暴露于空腔212的底部。第一引线电极215和第二引线电极217可以包括包含Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及Al中的至少一个的金属材料。另外，第一引线电极215和第二引线电极217可以被制备为具有单层结构或复合层结构的引线框，但实施例不限于此。第一引线电极215和第二引线电极217可以具有处于0.8mm至3mm范围中的厚度，但实施例不限于此。
第二引线电极217的一部分在主体211中延伸的同时暴露于空腔212的底部。第一引线电极215和第二引线电极217可以暴露于主体211的底面，但实施例不限于此。第一引线电极215和第二引线电极217的底面在相同的平面上与主体211的底面对齐，以便容易地安装到电路板上，但实施例不限于此。另外，第一引线电极215和第二引线电极217的底面可以高于或低于主体211的底面而对齐。第一引线电极215和第二引线电极217的至少一部分可以包括弯曲结构，但实施例不限于此。粗糙表面可以形成在第一引线电极215和第二引线电极217的至少一个表面上，以增大主体211与间隙部214之间的接触面积。这样，能够提供具有优良耐湿性的发光器件封装。
根据另一个实施例，凹部形成在空腔的底部，并且第一引线电极215和第二引线电极217被布置在凹部中。发光器件100的下部电极可以在凹部中彼此电性连接。凹部的深度可以低于发光器件100的支撑元件的底面与有源层之间的距离且高于支撑元件的顶面与有源层之间的距离。
第一引线电极215的第一端子被布置在主体211的第一侧面23下方或者在主体211的第一侧面23下方突出。第二引线电极217的第二端子被布置在主体211的第二侧面24下方或者在主体211的第二侧面24下方突出。
发光器件100经由倒装方案被接合到第一引线电极215和第二引线电极217上。具体而言，发光器件100的第一连接电极141被接合到第一引线电极215上，发光器件100的第二连接电极143被接合到第二引线电极217上。第一连接电极141经由直接接合（例如，共熔（eutectic）接合）或经由接合元件（例如，焊料）被接合到第一引线电极215。第二连接电极143经由直接接合（例如，共熔接合）或经由接合元件（例如，焊料）被接合到第二引线电极217。
第一引线电极215与第一连接电极141之间的间距等于第二引线电极217与第二连接电极143之间的间距。另外，发光器件100的支撑元件151被布置得与第一引线电极215和第二引线电极217的顶面对应，并且可以与第一引线电极215和第二引线电极217间隔相同的间距。
发光器件100的支撑元件151直接或间接与第一引线电极和第二引线电极215和217的顶面接触，使得经由第一引线电极215和第二引线电极217实现热传导。第一连接电极141和第二连接电极143至少之一的数量可以是多个。多个第一连接电极141和/或多个第二连接电极143可以增大相对于第一引线电极215和/或第二引线电极217的电接合区域。这样，能够提高发光器件100的热传导效率。
另外，空腔212的侧壁213与发光器件的侧面S2之间的间距M1可以等于或窄于发光器件100的宽度D1。即，由于发光器件100是倒装接合的，因而可不需要导线或用于使用导线连接发光器件100的过程，并且可不需要导线的接合面积（例如，150μmx150μm）。这样，能够更加减小发光器件与空腔212的侧壁213之间的间距M1，从而能够减小主体211的尺寸。间距M1可以根据侧壁213的位置变化，并且可以大于1μm（例如，处于0.01μm至2mm范围中）。由于空腔212中的导线没有光干扰，因而能够通过控制间距M1来调节光的定向角的分布。
模塑元件218被布置在空腔212中。模塑元件218包括透明树脂材料（例如，硅或环氧树脂）。模塑元件218可以包括荧光粉（phosphor）。模塑元件218可以包括至少一个透明树脂层，并且荧光粉与发光器件100的顶面接触，或者与发光器件100的顶面间隔开。荧光粉包括从由YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧基（oxy-nitride-based）材料构成的组里选择的一个。例如，荧光粉包括红色荧光粉、黄色荧光粉以及绿色荧光粉中的至少一个。当安装了具有发光荧光层的发光器件时，发光器件封装200中的模塑元件218可以不另外添加荧光材料，而是添加互不相同的荧光粉或发出相似颜色的荧光粉。
发光器件100能够选择性地发出在紫外（UV）线频带至可见光频带范围中的预定波长的光。例如，发光器件100可以从红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片、UV LED芯片以及白色LED芯片中选择。发光器件100包括具有III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体中的至少一个的LED芯片。
保护芯片（未示出）可以被布置在发光器件封装200中。该保护芯片可以包括晶闸管、齐纳二极管或TVS（瞬态电压抑制），但实施例不限于此。
从发光器件100的发光结构120产生的光经由发光器件100的顶面和侧表面发出，并且所发出的光可以经由模塑元件218释放到外部。
图2为根据第一实施例的发光器件封装的发光器件的侧剖视图，图3为图2所示的发光器件的仰视图。
参照图2和图3，发光器件100包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143以及支撑元件151。
衬底111可以包括透明衬底、绝缘衬底或导电衬底。例如，衬底111可以包括Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge以及Ga2O3中的至少一个。对将透明衬底作为进行光提取的衬底111的示例进行描述。光提取结构（例如，凹凸图案）可以形成在位于衬底111与第一半导体层113之间的衬底111的底面上。该凹凸图案能够通过蚀刻衬底111或在衬底111上形成粗糙部（roughness）而形成。该凹凸图案可以具有条形形状或凸透镜形状。衬底111可以是具有出光表面的透明衬底，并且可以具有处于30μm至300μm范围中的厚度。
第一半导体层113可以形成在衬底111的底面上。第一半导体层113可以包括选择性地包括II族化合物半导体至VI族化合物半导体的化合物半导体。具体而言，第一半导体层113能够通过使用II族化合物半导体至VI族化合物半导体形成单层结构或复合层结构。第一半导体层113可以由II族化合物半导体至VI族化合物半导体中的III-V族化合物半导体形成。例如，第一半导体层113可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN以及AlInN中的至少一个。第一半导体层113可以包括氧化物（例如，ZnO），但实施例不限于此。
第一半导体层113可以包括缓冲层。该缓冲层能够削弱衬底与氮化物半导体层之间的晶格失配。第一半导体层113可以包括非掺杂半导体层。该非掺杂半导体层可以被制备为包括III-V族化合物半导体的GaN基半导体层。即使在制造过程中未有意添加导电掺杂剂，该非掺杂半导体层可以具有第一导电性能。另外，该非掺杂半导体层具有低于第一导电半导体层115的导电掺杂剂的掺杂剂浓度。第一半导体层113可以包括缓冲层和非掺杂半导体层中的至少一个，但实施例不限于此。
发光结构120可以形成在第一半导体层113下方。发光结构120包括II-VI族化合物半导体中的III-V族化合物半导体。例如，发光结构120包括组分分子式为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体，并且能够发出具有处于紫外线频带至可见光频带波长范围中的预定峰值波长的光。
发光结构120包括第一导电半导体层115、第二导电半导体层119以及位于第一导电半导体层115与第二导电半导体层119之间的有源层117。
第一导电半导体层115被布置在衬底111与有源层117之间。第一导电半导体层115可以包括掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族化合物半导体。第一导电半导体层115是组分分子式为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的n型半导体层，而第一导电掺杂剂是包括Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。
包括交替叠置在彼此之上的各种半导体层的超晶格结构可以形成在第一导电半导体层115与第一半导体层113之间。该超晶格结构可以减少晶格缺陷。该超晶格结构的每一层可以具有大约几
或更大的厚度。
第一导电包覆层（未示出）可以形成在第一导电半导体层115与有源层117之间。该第一导电包覆层可以包括GaN基半导体，并具有高于有源层117的带隙。该第一导电包覆层限制（confine）载流子。
有源层117形成在第一导电半导体层115下方。有源层117选择性地包括单量子阱结构、多量子阱（MQW）结构、量子线结构或量子点结构，并且可以具有阱层和势垒层的周期结构。该阱层可以具有组分分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），该势垒层可以具有组分分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。
该阱层/势垒层可以通过使用InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/InAlGaN或AlInN/InGaN的叠层结构而具有至少一个周期。该势垒层可以包括带隙高于该阱层的半导体材料。
第二导电半导体层119形成在有源层117下方。第二导电半导体层119可以包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体。例如，第二导电半导体层119可以包括诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或AlInN等化合物半导体。第二导电半导体层119是组分分子式为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的P型半导体层，并且第二导电掺杂剂是P型掺杂剂（例如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba）。
第二导电半导体层119可以包括超晶格结构（例如InGaN/GaN或AlGaN/GaN）。第二导电半导体层119的超晶格结构可以扩散电压中包含的异常电流，从而保护有源层117。第二包覆层和/或电子阻挡层（未示出）可以被布置在第二导电半导体层119与有源层117之间。第二包覆层可以具有高于电子阻挡层的带隙并限制载流子。另外，电子阻挡层可以包括AlGaN基材料，并作为用于电子的势垒。
另外，第一导电半导体层115可以被制备为p型半导体层，第二导电半导体层119可以被制备为n型半导体层。具有与第二导电半导体层119相反极性的第三导电半导体层可以形成在第二导电半导体层119下方。
可以通过第一导电半导体层115、有源层117以及第二导电半导体层119来限定发光器件100的发光结构120。发光结构120可以具有n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的一个。这种情况下，符号“n”和“p”分别表示n型半导体层和P型半导体层，符号“-”表示两个层直接或间接叠置在彼此之上。在下文中，为了方便说明，将第二导电半导体层119称为发光结构120的最上层。
反射电极层131被布置在第二导电半导体层119下方。反射电极层131包括欧姆接触层、反射层、扩散阻挡层以及保护层中的至少一个。反射电极层131可以包括欧姆接触层/反射层/扩散阻挡层/保护层、反射层/扩散阻挡层/保护层、欧姆接触层/反射层/保护层、反射层/扩散阻挡层、或反射层的结构。
欧姆接触层与第二导电半导体层119的底面接触，其中欧姆接触层的接触面积与基于第二导电半导体层119的底面面积的70%或更大面积对应。欧姆接触层可以包括从由ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟锌锡氧化物）、AZO（氧化铝锌）、ATO（氧化铝锡）、GZO（氧化镓锌）、SnO、InO、InZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Ni、Cr构成的组里选择的一个及其化合物或合金。欧姆接触层可以包括厚度为大约
至
的至少一个层。
形成在欧姆接触层下方的反射层可以包括反射率为大约70%或以上的材料。例如，反射层可以包括从由Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir构成的组里选择的一个以及具有至少两个上述元素的合金。反射层的金属与第二导电半导体层119的底面欧姆接触。这种情况下，能够省略欧姆接触层。反射层可以具有大约
至
的厚度。
扩散阻挡层可以包括从由Au、Cu、Hf、Ni、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个以及具有至少两个上述元素的合金。扩散阻挡层防止在两个不同层之间的边界区域处的层间扩散。扩散阻挡层可以具有大约至
的厚度。
保护层可以包括从由Au、Cu、Hf、Ni、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个以及具有至少两个上述元素的合金。保护层可以具有大约
至的厚度。
从发光结构120向下行进的光从布置在发光结构120与支撑元件151之间的包括反射金属的反射电极层131反射，从而能够提高光提取效率。透明绝缘层可以被进一步布置在反射电极层131与发光结构120之间。透明绝缘层可以扩散从发光结构120向下行进的光，使得光能够传递到反射电极层131。
反射电极层131可以包括透明电极层/反射层的叠层结构。透明电极层可以包括从由ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟锌锡氧化物）、AZO（氧化铝锌）、ATO（氧化铝锡）、GZO（氧化镓锌）、SnO、InO、InZnO、ZnO、IrOx以及RuOx构成的组里选择的一个。反射层可以形成在透明电极层下方。反射层包括具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层。反射层可以包括其中交替叠置有至少两对第一层和第二层的叠层结构。第一折射率与第二折射率不同，并且第一层和第二层可以包括折射率处于1.5至2.4范围中的材料。例如，第一层和第二层可以包括导电材料或绝缘材料。这种结构可以被定义为DBR（分布式布拉格反射）结构。
光提取结构（例如，粗糙部或凹凸图案）能够形成在第二导电半导体层119和反射电极层131的至少一个的表面上。光提取结构可以改变入射光的临界角以提高光提取效率。
第一电极135形成在第一导电半导体层115的局部区域A1下方，第二电极137形成在反射电极层131的预定区域下方。第一连接电极141形成在第一电极135下方，第二连接电极143形成在第二电极137下方。第一电极135和第一连接电极141可以被定义为第一电极元件，第二电极137和第二连接电极143可以被定义为第二电极元件。另外，第一连接电极141和第二连接电极143可以被定义为布置在支撑元件151中的通路电极，但实施例不限于此。
第一电极135电性连接至第一导电半导体层115的局部区域A1。第一电极135可以包括电极焊盘，但实施例不限于此。除局部区域A1之外，第一电极135和第一连接电极141可以延伸到反射电极层131下方的区域。第二电极137可以延伸到布置在反射电极层131下方的绝缘层133，并可以连接至至少一个第二连接电极143。
第一电极135和第二电极137可以具有小于第一连接电极141和第二连接电极143的厚度。
第一电极135与有源层117的侧面间隔开，第二导电半导体层119具有小于第一导电半导体层115的局部区域A1的面积。
第二电极137可以连接至反射电极层131和第二导电半导体层119中的至少一个。第二电极137可以物理和/或电性连接至第二导电半导体层119。第二电极137包括电极焊盘。一个或多个第二电极137和第二连接电极143可以形成在反射电极层131下方，但实施例不限于此。第一电极135和第二电极137可以包括Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ni、Mo、W、La、Ta、Ti中的一个及其合金。
第一电极和第二电极135和137可以具有相同的叠层结构或互相不同的叠层结构。第二电极137的叠层结构可以小于第一电极135的叠层结构。例如，第一电极135可以具有粘合层/反射层/扩散阻挡层/接合层、或粘合层/扩散阻挡层/接合层的叠层结构，而第二电极137可以具有粘合层/反射层/扩散阻挡层/接合层、或粘合层/扩散阻挡层/接合层的叠层结构。
第二电极137的顶面面积等于反射电极层131的底面面积或至少大于第二连接电极143的顶面面积。
第一电极135和第二电极137中的至少一个可以包括具有从电极焊盘分支的臂结构或指状结构的电流扩散图案。另外，第一电极和第二电极135和137可以包括一个电极焊盘或多个电极焊盘，但实施例不限于此。
第一连接电极141和第二连接电极143可以用作用于供电的引线和散热路径。第一连接电极141和第二连接电极143可以具有柱形（column shape）。例如，第一连接电极141和第二连接电极143可以具有球形、圆柱形、多边形柱形或不规则形状。多边形柱形可以是等角柱形或者也可以不是，但实施例不限于此。第一连接电极141和第二连接电极143的顶面和底面可以具有圆形或多边形，但实施例不限于此。第一连接电极141和第二连接电极143的底面面积可以与第一连接电极141和第二连接电极143的顶面面积不同。例如，第一连接电极141和第二连接电极143的底面面积可以大于或小于第一连接电极141和第二连接电极143的顶面面积。
第一连接电极141和第二连接电极143中的一个小于发光结构120的底面的宽度且大于第一电极135和第二电极137的底面的直径或宽度。
第一连接电极141和第二连接电极143的直径或宽度处于1μm至100000μm范围中，第一连接电极和第二连接电极141和143的高度处于1μm至100000μm范围中。第一连接电极141的高度H1可长于第二连接电极143的高度H2，并且第一连接电极141和第二连接电极143的底面可以在相同的平面上（即，水平面）对齐。
第一连接电极141和第二连接电极143可以通过使用一个金属或合金被制备为单层。该单层的宽度和高度处于1μm至100000μm范围中。例如，该单层的厚度大于第二连接电极143的厚度。
第一连接电极141和第二连接电极143可以包括从由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W构成的组里选择的一个及其合金。为了提高针对第一电极和第二电极135和137的粘合强度，第一连接电极和第二连接电极141和143可以镀有金属，所述金属包括从由In、Sn、Ni、Cu构成的组里选择的一个及其合金。此时，电镀厚度可以处于
至
范围中。
镀层能够进一步形成在第一连接电极141和第二连接电极143的表面上。镀层可以包括Tin或其合金、Ni或其合金、或Tin-Ag-Cu。此时，镀层可以具有大约0.5μm至10μm的厚度。镀层能够提高针对其它接合层的接合强度。
绝缘层133可以形成在反射电极层131下方。具体而言，绝缘层133能够形成在第二导电半导体层119的底面、第二导电半导体层119和有源层117的侧面以及第一导电半导体层115的预定区域A1的底面上。绝缘层133形成在发光结构120的除了用于反射电极层131、第一电极135以及第二电极137的区域之外的下部区域上，以电性保护发光结构120的下部。
绝缘层133包括通过使用包括Al、Cr、Si、Ti、Zn以及Zr中的至少一个的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物形成的绝缘材料或绝缘树脂。例如，绝缘层133可以包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2构成的组里选择的一个。绝缘层133可以被制备为单层或复合层，但实施例不限于此。为了进行倒装接合，当金属结构形成在发光结构下方时，绝缘层133防止发光结构120的层间短路。
绝缘层133能够仅形成在发光结构120的表面上，而不形成在反射电极层131的底面上。由于具有绝缘性能的支撑元件151形成在反射电极层131的底面上，因而绝缘层133可以不必延伸到反射电极层131的底面。
绝缘层133具有折射率彼此不同的第一层和第二层交替对齐的DBR结构。具体而言，第一层包括SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2中的一个，第二层包括除第一层的材料外的材料。这种情况下，可以省略反射电极层。
绝缘层133可以具有至
范围中的厚度。如果绝缘层133被制备为复合层，则每一层可以具有至
或
至
范围中的厚度。具有复合层的绝缘层133的每一层的厚度可以根据发射波长来改变反射效率。
第一连接电极141和第二连接电极143可以包括Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W及其合金。另外，第一连接电极141和第二连接电极143可以具有包括In、Sn、Ni、Cu及其合金的镀层，以提高针对第一电极135和第二电极137的粘合强度。这种情况下，镀层具有处于
至
范围中的厚度。第一连接电极和第二连接电极141和143可以用作焊料球或金属凸块，但实施例不限于此。
支撑元件151被布置在发光器件100下方，并用作支撑层以支撑发光器件100。支撑元件151可以与第一电极135和第二电极137、绝缘层133以及第一连接电极141和第二连接电极143物理接触。支撑元件151在发光结构120下方与发光结构120垂直重叠。另外，支撑元件151可以在发光结构120下方不向外突出于发光结构120的侧面。另外，支撑元件的整个顶面低于发光结构120。
支撑元件151包括绝缘材料。例如，绝缘材料可以是包括硅或环氧树脂的树脂。另外，绝缘材料可以包括糊料（paste）或绝缘墨。绝缘材料还可以包括从由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰氨树脂、聚酰亚胺树脂、非饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂（PPE）、聚硫化亚苯树脂（PPO）、聚苯硫醚树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯（BCB）、聚酰胺大分子聚合物（Polyamido-amine Dendrimers，PAMAM）、聚丙烯亚胺大分子聚合物（PPI）、具有PAMAM内部结构及有机硅外表面的PAMAM-OS（有机硅）构成的组里选择的树脂及其组合。用于支撑元件151的材料可以与用于绝缘层133的材料不同。
至少一个化合物（例如，包括Al、Cr、Si、Ti、Zn以及Zr中的至少一个的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物）能够被添加到支撑元件151。添加到支撑元件151的化合物可以是热扩散剂（未示出）。热扩散剂是具有预定尺寸的粉粒、颗粒、填充剂或添加剂。在以下描述中，为了方便说明，将描述包括热扩散剂的支撑元件151。热扩散剂可以包括尺寸为
至
的绝缘材料或导电材料。为了提高热扩散效率，热扩散剂可以具有
至
的尺寸。热扩散剂的颗粒可以具有球形或不规则形状，但实施例不限于此。
热扩散剂可以包括热传导系数高于构成支撑元件151的绝缘材料的材料。热扩散剂包括陶瓷材料。陶瓷材料包括LTCC（低温共烧陶瓷）、HTCC（高温共烧陶瓷）、氧化铝、石英、锆酸钙、镁橄榄石、SiC、石墨、熔融石英、莫来石（mullite）、董青石、氧化锆、氧化铍以及氮化铝中的至少一个。陶瓷材料可以包括热传导系数高于氮化物或氧化物的金属氮化物。例如，金属氮化物可以包括热传导系数等于或高于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC（SiC-BeO）、BeO、CeO以及AlN构成的组里选择的一个。导热材料可以包括C类化合物（C-component）（例如，金刚石或CNT）
支撑元件151能够被制备为单层结构或复合层结构。当支撑元件151被制备为复合层结构时，下部支撑元件形成在上部支撑元件下方。支撑元件151中设置有陶瓷粉，从而能够提高支撑元件151的强度和热传导系数。
另外，添加到支撑元件151的树脂材料的热扩散剂的量可以是1wt%至99wt%。为了提高热扩散效率，50wt%至99wt%的热扩散剂能够被添加到支撑元件151。由于热扩散剂被添加到支撑元件151，因而能够在支撑元件151的内部更加提高热传导系数。另外，支撑元件151具有热膨胀系数4-11。上述热膨胀系数等于或类似于衬底111（例如，蓝宝石衬底）的热膨胀系数，因而不会由于形成在衬底上的支撑元件151与发光结构120之间的热膨胀系数的差值而引起晶片扭曲或损坏，从而提高了发光器件的可靠性。
支撑元件151的底面是与衬底111的顶面相对的表面，并且支撑元件151的底面可以对应于或平行于衬底111的顶面。支撑元件151的底面面积基本等于支撑元件151的顶面面积。另外，支撑元件151的底面面积等于第一导电半导体层115的顶面面积。另外，支撑元件151的底面的宽度可以等于衬底111的顶面的宽度以及第一导电半导体层115的顶面的宽度。这样，由于在形成支撑元件151之后划分各个芯片，因而支撑元件151、衬底111以及第一导电半导体层115的侧面能够在相同的平面上对齐。根据另一个实施例，支撑元件151的底面面积可以大于或窄于衬底111的顶面S1的面积，但实施例不限于此。
支撑元件151的一个侧面S11可以在与衬底111的一个侧面S2相同的平面上对齐，并且可以垂直对齐于支撑元件151的底面S12。
参照图3，支撑元件151的侧面S11中的第一侧面的长度D1与衬底111的对应于支撑元件151的第一侧面的第一侧面的长度基本相同。另外，支撑元件151的侧面S11中的第二侧面的长度D2与衬底111的对应于支撑元件151的第二侧面的第二侧面的长度基本相同。另外，支撑元件151的第一侧面和第二侧面的长度D1和D2可以长于或短于衬底111的第一侧面和第二侧面的长度，但实施例不限于此。另外，第一连接电极141和第二连接电极143之间的距离D5是两个邻近的电极焊盘之间的间距，并对应于相对于发光器件的一个侧面的长度的1/2或更大。支撑元件151的底面是基本上平坦的表面或不规则的表面，但实施例不限于此。
支撑元件151的第一区域的厚度T1至少厚于第二连接电极143的厚度H2。可选地，支撑元件151的第一区域的厚度T1可以薄于第二连接电极143的厚度H2。如果绝缘层133的厚度厚于第二连接电极143的厚度，则支撑元件151的厚度可以变薄。另外，支撑元件151的第二区域的厚度T2可以厚于第一连接电极141的厚度。支撑元件151的厚度T1可以处于1μm至100000μm或50μm至1000μm范围中。支撑元件151的厚度T1可以厚于衬底111的厚度，但实施例不限于此。
支撑元件151的底面低于第一电极135和第二电极137的底面，并且在相同的平面（即，水平面）上与第一连接电极141和第二连接电极143的底面对齐。
支撑元件151与第一电极135和第二电极137以及第一连接电极141和第二连接电极143的外周表面接触。这样，从第一电极135和第二电极137以及第一连接电极141和第二连接电极143感生的热能够经由支撑元件151扩散并消散。能够通过包含于支撑元件151中的热扩散剂提高支撑元件151的热传导系数，使得支撑元件151能够经由支撑元件151的整个表面散热。这样，发光器件100的耐热可靠性得以提高。
另外，支撑元件151的一个侧面S11能够在相同的平面（即，垂直面）上与发光结构120和衬底111的侧面对齐。另外，支撑元件151的一个或至少一个侧面可以突出于发光结构120以及衬底111的侧面S2，但实施例不限于此。
发光器件100经由倒装方案安装，因而大部分光朝向衬底111的顶面S1发出，一些光通过衬底111和发光结构120的侧面发出。这样，能够减小由于第一电极135和第二电极137造成的光损失。
图4为示出图2的第一电极和第二电极的具体结构的视图。
参照图4，第一电极135和第二电极137中的至少一个包括电极焊盘30A、位于电极焊盘30A下方的第一接合电极30B、以及位于第一接合电极30B下方的第二接合电极30C。第一电极135的电极焊盘30A可以与第一导电半导体层115物理接触，第二电极137的电极焊盘30A可以与反射电极层131物理接触。第一接合电极30B在电极焊盘30A与第二接合电极30C之间对齐以将电极焊盘30A与第二接合电极30C接合，第二接合电极30C在第一接合电极30B与连接电极141和143之间对齐以将第一接合电极30B与连接电极141和143接合。电极焊盘30A、第一接合电极30B以及第二接合电极30C可以具有相同的宽度，或者电极焊盘30A、第一接合电极30B以及第二接合电极30C中的至少一个可以具有与其它部件宽度不同的宽度，但实施例不限于此。
电极焊盘30A包括粘合层31、位于粘合层31下方的反射层32、位于反射层32下方的扩散阻挡层33、以及位于扩散阻挡层33下方的接合层34。粘合层31被接合到反射电极层131或第一导电半导体层115的下部，并包括从由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf构成的组里选择的一个及其合金。粘合层31具有大约
至
的厚度。反射层32形成在粘合层31下方，并包括从由Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd构成的组里选择的一个及其合金。反射层32具有大约
至
的厚度。扩散阻挡层33形成在反射层32下方，并包括从由Ni、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个及其合金。扩散阻挡层33具有大约
至
的厚度。接合层34包括从由Al、Au、Cu、Hf、Pd、Ru、Rh、Pt构成的组里选择的一个及其合金。接合层34具有大约
至
的厚度。电极焊盘30A可以不包括反射层32。
第一接合电极30B可以包括至少三个金属层。第一接合电极30B包括粘合层35、位于粘合层35下方的支撑层36、以及位于支撑层36下方的保护层37。粘合层35被接合到电极焊盘30A，并包括从由Cr、Ti、Co、Cu、Ni、V、Hf构成的组里选择的一个以及包含至少两个上述元素的合金。粘合层35具有大约至的厚度。支撑层36厚于粘合层35，并包括从由Ag、Al、Au、Co、Cu、Hf、Mo、Ni、Ru、Rh、Pt、Pd构成的组里选择的一个以及包含至少两个上述元素的合金。支撑层36具有大约至
或至
的厚度。保护层37保护半导体层免受外部冲击，并包括从由Au、Cu、Ni、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个以及包含至少两个上述元素的合金。保护层37具有大约
至
的厚度。
另外，第一接合电极30B的粘合层35和支撑层36可以至少重复叠置一个周期。
第二接合电极30C包括至少三个金属层。具体而言，第二接合电极30C包括粘合层38、位于粘合层38下方的扩散阻挡层39、以及位于扩散阻挡层39下方的接合层40。粘合层38被接合到第一接合电极30B，并包括从由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf构成的组里选择的一个以及包含至少两个上述元素的合金。粘合层38具有大约
至
的厚度。扩散阻挡层39防止层间扩散，并包括从由Ni、Mo、Hf、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个以及包含至少两个上述元素的合金。扩散阻挡层39具有大约
至的厚度。接合层40被接合到连接电极141和143，并包括从由Au、Cu、Ni、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个以及包含至少两个上述元素的合金。接合层40具有大约至
的厚度。第二接合电极30C的粘合层38和扩散阻挡层39可以至少重复叠置一个周期。在第一电极135和第二电极137中，电极焊盘30A、第一接合电极30B以及第二接合电极30C可以具有相同的叠层结构或者互不相同的叠层结构，但实施例不限于此。
图5为示出根据第二实施例的发光器件封装的侧剖视图。在第二实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图5，发光器件封装201包括：主体211，具有空腔212；第一引线电极215和第二引线电极217，其至少一部分布置在主体211的空腔212中；模塑元件218；以及发光器件100。
空腔212可以具有离主体211的顶面预定深度的凹陷结构，并且可以具有下部宽度M6较窄且上部宽度较宽的形状。空腔212的侧壁213A可以相对于空腔212的底部或发光器件100的支撑元件151的底面倾斜。空腔212的侧壁213A相对于空腔212的底部或发光器件100的支撑元件151的底面的倾斜角处于5°至90°的范围中。空腔212可以被配置成关于其中心线的线对称结构。
空腔212的底部宽度M6可以等于发光器件100的底部宽度（例如，图3的宽度D1），或者可以比发光器件100的底部宽度大出0.1μm至100μm的范围。另外，空腔212的下部宽度可以等于空腔212的上部宽度，空腔212的侧壁213A可以垂直于空腔212的底部或发光器件100的支撑元件151的底面。空腔212的侧壁213A可以与发光器件100的侧面S2间隔100μm或更小（例如，处于0.1μm至100μm范围中）。
另外，由于空腔212的底部面积具有与发光器件100的底部宽度对应的尺寸，因而能够更加容易地安装发光器件100。另外，由于空腔212被布置得离发光器件100的侧面S2较近，因而光提取效率能够由于空腔212的倾斜侧壁213A得以提高。另外，由于空腔212的底部面积小，从发光器件发出的光可以不行进到空腔212的底部，从而能够减小光损失。
图6为示出根据第三实施例的发光器件封装的侧剖视图。在第三实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图6，发光器件封装202包括：主体211，具有空腔212；第一引线电极215和第二引线电极217，其至少一部分布置在主体211的空腔212中；模塑元件218；以及发光器件100。
发光器件100倒装接合在布置在空腔212的底部上的第一引线电极和第二引线电极215和217上。空腔212的侧壁213B包括第一反射部F1、第二反射部F2以及第三反射部F3。第一反射部F1被布置在空腔212的下部周围，并当与第三反射部F3比较时，其离发光器件100更近。第一反射部F1倾斜或垂直于空腔212的底部或发光器件100的支撑元件151的底面。第一反射部F1与发光器件100的侧面之间的间距M5是100μm或更小（例如，处于0.01μm至100μm范围中）。第一反射部F1的厚度T5可以等于或不等于发光器件100的支撑元件151的厚度，并且可以薄于第三反射部F3的厚度（例如，垂直厚度）。第一反射部F1的厚度T5可以处于1μm至100000μm范围中（例如，处于50μm至1000μm范围中）。
第一反射部F1和第三反射部F3可以非连续地形成。第一反射部F1位于与反射电极层131下方的支撑元件151对应的位置处，第三反射部F3位于与发光结构120和衬底111对应的位置处，以有效反射泄漏到反射电极层131外的光。
第二反射部F2被布置在第一反射部F1与第三反射部F3之间且平行于空腔212的底部或发光器件100的支撑元件151的底面。第一反射部F1和第二反射部F2可以形成台阶状结构，且第二反射部F2和第三反射部F3可以形成台阶状结构。第一反射部F1和第三反射部F3是倾斜表面，而第二反射部F2是水平面，或者是倾斜角与第一反射部F1和第三反射部F3的倾斜角不同的倾斜表面，但实施例不限于此。
第一反射部F1的第一角度θ1和第三反射部F3的第二角度θ2可以在10°至90°范围内彼此相等或不等。例如，第一反射部F1的第一角度θ1是60°或更小，以有效反射从发光器件100的发光结构120的侧面S2发出的光，但实施例不限于此。
第三反射部F3的第二角度θ2是45°或以上。第三反射部F3与发光器件100之间的间距大于第一反射部F1与发光器件100之间的间距。即，第三反射部F3以45°或以上的角度倾斜，以均匀分布从发光器件100发出的光。
图7为示出根据第四实施例的发光器件封装的侧剖视图。在第四实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图7，发光器件封装203包括：主体221，具有空腔222；第一引线电极225和第二引线电极227，其至少一部分布置在主体221的空腔222中；模塑元件228；以及发光器件100。
主体221包括支撑部221B和反射部221A。反射部221A可以由与支撑部221B相同的材料或具有高反射率的树脂材料形成，但实施例不限于此。反射部221A可以由具有高透射率和低反射率的硅或环氧材料形成。
第一引线电极225从空腔222的底部向主体的第一侧面23突出，第二引线电极227从位于支撑部221B与反射部221A之间的空腔222的底部向主体221的第二侧面24突出。
连接至第一引线电极225的第一端子225A被布置在邻近第一侧面23的区域，连接至第二引线电极227的第二端子227A被布置在邻近主体221下部的第二侧面24的区域。
凹陷226形成在空腔222的底部。凹陷226的深度T3可以比第一引线电极225和第二引线电极227的顶面与空腔222的底部之间的距离更浅。凹陷226的深度T3小于第一引线电极225和第二引线电极227的厚度并被限定在第一引线电极、间隙部224、以及第二引线电极227中，发光器件100被倒装接合到布置在凹陷226中的第一引线电极225和第二引线电极227的顶面上。
凹陷226的深度T3足够容纳发光器件100的至少一部分。例如，发光器件100的支撑元件151的至少一部分可以被***到具有深度T3的凹陷226中。凹陷226的深度T3处于1μm至100000μm范围中（例如，50μm至1000μm）。
由于凹陷226形成在空腔222的底部，并且发光器件100的下部被***到凹陷226中，因而发光器件100的反射电极层131可以在相同的水平面上与第一引线电极225和第二引线电极227的顶面基本对齐。另外，凹陷226的深度T3可以等于或大于支撑元件151的厚度。
因此，从发光器件100发出的光可以从反射电极层131、第一引线电极225和第二引线电极227以及空腔222的侧壁223反射，从而能够提高光提取效率。
图8为示出根据第五实施例的发光器件封装的侧剖视图，图9为图8所示的发光器件封装的侧剖视图。在第五实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图8和图9，发光器件封装204包括：主体231，具有空腔232；第一引线电极235和第二引线电极237，其至少一部分布置在主体231的空腔232中；模塑元件238；以及发光器件100。
空腔232的上部宽度M4可以宽于空腔的下部宽度。具体而言，空腔232从其下部到上部逐渐变宽。空腔232的侧壁233包括多个第一倾斜反射部F4和用于连接第一倾斜反射部F4的第二反射部F5。在空腔232中彼此对应的两个第一反射部F4之间的间距N1可以沿空腔232的向上方向变宽。
第一反射部F4以第三角度θ3相对于空腔232的底部倾斜。第三角度θ3处于5°至90°范围中（例如，处于20°至70°范围中）。第一反射部F4可以以相同的角度或互不相同的角度倾斜。另外，第一反射部F4可以被配置为使第三角度θ3可以沿空腔232的向上方向逐渐增大或减小。第一反射部F4的厚度T4可以薄于支撑元件151的厚度。例如，第一反射部F4的厚度T4处于1μm至100000μm或50μm至1000μm范围中。
第一反射部F4可以沿着空腔232的***表面连续或非连续地布置。例如，第一反射部F4可以被布置在空腔232的两个相对的侧面上，而不是被布置在空腔232的其余两个相对的侧面上。第二反射部F5可以被配置为彼此平行的平坦表面或者倾斜角与第一反射部F4不同的倾斜表面。
第一引线电极235的第一端子235A从主体231的第一侧面23向外突出，第二引线电极237的第二端子237A从主体231的第二侧面24向外突出。
在主体231的顶面中，第一侧面23和第二侧面24之间的间距可以等于或大于第三侧面25和第四侧面26之间的间距。例如，第一侧面23和第二侧面24之间的间距可以处于1mm至100mm范围中（例如，处于2.5mm至9mm范围中）。另外，第三侧面25和第四侧面26之间的间距可以处于1mm至100mm范围中（例如，处于2.5mm至9mm范围中）。
在主体231的顶面中，空腔232与第二侧面23之间的间距W1可以处于0.1mm至50mm范围中（例如，处于0.35mm至1mm范围中）。在主体231的顶面中，空腔232与第四侧面26之间的间距可以处于0.1mm至50mm范围中（例如，处于0.35mm至1mm范围中）。主体231可以具有处于0.3mm至100mm范围中（例如，处于0.5mm至2mm范围中）的厚度。
第一引线电极235与第二引线电极237之间的间隙部234可以包括与主体231相同的材料或绝缘材料。间隙部234的宽度W3可以窄于邻近的连接电极141和143之间的间距。间隙部234的宽度W3可以处于0.01mm至10mm范围中（例如，处于0.1mm至2mm范围中）。
第一引线电极235和第二引线电极237可以具有处于0.1mm至1000mm范围中（例如，0.1mm至0.5mm）的厚度。
图10为示出图2所示的发光器件的第一变型示例的视图。在下文中，在图10的以下描述中，与图2相同的部件将参考图2。
参照图10，发光器件101包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143以及支撑元件151。
第一图案区11和第二图案区12的至少一个可以被布置在衬底111上。第一图案区11被配置为具有从衬底111的顶面S1突出的多个突起的第一凹凸结构，第二图案区12被配置为在第一凹凸结构中具有多个凹陷的第二凹凸结构。第二凹凸结构被布置在第一凹凸结构上，并由尺寸小于多个突起的尺寸的微凹凸配置来限定。
第一图案区11的突起可以从衬底111的顶面S1突出，或者可以具有压印形状（embossing shape）。根据另一个示例，第一图案区11可以凹陷或以低于衬底111的顶面的较小深度来雕刻。第二图案区12的凹面可以在第一图案区11的表面上被布置成尺寸小于第一图案区11的多个突起的尺寸的凹雕形状或凹陷形状。根据另一个示例，第二图案区12可以具有压印形状或凸出形状，并可以布置有尺寸小于第一图案区11的多个突起的微突起。第一图案区11可以以矩阵或晶格的形式对齐。第一图案区11的突起可以具有半球、锥、多边形锥、柱形（例如，圆柱或多角柱）或截圆锥的侧剖形（sidesectional shape）。当从上看过去时，每一个突起可以具有圆形、多边形、或球面与平面的混合形状。
第二图案区12的凹面可以具有半球、锥、多边形锥、柱形（例如，圆柱或多角柱）或截圆锥的侧剖形。当从上看过去时，第二图案区12可以具有圆形、多边形、或球面与平面的混合形状。
第一图案区11的突起可以具有处于0.1μm至10μm范围中的宽度B1。例如，宽度B1小于衬底111的厚度。该突起的宽度可以大于该突起的厚度L1或高度，但实施例不限于此。第二图案区12的凹面的深度或宽度处于0.1nm至100nm范围中或0.1nm至100μm范围中。第一图案区11的突起之间的距离段（period）L1可以处于0.1μm至100μm范围中，第二图案区12的凹面之间的距离段可以处于0.1μm至100μm范围中。
第一图案区11和第二图案区12改变入射光的临界角，以减小光的全反射的比例，从而提高光提取效率。这样，如果发光器件被布置在图1所示的发光器件封装的空腔中，则能够更加提高光提取效率。
发光层可以被布置在衬底111上。发光层可以与衬底111的第一图案区11和第二图案区12接触，或者可以与衬底111的第一图案区11和第二图案区12分隔开，但实施例不限于此。
图11为示出图1所示的发光器件的第二变型示例的视图。
参照图11，发光器件102包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143、支撑元件152A和152B以及荧光层161。
荧光层161被布置在衬底111的与支撑元件151相对的表面上，即，布置在出光表面上。荧光层161可以包括荧光膜或涂层，并能够被制备为单层或复合层。
荧光层161包括包含荧光粉的透明树脂层。透明树脂层包括硅或环氧树脂，荧光粉包括从由YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧基材料构成的组里选择的一个。荧光粉包括红色荧光粉、黄色荧光粉以及绿色荧光粉中的至少一个，并且激发从有源层117发出的光的一部分以转换待发射的光的波长。
荧光层161被布置在衬底111的顶面S1以及衬底111和发光结构120的至少一个侧面S2上。荧光层161具有处于大约1μm至100000μm或1μm至10000μm范围中的厚度。荧光层161的厚度是发光结构120的横向长度（widthwise length）。
荧光层161可以包括彼此不同的各种荧光层，其中第一层是红色荧光层、黄色荧光层以及绿色荧光层中的一个，以及第二层被布置在第一层上且不同于第一层。两个不同的荧光层能够被分别布置在彼此不重叠的第一区域和第二区域上。包括透明树脂材料的保护层能够被布置在荧光层161和发光结构120的侧面上，但实施例不限于此。
透明树脂层或粘合层可以被进一步布置在衬底111与荧光层161之间，但实施例不限于此。图案区可以被布置在衬底111的上部和下部以提高光提取效率。如果图案区被布置在衬底的上部，则荧光层161可以被制备为凹凸层，但实施例不限于此。
另外，分隔槽152C被布置在支撑元件152A和152B之间。分隔槽152C将支撑元件152A和152B彼此划分。第一支撑元件152A被布置在第一连接电极141周围的发光结构120的一侧下方。第二支撑元件152B被布置在第二连接电极143周围的发光结构的另一侧下方。
分隔槽152C将第一支撑元件152A与第二支撑元件152B物理且电性分离，并暴露布置在分隔槽152C下方的绝缘层133。
第一支撑元件152A和第二支撑元件152B可以包括绝缘材料或导电材料。绝缘材料包括具有热扩散剂的树脂材料。导电材料包括碳、SiC或金属。如果第一支撑元件152A和第二支撑元件152B包括导电材料，则第一连接电极141和第二连接电极143包括与导电材料不同的材料。
由于包括导电材料的第一支撑元件152A和第二支撑元件152B通过分隔槽152C彼此分离，因而能够防止电性短路。
分隔槽152C具有与第一支撑元件152A和第二支撑元件152B之间的距离对应的宽度以及与第二支撑元件152B的厚度对应的深度。分隔槽152C防止第一支撑元件152A和第二支撑元件152B之间的电性干扰。
第一支撑元件152A和第二支撑元件152B的底面在相同的平面上与第一连接电极141和第二连接电极143的底面对齐。即使第一支撑元件152A和第二支撑元件152B包括导电材料，也能够经由第一连接电极141和第二连接电极143安装第一支撑元件152A和第二支撑元件152B。
包括陶瓷材料的绝缘材料能够被进一步布置在第一支撑元件152A与第二支撑元件152B之间。这种情况下，陶瓷材料在相同的水平面上与第一支撑元件152A和第二支撑元件152B的底面对齐。第一支撑元件152A和第二支撑元件152B可以应用于图2所示的结构或其它实施例，而不受限制。
图12为示出根据第六实施例的发光器件封装的侧剖视图。在第六实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图12，发光器件封装205包括：主体211，具有空腔212；第一引线电极215和第二引线电极217，其至少一部分布置在主体211的空腔212中；模塑元件218；光学透镜129；以及发光器件104。
半导体层（例如，第一导电半导体层）而不是衬底可以被布置在发光器件104的最上层。粗糙结构（例如，光提取结构）可以被布置在半导体层的顶面上。
光学透镜219被布置在主体211上。光学透镜219可以包括树脂材料（例如，包括硅或环氧树脂的透明树脂）或玻璃材料。光学透镜219在与发光器件104对应的区域布置有凹陷219A以提高光的定向角，并且凹陷219A向发光器件104凹陷。凹陷219A可以是相对于发光器件104的光轴倾斜的斜面，或是弯曲表面，并可以包括总反射表面或反射表面。
图13为示出图12所示的发光器件封装中的发光器件的视图。
参照图13，发光器件104包括第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143以及支撑元件151。
衬底从发光器件104去除，并且第一导电半导体层115被布置在出光区域。图案区（例如，光提取结构或凹凸结构）可以被布置在第一导电半导体层115的顶面S3上。图案区可以通过蚀刻第一导电半导体层115的上部而布置形成，但实施例不限于此。
发光结构120的侧面S4可以在相同的平面上与支撑元件151的侧面S11对齐，或者可以垂直对齐支撑元件151的底面S12，但实施例不限于此。
另外，荧光材料被添加到布置在发光器件104上的模塑元件218或荧光层，但实施例不限于此。
图14为示出图12所示的发光器件的第一变型示例的视图。
参照图14，发光器件104包括第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143、支撑元件151以及荧光层162。
荧光层162可以被布置在发光结构120的顶面S3和侧面S4的至少一个上。例如，荧光层162可以被布置在发光结构120的顶面S3和侧面S4上，但实施例不限于此。荧光层162包括包含荧光材料的透明树脂层。透明树脂层包括硅或环氧树脂，荧光材料包括从由YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧基材料构成的组里选择的一个。荧光材料包括红色荧光材料、黄色荧光材料以及绿色荧光材料中的至少一个，并激发从有源层117发出的光的一部分以转换待发射的光的波长。
荧光层162具有处于大约1μm至100000μm范围中（例如，1μm至10000μm）的厚度。荧光层162的厚度是发光结构120的横向长度。
荧光层162可以包括彼此不同的各种荧光层，其中第一层是红色荧光层、黄色荧光层以及绿色荧光层中的一个，以及第二层被布置在第一层上且不同于第一层。两个不同的荧光层能够被分别布置在彼此不重叠的第一区域和第二区域上。包括透明树脂材料的保护层能够被布置在荧光层162和发光结构的侧面上，但实施例不限于此。
图15为示出根据第七实施例的具有发光器件的发光器件封装的侧剖视图。
参照图15，发光器件封装207包括：主体251，具有空腔252；第一引线电极至第三引线电极255、257以及259，其至少一部分被布置在空腔252中；以及至少一个发光器件106。主体251以及主体251的空腔可以参考根据第一实施例的描述。例如，主体251通过选择性地使用高反射性树脂（例如，PPA）、聚合材料、塑料或树脂材料（例如，硅或环氧树脂）中的一个注塑而成，并且能够被制备为具有单层或复合层的衬底。主体251可以由对从发光器件106发出的光的反射率为90%或更大或透射率为50%或更大的材料布置而成。
主体251的空腔252是出光区域，并且空腔252的顶面是开放的。空腔252的侧壁253倾斜或垂直于空腔252的底面。空腔252的侧壁253可以离支撑元件151比离发光器件106的衬底111近。
第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的至少一部分被布置在空腔252中。间隙部214被布置在第一引线电极至第三引线电极255、257以及259之间。间隙部214可以由与主体251相同的材料或其它绝缘材料布置而成。
第一引线电极至第三引线电极255、257以及259可以包括包含Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及Al中的至少一个的金属材料。另外，第一引线电极至第三引线电极255、257以及259可以被制备为具有单层结构或复合层结构的引线框，但实施例不限于此。第一引线电极至第三引线电极255、257以及259可以具有处于0.8mm至3mm范围中的厚度，但实施例不限于此。
布置在空腔252的底部的第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的底面可以在相同的平面上与主体251的底面对齐，但实施例不限于此。第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的至少一部分可以包括弯曲结构，但实施例不限于此。粗糙表面可以被布置在第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的至少一个表面上，以增大主体251与间隙部254之间的接触面积。这样，能够提供具有优良耐湿性的发光器件封装。
根据另一个实施例，凹部被布置在空腔252的底部，并且第一引线电极至第三引线电极255、257以及259被布置在凹部中。发光器件106的下部电极可以在凹部中彼此电性连接。凹部的深度可以低于发光器件106的支撑元件151的底面与有源层之间的距离且高于支撑元件151的顶面与有源层之间的距离。
第一引线电极255和第三引线电极259在主体251的内部或外部彼此连接。
发光器件106经由倒装方案接合到第一引线电极至第三引线电极255、257以及259上。具体而言，发光器件106的第一连接电极141被接合到第一引线电极255上，发光器件106的第二连接电极143被接合到第二引线电极257上，以及发光器件106的第三连接电极145被接合到第三引线电极259上。第一连接电极至第三连接电极141至145的每一个经由直接接合（共熔接合）或经由接合元件（例如焊料）被接合到第一引线电极至第三引线电极255至259的每一个。
发光器件106的第一连接电极141可以接合到第三引线电极259上，发光器件106的第三连接电极145可以接合到第一引线电极255上。即，由于第一连接电极141和第三连接电极145连接至发光器件106中相同的半导体层，即使当其连接至第一引线电极255和第三引线电极259时，互换第一连接电极141和第三连接电极145的位置也不会改变电极性，从而能够正常运行发光器件106。具有第二极性的用于供电的第二连接电极143被布置在中心区域，具有第一极性的用于供电的第一连接电极141和第三连接电极145被布置在发光器件106下部的第二连接电极143的两侧，从而能够解决第一极性和第二极性的位置混淆，并能够防止安装故障。即，由于裸眼不能够识别连接电极141、143以及145的极性，因而具有一个极性的连接电极被放置在中心区域，以防止由于发光器件的安装故障造成产品产量降低。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145可以以相同的间距与第一引线电极至第三引线电极255、257以及259间隔开。另外，发光器件106的支撑元件151的底面可以以相同的间距与第一引线电极至第三引线电极255、257以及259间隔开。因而，第一连接电极至第三连接电极141、143和145以及支撑元件151的底面可以以相同的间距与第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的顶面间隔开。
发光器件106的支撑元件151通过粘合元件被接合到第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的顶面，从而经由第一引线电极至第三引线电极255、257以及259实现热传导。粘合元件可以包括导热材料（例如，焊料）。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145至少之一的数量多个，以增大针对第一引线电极至第三引线电极255、257以及259的电接合面积，并提高导热效率。
模塑元件258被布置在空腔252中。模塑元件258包括透明树脂材料（例如，硅或环氧树脂）。模塑元件258可以包括荧光粉。模塑元件258可以包括至少一个透明树脂层，并且荧光粉能够与发光器件106的顶面接触，或者能够与发光器件106的顶面间隔开。可以省略模塑元件258。
一个或多个发光器件能够被安装在发光器件封装207中，但实施例不限于此。如果具有荧光层的发光器件被安装在发光器件封装207中，则模塑元件258可以不添加荧光材料。另外，模塑元件258能够添加彼此不同的各种荧光材料或发出相似颜色的荧光材料。
图16为图15所示的发光器件的侧剖视图，图17至图19为示出图16所示的发光器件的第一连接电极至第三连接电极的示例的视图。在发光器件的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图16至图19，发光器件106包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极至第三电极135、137以及139、第一连接电极至第三连接电极141、143以及145以及支撑元件151。
衬底111可以包括透明衬底、绝缘衬底或导电衬底。例如，衬底111可以包括从由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3以及GaAs构成的组里选择的一个。
第一半导体层113可以被布置在衬底111下方。第一半导体层113可以是缓冲层和/或非掺杂半导体层。可以省略第一半导体层，或者可以布置缓冲层和非掺杂半导体层中的至少一个，但实施例不限于此。
发光结构120可以布置在第一半导体层113或衬底111下方。发光结构120包括III-V族化合物半导体。例如，发光结构120包括组分分子式为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体，并且能够发出具有处于紫外线频带至可见光频带波长范围中的预定峰值波长的光。
发光结构120包括第一导电半导体层115、第二导电半导体层119、以及位于第一导电半导体层115与第二导电半导体层119之间的有源层117。
反射电极层131被布置在第二导电半导体层119与支撑元件151之间。反射电极层131包括欧姆接触层、反射层、扩散阻挡层以及保护层中的至少一个。
光提取结构（例如，粗糙部）能够被布置在第二导电半导体层119和反射电极层131的至少一个的表面上。光提取结构可以改变入射层的临界角以提高光提取效率。
至少一个第一电极135和至少一个第一连接电极141被布置在支撑元件151的第一区域A1中，至少一个第一电极135和至少一个第一连接电极141离支撑元件151的侧面S11比离支撑元件151的中心区域近。至少一个第一连接电极141连接至至少一个第一电极135，至少一个第一电极135被布置在第一导电半导体层115下方并电性连接至第一导电半导体层115。
至少一个第三电极139和至少一个第三连接电极145被布置在支撑元件151的第二区域A2中，而至少一个第三电极139和至少一个第三连接电极145离支撑元件151的侧面S11比离支撑元件151的中心区域近。至少一个第三连接电极145连接至至少一个第三电极139，至少一个第三电极139被布置在第一导电半导体层115下方并电性连接至第一导电半导体层115。至少一个第一电极135和至少一个第三电极139能够与第一导电半导体层115的互不相同的区域接触，但实施例不限于此。在发光结构120中，第一区域A1和第二区域A2可以是基于有源层117的面积的50%或更小面积。如果第一区域A1和第二区域A2的尺寸超过上述范围，则可以减小发光面积，使得可以减小整体亮度。第一连接电极141和第三连接电极145可以关于支撑元件151的中心彼此相对。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的厚度可以比第一电极至第三电极135、137以及139的厚度更厚。
至少一个第二电极137和至少一个第二连接电极143被布置在支撑元件151的中心区域。至少一个第二电极137被布置在第一电极135与第三电极139之间，至少一个第二连接电极143被布置在第一连接电极141与第三连接电极145之间。第一电极135和第三电极139与第二电极137电性绝缘。即，虽然图中电极135至139或141至145在支撑元件151中顺序对齐（alignedin series），然而电极135至139或141至145也可以不顺序对齐。例如，至少一个第二电极137或第二连接电极143可以从其它电极或中心线偏离，但实施例不限于此。
至少一个第二连接电极143被布置在至少一个第二电极137下方，并电性连接至至少一个第二电极137。第二电极137被布置在反射电极层131下方，并电性连接至反射电极层131。
第一电极135和第三电极139与有源层117以及第二导电半导体层119的侧面间隔开，并且其尺寸可以小于第一导电半导体层115的暴露底面。第二电极137可以穿过反射电极层131与第二导电半导体层119物理和/或电性接触。第一电极至第三电极135至139可以包括电极焊盘，但实施例不限于此。
已参考图4描述了第一电极至第三电极135至139的结构。第一电极至第三电极135至139可以具有相同的叠层结构或互不相同的叠层结构。第二电极137的叠层结构可以小于第一电极135和第三电极139的叠层结构。例如，第一电极135和第三电极139可以具有粘合层/反射层/扩散阻挡层/接合层、或粘合层/扩散阻挡层/接合层的叠层结构，第二电极137可以具有粘合层/反射层/扩散阻挡层/接合层、或粘合层/扩散阻挡层/接合层的叠层结构。
第二电极137的顶面面积等于反射电极层131的底面面积或至少大于第二连接电极143的顶面面积。
第一电极至第三电极135至139中的至少一个可以包括具有从电极焊盘分支的臂结构或指状结构的电流扩散图案。另外，第一电极至第三电极135至139可以包括一个电极焊盘或多个电极焊盘，但实施例不限于此。
绝缘层133可以被布置在反射电极层131与支撑元件151之间以及发光结构120与支撑元件151之间。具体而言，绝缘层133能够被布置在第二导电半导体层119的底面、第二导电半导体层119和有源层117的侧面、以及第一导电半导体层115的底面上。绝缘层133布置在发光结构120的除了用于反射电极层131、第一电极135以及第一电极至第三电极135至139的区域之外的下部区域，以电性保护发光结构120的下部。
绝缘层133可以暴露于发光器件106的侧面，但实施例不限于此。绝缘层133可以包括部分开放区域，而支撑元件151可以布置得穿过该部分开放区域。支撑元件151能够经由绝缘层133的开放区域与第一导电半导体层115和第二导电半导体层119的底面接触，或者能够与反射电极层131接触。这样，能够提高支撑元件151与绝缘层133之间的耦合力。绝缘层133可以由与支撑元件151的材料不同的材料布置而成，或者可以省略绝缘层133。
支撑元件151用作支撑发光器件的支撑层。支撑元件151包括绝缘材料（例如，包括硅或环氧树脂的树脂层）。热扩散剂可以被添加到支撑元件151。热扩散剂可以包括包含Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一个。热扩散剂可以被定义为具有预定尺寸的粉粒、颗粒、填充剂或添加剂。在以下描述中，为了方便说明，将描述包括热扩散剂的支撑元件151。热扩散剂可以包括具有1μm至100000μm尺寸的绝缘材料或导电材料。为了提高热扩散效率，热扩散剂可以具有1000μm至50000μm的尺寸。热扩散剂包括陶瓷材料。支撑元件151可以由透明材料或不透明材料布置而成，并被制备为单层结构或复合层结构，但实施例不限于此。支撑元件151可以参考第一实施例。
另外，添加到支撑元件151的热扩散剂的量可以是1wt%至99wt%。为了提高热扩散效率，50wt%至99wt%的热扩散剂能够被添加到支撑元件151。由于热扩散剂被添加到支撑元件151，因而能够在支撑元件151的内部更加提高热传导系数。另外，支撑元件151具有热膨胀系数4-11。上述热膨胀系数等于或类似于衬底111（例如，蓝宝石衬底）的热膨胀系数，因而不会由于布置在衬底上的支撑元件151与发光结构120之间的热膨胀系数的差值引起晶片的扭曲或损坏，从而提高发光器件的可靠性。
支撑元件151的底面面积基本等于支撑元件151的顶面面积。另外，支撑元件151的底面面积等于第一导电半导体层115的顶面面积。进而，支撑元件151的底面的宽度可以等于衬底111的顶面的宽度以及半导体层115的顶面的宽度。这样，由于在布置支撑元件151之后划分各个芯片，因而支撑元件151、衬底111以及第一导电半导体层115的侧面能够在相同的平面上对齐。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145被布置在支撑元件151中并暴露于支撑元件151的下部，以用作用于供电的引线和散热路径。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145可以具有柱形。例如，第一连接电极至第三连接电极141、143以及1145可以具有球形、圆柱形、多边形圆柱形或不规则形状。多边形柱形可以是等角柱形或者也可以不是，但实施例不限于此。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的顶面和底面可以具有圆形或多边形，但实施例不限于此。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的底面面积可以与第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的顶面面积不同。例如，第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的底面面积可以大于或小于第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的顶面面积。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145中的至少一个小于发光结构120的底面的宽度，且大于第一电极至第三电极135、137以及139的底面的直径或宽度。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的直径或宽度处于1μm至100000μm范围中，第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的高度处于1μm至100000μm范围中。第一连接电极141和第三连接电极145的高度H1长于第二连接电极143的高度H2，并且第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的底面可以在相同的平面上（即，水平面）对齐。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的底面可以在相同的水平面上与支撑元件151平坦的底面S6对齐，并且第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的底面的至少一部分可以在不同的平面上对齐。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的厚度方向与发光结构120的厚度方向相同。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145可以通过使用一种金属或合金被制备为单层。该单层的宽度和高度处于1μm至100000μm范围中。例如，该单层的厚度大于第二连接电极143的厚度。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145可以包括从由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W构成的组里选择的一个及其合金。为了提高相对于第一电极至第三电极135、137以及139的粘合强度，第一连接电极至第三连接电极141、143以及145可以布置有包括从由In、Sn、Ni、Cu构成的组里选择的一个及其合金的金属接合层。此时，该接合层具有处于1μm至100000μm范围中的厚度。
镀层能够被进一步布置在第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的表面上。镀层可以包括Tin或其合金、Ni或其合金、或Tin-Ag-Cu。此时，镀层可以具有大约0.5μm至10μm的厚度。镀层能够提高针对其它接合层的接合强度。
发光器件106经由倒装方案安装，因而大部分光朝向衬底111的顶面S1发出，一些光经由衬底111和发光结构120的侧面发出。这样，能够减小由于第一电极至第三电极135至139造成的光损失。因此，能够提高发光器件106的光提取效率和散热效率。
参照图16、图17以及图18，第一连接电极至第三连接电极141、143以及145能够在支撑元件151中顺序对齐（例如，能够沿X轴方向顺序对齐）。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的底面暴露于支撑元件151的底面S12，同时与支撑元件151的侧面S11间隔开。
第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的中心可以沿笔直方向或对角线方向在相同的线上彼此对齐。第一连接电极141和第三连接电极145连接至第一导电半导体层115，使得第一连接电极141和第三连接电极145彼此电性连接。另外，电流可以扩散到第一导电半导体层115的互不相同的区域。
具有第二极性的用于供电的第二连接电极143被布置在中心区域，具有第一极性的用于供电的第一连接电极141和第三连接电极145被布置在发光器件106下部的第二连接电极143的两侧，从而能够解决第一极性和第二极性的位置混淆，并能够防止安装故障。即，由于裸眼不能够识别连接电极141、143以及145的极性，因而具有一个极性的连接电极被放置在中心区域，以防止由于发光器件的安装故障造成产品产量降低。
支撑元件151的侧面S11中的第一侧面的长度D11与衬底111的第一侧面的长度基本相同，支撑元件151的第二侧面的长度D12与衬底111的第二侧面的长度基本相同。另外，第一连接电极141和第三连接电极145之间的距离D15是两个邻近的电极焊盘之间的间距，并与相对于发光器件的一个侧面的长度的1/2或更大对应。另外，支撑元件151的侧面S11可以在相同的平面（即，垂直面）上与发光结构120和衬底111的侧面对齐。
第一连接电极141与第二连接电极143之间的间距D16可以窄于第一连接电极141和第三连接电极145之间的间距D5。由于第一连接电极141与第三连接电极145彼此间隔了间距D15，电流能够扩散到发光器件的整个区域。
支撑元件151的底面基本上是平的或不规则的，但实施例不限于此。
支撑元件151与第一电极至第三电极135至139以及第一连接电极至第三连接电极141至145的***部分接触。这样，从第一电极至第三电极135至139以及第一连接电极至第三连接电极141至145传递的热量能够通过支撑元件151扩散并消散。由于热扩散剂设置在支撑元件151中，因而能够提高热传导系数，并且能够通过支撑元件151的整个表面散热。因此，发光器件106的耐热可靠性得以提高。
参照图18，发光器件包括用于将第一区域A1和第二区域A2彼此连接的第三区域A11。第三区域A11被蚀刻为使得第一导电半导体层115部分暴露，并且用于将第一电极135和第三电极139彼此连接的连接图案可以被布置在第三区域A11中。这样，第一电极135和第三电极139能够共同连接至第一连接电极141和第三连接电极145以及第一导电半导体层115。
参照图19，在支撑元件151中，第一连接电极至第三连接电极141、143以及145暴露于支撑元件151的底面S12并在支撑元件151中沿至少两排对齐（例如，以至少两排沿X轴方向对齐）。
图20为示出图16的具有发光器件的发光模块的侧剖视图。
参照图20，模块衬底170包括第一焊盘至第三焊盘173、174以及175，其中发光器件106的第一连接电极141设置在第一焊盘173上方，发光器件106的第二连接电极143设置在第二焊盘174上方，以及发光器件106的第三连接电极145设置在第三焊盘175上方。第一焊盘至第三焊盘173、174以及175通过接合材料177（即，通过接合元件）接合至第一连接电极至第三连接电极141、143以及145。
即使当其连接至第一焊盘和第三焊盘173和175时，互换第一连接电极141和第三连接电极145的位置也不会改变电极性。例如，第三连接电极145可以连接到第一焊盘174上，第一连接电极141可以连接到第三焊盘175上，即使在上述电路配置中，发光器件106也能够正常运行。
具有第二极性的用于供电的第二连接电极143被布置在中心区域，具有第一极性的用于供电的第一连接电极141和第三连接电极145被布置在发光器件106下部的第二连接电极143的两侧，从而能够解决第一极性和第二极性的位置混淆，并能够防止安装故障。即，当裸眼通过支撑元件151不能够识别连接电极141、143以及145的极性时，具有一个极性的连接电极被放置在中心区域，以防止由于发光器件的安装故障造成产品产量降低。
发光器件106通过从第一连接电极至第三连接电极141、143以及145供应的电力运行，并且从第一连接电极至第三连接电极141、143以及145传递的热量通过支撑元件151的整个表面消散到外部。支撑元件151的底面与模块衬底170的顶面间隔开与接合材料174的厚度对应的距离。
发光器件106的第一连接电极至第三连接电极141、143和145以及支撑元件151的底面可以以相同的间距与模块衬底170的顶面间隔开。
虽然在模块衬底170上仅布置了一个发光器件106，然而在模块衬底170上也可排列多个发光器件，但实施例不限于此。
图21为示出根据第八实施例的具有发光器件的发光器件封装的平面图，图22为图21所示的发光器件封装的侧剖视图，以及图23为图21所示的发光器件的侧剖视图。在第八实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图21和图22，发光器件封装206包括：主体251，具有空腔252；第一引线电极至第三引线电极255、257以及259，其至少一部分被布置在空腔252中；模塑元件258；以及发光器件107。
第一引线电极255被布置在邻近主体252的第一侧面23的区域，第三引线电极259被布置在邻近主体251的第二侧面24的区域，以及第二引线电极257被布置在空腔252的底部的第一引线电极255与第三引线电极259之间。间隙部254被分别布置在第一引线电极255与第二引线电极257之间以及第二引线电极257与第三引线电极259之间。
第一引线电极255可以被布置在主体251的第一侧面23下方，并且第一引线电极255的部分255A可以从主体251突出。第二引线电极257可以被布置在主体251的第三侧面25和第四侧面26的至少一个下方，并且第二引线电极257的一部分可以从主体251突出。
第三引线电极259可以被布置在主体251的第二侧面24下方，并且第三引线电极259的部分259A可以从第二侧面24突出。
在发光器件107中，第一连接电极141和第三连接电极145被布置在第一引线电极255和第三引线电极259上，并电性连接至第一引线电极255和第三引线电极259。发光器件107的第二引线电极257被布置在第二连接电极143上，并电性连接至第二连接电极143。
图7所示的凹部可以被布置在空腔252的底部。第一引线电极至第三引线电极255、257以及259被布置在该凹部中，发光器件107的下部电性连接至该凹部中的第一引线电极至第三引线电极255、257以及259。该凹部的具体结构可以参考图7。
空腔252的上部宽度可以宽于空腔252的下部宽度。具体而言，空腔252可以从其下部到上部逐渐变宽。空腔252的侧壁253A包括多个第一倾斜反射部F1以及用于连接第一倾斜反射部F1的第二反射部F2。第一反射部F1的厚度T4薄于支撑元件151的厚度，并可以处于1μm至100000μm或50μm至1000μm范围中。
第一反射部F1可以沿着空腔252的***表面连续或非连续地布置。例如，第一反射部F1可以被布置在空腔252的两个相对的侧面上，而不被布置在空腔252的其余两个相对的侧面上。第二反射部F2可以被配置为彼此平行的平坦表面或者倾斜角与第一反射部F1不同的倾斜表面。
图23为图21所示的发光器件的侧剖视图。
参照图23，发光器件107包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143以及支撑元件151。
第一连接电极141和第三连接电极和145电性连接至布置在第一导电半导体层115上的第一电极135和第三电极139，第二连接电极143穿过第二电极137连接至第二导电半导体层119。
第一连接电极141和第三连接电极145与第二连接电极143间隔开，并关于第二连接电极143彼此相对或对称。第一连接电极141与第三连接电极145之间的间距可以宽于第一连接电极141与第二连接电极143之间的间距，但实施例不限于此。
根据实施例，对布置有第三连接电极145的区域A2进行蚀刻处理。然而，也可以在将第一电极135和第三电极139彼此连接之后，来形成第三连接电极145。
第一图案区11和第二图案区12中的至少一个可以被布置在衬底111上。第一图案区11被配置为具有从衬底111的顶面S1突出的多个突起的第一凹凸结构，第二图案区12被配置为在第一凹凸结构中具有多个凹陷的第二凹凸结构。第二凹凸结构被布置在第一凹凸结构上并由尺寸小于多个突起的尺寸的微凹凸配置来限定。
第一图案区11的突起可以从衬底111的顶面S1突出，或者可以具有压印形状。根据另一个示例，第一图案区11可以凹陷或以低于衬底111的顶面的较小深度来雕刻。第二图案区12的凹面可以在第一图案区11的表面上被布置成尺寸小于第一图案区11的多个突起的尺寸的凹雕形状或凹陷形状。根据另一个示例，第二图案区12可以具有压印形状或凸起形状，并可以布置有尺寸小于第一图案区11的多个突起的微突起。第一图案区11可以以矩阵或晶格的形式对齐。第一图案区11的突起可以具有半球、锥、多边形锥、柱形（例如，圆柱或多边柱）或截圆锥的侧剖形。当从上看过去时，每一个突起可以具有圆形、多边形、或球面与平面的混合形状。
第二图案区12的凹面可以具有半球、锥、多边形锥、柱形（例如，圆柱或多边柱）或截圆锥的侧剖形。当从上看过去时，第二图案区12可以具有圆形、多边形、或球面与平面的混合形状。
第一图案区11和第二图案区12改变入射光的临界角，以减小光的全反射的比例，从而提高光提取效率。这样，如果发光器件被布置在图1所示的发光器件封装的空腔中，则能够更加提高光提取效率。
荧光层可以被布置在衬底111上。荧光层可以与衬底111的第一图案区11和第二图案区12接触，或者可以与衬底111的第一图案区11和第二图案区12分隔开，但实施例不限于此。
图24至图29为示出图16所示的发光器件的制造过程的视图。虽然基于各个器件进行以下描述以帮助说明，对发光器件进行晶片级制造，并且通过后文描述的过程来制造各个器件。然而，各个器件的制造不限于后文描述的过程，而是可以增加或减少处理步骤以制造各个器件。
参照图24，衬底111被装载到生长设备中，并且包括II族元素至VI族元素的化合物半导体以层或图案的形式被布置在衬底111上。衬底111用作生长衬底。
衬底111可以包括透明衬底、绝缘衬底或导电衬底。例如，衬底111可以包括从由Al203、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga203以及GaAs构成的组里选择的一个。衬底111可以在其顶面上布置有光提取结构（例如，凹凸图案）。该凹凸图案改变光的临界角，从而提高光提取效率。
生长设备包括电子束蒸镀机、PVD（物理气相沉积）设备、CVD（化学气相沉积）设备、PLD（等离子体激光沉积）设备、双式热蒸镀机、溅镀设备或MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备，但实施例不限于此。
第一半导体层113被布置在衬底111上。第一半导体层113能够通过使用包括III-V族元素的化合物半导体布置而成。第一半导体层113可以用作缓冲层以减少相对于衬底的晶格失配。第一半导体层113可以是包括GaN基半导体（其并非是有意掺杂的）的非掺杂半导体层。
发光结构120可以被布置在第一半导体层113上。发光结构120包括依次布置的第一导电半导体层115、有源层117以及第二导电半导体层119。这样，发光结构120可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构的一个。
参照图25，对发光结构120的第一区域A1和第二区域A2进行蚀刻处理。发光结构120的第一区域A1和第二区域A2可以暴露第一导电半导体层115，并且第一导电半导体层115的暴露部分可以低于有源层117的顶面。
在蚀刻处理中，在使用掩模图案将发光结构120的顶面掩蔽（masking）之后，干蚀刻发光结构120的第一区域A1。通过使用ICP（感应耦合等离子体）设备、RIE（反应离子蚀刻）设备、CCP（电容耦合等离子体）设备以及ECR（电子回旋共振）设备的至少一个，能够进行该干蚀刻。可以通过湿蚀刻处理而进行该蚀刻处理，但实施例不限于此。
发光结构120的第一区域A1和第二区域A2是预定蚀刻区域，并且可以布置一个或多个区域A1和A2。
参照图26，反射电极层131被布置在发光结构120上。反射电极层131的面积小于第二导电半导体层119的顶面面积，以防止制造反射电极层131时的短路。在使用掩模将与上边缘间隔预定距离的区域以及发光结构120的第一区域A1掩蔽之后，通过使用溅镀设备和/或沉积设备沉积反射层131。反射电极层131可以包括反射率为至少70%或90%的材料。
反射电极层131可以包括欧姆接触层/反射层/扩散阻挡层/保护层、反射层/扩散阻挡层/保护层、欧姆接触层/反射层/保护层、或反射层的结构。每一层的材料和厚度可以参考第一实施例的描述。可以互换图25和图26所示的处理，但实施例不限于此。
参照图27，第一电极135和第三电极139被布置在第一导电半导体层115上，第二电极137被布置在反射电极层131上。在使用掩模将除了电极区域之外的区域掩蔽之后，能够通过使用溅镀设备和/或沉积设备来布置第一电极至第三电极135、137以及139，但实施例不限于此。第一电极至第三电极135、137以及139可以包括从由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ni、Mo、W、La、Ta、Ti构成的组里选择的一个及其合金。第一电极至第三电极135、137以及139可以被制备为复合层。例如，第一电极至第三电极135、137以及139可以包括通过使用上述元素布置的粘合层、反射层、扩散阻挡层以及接合层的至少两个。第一电极至第三电极135、137以及139经由相同的制造过程能够被布置得具有相同的叠层结构，但实施例不限于此。
第二电极137可以与反射电极层131和第二导电半导体层119物理接触。
绝缘层133经由溅射或沉积处理被布置在反射电极层131上。绝缘层133被布置在反射电极层131的除了用于第一电极至第三电极135、137以及139的区域之外的整个面积上方，从而覆盖反射电极层131和第二导电半导体层119以及第一导电半导体层115的暴露部分的顶面。
绝缘层133包括通过使用包括Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物布置的绝缘材料或绝缘树脂。例如，绝缘层133可以包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2构成的组里选择的一个。绝缘层133可以被制备为单层或复合层，但实施例不限于此。
图27所示的用于形成电极135、137以及139的处理可以与图26所示的用于形成绝缘层133的处理互换。
参照图28，第一连接电极141被接合到第一电极135上，第二连接电极143被接合到第二电极137上，以及第三连接电极145被接合到第三电极139上。第一连接电极141和第三连接电极145包括导电焊盘（例如，焊料球和/或金属凸块），并被分别接合到第一电极135和第三电极139上。第一连接电极141和第三连接电极145能够垂直对齐于第一导电半导体层115的顶面。第二连接电极143包括导电焊盘（例如，焊料球和/或金属凸块），并被接合到第二电极137上。第二连接电极143能够垂直对齐于第二导电半导体层119的顶面。
参照图29，支撑元件151经由刮板方案（squeegee scheme）、点胶方案（dispensing scheme）或模塑方案以预定厚度布置在绝缘层133上。通过将热扩散剂添加到树脂（例如，硅或环氧树脂），支撑元件151被制备为绝缘支撑层。
热扩散剂可以包括包含Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一个。例如，热扩散剂可以包括陶瓷材料。热扩散剂可以被定义为具有预定尺寸的粉粒、颗粒、填充剂或添加剂。
热扩散剂包括陶瓷材料。该陶瓷材料包括LTCC（低温共烧陶瓷）或HTCC（高温共烧陶瓷）。该陶瓷材料可以包括热传导系数高于氮化物或氧化物的金属氮化物。例如，所述金属氮化物可以包括热传导系数等于或高于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC（SiC-BeO）、BeO、CeO以及AlN构成的组里选择的一个。导热材料可以包括C类化合物（C-component）（例如，金刚石或CNT）。另外，添加到支撑元件151的热扩散剂的量可以是1wt%至99wt%。为了提高热扩散效率，至少50wt%的热扩散剂能够被添加到支撑元件151。
能够通过使用球磨机、行星式球磨机、推进器（impellor）混料、珠磨机或篮式砂磨机（basket mill）将聚合物与墨水或糊料混合来布置支撑元件151。这种情况下，溶剂和分散剂能够用来使混合物均匀分布。添加溶剂以调节粘度。在是墨水的情况下，添加3Cps至400Cps的溶剂。另外，在是糊料的情况下，添加100Cps至1000000Cps的溶剂。该溶剂可以包括从由水、甲醇、乙醇、异丙醇、丁基卡必醇（butylcabitol）、MEK、甲苯、二甲苯、二甘醇（DEG）、甲酰胺（FA）、松油醇（TP）、丁内酯（BL）、甲基溶纤剂（MCS）、丙基甲基溶纤剂（Propylmethylcellosolve）（PM）构成的组里选择的一个及其组合。为了加强颗粒之间的耦合强度，硅烷基添加剂（例如，1-三甲基硅烷基丁-1-炔-3-醇（1-Trimethylsilylbut-1-yne-3-ol）、烯丙基三甲基硅烷（Allyltrimethylsilane）、三甲基硅烷基甲磺酸酯（Trimethylsilylmethanesulfonate）、三甲基硅烷基三氯乙酸酯（Trimethylsilyl trichloroacetate）、三甲基硅烷基乙酸甲酯（Methyl trimethylsilylacetate）或三甲基硅烷基丙酸（Trimethylsilyl propionic acid））能够被添加到溶剂。这种情况下，可能会出现冻结（gelation），从而必须慎重考虑硅烷基添加剂的添加。可以在预定温度（例如，200℃±100℃）下固化支撑元件151，并且该固化温度不会对半导体层产生影响。
在制造过程中，预先制造并接合连接电极（例如，焊料凸点），并且支撑元件被设置在连接电极周围。与之对照，在对包括墨水或糊料的绝缘层印刷或点胶之后，固化绝缘层，然后将导电材料填充到与连接电极对应的孔中，从而形成连接电极。
支撑元件151被填充在第一连接电极至第三连接电极141、143和145以及第一电极至第三电极135、137以及139的周围。第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的顶面穿过支撑元件151的顶面暴露。
支撑元件151是支撑第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的绝缘支撑层。在另一个示例中，第一连接电极141和第二连接电极143能够在支撑元件151中被布置在连接电极孔之后。
支撑元件151的厚度与第一连接电极141和第二连接电极143的顶面对应，或足以暴露第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的顶面。
然后，衬底111的顶面被抛光，使衬底111具有300μm或更小的厚度，具体而言，处于130μm至150μm的范围（例如，大约150μm）中。由于支撑元件151在发光器件100中被设置得与衬底111相对，衬底111能够用作发光层，使得衬底111的厚度可以变薄。可对支撑元件151以及第一连接电极至第三连接电极141、143以及145的表面进行CMP（化学机械抛光），但实施例不限于此。
另外，对衬底111的顶面进行蚀刻处理以形成具有多个凸部的图案区。荧光层可以被布置在衬底111的顶面和侧面的至少一个上。荧光层161包括包含荧光粉的透明树脂层。透明树脂层包括硅或环氧树脂，荧光粉包括从由YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧基材料构成的组里选择的一个。荧光粉包括红色荧光粉、黄色荧光粉以及绿色荧光粉中的至少一个，并激发从有源层117发出的光的一部分以转换光的波长。荧光层具有处于大约1μm至100000μm或1μm至10000μm范围中的厚度。荧光层的厚度是发光结构120的横向长度。
对经由上述处理而制造的发光器件进行晶片级封装，并经由切片、切断和/或切割作业而将该发光器件划分成各个芯片，从而能够设置如图1所示的发光器件。由于发光器件被晶片级封装，发光器件能够经由倒装接合方案被安装在模块衬底上，而不用使用导线。另外，由于出光表面向发光结构的顶面和侧面对齐，而不是与电极对齐，因而能够减少光损失并能够提高亮度和光分布。
图30为示出根据第九实施例的发光器件的侧剖视图。在第九实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图30，发光器件包括第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极至第三电极135、137以及139、第一连接电极至第三连接电极141、143以及145、支撑元件151以及荧光层161。
将图2所示的衬底从发光器件中的发光结构120去除。能够经由物理方案和化学方案中的一个来去除该衬底。例如，通过在衬底上照射激光可以将衬底从发光结构120分离，但实施例不限于此。
图案区（例如，凹凸图案）可以被布置在发光结构120的顶面上。图案区可以通过蚀刻第一导电半导体层115的上部而布置形成，但实施例不限于此。另外，在发光结构120的顶面和侧面中，荧光层161可以至少被布置在发光结构120的顶面上。荧光层161可以转换从发光结构120发出的光。
荧光层161包括包含荧光材料的透明树脂层。透明树脂层包括硅或环氧树脂，荧光材料包括从由YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧基材料构成的组里选择的一个。该荧光材料包括红色荧光材料、黄色荧光材料以及绿色荧光材料中的至少一个，并激发从有源层117发出的光的一部分以转换光的波长。
图31为示出根据第十实施例的发光器件的侧剖视图，图32为图31所示的发光器件的第一示例的仰视图，图33为图31所示的发光器件的第二示例的仰视图，以及图34为图31所示的发光器件的第三示例的仰视图。在第十实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图31和图32，发光器件108包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极至第三电极135、137以及138、第一连接电极至第三连接电极142、144以及146以及支撑元件151。
根据实施例，连接至第一导电半导体层115的至少一个第一电极135被布置在中心区域A3，连接至反射电极层131的至少一个第二电极137和至少一个第三电极138被布置在至少一个第一电极135的两侧。
在支撑元件151中，至少一个第一连接电极142被布置在至少一个第一电极135下方，至少一个第二连接电极144被布置在至少一个第二电极137下方，以及至少一个第三连接电极146被布置在至少一个第三电极138下方。至少一个第二电极137和至少一个第三电极138被布置在反射电极层131下方，并电性连接至反射电极层131。至少一个第二电极137和至少一个第三电极138可以连接至反射电极层131互相不同的区域，但实施例不限于此。
如图31和图32所示，至少一个第二连接电极144被布置得相对于支撑元件151的底面S12的中心区域而离支撑元件151的侧面S11更近，至少一个第三连接电极146被布置得相对于支撑元件151的底面S12的中心区域离支撑元件151的侧面S11更近。
第一电极至第三电极135、137以及138中的至少一个可以包括具有从电极焊盘分支的臂结构或指状结构的电流扩散图案。另外，第一电极至第三电极135、137以及138可以包括一个电极焊盘或多个电极焊盘，但实施例不限于此。
第一连接电极至第三连接电极142、144以及146被布置在支撑元件151中并暴露于支撑元件151的下部以用作供电的引线和散热路径。第一连接电极至第三连接电极142、144以及146可以具有柱形。例如，第一连接电极至第三连接电极142、144以及146可以具有球形、圆柱形、多边形柱形或不规则形状。该多边形柱形可以是等角柱形或者也可以不是，但实施例不限于此。第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的顶面和底面可以具有圆形或多边形，但实施例不限于此。第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的底面面积可以与第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的顶面面积不同，但实施例不限于此。例如，第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的底面面积可以大于或小于第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的顶面面积。
第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的底面可以在相同的平面（即，水平面）上对齐。第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的底面可以在相同的水平面上与支撑元件151的平坦的底面S12对齐，第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的底面的至少一部分可以在不同的平面上对齐。
在支撑元件151中，第一连接电极至第三连接电极142、144以及146可以如图14所示沿一排对齐或者如图15所示沿至少两排对齐。第一连接电极至第三连接电极142、144以及146的中心可以在相同的线上彼此对齐。沿互不相同的排对齐的第一连接电极至第三连接电极142、144以及146可以被布置在相同的中心线上，但实施例不限于此。第一电极142和第三电极146连接至第二导电半导体层119，使得第一电极142和第三电极146电性连接至彼此。
根据上述结构，第一电极135的数量可以小于第二电极和第三电极137和138的数量，从而能够增大有源层117的面积，使得能够防止发光面积的减小。另外，即使互换第二连接电极144和第三连接电极146的安装位置，发光器件的电极性也没有改变。具有第一极性的供电的第一连接电极142被布置在中心区域，具有第二极性的供电的第二连接电极144和第三连接电极146被布置在发光器件中的第一连接电极142的两侧，从而能够解决第一极性和第二极性的位置混淆，并能够防止安装故障。即，由于裸眼不能够识别连接电极142、144以及146的极性，因而具有一个极性的连接电极被放置在预定中心区域，以防止由于发光器件的安装故障造成产品产量降低。
参照图34，发光器件包括布置在支撑元件151的角部区域的第二连接电极144和第三连接电极146。另外，至少一个第一连接电极142被布置在支撑元件151的中心区域。根据该配置，当具有其它极性的连接电极的数量相比，具有一个极性的连接电极的数量可以增大四倍。另外，由于连接电极被布置在支撑元件151的每一个角部区域，因而电流可以被扩散到发光结构的整个面积。
图35为示出根据第十一实施例的发光器件的侧剖视图，图36为图35所示的发光器件的第一示例的仰视图，以及图37为图35所示的发光器件的第二示例的仰视图。在第十一实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图35，发光器件109包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135和第三电极139、多个第二电极137和137A、第一连接电极141和第三连接电极145、多个第二连接电极143和143A以及支撑元件151。
发光器件包括处于支撑元件151的中心区域的第二电极137和137A以及第二连接电极143和143A。第二连接电极143和143A可以连接至第二电极137和137A中的至少一个，但实施例不限于此。第二连接电极143和143A可以彼此间隔开并电性连接至反射电极层131。
第一电极135和第三电极139被布置在第一导电半导体层115与第一连接电极141和第三连接电极145之间。
在支撑元件151中，第一连接电极至第三连接电极141、143和143A以及145可以如图36所示沿一排对齐或者如图37所示沿至少两排对齐。在另一个示例中，在支撑元件151中，第一连接电极141沿第一排对齐，第二连接电极143和143A中的至少一个沿第二排对齐，以及第三连接电极145沿第一排和第二排中的至少一个对齐或者可以从这些排偏离，但实施例不限于此。
图38为示出根据第十二实施例的发光器件的侧剖视图，图39为图38所示的发光器件的第一示例的仰视图，以及图40为图38所示的发光器件的第二示例的仰视图。在第十二实施例的以下描述中，与第一实施例相同的部件可以参考第一实施例。
参照图38，发光器件109A包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、多个第一电极135和135A、第二电极137和第三电极138、多个第一连接电极141和141A、第二连接电极147和第三连接电极148以及支撑元件151。
发光器件109A包括处于支撑元件151的中心区域的第一电极135和135A以及第一连接电极141和141A。第一连接电极141和141A可以连接至第一电极135和135A中的至少一个，或者可以一对一地连接至第一电极135和135A，但实施例不限于此。第一连接电极141和141A可以彼此间隔开，并且可以与第二电极147和第三电极148电性绝缘，但实施例不限于此。
在支撑元件151中，第一连接电极至第三连接电极141、141A、147以及148可以如图39所示沿一排对齐或者如图40所示沿至少两排对齐。在另一个示例中，在支撑元件151中，第一连接电极141沿第一排对齐，第一连接电极141A中的至少一个沿第二排对齐，以及第二连接电极147和148沿第一排和第二排中的至少一个对齐或者可以从这些排偏离，但实施例不限于此。
图41为示出根据第十三实施例的发光器件的侧剖视图。
参照图41、发光器件109B包括衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135B、第二电极137和第三电极138、多个第一连接电极141和141A、第二连接电极147和第三连接电极148以及支撑元件151。
第一连接电极141和141A被布置在第一电极135B下方并彼此连接。与第一导电半导体层115接触的第一电极135B的上部的宽度窄于第一电极135B的下部的宽度，并且第一电极135B与第一连接电极141和141A对应。图案区112（例如，凹凸图案）和荧光层161中的至少一个可以被布置在衬底111的顶面上。
<照明***>
根据实施例的发光器件或发光器件封装适用于照明***。照明***包括其中排列有多个发光器件或多个发光器件封装的结构。照明***包括图42和图43所示的显示装置、图44所示的照明装置、照明灯、信号灯、用于车辆的头灯以及电子显示器。
图42为示出根据实施例的具有发光器件封装的显示器显示装置的分解透视图。
参照图42，根据实施例的显示装置1000包括：导光板1041；发光模块1031，用来将光供应到导光板1041；反射元件1022，位于导光板1041下方；光学片1051，位于导光板1041上；显示面板1061，位于光学片1051上；以及底盖1011，用来容纳导光板1041、发光模块1031以及反射元件1022，但实施例不限于此。
底盖1011、反射板1022、导光板1041、光学片1051以及照明单元1050可以被定义为照明单元1050。
导光板1041将从发光模块1031供应的光扩散以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯基树脂（例如，PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PC（聚碳酸酯）、COC（cyclic olefin copolymer，环烯烃共聚物））和PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）树脂的一个。
发光模块1031被布置在导光板1041的至少一侧上以将光供应到导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示器件的光源。
布置至少一个发光模块1031以直接或间接供应来自导光板1041的一侧的光。发光模块1031可以包括板1033和根据实施例的发光器件或发光器件封装200。根据实施例的发光器件封装200或/和发光器件被布置在板1033上，同时彼此间隔预定间距。
板1033可以包括包含电路图案（未示出）的印刷电路板（PCB）。另外，板1033还可以包括金属芯PCB（MCPCB）或柔性（FPCB）以及典型PCB，但实施例不限于此。如果发光器件封装200被布置在底盖1011侧部或散热板上，则可以省略板1033。散热板与底盖1011的顶面部分接触。
另外，在板1033上，发光器件封装200被布置为使释放发光器件封装200的光的出光表面与导光板1041间隔预定距离，但实施例不限于此。发光器件封装200可以直接或间接将光供应到入射光表面（其为导光板1041的一侧），但实施例不限于此。
反射元件1022被布置在导光板1041下面。反射元件1022将穿过导光板1041的底面向下行进的光向显示面板1061反射，从而提高照明单元1050的亮度。例如，反射元件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但实施例不限于此。反射元件1022可以用作底盖1011的顶面，但实施例不限于此。
底盖1011可以将导光板1041、发光模块1031以及反射元件1022容纳于其中。为此目的，底盖1011具有容纳区1012，该容纳区具有顶面开放的箱形，但实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖（未示出）耦合，但实施例不限于此。
能够通过使用金属材料或树脂材料经由压制处理或挤压处理制造底盖1011。另外，底盖1011可以包括具有优良热传导系数的金属或非金属材料，但实施例不限于此。
显示面板1061例如是包括彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底以及置于第一衬底与第二衬底之间的液晶层的LCD面板。偏振片能够附接至显示面板1061的至少一个表面，但实施例不限于此。显示面板1061通过允许光从其穿过而显示信息。显示器件1000能够应用于各种便携式终端、笔记本电脑的监控器、手提电脑的监控器以及电视。
光学片1051被布置在显示面板1061与导光板1041之间，并包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括从由扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片构成的组里选择的至少一个。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示面板1061上，以及增亮片通过对损失的光的再次利用来提高亮度。另外，保护片能够被布置在显示面板1061上，但实施例不限于此。
导光板1041和光学片1051能够作为光学元件被布置在发光模块1031的光路径中，但实施例不限于此。
图43为示出根据实施例的显示装置的剖视图。
参照图43，显示器件1100包括底盖1152、其上排列有发光器件封装200的板1120、光学元件1154以及显示面板1155。
板1120和发光器件封装200可以构成发光模块1160。另外，底盖1152、至少一个发光模块1160以及光学元件1154可以构成照明单元。底盖1151能够布置有容纳区1153，但实施例不限于此。发光模块1160包括板1120、以及布置在板1120或发光器件封装200上的多个发光器件。
光学元件1154可以包括从由透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片构成的组里选择的至少一个。该导光板可以包括PC或PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）。可以省略该导光板。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示区域上，而增亮片通过对损失的光的再次利用来提高亮度。
光学元件1154被布置在发光模块1160上方，以便将从发光模块1160发出的光转换成表面光。
图44为根据实施例的照明单元的透视图。
参照图44，照明单元1200可以包括：外壳1210；发光模块1230，包含于外壳1210中；以及连接端子1220，包含于外壳1210中并供应有来自外部电源的电力。
外壳1210可以优选由具有良好防热特性的材料（例如，金属材料或树脂材料）布置而成。
发光模块1230可以包括板1232以及安装在板1232上的根据实施例的至少一个发光器件封装200。发光器件封装200可以包括多个发光器件封装，该发光器件封装在矩阵配置中相隔预定距离而排列。
板1232可以是其上印刷有电路图案的绝缘体衬底，并且可以包括例如印刷电路板（PCB）、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4衬底等。
而且，板1232可以由用来有效反射光的材料布置而成，并且其表面可以布置成能够有效反射光的颜色（例如，白色或银色）。
至少一个发光器件封装200可以被安装在板1232上。发光器件封装200的每一个可以包括至少一个发光二极管（LED）芯片。LED芯片可以包括发出红光、绿光或白光的彩色LED以及发出紫外光（UV）的UV LED。
发光模块1230可以具有各种发光器件的组合，以便获得所需的颜色和光亮度。例如，发光模块1230可以具有白色LED、红色LED以及绿色LED的组合，以便获得高显色指数（CRI）。
连接端子1220可以电性连接至发光模块1230以供电。连接端子1220可以插座形式螺纹连接和耦接至外部电力，但本公开文本不限于此。例如，连接端子1220可以制成针型并***到外部电源中，或者可以经由电源线连接至外部电源。
本说明书中任何提及的“一个实施例”，“一实施例”，“示例性实施例”等等是指结合这些实施例所描述的具体的特征、结构或特性都包括在本发明的至少一个实施例中。本说明书中多处出现的这些语句并不必然全部涉及相同的实施例。此外，当结合任一实施例来描述具体的特征、结构或特性时，应当认为其落入到本领域技术人员结合其他实施例来实施该特征、结构或特性的范围内。
虽然已经参照其中的多个阐释性实施例来对实施例进行描述，但是应该理解的是，在发明的精神或范围中，本领域普通技术人员可以设计出多种改进和实施例。更具体而言，在本说明书、附图以及权利要求的范围内，可以在组成部件和/或组合排列布局上进行多种改进和变型。除了组成部件和/或布局上的多种改进和变型以外，对于本领域的技术人员，选择性的使用也是显而易见的。
Claims (18)
1.一种发光器件，包括：
发光结构，包括第一导电半导体层；第二导电半导体层，位于所述第一导电半导体层下方；以及有源层，位于所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间；
支撑元件，位于所述发光结构下方；
反射电极层，位于所述第二导电半导体层与所述支撑元件之间；以及
第一连接电极至第三连接电极，在所述支撑元件中彼此间隔开，
其中所述第二连接电极被布置在所述第一连接电极与所述第三连接电极之间，
所述第一连接电极和所述第三连接电极彼此电性连接且与所述第二电极电性绝缘，以及
所述支撑元件被布置在所述第一连接电极至所述第三连接电极的***部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：第一电极，位于所述第一导电半导体层与所述第一连接电极和所述第三连接电极之间；以及第二电极，位于所述反射电极层与所述第二连接电极之间。
3.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：第二电极，位于所述反射电极层与所述第一连接电极和所述第三连接电极之间；以及第二电极，位于所述第二连接电极与所述第一导电半导体层之间。
4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一连接电极至所述第三连接电极中的至少一个包括彼此间隔的多个连接电极。
5.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一连接电极至所述第三连接电极的每一个均形成为多个，并且所述多个第一连接电极至第三连接电极彼此间隔开。
6.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述支撑元件的厚度厚于所述第一连接电极至所述第三连接电极的厚度。
7.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述第一连接电极至所述第三连接电极的底面暴露于所述支撑元件的底面。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述支撑元件的底面在相同的平面上与所述第一连接电极至所述第三连接电极的底面对齐。
9.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述支撑元件包括添加有陶瓷材料的树脂材料，并且所述支撑元件的侧面在相同的平面上与所述发光结构的侧面对齐。
10.根据权利要求9所述的发光器件，还包括位于所述反射电极层与所述支撑元件之间的绝缘层。
11.根据权利要求2或3所述的发光器件，还包括位于所述发光结构上的透明衬底。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一电极包括与所述第一连接电极和所述第三连接电极对应的多个第一电极。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述支撑元件的厚度厚于所述透明衬底的厚度。
14.根据权利要求11所述的发光器件，还包括位于所述透明衬底的顶面和底面中的至少一个上的光提取结构。
15.根据权利要求11所述的发光器件，还包括位于所述透明衬底上的荧光层。
16.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述支撑元件的厚度厚于所述第一连接电极至所述第三连接电极的厚度，并且所述支撑元件的的底面平行于所述透明衬底的顶面。
17.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述支撑元件的底面的宽度等于所述透明衬底的顶面的宽度。
18.一种发光器件封装，包括：
主体，具有空腔；
第一引线电极，位于所述主体的所述空腔中；
第三引线电极，位于所述主体的所述空腔中；
第二引线电极，布置在所述空腔中的所述第一引线电极与所述第三引线电极之间；
发光器件，布置在所述第一引线电极至所述第三引线电极上且电性连接至所述第一引线电极至所述第三引线电极；以及
间隙部，置于所述第一引线电极至所述第三引线电极中，
其中所述发光器件包括：
发光结构，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层，位于所述第一导电半导体层下方；以及有源层，位于所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间；
支撑元件，位于所述发光结构下方；
反射电极层，位于所述第二导电半导体层与所述支撑元件之间；以及
第一连接电极至第三连接电极，在所述支撑元件中彼此间隔开，以及
其中所述第二连接电极被布置在所述第一连接电极与所述第三连接电极之间，
所述第一连接电极和所述第三连接电极彼此电性连接且与所述第二连接电极电性绝缘，
所述支撑元件被布置在所述第一连接电极至所述第三连接电极的***部分；以及
所述第一引线电极至所述第三引线电极以相同的间距与所述支撑元件和所述第一连接电极至所述第三连接电极间隔开。
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