CN103134977B - 大电流侦测装置及其侦测方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种大电流侦测装置及其侦测方法，侦测装置包括一第一晶体管，其连接一电压源与一第一电阻。另有一第二晶体管，通过一第二电阻连接电压源，并连接第一晶体管，第一晶体管与第二晶体管通过第一电阻接收由一电流信号转换而来的电压降，且电压源依据电压降产生通过第一电阻与第一晶体管的一第一电流，及通过第二电阻与第二晶体管的一第二电流，在电流信号逐渐变大时，电压降变大，且第一电流变大，第二电流变小，直到第二晶体管与第一晶体管的输出电平翻转时，第二晶体管输出一标志电压，以达到侦测灵敏精准的效果。

Description

大电流侦测装置及其侦测方法

技术领域

本发明涉及一种侦测技术，特别是关于一种大电流侦测装置及其侦测方法。

背景技术

近年来集成电路技术盛行，所以晶体管的应用普遍使用在各种电子元件上，比如一种音频信号的D类放大器，其是一种高效率的放大器，常用来驱动高负载的扬声器。由于这种放大器的功率转换效率极高，因此近年来广泛用于便携电子产品上。

然而，在各种电子设备的电路设计中，一些要求比较高的场合需要对通过负载的电流进行精密的检测，从而达到防止电流过大损毁电路或元件等目的，而一般的电路设计通常对通过负载的电流的侦测不够完善。举例来说。如图1所示，现有技术通常将一模拟数字转换器10连接一负载12与一判断电路14。当通过负载12的负载电流过高时，模拟数字转换器10可接收负载12两端的电压，并将此电压转换成一数字信号输出至判断电路14中，接着，判断电路14便可将此数字信号转换成一短路信号输出给下一级的保护电路。除了利用模拟数字转换器10与判断电路14外，更可利用一模拟电平比较器接收负载12两端的电压，并由此来输出短路信号。但是，模拟电平比较器与模拟数字转换器10都需要稳定的直流电源电压电路，这不但耗电，且造成线路设计的复杂度增高与可靠度降低。

因此，本发明针对上述的困扰，提出一种大电流侦测装置及其侦测方法，以解决现有技术所产生的问题。

发明内容

本发明的主要目的，在于提供一种大电流侦测装置及其侦测方法，其主要采用二颗晶体管进行侦测，其中的一晶体管用以侦测大电流产生的压降造成的电平偏移，以补偿另一晶体管设定的偏移电压电平，在完全补偿时，便可输出表示侦测出大电流的信号，此技术不但简单成本低而且侦测灵敏精准。

为达上述目的，本发明提供一种大电流侦测装置，其连接一电流分流器，电流分流器依序串连一负载与一储电器，电流分流器接收一电流信号，以转换为一电压降输出，储电器提供通过上述的负载的上述的电流信号，大电流侦测装置包括一第一晶体管，其连接一电压源，并通过一第一电阻连接电流分流器，且电流分流器与第一电阻连接电压源。另有一第二晶体管，通过一第二电阻连接电压源，并连接第一晶体管与电流分流器。第一晶体管与第二晶体管通过第一电阻接收电压降，且电压源依据电压降产生通过第一电阻与第一晶体管的一第一电流，及通过第二电阻与第二晶体管的一第二电流。在电流信号逐渐变大时，电压降变大，且第一电流变大，第二电流变小，直到第二晶体管与电流分流器之间的第二电压等于第一电阻与第一晶体管之间的第一电压时，第二晶体管输出一标志电压。

上述的第一晶体管为第一NPN双极性结型晶体管，其集电极与基极相连接，并连接上述的电压源，发射极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二NPN双极性结型晶体管，其集电极连接上述的第二电阻，发射极连接上述的电流分流器，基极连接上述的第一NPN双极性结型晶体管的上述的基极。

上述的第二电压为上述的第二NPN双极性结型晶体管的发射极电压，上述的第一电压为上述的第一NPN双极性结型晶体管的发射极电压，上述的标志电压为上述的第二NPN双极性结型晶体管的集电极电压，亦为高电平电压，上述的电压源为正电压源。

上述的第一晶体管为第一PNP双极性结型晶体管，其集电极与基极相连接，并连接上述的电压源，发射极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二PNP双极性结型晶体管，其集电极连接上述的第二电阻，发射极连接上述的电流分流器，基极连接上述的第一PNP双极性结型晶体管的上述的基极。

上述的第二电压为上述的第二PNP双极性结型晶体管的发射极电压，上述的第一电压为上述的第一PNP双极性结型晶体管的发射极电压，上述的标志电压为上述的第二PNP双极性结型晶体管的集电极电压，亦为低电平电压，上述的电压源为负电压源。

上述的第一晶体管为第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极与栅极相连接，并连接上述的电压源，源极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极连接上述的第二电阻，源极连接上述的电流分流器，栅极连接上述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的上述的栅极。

上述的第二电压为上述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的第一电压为上述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的标志电压为上述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电压，亦为高电平电压，上述的电压源为正电压源。

上述的第一晶体管为第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极与栅极相连接，并连接上述的电压源，源极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极连接上述的第二电阻，源极连接上述的电流分流器，栅极连接上述的第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的上述的栅极。

上述的第二电压为上述的第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的第一电压为上述的第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的标志电压为上述的第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电压，亦为低电平电压，上述的电压源为负电压源。

本发明亦提供一种大电流侦测侦测方法，其利用上述侦测装置实行之。首先，第一晶体管与第二晶体管通过第一电阻接收电压降，且电压源依据电压降，产生通过第一电阻与第一晶体管的一第一电流，与通过第二电阻与第二晶体管的一第二电流。接着，在电流信号逐渐变大，并带动电压降变大，第一电流变大，且第二电流变小时，判断第二晶体管与上述的电流分流器之间的第二电压是否等于第一电阻与第一晶体管之间的第一电压，若是，第二晶体管输出一标志电压；若否，则维持上述步骤。

上述的电压源为正电压源，则上述的标志电压为高电平电压。

上述的电压源为负电压源，则上述的标志电压为低电平电压。

本发明的功效在于，提出一种大电流侦测装置及其侦测方法，完善了通过负载电流的检测方法，不需稳定的直流电源电压电路，节省了电能的消耗，减少了线路设计的复杂度，增加了线路设计的可靠度。

附图说明

图1为现有技术的大电流侦测装置电路示意图。

图2为本发明的第一实施例电路示意图。

图3为本发明的第二实施例电路示意图。

图4为本发明的第三实施例电路示意图。

图5为本发明的第四实施例电路示意图。

附图标记说明：10-模拟数字转换器；12-负载；14-判断电路；16-电流分流器；18-负载；20-储电器；26-第一NPN双极性结型晶体管；28-第二NPN双极性结型晶体管；30-电压源；32-第一电阻；34-第二电阻；36-第一PNP双极性结型晶体管；38-第二PNP双极性结型晶体管；40-第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；42-第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；44-第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；46-第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

具体实施方式

兹为使贵审查委员对本发明的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明，说明如后：本发明主要使用二颗晶体管形成类似电流镜的连接关系，利用其灵敏特性来完成大电流侦测，其中，晶体管可为NPN双极性结型晶体管、PNP双极性结型晶体管、N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。以下将结合附图，以此四种实施例来介绍本发明。此外，并将本发明应用于短路侦测上加以说明。

以下介绍第一实施例，请参阅图2。本发明连接一电流分流器16，此电流分流器依序串连一负载18与一储电器20，储电器20提供通过负载18的一电流信号，使电流分流器16接收一电流信号，以转换为一电压降输出，此电压降为图中b1、a1的电压差。本发明包含一第一晶体管与一第二晶体管，其分别以第一NPN双极性结型晶体管26与第二NPN双极性结型晶体管28为例。第一NPN双极性结型晶体管26的集电极与基极相连接，并连接作为一电压源30的正电压源，发射极通过一第一电阻32连接电流分流器16，且电流分流器16与第一电阻32连接电压源30。第二NPN双极性结型晶体管28的集电极通过一第二电阻34连接电压源30，发射极连接电流分流器16，基极连接第一NPN双极性结型晶体管26的基极。第一NPN双极性结型晶体管26与第二NPN双极性结型晶体管28通过第一电阻32接收上述电压降，且电压源30依据电压降产生通过第一电阻32与第一NPN双极性结型晶体管26的一第一电流，及通过第二电阻34与第二NPN双极性结型晶体管28的一第二电流。在电流信号逐渐变大时，电压降变大，且第一电流变大，第二电流变小，直到第二NPN双极性结型晶体管28与电流分流器16之间的第二电压等于第一电阻32与第一NPN双极性结型晶体管26之间的第一电压时，第二NPN双极性结型晶体管28于集电极输出高电平电压的一标志电压，即图中的c1的电压。其中第一电压为第一NPN双极性结型晶体管26的发射极电压；第二电压为第二NPN双极性结型晶体管28的发射极电压，即为b1的电压。

以下说明第一实施例的运作方法。首先，第一NPN双极性结型晶体管26与第二NPN双极性结型晶体管28通过第一电阻32接收上述电压降，且电压源30依据电压降，产生通过第一电阻32与第一NPN双极性结型晶体管26的第一电流，与通过第二电阻34与第二NPN双极性结型晶体管28的第二电流。当负载18的阻值大幅降低，致使电流信号逐渐变大，成为短路电流信号，并带动电压降变大时，b1的电压会提高，如此第二电流变小，且第一电流变大，在此时，第一NPN双极性结型晶体管26与第二NPN双极性结型晶体管28可自行判断，第二NPN双极性结型晶体管28的发射极电压是否等于第一NPN双极性结型晶体管26的发射极电压，若是，则为第二NPN双极性结型晶体管28输出电平翻转之时，第二NPN双极性结型晶体管28于集电极输出上述标志电压；若否，则维持第一NPN双极性结型晶体管26与第二NPN双极性结型晶体管28接收上述电压降，使电压源30据此产生上述第一电流与第二电流的步骤。换言之，本发明利用第一NPN双极性结型晶体管26侦测大电流产生的压降造成的电平偏移，以补偿第二NPN双极性结型晶体管28设定的偏移电压电平，并在完全补偿时，输出表示侦测出大电流的信号，以达到技术简单、成本低廉且侦测灵敏精准的功效。

以下介绍第二实施例，请参阅图3。第二实施例与第一实施例差别在于第二实施例的第一晶体管与第二晶体管分别以第一PNP双极性结型晶体管36与第二PNP双极性结型晶体管38为例，且电压源30为负电压源。第一PNP双极性结型晶体管36的集电极与基极相连接，并连接电压源30，发射极通过第一电阻32连接电流分流器16，且电流分流器16与第一电阻32连接电压源30。第二PNP双极性结型晶体管38的集电极通过第二电阻34连接电压源30，发射极连接电流分流器16，基极连接第一PNP双极性结型晶体管36的基极。第一PNP双极性结型晶体管36与第二PNP双极性结型晶体管38通过第一电阻32接收电压降，此电压降为图中a2、b2的电压差，且电压源30依据电压降产生通过第一电阻32与第一PNP双极性结型晶体管36的一第一电流，及通过第二电阻34与第二PNP双极性结型晶体管38的一第二电流。在电流信号逐渐变大时，电压降变大，且第一电流变大，第二电流变小，直到第二PNP双极性结型晶体管38与电流分流器16之间的第二电压等于第一电阻32与第一PNP双极性结型晶体管36之间的第一电压时，第二PNP双极性结型晶体管38于集电极输出低电平电压的一标志电压，即图中的c2的电压。其中第一电压为第一PNP双极性结型晶体管36的发射极电压；第二电压为第二PNP双极性结型晶体管38的发射极电压，即为b2的电压。

以下说明第二实施例的运作方法。首先，第一PNP双极性结型晶体管36与第二PNP双极性结型晶体管38通过第一电阻32接收上述电压降，且电压源30依据电压降，产生通过第一电阻32与第一PNP双极性结型晶体管36的第一电流，与通过第二电阻34与第二PNP双极性结型晶体管38的第二电流。当负载18的阻值大幅降低，致使电流信号逐渐变大，成为短路电流信号，并带动电压降变大时，b2的电压会下降，如此第二电流变小，且第一电流变大，在此时，第一PNP双极性结型晶体管36与第二PNP双极性结型晶体管38可自行判断，第二PNP双极性结型晶体管38的发射极电压是否等于第一PNP双极性结型晶体管36的发射极电压，若是，则为第二PNP双极性结型晶体管38输出电平翻转之时，第二PNP双极性结型晶体管38于集电极输出上述标志电压；若否，则维持第一PNP双极性结型晶体管36与第二PNP双极性结型晶体管38接收上述电压降，使电压源30据此产生上述第一电流与第二电流的步骤。换言之，第二实施例亦可达到侦测灵敏精准等功效。

以下介绍第三实施例，请参阅图4。第三实施例与第一实施例差别在于第三实施例的第一晶体管与第二晶体管分别以第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42为例。第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40的漏极与栅极相连接，并连接电压源30，源极通过第一电阻32连接电流分流器16，且电流分流器16与第一电阻32连接电压源30。第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42的漏极通过第二电阻34连接电压源30，源极连接电流分流器16，栅极连接第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40的栅极。第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42通过第一电阻32接收电压降，此电压降为图中b3、a3的电压差，且电压源30依据电压降产生通过第一电阻32与第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40的一第一电流，及通过第二电阻34与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42的一第二电流。在电流信号逐渐变大时，电压降变大，且第一电流变大，第二电流变小，直到第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42与电流分流器16之间的第二电压等于第一电阻32与第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40之间的第一电压时，第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42于漏极输出高电平电压的一标志电压，即图中的c3的电压。其中第一电压为第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40的源极电压；第二电压为第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42的源极电压，即为b3的电压。

以下说明第三实施例的运作方法。首先，第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42通过第一电阻32接收上述电压降，且电压源30依据电压降，产生通过第一电阻32与第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40的第一电流，与通过第二电阻34与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42的第二电流。当负载18的阻值大幅降低，致使电流信号逐渐变大，成为短路电流信号，并带动电压降变大时，b3的电压会提高，如此第二电流变小，且第一电流变大，在此时，第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42可自行判断，第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42的源极电压是否等于第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40的源极电压，若是，则为第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42输出电平翻转之时，第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42于漏极输出上述标志电压；若否，则维持第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管40与第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管42接收上述电压降，使电压源30据此产生上述第一电流与第二电流的步骤。换言之，第三实施例亦可达到侦测灵敏精准等功效。

以下介绍第四实施例，请参阅图5。第四实施例与第一实施例差别在于第四实施例的第一晶体管与第二晶体管分别以第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46为例，且电压源30为负电压源。第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44的漏极与栅极相连接，并连接电压源30，源极通过第一电阻32连接电流分流器16，且电流分流器16与第一电阻32连接电压源30。第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46的漏极通过第二电阻34连接电压源30，源极连接电流分流器16，栅极连接第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44的栅极。第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46通过第一电阻32接收电压降，此电压降为图中a4、b4的电压差，且电压源30依据电压降产生通过第一电阻32与第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44的一第一电流，及通过第二电阻34与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46的一第二电流。在电流信号逐渐变大时，电压降变大，且第一电流变大，第二电流变小，直到第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46与电流分流器16之间的第二电压等于第一电阻32与第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44之间的第一电压时，第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46于漏极输出低电平电压的一标志电压，即图中的c4的电压。其中第一电压为第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44的源极电压；第二电压为第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46的源极电压，即为b4的电压。

以下说明第四实施例的运作方法。首先，第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46通过第一电阻32接收上述电压降，且电压源30依据电压降，产生通过第一电阻32与第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44的第一电流，与通过第二电阻34与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46的第二电流。当负载18的阻值大幅降低，致使电流信号逐渐变大，成为短路电流信号，并带动电压降变大时，b4的电压会下降，如此第二电流变小，且第一电流变大，在此时，第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46可自行判断，第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46的源极电压是否等于第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44的源极电压，若是，则为第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46输出电平翻转之时，第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46于漏极输出上述标志电压；若否，则维持第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管44与第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管46接收上述电压降，使上述电压源30据此产生上述第一电流与第二电流的步骤。换言之，第四实施例亦可达到侦测灵敏精准等功效。

综上所述，本发明利用两颗晶体管来进行大电流侦测，以达到精准反应的效果。

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改，变化，或等效，但都将落入本发明的保护范围内。

Claims (12)

1.一种大电流侦测装置，其特征在于，其连接一电流分流器，电流分流器依序串连一负载与一储电器，上述的电流分流器接收一电流信号，以转换为一电压降输出，上述储电器提供通过上述负载的上述电流信号，上述的大电流侦测装置包括：

一第一晶体管，连接一电压源，并通过一第一电阻连接上述的电流分流器，且上述的电流分流器与上述的第一电阻连接上述的电压源；以及

一第二晶体管，通过一第二电阻连接上述的电压源，并连接上述的第一晶体管与上述的电流分流器，上述的第一晶体管与上述的第二晶体管通过上述的第一电阻接收上述的电压降，且上述的电压源依据上述的电压降产生通过上述的第一电阻与上述的第一晶体管的一第一电流，及通过上述的第二电阻与上述的第二晶体管的一第二电流，在上述的电流信号逐渐变大时，上述的电压降变大，且上述的第一电流变大，上述的第二电流变小，直到上述的第二晶体管与上述的电流分流器之间的第二电压等于上述的第一电阻与上述的第一晶体管之间的第一电压时，上述的第二晶体管输出一标志电压。

2.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一NPN双极性结型晶体管，其集电极与基极相连接，并连接上述的电压源，发射极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二NPN双极性结型晶体管，其集电极连接上述的第二电阻，发射极连接上述的电流分流器，基极连接上述的第一NPN双极性结型晶体管的上述的基极。

3.如权利要求2所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二NPN双极性结型晶体管的发射极电压，上述的第一电压为上述的第一NPN双极性结型晶体管的发射极电压，上述的标志电压为上述的第二NPN双极性结型晶体管的集电极电压，亦为高电平电压，上述的电压源为正电压源。

4.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一PNP双极性结型晶体管，其集电极与基极相连接，并连接上述的电压源，发射极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二PNP双极性结型晶体管，其集电极连接上述的第二电阻，发射极连接上述的电流分流器，基极连接上述的第一PNP双极性结型晶体管的上述的基极。

5.如权利要求4所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二PNP双极性结型晶体管的发射极电压，上述的第一电压为上述的第一PNP双极性结型晶体管的发射极电压，上述的标志电压为上述的第二PNP双极性结型晶体管的集电极电压，亦为低电平电压，上述的电压源为负电压源。

6.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极与栅极相连接，并连接上述的电压源，源极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极连接上述的第二电阻，源极连接上述的电流分流器，栅极连接上述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的上述的栅极。

7.如权利要求6所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的第一电压为上述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的标志电压为上述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电压，亦为高电平电压，上述的电压源为正电压源。

8.如权利要求1所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第一晶体管为第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极与栅极相连接，并连接上述的电压源，源极连接上述的第一电阻；以及上述的第二晶体管为第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极连接上述的第二电阻，源极连接上述的电流分流器，栅极连接上述的第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的上述的栅极。

9.如权利要求8所述的大电流侦测装置，其特征在于，上述的第二电压为上述的第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的第一电压为上述的第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电压，上述的标志电压为上述的第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电压，亦为低电平电压，上述的电压源为负电压源。

10.一种应用于权利要求1所述的大电流侦测装置的大电流侦测方法，其特征在于，包含下列步骤：

上述的第一晶体管与上述的第二晶体管通过上述的第一电阻接收上述的电压降，且上述的电压源依据上述的电压降，产生通过上述的第一电阻与上述的第一晶体管的一第一电流，与通过上述的第二电阻与上述的第二晶体管的一第二电流；以及

在上述的电流信号逐渐变大，并带动上述的电压降变大，上述的第一电流变大，且上述的第二电流变小时，判断上述的第二晶体管与上述的电流分流器之间的第二电压是否等于上述的第一电阻与上述的第一晶体管之间的第一电压：

若是，上述的第二晶体管输出一标志电压；以及

若否，则维持上述步骤。

11.如权利要求10所述的大电流侦测方法，其特征在于，上述的电压源为正电压源，则上述的标志电压为高电平电压。

12.如权利要求10所述的大电流侦测方法，其特征在于，上述的电压源为负电压源，则上述的标志电压为低电平电压。