CN103080994B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
在显示面板中,由栅极金属层形成的多个栅极端子和由源极金属层形成的多个源极端子(14)在俯视时交替地排列,从各个源极端子(14)到中间区域(82)和端子区域(83)以覆盖由源极金属层形成的源极端子引出线(16)的方式设有无机绝缘膜(5),在中间区域(82)中,以覆盖无机绝缘膜(5)的方式设有有机绝缘膜(6),端子区域(83)中的无机绝缘膜(5)的厚度比中间区域(82)中的无机绝缘膜(5)的厚度小,无机绝缘膜(5)在端子区域(83)中具有使源极端子(14)的表面的至少一部分露出的开口部。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板及其制造方法。“显示面板”例如是液晶显示面板。即使是液晶显示面板以外的显示面板,也能应用本发明。
背景技术
作为具备底栅型TFT元件的显示面板的一种,已知液晶显示面板。该液晶显示面板的一例在特开2005-17926号公报(专利文献1)中示出。在专利文献1中,利用用于形成栅极电极的导电膜形成栅极配线,在与栅极配线正交的方向形成源极配线。在栅极配线的端部形成栅极端子,在源极配线的端部形成源极端子。
用于处理具备底栅型TFT元件的显示面板的各种问题的技术在特开2009-128761号公报(专利文献2)、特开平11-153809号公报(专利文献3)、特开2009-80279号公报(专利文献4)中被提到。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2005-17926号公报
专利文献2:特开2009-128761号公报
专利文献3:特开平11-153809号公报
专利文献4:特开2009-80279号公报
发明内容
发明要解决的问题
作为端子区域的端子,有利用了栅极金属层的栅极端子和利用了源极金属层的源极端子。通常如专利文献1所示,用显示区域的外侧的2边,将多个栅极端子和多个源极端子分别在各边分开排列。但是,还存在沿着显示区域的1个边排列多个栅极端子和多个源极端子两者的情况。下面,在提到显示面板结构中的上下关系时,假定将基板的某侧设为下,向上按顺序层叠。
栅极金属层比栅极绝缘膜靠下侧,源极金属层比栅极绝缘膜靠上侧。栅极端子和栅极端子引出线除了栅极端子表面中的真正用于电连接的部分以外,处于被栅极绝缘膜覆盖的状态,因此,在进行后工序的各种处理时,栅极端子的一部分和栅极端子引出配线被栅极绝缘膜保护。
而源极端子和源极端子引出线比栅极绝缘膜靠上侧,因此,不能被栅极绝缘膜覆盖、保护,容易露出。因此,在进行后工序的各种处理时,源极端子和源极端子引出线有可能损伤、腐蚀或断线。特别是源极端子引出线较细,通常是3~5μm程度的宽度,因此,有可能断线。
因此,本发明的目的在于,提供在通过栅极金属层和源极金属层的组合配置而沿着1个边形成显示面板的外部连接端子的结构中,能保护源极端子引出线的结构及其制造方法。
此外,在此整理各用语的含义。针对在显示区域中矩阵地、平行地延伸多根的配线,将与TFT元件的栅极电极电连接的配线称为“栅极配线”,将与TFT元件的源极电极电连接的配线称为“源极配线”。在端子区域中为了与栅极配线、源极配线中的任一根分别进行某种电连接而形成有多个端子。将利用了栅极金属的端子称为“栅极端子”,将为了引出栅极端子而由栅极金属形成的配线称为“栅极端子引出线”。将利用了源极金属的端子称为“源极端子”,将为了引出源极端子而由源极金属形成的配线称为“源极端子引出线”。不是必须形成栅极端子来进行栅极配线的连接,形成源极端子来进行源极配线的连接。例如,还存在把利用了栅极金属的端子,即栅极端子连接于源极配线的情况。在这种情况下,设有实现在该源极配线和该栅极端子之间电连接的结构。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的,基于本发明的显示面板,其具有:包含多个像素的显示区域;俯视时配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,上述显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,上述驱动元件具备: 栅极电极;覆盖上述栅极电极的栅极绝缘膜;以及部分地覆盖上述栅极绝缘膜的源极电极,在上述端子区域中,由与上述栅极电极同层的栅极金属层形成的多个栅极端子和由与上述源极电极同层的源极金属层形成的多个源极端子在俯视时交替地排列,由上述源极金属层形成的源极端子引出线从上述多个源极端子分别向上述中间区域延伸,在上述中间区域和上述端子区域中,以覆盖上述源极端子引出线的方式设有无机绝缘膜,在上述中间区域中,以覆盖上述无机绝缘膜的方式设有有机绝缘膜,上述端子区域中的上述无机绝缘膜的厚度比上述中间区域中的上述无机绝缘膜的厚度小,上述无机绝缘膜在上述端子区域中具有使上述源极端子的表面的至少一部分露出的开口部。
发明效果
根据本发明,成为在端子区域中源极端子引出线被无机绝缘膜覆盖的结构,因此,能在通过栅极金属层和源极金属层的组合而沿着1个边形成显示面板的外部连接端子的结构中,保护源极端子引出线。
附图说明
图1是基于本发明的实施方式1的显示面板的俯视图。
图2是基于本发明的实施方式1的显示面板的显示区域的放大图。
图3是基于本发明的实施方式1的显示面板的驱动元件附近的截面图。
图4是图1的Z1部的放大图。
图5是关于图4的V-V线的向视截面图。
图6是基于本发明的实施方式2的显示面板的俯视图。
图7是图6的Z2部的放大图。
图8是关于图7的VIII-VIII线的向视截面图。
图9是关于图7的IX-IX线的向视截面图。
图10是用ACF粒子进行源极端子和凸块之间的连接情况的第1 说明图。
图11是用ACF粒子进行源极端子和凸块之间的连接情况的第2说明图。
图12是ACF粒子聚集于台阶的情况的一例的俯视图。
图13是台阶附近的俯视图。
图14是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的流程图。
图15是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出进行曝光时的栅极端子预定区域附近的情况的说明图。
图16是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出进行曝光时的源极端子预定区域附近的情况的说明图。
图17是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出将有机绝缘膜显影后的状态的栅极端子预定区域附近的情况的说明图。
图18是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出将有机绝缘膜显影后的状态的源极端子预定区域附近的情况的说明图。
图19是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出将有机绝缘膜作为掩模蚀刻无机绝缘膜后的状态的栅极端子预定区域附近的情况的说明图。
图20是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出将有机绝缘膜作为掩模蚀刻无机绝缘膜后的状态的源极端子预定区域附近的情况的说明图。
图21是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出整面地形成有ITO膜的状态的栅极端子预定区域附近的情况的说明图。
图22是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出整面地形成有ITO膜的状态的源极端子预定区域附近 的情况的说明图。
图23是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出将ITO膜图案化而仅留下期望部分后的状态的栅极端子预定区域附近的情况的说明图。
图24是基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法的中间工序,是示出将ITO膜图案化而仅留下期望部分后的状态的源极端子预定区域附近的情况的说明图。
图25是能在基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法中使用的掩模的俯视图。
图26是基于本发明的实施方式4的显示面板的制造方法的流程图。
图27是能在基于本发明的实施方式3、4的显示面板的制造方法中使用的半色调部的第1例的说明图。
图28是能在基于本发明的实施方式3、4的显示面板的制造方法中使用的半色调部的第2例的说明图。
图29是能在基于本发明的实施方式3、4的显示面板的制造方法中使用的半色调部的第3例的说明图。
图30是用图29所示的半色调部,在有机绝缘膜的端部形成具有平缓的倾斜的台阶的例子的截面图。
具体实施方式
(实施方式1)
参照图1~图5说明基于本发明的实施方式1的显示面板。首先,将本实施方式的显示面板的整体在图1示出。该显示面板是液晶显示面板101。液晶显示面板101是用玻璃基板制作的,俯视时在中央稍靠上部具有纵长的显示区域81,在下边附近具备驱动器200。在显示区域81中包含用于显示图像的多个像素。在显示区域81中,如图2所示,配置有作为用于驱动各像素的驱动元件的TFT元件20。各TFT元件20具备栅极电极21和源极电极22以及漏极电极23。将关于图2的III-III线的向视截面图在图3示出。TFT元件20是所谓的底 栅型。在TFT元件20中,在基板1的上面配置栅极电极21,栅极绝缘膜2覆盖栅极电极21,以部分地覆盖栅极绝缘膜2的上面的方式配置有源极电极22和漏极电极23。漏极电极23与像素电极电连接。栅极绝缘膜2例如可以由SiNx或SiOx形成。
此外,将用与栅极电极21相同的材料且同时形成的层称为“栅极金属层”,将用与源极电极22相同的材料且同时形成的层称为“源极金属层”。
在图1中,多根扫描信号线即栅极配线群300从驱动器200向显示区域81左右的各边延伸。多根数据信号线即源极配线群400从驱动器200向显示区域81的下边延伸。在图1中,看上去栅极配线群300和源极配线群400是指无任何内容的余白区域,但在该区域中,极细的多根配线以条纹状排列,其间距过小,因此,未图示,只不过看上去像余白。栅极配线群300所包含的每根配线是用于向显示区域81所包含的各TFT元件20的栅极电极21输送电信号的配线,源极配线群400所包含的每根配线是用于向各TFT元件20的源极电极22输送电信号的配线。以覆盖TFT元件20的方式设有无机绝缘膜5,以进一步覆盖无机绝缘膜5的方式设有有机绝缘膜6。与无机绝缘膜5相比,有机绝缘膜6较厚。无机绝缘膜5例如可以由SiNx或SiOx形成。无机绝缘膜5的厚度可以是0.1~0.6μm程度。有机绝缘膜6例如可以由感光性丙烯酸树脂形成。有机绝缘膜6的厚度可以是1~4μm程度。
将图1的Z1部放大后的部分在图4示出。在图1中,重叠有驱动器200,但在图4中,示出去掉驱动器200的状态。在图4中,可看到用于进行从显示区域81的各边延伸的配线与驱动器200的电连接的端子列。图4所示的是中间区域82与端子区域83的边界附近。在端子区域83,配置有栅极端子13和源极端子14。栅极端子13和源极端子14均具有长边方向和宽度方向。栅极端子13和源极端子14可以是长方形,也可以是椭圆形。栅极端子13和源极端子14如图4所示,可以是将长方形的四角倒角后的八边形。栅极端子13和源极端子14的宽度分别比栅极端子引出线15和源极端子引出线16的宽度宽。
若仅关注栅极端子13、源极端子14的话,则分别在与中间区域82的端部有一定距离的位置相互平行地配置。栅极端子13配置在离中间区域82较远侧,源极端子14配置在离中间区域82较近侧。栅极端子引出线15和源极端子引出线16均以从中间区域82进入端子区域83的方式延伸。栅极端子引出线15和源极端子引出线16相互平行地配置。
在本实施方式中,针对某1根栅极配线,电连接有栅极端子引出线和栅极端子,针对与上述某1根栅极配线相邻的栅极配线,电连接有源极端子引出线和源极端子。而且,针对某1根源极配线,电连接有源极端子引出线和源极端子,针对与上述某1根源极配线相邻的源极配线,电连接有栅极端子引出线和栅极端子。
将关于图4的V-V线的向视截面图在图5示出。源极金属层的一部分成为源极端子14。在源极端子14的下侧配置有岛状的栅极金属层41t。即,源极端子14与栅极金属层41t重叠。但是,源极端子14和栅极金属层41t被栅极绝缘膜2电隔离。栅极绝缘膜2以覆盖栅极金属层41t的方式形成。源极金属层被无机绝缘膜5覆盖。无机绝缘膜5开口的部分是源极端子14。在源极端子14,源极金属层不是直接露出,而是被ITO膜4覆盖。在本实施方式中,配置在源极端子14的下侧的栅极金属层41t是为了从基板1的表面起的、栅极端子13的高度与源极端子14的高度匹配而配置的。这样配置栅极金属层41t来使源极端子14的高度增加,使其与栅极端子13的高度接近。由此,实现安装驱动器200时的连接可靠性的提高。但是,根据端子部的膜构成、膜厚,也可以不配置这种目的的栅极金属层41t。
如图5所示,在中间区域82,无机绝缘膜5的上侧被有机绝缘膜6覆盖。无机绝缘膜5的厚度是与被有机绝缘膜6覆盖的部分相比,未被有机绝缘膜6覆盖的部分较薄。
本实施方式的显示面板101具有:包含多个像素的显示区域81;俯视时配置在显示区域81的外侧的端子区域83;以及介于显示区域81和端子区域83之间的中间区域82,具有作为用于驱动上述像素的驱动元件的TFT元件20。上述驱动元件具备:栅极电极21;覆盖栅 极电极21的栅极绝缘膜2;以及部分地覆盖栅极绝缘膜2的源极电极22。在端子区域83,由与栅极电极21同层的栅极金属层形成的多个栅极端子13和由与源极电极22同层的源极金属层形成的多个源极端子14在俯视时交替地排列。由上述源极金属层形成的源极端子引出线16从多个源极端子14分别向中间区域82延伸。在中间区域82和端子区域83中,以覆盖源极端子引出线16的方式设有无机绝缘膜5。在中间区域82中,以覆盖无机绝缘膜5的方式设有有机绝缘膜6。端子区域83中的无机绝缘膜5的厚度比中间区域82中的无机绝缘膜5的厚度小。无机绝缘膜5在端子区域83中具有使源极端子14的表面的至少一部分露出的开口部。
本实施方式的显示面板如图5所示,成为在端子区域83中源极端子引出线16被薄的无机绝缘膜5覆盖的结构,因此,能在通过栅极金属层和源极金属层的组合配置而沿着1个边形成显示面板的外部连接端子的结构中,保护源极端子引出线。
(实施方式2)
参照图6~图9说明基于本发明的实施方式2的显示面板。首先,将本实施方式的显示面板的整体在图6示出。该显示面板是液晶显示面板102。将图6的Z2部放大后的部位在图7示出。
将关于图7的VIII-VIII线的向视截面图在图8示出。在图8中在基板1上可看到栅极端子引出线15的截面和源极端子14的截面。栅极端子引出线15由栅极金属层形成。在栅极端子引出线15处,半导体层3覆盖栅极绝缘膜2的上侧。源极端子14的上侧被作为透明导电膜的ITO膜4覆盖。ITO膜4还覆盖栅极绝缘膜2的侧面,到达基板1的表面。
将关于图7的IX-IX线的向视截面图在图9示出。液晶显示面板102所具备的驱动元件的放大截面图与图3所示的相同,因此,关于驱动元件及其各部的附图标记使用图3所示的附图标记。
本实施方式的显示面板102具有:包含多个像素的显示区域81;俯视时配置在显示区域81的外侧的端子区域83;以及介于显示区域81和端子区域83之间的中间区域82,具有作为用于驱动上述像素的 驱动元件的TFT元件20。上述驱动元件具备:栅极电极21;覆盖栅极电极21的栅极绝缘膜2;以及部分地覆盖栅极绝缘膜2的源极电极22。在端子区域83中,由与栅极电极21同层的栅极金属层形成的多个栅极端子13和由与源极电极22同层的源极金属层形成的多个源极端子14在俯视时交替地排列。由上述源极金属层形成的源极端子引出线16从多个源极端子14分别向上述中间区域82延伸。在中间区域82中,设有以覆盖源极端子引出线16的方式形成的无机绝缘膜5和以覆盖无机绝缘膜5的方式形成的有机绝缘膜6。中间区域82包含:有机绝缘膜6具有第1厚度的中间第1区域82a;和配置在中间第1区域82a和端子区域83之间、有机绝缘膜6具有比上述第1厚度薄的第2厚度的中间第2区域82b。无机绝缘膜5在中间第2区域82b和端子区域83的边界处中断,使源极端子14的表面的至少一部分露出。
在本实施方式中,设栅极金属层为单层,但栅极金属层不限于单层。栅极金属层可以是Al或Al合金的单层,另外,也可以是TiN/Al/Ti、Ti/Al、Cu/Ti等的层叠体。
在图9所示的例子中,源极金属层成为Ti层16a与Al层16b的2层结构,但源极金属层的结构不限于此。作为源极金属层的结构的其它例子,可以是Al合金/Mo、Mo/Al/Mo、Cu/Ti等。
在图9所示的例子中,在源极端子14处,源极金属层中的Al层16b消失,仅Ti层16a延伸。在中间第2区域82b与端子区域83的边界处,成为Al层16b通过蚀刻而后退,无机绝缘膜5伸出的结构。在图9所示的例子中,在端子区域83中覆盖源极端子14的ITO膜4以跨越中间第2区域82b和中间第1区域82a的边界的方式延伸。ITO膜4可以仅延伸到中间第2区域82b的中途的任一位置,也可以进入、延伸到中间第1区域82a的中途的任一个位置。
在本实施方式中,如图9所示,以在源极端子14的下方未配置栅极金属层的结构为前提进行了说明,但与实施方式1同样地,可以根据端子的膜构成、膜厚,为了使端子彼此的高度匹配而在源极端子的14下方配置栅极金属层。
本实施方式的显示面板为源极端子引出线16被无机绝缘膜5和 有机绝缘膜6覆盖到接近端子区域83的部位为止的结构,因此,能在通过栅极金属和源极金属的组合配置而沿着1个边形成显示面板的外部连接端子的结构中,保护源极端子引出线。而且,在中间第2区域82b中有机绝缘膜6变薄,因此,如图10所示,在为了用ACF粒子19进行源极端子14和凸块17之间的连接而进行箭头91方向的加压时,如图11所示,多余的ACF粒子19能顺利地向中间区域82逃逸,能避免端子区域83和中间区域82的边界的台阶31处的ACF粒子19的聚集。
此外,将ACF粒子聚集于台阶31时的一例的俯视图在图12示出。ACF粒子的直径例如是3~5μm程度,与端子间隔(数μm~数十μm程度)相比具有足够的大小。该聚集成为相邻端子彼此漏电的原因,因此,不是优选的。
将俯视时台阶31附近的部位在图13示出。在各端子处形成ITO膜4时一次整面地形成ITO膜,在其上形成抗蚀剂膜图案,用该抗蚀剂膜图案进行图案化ITO膜4的作业。例如部位32是端子彼此的间隙,因此,应除去ITO膜。但是,若台阶31的高低差大,则台阶31中的应除去抗蚀剂膜的部位32的抗蚀剂膜的厚度变厚。因此,在部位32处残存抗蚀剂膜,不能充分地除去ITO膜,其结果是,有可能在相互相邻的配线161、162之间发生短路。但是,根据本实施方式的显示面板,在中间第2区域82b中有机绝缘膜6变薄,因此,能将台阶31的高低差抑制为较小,其结果是,能降低由ITO膜的残存导致的短路不良的发生率。
(实施方式3)
参照图14~图25说明基于本发明的实施方式3的显示面板的制造方法。本实施方式的显示面板的制造方法是为了得到实施方式1所说明的显示面板所优选的制造方法。将本实施方式的显示面板的制造方法的流程图在图14示出。
在本实施方式的显示面板的制造方法中,上述显示面板具有:包含多个像素的显示区域;配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,上述 显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,上述显示面板的制造方法包含:工序S1,在上述基板的表面形成栅极金属层;工序S2,对上述栅极金属层进行图案化,形成多个栅极电极、从上述多个栅极电极分别延伸的栅极端子引出线以及与上述栅极端子引出线端分别连接的多个栅极端子;工序S3,以覆盖上述多个栅极电极和上述栅极端子引出线的方式形成栅极绝缘膜;工序S5,以覆盖上述栅极绝缘膜的方式形成源极金属层;工序S6,对上述源极金属层进行图案化,形成与上述多个栅极端子交替地排列的多个源极端子和从上述多个源极端子分别延伸的源极端子引出线;工序S7,以覆盖上述多个源极端子和上述源极端子引出线的方式形成无机绝缘膜;工序S8,以覆盖上述无机绝缘膜的方式形成有机绝缘膜;工序S9,用掩模对上述有机绝缘膜进行曝光,上述掩模具有不使光透过的遮光部、使光原样透过的开口部以及与上述遮光部和上述开口部均相邻而使光以比上述开口部低的透射率透过的半色调部;工序S10,通过使上述有机绝缘膜显影来形成:上述有机绝缘膜厚的区域即中间区域;和包含上述有机绝缘膜较薄地残留的部分及没有上述有机绝缘膜的部分的端子区域;以及工序S11,将上述有机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述无机绝缘膜,由此使得在没有上述有机绝缘膜的部分使上述多个源极端子露出,且在上述端子区域中的上述有机绝缘膜较薄地残留的部分,上述有机绝缘膜消失而上述无机绝缘膜的厚度与被上述有机绝缘膜覆盖的区域中的上述无机绝缘膜的厚度相比变薄。
在该显示面板的制造方法中,通常在用工序S3形成栅极绝缘膜后,且在用工序S5形成源极金属层前,作为工序S4,以覆盖栅极绝缘膜的方式形成半导体层。
详细地说明该显示面板的制造方法中的工序S9到工序S11。
将进行工序S9时的栅极端子预定区域附近和源极端子预定区域附近的情况分别在图15、图16示出。
在栅极端子预定区域附近,如图15所示,在基板1的上面图案化后的栅极金属层41被栅极绝缘膜2、无机绝缘膜5以及有机绝缘膜 6的层叠体覆盖。通过掩模50进行曝光。在掩模50中具有遮光部51、开口部52以及半色调部53。在图15中,开口部52相当于之后应成为栅极端子的区域。
在源极端子预定区域附近,如图16所示,首先用栅极绝缘膜2覆盖基板1的上面,在其上侧,以图案化的状态形成源极金属层42。以覆盖源极金属层42的方式形成无机绝缘膜5,而且以覆盖其上的方式形成有有机绝缘膜6。在图16中,开口部52相当于之后应成为源极端子的区域。
在工序S10中,将有机绝缘膜6显影后的状态的栅极端子预定区域附近和源极端子预定区域附近的情况分别在图17、图18示出。均在相当于开口部52的区域,有机绝缘膜6消失,在与半色调部53对应的区域,有机绝缘膜6较薄地残留。
在工序S11中,把将有机绝缘膜6作为掩模来蚀刻无机绝缘膜5后的状态的栅极端子预定区域附近和源极端子预定区域附近的情况分别在图19、图20示出。均在图17、图18中有机绝缘膜6较薄地残留的区域,有机绝缘膜6消失,无机绝缘膜5在厚度方向被部分地蚀刻除去而变薄。有机绝缘膜从有机绝缘膜较薄地残留的区域消失的原因是,虽说有机绝缘膜起到掩模的作用,但也会以某种程度被蚀刻除去,在有机绝缘膜原本厚度较薄的区域,在进行无机绝缘膜的蚀刻期间,有机绝缘膜的厚度全部被除去。如图19所示,在栅极端子预定区域附近中的图17中的有机绝缘膜6已消失的区域,无机绝缘膜5和栅极绝缘膜2消失。如图20所示,在源极端子预定区域附近中的图18中的有机绝缘膜6已消失的区域,无机绝缘膜5消失。
而且,将整面地形成ITO膜的状态的栅极端子预定区域附近和源极端子预定区域附近的情况分别在图21、图22示出。在与掩模50的开口部52对应的区域,以分别与栅极金属层41、源极金属层42直接连接的方式形成ITO膜4。
而且,将对ITO膜进行图案化而仅残留期望部分后的状态的栅极端子预定区域附近和源极端子预定区域附近的情况分别在图23、图24示出。这样,如图23所示,形成栅极端子13和栅极端子引出线 15,如图24所示,形成源极端子14和源极端子引出线16。
在如图4所示应在端子区域83形成栅极端子13和源极端子14的情况下,作为掩模50,例如只要使用图25所示的掩模即可。
根据本实施方式的显示面板的制造方法,包含用具有半色调部的掩模对有机绝缘膜进行曝光的工序S9,因此,能在有机绝缘膜中形成厚度不同的部分,在工序S11中,能利用该厚度差与在无机绝缘膜中形成用于源极端子的开口部同时地形成薄的无机绝缘膜所覆盖的区域。因此,成为在端子区域中源极端子引出线被薄的无机绝缘膜覆盖的结构,因此,能在通过栅极金属和源极金属的组合配置而沿着1个边形成显示面板的外部连接端子的结构中,保护源极端子引出线。换言之,在本实施方式中,能形成无机绝缘膜,使无机绝缘膜的外缘位于与线宽宽的源极端子端大致重叠的位置,能用无机绝缘膜覆盖、保护线宽窄的源极端子引出线,因此,能抑制源极端子引出线的断线。
(实施方式4)
参照图26说明基于本发明的实施方式4的显示面板的制造方法。本实施方式的显示面板的制造方法是为了得到实施方式2所说明的显示面板所优选的制造方法。将本实施方式的显示面板的制造方法的流程图在图26示出。
在本实施方式的显示面板的制造方法中,上述显示面板具有:包含多个像素的显示区域;配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,上述显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,上述显示面板的制造方法包含:工序S1,在上述基板的表面形成栅极金属层;工序S2,对上述栅极金属层进行图案化,形成多个栅极电极、从上述多个栅极电极分别延伸的栅极端子引出线以及与上述栅极端子引出线端分别连接的多个栅极端子;工序S3,以覆盖上述多个栅极电极和上述栅极端子引出线的方式形成栅极绝缘膜;工序S5,以覆盖上述栅极绝缘膜的方式形成源极金属层;工序S6,对上述源极金属层进行图案化,形成与上述多个栅极端子交替地排列的多个源极端子和从 上述多个源极端子分别延伸的源极端子引出线;工序S7,以覆盖上述多个源极端子和上述源极端子引出线的方式形成无机绝缘膜;工序S8,以覆盖上述无机绝缘膜的方式形成有机绝缘膜;S19,用掩模对上述有机绝缘膜进行曝光,上述掩模具有不使光透过的遮光部、使光原样透过的开口部以及与上述遮光部和上述开口部均相邻而使光以比上述开口部低的透射率透过的半色调部;工序S20,通过使上述有机绝缘膜显影来形成上述有机绝缘膜厚的区域即中间第1区域和上述有机绝缘膜较薄地残留的中间第2区域以及没有上述有机绝缘膜的部分即端子区域;以及工序S21,将上述有机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述无机绝缘膜,使得在上述端子区域中露出上述多个源极端子,且在上述中间第2区域中上述有机绝缘膜进一步变薄地残留。
在该显示面板的制造方法中,通常在用工序S3形成栅极绝缘膜后,且在用工序S5形成源极金属层前,作为工序S4,以覆盖栅极绝缘膜的方式形成半导体层。
在本实施方式中,调整工序S8的有机绝缘膜的厚度、曝光时间,使得工序S20的结果是,在中间第2区域中也依然较薄地残留有机绝缘膜。
根据本实施方式的显示面板的制造方法,包含用具有半色调部的掩模对有机绝缘膜进行曝光的工序S19,因此,能在有机绝缘膜中形成厚度不同的部分,在工序S21中,能利用该厚度差与在无机绝缘膜中形成用于源极端子的开口部同时地形成薄的有机绝缘膜所覆盖的区域。因此,成为在接近端子区域的中间第2区域中源极端子引出线被薄的有机绝缘膜覆盖的结构,因此,能在通过栅极金属和源极金属的组合配置而沿着1个边形成显示面板的外部连接端子的结构中,保护源极端子引出线。
此外,说明能应用于实施方式3、4中的任一个的掩模50的半色调部53的结构。
上述遮光部是包含遮光性材料的膜,上述半色调部可以是与上述遮光部相比使上述膜的膜厚变薄的部分。遮光性材料例如是铬。 遮光部可以由铬膜形成。
上述遮光部是包含遮光性材料的膜,上述半色调部可以是在上述膜中设有多个狭缝的部分。例如如图27所示,半色调部53可以是在形成遮光部51的材料膜的外缘部设置多个与端子的宽度方向平行的狭缝而成为横条状。或者如图28所示,半色调部53也可以是在形成遮光部51的材料膜的外缘部设置多个与端子的长边方向平行的切口而成为纵条状。在图27所示的半色调部53中,遮光部分的宽度约为2μm,遮光部分彼此的间隙约为1.5μm。该尺寸只要根据有机绝缘膜6的膜厚等适当地设定即可。
上述遮光部是包含遮光性材料的膜,上述半色调部可以是将上述膜的边缘设为锯齿形状的部分。在此所说的锯齿形状是与齿距相比进深长度较大的锯齿形状。可以是例如如图29所示的锯齿形状。若是图29所示的半色调部,则在半色调部之中,也是根据部位的不同,透射率不同,透射率慢慢地变化,因此,如图30所示,能在有机绝缘膜6的端部形成具有平缓的倾斜的台阶。
半色调部还可以按上述方式通过改变材料的厚度、设置狭缝等来实现,除此以外,也可以通过设置微细图案来实现。因为能通过设置微细图案来调整区域整体的透射率。此外,将通过设置微细图案而实现了“半色调”的方式称为“灰色调”。
此外,此次公开的上述实施方式在所有方面是示例而非限制性内容。本发明的范围不是由上述说明而是由权利要求的范围示出,包括与权利要求同等的含义和范围内的所有变更。
工业上的可利用性
本发明能应用于显示面板及其制造方法。
附图标记说明
1:基板;2:栅极绝缘膜;3:半导体层;4:ITO膜;5:无机绝缘膜;6:有机绝缘膜;13:栅极端子;14:源极端子;15:栅极端子引出线;16:源极端子引出线;16a:Ti层;16b:Al层;17:凸块;18:IC;19:ACF粒子;20:TFT元件;21:栅极电极;22:源极电极;23:漏极电极;31:台阶;32:部位;41、41t:栅极 金属层;42:源极金属层;50:掩模;51:遮光部;52:开口部;53:半色调部;81:显示区域;82:中间区域;82a:中间第1区域;82b:中间第2区域;83:端子区域;91:箭头;101、102:液晶显示面板;200:驱动器;300:栅极配线群;400:源极配线群。
Claims (7)
1.一种显示面板,其具有:
包含多个像素的显示区域;
俯视时配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及
介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,
上述显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,
上述驱动元件具备:栅极电极;覆盖上述栅极电极的栅极绝缘膜;以及部分地覆盖上述栅极绝缘膜的源极电极,
在上述端子区域中,由与上述栅极电极同层的栅极金属层形成的多个栅极端子和由与上述源极电极同层的源极金属层形成的多个源极端子在俯视时交替地排列,
由上述源极金属层形成的源极端子引出线从上述多个源极端子分别向上述中间区域延伸,
在上述中间区域和上述端子区域中,以覆盖上述源极端子引出线的方式设有无机绝缘膜,
在上述中间区域中,以覆盖上述无机绝缘膜的方式设有有机绝缘膜,
上述端子区域中的上述无机绝缘膜的厚度比上述中间区域中的上述无机绝缘膜的厚度小,
上述无机绝缘膜在上述端子区域中具有使上述源极端子的表面的至少一部分露出的开口部。
2.一种显示面板,其具有:
包含多个像素的显示区域;
俯视时配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及
介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,
上述显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,
上述驱动元件具备:栅极电极;覆盖上述栅极电极的栅极绝缘膜;以及部分地覆盖上述栅极绝缘膜的源极电极,
在上述端子区域中,由与上述栅极电极同层的栅极金属层形成的多个栅极端子和由与上述源极电极同层的源极金属层形成的多个源极端子在俯视时交替地排列,
由上述源极金属层形成的源极端子引出线从上述多个源极端子分别向上述中间区域延伸,
在上述中间区域中,设有以覆盖上述源极端子引出线的方式形成的无机绝缘膜和以覆盖上述无机绝缘膜的方式形成的有机绝缘膜,
上述中间区域包含:上述有机绝缘膜具有第1厚度的中间第1区域;和配置在上述中间第1区域和上述端子区域之间、上述有机绝缘膜具有比上述第1厚度薄的第2厚度的中间第2区域,
上述无机绝缘膜在上述中间第2区域和上述端子区域的边界处中断,使上述源极端子的表面的至少一部分露出。
3.一种显示面板的制造方法,上述显示面板具有:
包含多个像素的显示区域;
配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及
介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,
上述显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,
上述显示面板的制造方法包含如下工序:
在基板的表面形成栅极金属层;
对上述栅极金属层进行图案化,形成多个栅极电极、从上述多个栅极电极分别延伸的栅极端子引出线以及与上述栅极端子引出线的端部分别连接的多个栅极端子;
以覆盖上述多个栅极电极和上述栅极端子引出线的方式形成栅极绝缘膜;
以覆盖上述栅极绝缘膜的方式形成源极金属层;
对上述源极金属层进行图案化,形成与上述多个栅极端子交替地排列的多个源极端子和从上述多个源极端子分别延伸的源极端子引出线;
以覆盖上述多个源极端子和上述源极端子引出线的方式形成无机绝缘膜;
以覆盖上述无机绝缘膜的方式形成有机绝缘膜;
用掩模对上述有机绝缘膜进行曝光,上述掩模具有不使光透过的遮光部、使光原样透过的开口部以及与上述遮光部和上述开口部均相邻而使光以比上述开口部低的透射率透过的半色调部;
通过使上述有机绝缘膜显影来形成:上述有机绝缘膜厚的区域即中间区域;和包含上述有机绝缘膜较薄地残留的部分及没有上述有机绝缘膜的部分的端子区域;以及
将上述有机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述无机绝缘膜,由此在没有上述有机绝缘膜的部分使上述多个源极端子露出,且在上述端子区域中的上述有机绝缘膜较薄地残留的部分,使上述有机绝缘膜消失而上述无机绝缘膜的厚度与被上述有机绝缘膜覆盖的区域中的上述无机绝缘膜的厚度相比变薄。
4.一种显示面板的制造方法,上述显示面板具有:
包含多个像素的显示区域;
配置在上述显示区域的外侧的端子区域;以及
介于上述显示区域和上述端子区域之间的中间区域,
上述显示面板具有用于驱动上述像素的驱动元件,
上述显示面板的制造方法包含如下工序:
在基板的表面形成栅极金属层;
对上述栅极金属层进行图案化,形成多个栅极电极、从上述多个栅极电极分别延伸的栅极端子引出线以及与上述栅极端子引出线的端部分别连接的多个栅极端子;
以覆盖上述多个栅极电极和上述栅极端子引出线的方式形成栅极绝缘膜;
以覆盖上述栅极绝缘膜的方式形成源极金属层;
对上述源极金属层进行图案化,形成与上述多个栅极端子交替地排列的多个源极端子和从上述多个源极端子分别延伸的源极端子引出线;
以覆盖上述多个源极端子和上述源极端子引出线的方式形成无机绝缘膜;
以覆盖上述无机绝缘膜的方式形成有机绝缘膜;
用掩模对上述有机绝缘膜进行曝光,上述掩模具有不使光透过的遮光部、使光原样透过的开口部以及与上述遮光部和上述开口部均相邻而使光以比上述开口部低的透射率透过的半色调部;
通过使上述有机绝缘膜显影来形成上述有机绝缘膜厚的区域即中间第1区域、上述有机绝缘膜较薄地残留的中间第2区域以及没有上述有机绝缘膜的部分即端子区域,其中上述中间区域包含上述中间第1区域和上述中间第2区域;以及
将上述有机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述无机绝缘膜,使得在上述端子区域中露出上述多个源极端子,且在上述中间第2区域中上述有机绝缘膜进一步变薄地残留。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板的制造方法,
上述遮光部是包含遮光性材料的膜,上述半色调部是与上述遮光部相比使上述膜的膜厚变薄的部分。
6.根据权利要求3或4所述的显示面板的制造方法,
上述遮光部是包含遮光性材料的膜,上述半色调部是在上述膜中设有多个狭缝的部分。
7.根据权利要求3或4所述的显示面板的制造方法,
上述遮光部是包含遮光性材料的膜,上述半色调部是将上述膜的边缘设为锯齿形状的部分。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150263A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Toshiba Corp | アクテイブマトリツクス型液晶表示素子 |
CN1575525A (zh) * | 2001-10-22 | 2005-02-02 | 三星电子株式会社 | 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
CN1577025A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
CN1743926A (zh) * | 2004-09-01 | 2006-03-08 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置和电子设备 |
CN101320148A (zh) * | 2007-02-22 | 2008-12-10 | 三星电子株式会社 | 显示基板及其制造方法以及具有该基板的显示器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150263A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Toshiba Corp | アクテイブマトリツクス型液晶表示素子 |
CN1575525A (zh) * | 2001-10-22 | 2005-02-02 | 三星电子株式会社 | 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
CN1577025A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
CN1743926A (zh) * | 2004-09-01 | 2006-03-08 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置和电子设备 |
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