CN103077743B - 内嵌闪存卡烧机方法以及测试板、以及内嵌闪存卡 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露一种内嵌闪存卡的烧机方法以及测试板、以及采用所述技术测试的内嵌闪存卡。所揭露的方法包括以下步骤:将一测试数据写入一内嵌闪存卡的一闪存;将该内嵌闪存卡的一命令线电性接地,以操作该内嵌闪存卡于一开机状态;在该内嵌闪存卡于该开机状态且上述测试数据经辨识存在于该闪存时,于该闪存上实行一烧机流程;并且,在该烧机流程中收集一测试报告,该测试报告储存于该闪存。
Description
技术领域
本发明有关于一种内嵌闪存卡(embedded Multi Media Card,eMMC),且特别有关于内嵌闪存卡的烧机测试(burn-in test)。
背景技术
多媒体存储卡(MultiMediaCard,MMC)基于一反及闸型闪存技术。一般而言,多媒体存储卡作为可携式装置的储存媒体,方便于移至一个人电人作存取。例如,数位相机可采用多媒体存储卡储存影像档案。使用者可藉由读卡机(例如,多媒体存储卡读卡机)将相片复制至他或她的电脑。
基于多媒体存储卡的规格,一嵌入式储存方案将多媒体存储卡介面、闪存以及控制器整合在同一封装内,命名为内嵌闪存卡(embedded Multi Media Card,eMMC)。为了确保内嵌闪存卡的闪存的可靠度,在销售前需以烧机流程测试该闪存。
图1图解内嵌闪存卡的传统烧机测试设计。如图所示,内嵌闪存卡102_1…102_N分别***N个读卡机104_1…104_N以连结一主机106。该主机106提供多个指令至上述内嵌闪存卡102_1…102_N的指令线,将所有内嵌闪存卡102_1…102_N皆操作于一传输状态(transfer state)。所述传输状态设计作传统烧机测试使用。
然而,图1的传统测试架构不适用于耐温性测试。例如,主机106并不适合放置在烤箱或者冰箱中。
本技术领域需要一种新颖的内嵌闪存卡测试架构。
发明内容
本发明揭露内嵌闪存卡(eMMC)的烧机方法、采用该烧机方法的测试板、以及以该烧机方法测试的内嵌闪存卡。
本发明一种实施方式所示的一烧机方法包括以下步骤:将一测试数据写入一内嵌闪存卡的一闪存中;将该内嵌闪存卡的一指令线(command line)电性接地,以操作该内嵌闪存卡于一开机状态(boot state);于该内嵌闪存卡处于该开机状态且该测试数据经辨 识存在于该闪存内时,收集一测试报告,该测试报告储存于该闪存。在一种实施方式中,藉由上述烧机流程,该闪存内的区块(blocks)以该测试数据测试。此外,所收集的测试报告可在该内嵌闪存卡为正常操作时供参考使用。
根据本发明另一种实施方式所实现的一测试板包括一安装座以及一导线。所述安装座用于安装一内嵌闪存卡于该测试板上。关于该安装座上所安装的内嵌闪存卡,其中闪存已写入供执行用的一测试韧体以及供烧机测试用的一测试数据。经由该测试板所提供的该导线,该内嵌闪存卡的一指令线(command line)电性接地,操作该内嵌闪存卡于一开机状态(boot state)。基于该内嵌闪存卡的开机状态以及该闪存所具有的测试数据,执行中的测试韧体对该闪存执行一烧机流程,以该测试数据测试该闪存的多个区块、且在该烧机流程收集一测试报告。该测试报告存储于该闪存。此外,该测试报告可在该内嵌闪存卡为正常操作时被参照。
根据本发明一种实施方式所实现的一内嵌闪存卡包括一闪存以及一控制器,其中,该控制器包括一只读存储器。上述闪存储存有一客制化程式码以及一测试报告。该测试报告由一烧机流程收集。该烧机流程的执行设计在该内嵌闪存卡的指令线(command line)电性接地(操作该内嵌闪存卡于一开机状态boot state)、并且该测试数据经辨识存在于该快取记忆体中时。该闪存的多个区块在该烧机流程以该测试数据测试。所述只读存储器用于储存一只读程序码(ROM code)。可与一主机通讯的该控制器对该闪存的控制根据该只读程序码以及该客制化程式码、并参考有该测试报告。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图示,详细说明如下。
附图说明
图1图解内嵌闪存卡习知的烧机测试设计;
图2图解根据本发明一种实施方式所实现的一测试板200,供实现内嵌闪存卡的烧机流程;
图3图解根据本发明一种实施方式所实现的一内嵌闪存卡300;
图4为一流程图,图解根据本发明一种实施方式所实现的一烧机方法,用于内嵌闪存卡;
图5为一流程图,图解根据本发明一种实施方式所实现的内嵌闪存卡烧机测试、以及内嵌闪存卡评比技术(基于所述烧机测试);以及
图6为一流程图,详解步骤S510的一种实施方式。
主要元件符号说明
102_1…102_N 内嵌闪存卡;
104_1…104_N 读卡机;
106 主机;
202 安装座;
204 导线;
206 内嵌闪存卡;
208 发光二极管;
210 振荡器;
300 内嵌闪存卡;
302 闪存;
304 控制器;
306 只读存储器;
308 客制化程式码;
310 测试报告;
312 只读程序码;
314 主机;
CLK 时脉线;
CMD 指令线;
Data[0] 数据线;
GND 地端;
Power 电源;
S402…S408、S502…S520、S602…S612 步骤。
具体实施方式
图2图解根据本发明一种实施方式针对内嵌闪存卡的烧机流程所作的一测试板200。测试板200可用于测试多块内嵌闪存卡。简单说明之,以下仅讨论单一组测试套 件(对应一块内嵌闪存卡)。一测试套件可能包括一安装座202以及一导线204。藉由该安装座202,内嵌闪存卡206连结该测试板200。
请注意,内嵌闪存卡206安装至该安装座202前可先连结一主机,以下载测试程式码以及测试数据。因此,安装于安装座202上的内嵌闪存卡206已经存有测试韧体供执行使用、且存有烧机流程所需的测试数据。
导线204将该内嵌闪存卡206的一指令线CMD电性连结地端GND,以操作该内嵌闪存卡206处于一开机状态(boot state,通常用于供应开机数据给一主机)。当所执行的测试韧体感测到该内嵌闪存卡206的开机状态、并辨识出该闪存包含该测试数据时,所执行的测试韧体会在该闪存上执行一烧机流程,以该测试数据测试该闪存的多个区块(blocks)。烧机流程收集有一测试报告储存于该闪存,供该内嵌闪存卡206正常操作时参考使用。基于前述技术所收集的该测试报告,一内嵌闪存卡可更有效地使用其中闪存,或者,一内嵌闪存卡可在销售前根据上述测试报告分级。此外,因为该烧机流程由该内嵌闪存卡206自身主导,并无须额外的主机或读卡机,因此,测试板200可进行耐温测试。
该测试板200可更包括多个发光二极管(LEDs),针对测试板200上的不同测试套件所设置。如图所示,发光二极管208可连结该内嵌闪存卡206的一数据线Data[0]。在本发明一种实施方式中,所执行的测试韧体在执行该烧机流程时采用该数据线Data[0]显示该内嵌闪存卡206的闪存的状态(例如,产品品质)。因此,该发光二极管208可根据该内嵌闪存卡206的闪存的状态(例如,产品品质)闪烁。一种实施方式以持续发光的发光二极管208显示安装座202上的内嵌闪存卡206故障,将自生产线移除。
在本发明另外一种实施方式中,所执行的测试韧体采用该数据线Data[0]显示该内嵌闪存卡206的闪存是否经该烧机流程测试。因此,发光二极管208可根据该烧机流程的进度闪烁。生产线员工可清楚了解烧机流程的进度。
测试板200可更包括对应该测试板200多个测试套件的多个振荡器。在图2的实施方式中,各振荡器专属一测试套件。如图所示,振荡器210可连结该内嵌闪存卡206的一时脉线CLK,以产生一时脉信号专属于该安装座202上的该内嵌闪存卡206。专属的振荡器设计确保时脉信号的准确度。特别声明,专属的振荡器设计为非限定特征。在另一种实施方式中,测试板上所有的测试套件可共用单一个时脉源。
图3图解根据本发明一种实施方式所实现的一内嵌闪存卡300。该内嵌闪存卡300包括一闪存302以及具有一只读存储器306的一控制器304。闪存302存有一客制化程式码308以及一测试报告310。只读存储器306储存有一只读程序码(ROM code)312。
测试报告310在生产线的烧机流程中收集。烧机流程的操作设计在该内嵌闪存卡300的一指令线(command line)电性接地(用以操作该内嵌闪存卡300为一开机状态boot state)且一测试数据遭辨识存在于该闪存时。该闪存302的多个区块在该烧机流程中以该测试数据测试。参考图2的测试板200,经测试板200所收集的测试报告可被用来实现内嵌闪存卡300的测试报告310。
在实际应用上,与主机314通讯的控制器304对该闪存302的控制系根据该只读程序码312、该客制化程式码308、且参照该测试报告310。
所述测试报告310可包括一时间计数(指示该烧机流程执行多久)、或该闪存302的损毁区块信息、或各区块的错误检查及校正码(error checking and correction,ECC)状态。在一种实施方式中,该闪存的多个区块由同样测试数据反复测试,直至满足一回圈数。因此,该测试报告310可更包括一回圈计数(指示烧机流程的回圈数量)或各回圈中测试失败的区块数量。
根据本发明一种实施方式,图4以一流程图图解内嵌闪存卡的烧机流程。在步骤S402,测试数据写入一内嵌闪存卡的一闪存。于步骤S404,该内嵌闪存卡的一指令线电性接地,以操作该内嵌闪存卡为一开机状态。当该内嵌闪存卡为开机状态、且该测试数据遭辨识出存在于该闪存,步骤S406在该闪存执行一烧机流程,其中,藉由该烧机流程,该闪存的各区块由该测试数据测试。于步骤S408,该烧机流程包括收集一测试报告,该测试报告储存于该闪存、且由该内嵌闪存卡于正常操作中参考使用。
在所述烧机方法的一种实施方式中,环境温度在烧机流程中剧烈变动,该内嵌闪存卡在不同温度下由该测试数据测试。因此,所揭露的烧机流程包括内嵌闪存卡的耐温性测试。
在所述烧机方法的一种实施方式中,内嵌闪存卡的一数据线用于显示该闪存于烧机流程中的状态(例如,产品品质)。在烧机方法的另外一种实施方式中,所述数据线用于显示闪存是否正以该烧机流程测试。
在所述烧机方法的一种实施方式中,烧机流程更记录一程序报告。所述程序报告储存于该闪存,供断电又复电的烧机流程参考使用。
在所揭露的烧机流程中,所述闪存的各区块可抹除后以该测试数据重新编程,再被读出以确认可靠度。所揭露的测试报告可由以上抹除/编程/读取操作收集。在一种实施方式中,闪存的多个区块由该测试数据反复测试,直至满足一回圈数。所述测试报告可包括回圈计数、或时间计数、或损坏区块信息、或各区块的错误检查及校正码状态、或各回圈中不通过测试的区块数量。
在所揭露的烧机方法的一种实施方式中,该测试报告可更使用在销售前分级内嵌闪存卡。
根据本发明一种实施方式,图5以一流程图图解一内嵌闪存卡的烧机测试以及内嵌闪存卡的分级技术(基于所述烧机测试)。于步骤S502,一内嵌闪存卡(又称内嵌闪存卡样本)耦接一主机(又称eMMC主机),且该主机在该内嵌闪存卡写入(写入其中闪存)一测试韧体。于步骤S504,该主机将测试数据下载至该内嵌闪存卡(载入其中闪存)。于步骤S506,该内嵌闪存卡与该主机断开,改连结如图2所示的测试板。在步骤S508,测试板被搬移至一测试环境(例如,耐温测试所需的温度调变环境)。在步骤S510,测试板启动(电源Power上电),其上内嵌闪存卡根据测试韧体动作。基于该内嵌闪存卡的一指令线与一接地端的电性连结(由该测试板建立,操作该内嵌闪存卡于一开机状态boot state)以及辨识到的测试数据,执行中的测试韧体在该内嵌闪存卡的闪存上实行烧机流程,并在烧机流程中收集测试报告。接着,执行步骤S512。在步骤S512,测试板除能。在步骤S514,内嵌闪存卡自该测试板移除。在步骤S516,该内嵌闪存卡连结该主机,且该主机自该内嵌闪存卡下载测试报告。在步骤S518,主机根据该测试报告评比该内嵌闪存卡。在步骤S520,主机将测试韧体自该内嵌闪存卡移除,且该主机写入一客制化韧体至该内嵌闪存卡(写至其中闪存)。
第6图以流程图详解步骤S510的一种实施方式。在步骤S602,测试板启动。步骤S604判断该内嵌闪存卡是否处于开机状态(boot state)。当该内嵌闪存卡不处于开机状态,程序执行步骤S606,略去烧机流程以进行一般的内嵌闪存卡操作。当该内嵌闪存卡处于开机状态,程序执行步骤S608,判断该内嵌闪存卡是否包含测试数据。若该内嵌闪存卡经辨识后不包含测试数据,程序执行步骤S606,略去烧机流程以进行一般的内嵌闪存卡操作。若测试数据遭辨识出存在于该内嵌闪存卡,程序执行步骤S610。步骤S610对该内嵌闪存卡的闪存进行烧机流程,并在烧机流程中收集测试报告。在某些实施方式中,流程更包括一非限定步骤S612。在步骤S612,该内嵌闪存卡的品质或烧机状态显示于该内嵌闪存卡的一数据线(可控制一发光二极管的显示)。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟悉此项技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做些许更动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (16)
1.一种内嵌闪存卡烧机方法,包括:
将一测试数据写入一内嵌闪存卡的一闪存;
通过测试板的一导线,将该内嵌闪存卡的一指令线电性连接至地端,以操作该内嵌闪存卡为一开机状态;
当该内嵌闪存卡为该开机状态且该测试数据经辨识存在于该闪存时,对该闪存执行一烧机流程;以及
在该烧机流程中收集一测试报告,且储存该测试报告至该闪存。
2.如权利要求1所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,该烧机流程以该测试数据测试该闪存的多个区块。
3.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,还包括控制一环境温度,将该烧机流程操作在多种温度下测试该内嵌闪存卡。
4.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,还包括当执行该烧机流程时采用该内嵌闪存卡的一数据线显示该闪存的一状态。
5.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,还包括控制该内嵌闪存卡的一数据线的状态,以显示该烧机流程是否正作用在该闪存上。
6.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,还包括于该烧机流程中记录一程序报告,该程序报告储存于该闪存,供断电后又复电的烧机流程参考。
7.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,在该烧机流程中,该闪存各区块遭抹除、接着重新以该测试数据编程、且接着被读出验证可靠度,以收集该测试报告。
8.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,在该烧机流程中,该闪存各区块由该测试数据反复测试,直至满足一回圈数。
9.如权利要求8所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,该测试报告包括一回圈计数、或一时间计数、或损毁区块信息、或各区块的错误检查及校正码、或各回圈的未通过测试的区块量。
10.如权利要求2所述的内嵌闪存卡烧机方法,其特征在于,该测试报告更用于评比该内嵌闪存卡。
11.一种内嵌闪存卡烧机测试的测试板,包括:
一安装座,供安装一内嵌闪存卡,该内嵌闪存卡具有一闪存,该闪存储存有执行用的一测试韧体以及烧录测试用的一测试数据;
一导线,电性连接该内嵌闪存卡的一指令线至地端,以操作该内嵌闪存卡为一开机状态,其中,所执行的该测试韧体在辨识出该测试数据时对该闪存执行一烧机流程,以该测试数据测试该闪存的多个区块,并于该烧机流程收集一测试报告,该测试报告储存于该闪存。
12.如权利要求11所述的内嵌闪存卡烧机测试的测试板,其特征在于,还包括:
一发光二极管,连接安装于该安装座上的该内嵌闪存卡的一数据线,其中,该数据线于该烧机流程进行时显示该闪存的一状态。
13.如权利要求11所述的内嵌闪存卡烧机测试的测试板,其特征在于,还包括:
一发光二极管,与安装于该安装座上的该内嵌闪存卡的一数据线连接,其中该数据线显示该闪存上是否正在施行该烧机流程。
14.如权利要求11所述的内嵌闪存卡烧机测试的测试板,其特征在于,还包括:
一振荡器,针对安装于该安装座上的该内嵌闪存卡产生专属的一时脉信号。
15.一种内嵌闪存卡,包括:
一闪存,储存有一客制化程式码以及一测试报告,其中该测试报告在一烧机流程中收集,该烧机流程当该内嵌闪存卡的一指令线经电性接地使该内嵌闪存卡为一开机状态、且一测试数据经辨识存在于该闪存时执行,且该烧机流程以该测试数据测试该闪存的多个区块;以及
具有一只读存储器的一控制器,其中该只读存储器储存有一只读程序码,且该控制器对该闪存的控制基于该只读程序码、该客制化程式码、以及参照该测试报告。
16.如权利要求15所述的内嵌闪存卡,其特征在于,该测试报告的收集以该测试数据反复测试该闪存的该多个区块直至满足一回圈数,且该测试报告包括一回圈计数、或一时间计数、或损毁区块信息、或各区块的错误检查及校正码状态、或各回圈的未通过测试的区块量。
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Families Citing this family (2)
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101145402A (zh) * | 2007-10-26 | 2008-03-19 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种闪存存储器子卡测试装置及方法 |
CN101604272A (zh) * | 2008-06-13 | 2009-12-16 | 慧国(上海)软件科技有限公司 | 存储卡测试装置及其测试方法 |
CN101667457A (zh) * | 2008-09-03 | 2010-03-10 | 京元电子股份有限公司 | 芯片烧录***与方法 |
CN102024502A (zh) * | 2010-12-09 | 2011-04-20 | 福建星网锐捷网络有限公司 | 闪存器件测试方法、装置及板卡和网络设备 |
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US6910162B2 (en) * | 2003-05-12 | 2005-06-21 | Kingston Technology Corp. | Memory-module burn-in system with removable pattern-generator boards separated from heat chamber by backplane |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101145402A (zh) * | 2007-10-26 | 2008-03-19 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种闪存存储器子卡测试装置及方法 |
CN101604272A (zh) * | 2008-06-13 | 2009-12-16 | 慧国(上海)软件科技有限公司 | 存储卡测试装置及其测试方法 |
CN101667457A (zh) * | 2008-09-03 | 2010-03-10 | 京元电子股份有限公司 | 芯片烧录***与方法 |
CN102024502A (zh) * | 2010-12-09 | 2011-04-20 | 福建星网锐捷网络有限公司 | 闪存器件测试方法、装置及板卡和网络设备 |
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