CN110716833B - 用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，包括：步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，让所述笔记本电脑处于空闲状态至电量耗尽；步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源开机；步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；步骤S8，将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。

Description

用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量 的方法
技术领域
本发明涉及固态硬盘存储技术领域，尤其涉及一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法。
背景技术
目前，笔记本电脑上的PCIe NVMe固态硬盘(Solid State Drive，SSD)几乎都支持SSD进入PS4低功耗特性，当SSD进入PS4状态时，SSD可使DDR和NAND FLASH处于掉电状态。采用这种PS4低功耗方案的优点是可大幅度降低SSD在空闲时的功耗，从而有利于增强诸如笔记本电脑的电池续航能力；但缺点是，由于SSD上的DDR在掉电前会把其数据保存到NANDFLASH中，对于NAND FLASH而言，这无疑会带来额外的写入量，造成NAND FLASH的可编程/擦除(Program/Erase，简称P/E)次数的损耗，从而减少SSD的寿命，若SSD固件设计存在严重缺陷，则有可能在SSD每次进入PS4时，都因DDR的掉电而造成非常高的额外P/E损耗，从而大大缩短SSD的使用寿命。
因此，SSD厂商在对采用上述PS4方案的SSD产品进行内部测试时，通常会关注SSD单次进入PS4时所带了的额外的写入量，而测量方法往往是利用Ulink公司的DriveMaster软件编写测试脚本来模拟SSD在实际应用场景下，单次进入PS4时的写入量。然而，这种测试方法存在以下缺点：
1)需要购买Ulink公司的DriveMaster软件，这无疑大大增加了SSD的开发成本；
2)对于无DriveMaster脚本开发经验的测试工程师而言，需要大量的时间学习该脚本的编写，这不利于提高测试效率和及时测出SSD潜在的设计缺陷；
3)当使用DriveMaster软件测试采用上述方案的PS4特性时，该测试环境往往需要独立于SSD真实的应用场景，因此使用DriveMaster软件有可能难以提前暴露SSD在实际应用环境下的设计缺陷。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
基于上述原因本发明提出了一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NANDFLASH写入量的方法。
发明内容
为了满足上述要求，本发明的目的在于提供一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，包括以下步骤：
步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；
步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；
步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量；
步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；
步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；
步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源，使所述笔记本电脑开机；
步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；
步骤S8，将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。
进一步技术方案为，所述笔记本电脑安装有Windows 10操作***。
进一步技术方案为，所述笔记本电脑为支持进入PCIe链接电源状态管理L1.2模式的笔记本电脑。
进一步技术方案为，所述数据读取工具为读取SSD状态信息的程序。
进一步技术方案为，所述笔记本电脑运行所述数据读取工具获取SSD已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量。
相比于现有技术,本发明的有益效果在于：采用本方案用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，无需购买额外的测试软件，也不需要编写复杂的测试脚本，简单高效，大大降低了SSD产品的开发成本及测试难度；且由于待测SSD处于真实应用的笔记本电脑环境下，故所测结果更能真实地评估SSD在单次进入PS4所引入的NANDFLASH写入量。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1是本发明一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法的具体实施例流程示意图；
图2是本发明用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法对联想Thinkpad X1 Carbon 6th笔记本电脑实施测量的具体流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
如图1所示的方法流程图，为本发明一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法的具体实施例的流程示意图，包括以下步骤：
步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；
步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；
步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量；
步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；
步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；
步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源，使所述笔记本电脑开机；
步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；
步骤S8，将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。
其中，NAND FLASH为用于固态硬盘的闪存，具有非易失性特点：断电以后，存储器内的信息仍然存在，用于数据存储。
作为较佳的实施方式，所述笔记本电脑安装有Windows 10操作***。
作为较佳的实施方式，所述笔记本电脑为支持进入PCIe链接电源状态管理L1.2模式的笔记本电脑。本方法只适用于支持能进入PCIe链接电源状态管理L1.2模式的笔记本电脑(否则，SSD无法进入PS4状态，目前绝大部分笔记本电脑都能进L1.2模式)，以外情况本方法并不适用。
作为较佳的实施方式，所述数据读取工具为读取SSD状态信息的程序。
作为较佳的实施方式，所述笔记本电脑运行所述数据读取工具获取SSD已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量。
使用本发明用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法对联想Thinkpad X1 Carbon 6th笔记本电脑实施测量；
硬件需求：
待测计算机：联想Thinkpad X1 Carbon 6th笔记本电脑
备注：对于待测计算机，本专利所述方法需选取能进入PCIe链接电源状态管理L1.2模式的笔记本电脑，本专利优选联想Thinkpad X1Carbon 6th笔记本电脑作为待测计算机。
软件需求：
操作***：Windows 10操作***
测试软件：SSD厂商自研的Tool Box工具(即上述方法中数据获取工具)
备注：此处的“SSD厂商自研的Tool Box工具”，是指SSD厂商在其内部自研的一种能读取SSD各种状态信息的工具(例如能读取SSD的SMART信息，PS4进出次数，坏块个数等信息)，由于各家SSD厂商对这种工具的实现方式或命名方式可能不一样，故本专利所述的“SSD厂商自研的Tool Box工具”仅是这种工具的统称，而实际的工具并不一定是以这种方式命名的。
测试流程如图2所示，流程步骤如下：
1)将待测SSD直接链接到笔记本电脑上，安装Windows10操作***；
2)采用AC供电对笔记本电脑电池充满电量；
3)利用SSD厂商自研的Tool Box工具，读取SSD已进入的PS4次数和NAND FLASH的写入量，
4)拔掉笔记本电脑的AC供电电源；
5)对笔记本电脑采用DC供电的方式，且不对笔记本电脑进行任何操作，让其一直处于空闲状态，直至笔记本电脑电池电量耗尽；
6)重新接上笔记本电脑的AC电源，开机；
7)再次利用Tool Box工具读取SSD此时的已进入PS4的次数和NAND FLASH的写入量；
8)最后，这两次的NAND FLASH写入量之差除以这两次PS4进入次数之差，即可得到SSD单次进入PS4时所引入的NAND FLASH写入量。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本发明实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
该集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，终端，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (5)

1.用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；
步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；
步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；
步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；
步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；
步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源，使所述笔记本电脑开机；
步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量；
步骤S8，将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。
2.根据权利要求1所述的用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，其特征在于，所述笔记本电脑安装有Windows 10操作***。
3.根据权利要求2所述的用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，其特征在于，所述笔记本电脑为支持进入PCIe链接电源状态管理L1.2模式的笔记本电脑。
4.根据权利要求1所述的用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，其特征在于，所述数据读取工具为读取SSD状态信息的程序。
5.根据权利要求1所述的用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，其特征在于，所述笔记本电脑运行所述数据读取工具获取SSD已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量。
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