CN103066944A - 弹性表面波元件及电子零件 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 16
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000027321 Lychnis chalcedonica Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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Abstract
一种弹性表面波元件以及电子零件。在为了利用包含泄漏弹性表面波的弹性表面波，而在钽酸锂制的压电基板上配置叉指换能器电极的弹性表面波元件中，即便所述弹性表面波元件的频带为2GHz以上的高频带，也将传播损耗抑制得较小。使用包含旋转45°～46°的Y-X板的钽酸锂，作为压电基板（10），并且将叉指换能器电极（2）的膜厚（h）设定为7.5%λ～8%λ，同时针对叉指换能器电极（2）的电极指（6）群，将线占有率（r）设定为0.55～0.65。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用了泄漏弹性表面波（Leaky Surface AcousticWave，LSAW）的弹性表面波元件、及具备所述弹性表面波元件的电子零件。
背景技术
Y-X钽酸锂（LiTaO3：弹性表面波在X轴方向、于钽酸锂基板上传播的基板，该钽酸锂基板是相对于绕着结晶轴的X轴仅以某个角度旋转的Y轴而垂直切断）被用作利用弹性表面波（SAW：Surface AcousticWave）中的L（泄漏（Leaky））SAW的弹性表面波元件的代表性压电基板。所述弹性表面波元件是作为共振器等而构成，该共振器包括：叉指换能器（Inter Digital Transducer，IDT）电极，例如具备一对汇流条（busbar）与配置在所述这些汇流条间的电极指群；及反射器，形成在所述IDT电极的弹性表面波的传播方向两侧。
在X轴方向上、于所述压电基板中传播的体声波（BAW：BulkAcoustic Wave），如图19所示，有着：传播速度比较慢的横波（3349m/s）、传播速度比所述横波快的横波（4214m/s）及纵波（5588m/s）。而且，在此种压电基板中，所述较快的横波变成剪切水平（Shear Horizontal，SH）波（变位方向与压电基板的表面平行的横波），并集中于压电基板的表面，且变成所述LSAW。所述LSAW并非完全的SH波，还包含剪切垂直（Shear Vertical，SV）成分。
此时，LSAW在所述压电基板中传播时，会产生传播损耗。若对产生此种传播损耗的理由的具体一例进行说明，则如上所述，所述LSAW的传播速度快于SV体声波（较慢的横波），故而该LSAW中的SV成分与SV体声波耦合，随着传播进行而产生能量损耗。
此处，如下所述，关于LSAW的传播损耗，对电极指的对数设定为无限（无限周期IDT）的情况已进行了分析，但对于实际的有限结构的情况并未进行分析。而且，在专利文献1～6中，虽然分别记载了压电基板的切割角（cut angle）、IDT电极的膜厚等，但是并未研究LSAW的传播损耗的详细内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平9-167936
专利文献2：国际公开2008-4408
专利文献3：日本专利特开2003-283298
专利文献4：日本专利特开2006-87145
专利文献5：日本专利特开2007-74754
专利文献6：日本专利特开昭63-238708
发明内容
本发明是鉴于所述情况研究而成的发明，目的在于：提供一种弹性表面波元件及电子零件，在为了利用包含泄漏弹性表面波（Leaky SurfaceAcoustic Wave，LSAW）的弹性表面波、而于钽酸锂基板上配置了IDT电极的弹性表面波元件中，即便所述弹性表面波元件的频带为2GHz以上的高频带，也能将传播损耗抑制得较小。
本发明是一种弹性表面波元件，利用包含2GHz以上的频率的LSAW的弹性表面波，该弹性表面波元件包括：
压电基板，构成为：在相对于绕着结晶轴的X轴旋转45°～46°的Y轴而垂直切断的钽酸锂基板上，在X轴方向上传播弹性表面波；
IDT电极，包含：含有导电体膜的一对汇流条、及含有导电膜的电极指群，所述一对汇流条是以沿着弹性表面波的传播方向分别延伸并相互平行的方式，而形成在所述压电基板上，所述电极指群是以从所述多个汇流条朝对向的汇流条相互呈梳齿状交叉的方式配置；及
反射器，分别设置在弹性表面波的传播方向上的所述IDT电极的一方侧及另一方侧，且所述反射器分别包含：一对反射器汇流条、及反射器电极指群，所述一对反射器汇流条以沿着弹性表面波的传播方向分别延伸并相互平行的方式，而形成在所述压电基板上，所述反射器电极指群以将所述多个反射器汇流条彼此相互连接的方式而各自形成；
将所述电极指群的周期长设为λ，则所述电极指群的各个所述导电体膜的膜厚为7.5%λ～8%λ，
将所述电极指的宽度尺寸及相互邻接的电极指间的隔开尺寸分别设为D及S，则用宽度尺寸D与隔开尺寸S的和除宽度尺寸D所得的值来表现的线占有率为0.55～0.65。
在抑制频率相对于该线占有率的变动而变动的情况下，所述线占有率优选设定为0.55～0.60，另一方面，在扩大所述弹性表面波元件的共振频率与***振频率之间的间隔的情况下，所述线占有率优选设定为0.60～0.65。即，在利用弹性表面波元件构成带通滤波器（band pass filter）的情况下，通过将主要的IDT电极的线占有率设定为0.60～0.65，通带的宽波段化变得最容易。
而且，本发明的电子零件包括：
所述弹性表面波元件。
发明的效果
本发明在利用包含2GHz以上的频率的LSAW的弹性表面波的弹性表面波元件中，利用包含旋转45°～46°的Y-X板的钽酸锂基板作为压电基板。而且，将IDT电极的电极指群的膜厚设定为7.5%λ～8%λ（λ：电极指的周期长），并且针对IDT电极的电极指群，将线占有率设定为0.55～0.65。因此，可一边抑制因制造不均导致的频率特性的偏移，一边将弹性表面波的传播损耗抑制得较小。
附图说明
图1是表示本发明的弹性表面波元件的一例的平面图。
图2（a）、图2（b）是表示所述弹性表面波元件的压电基板的切割角的说明图。
图3是表示所述弹性表面波元件的纵截面图。
图4是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图5是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图6是表示针对所述弹性表面波元件所得的特性的模式图。
图7是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图8是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图9是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图10是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图11是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图12是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图13是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图14是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图15是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图16是针对所述弹性表面波元件所得的特性图。
图17是表示所述弹性表面波元件的其他例的电路图。
图18是表示所述弹性表面波元件的其他例的平面图。
图19表示弹性表面波的传播速度的概略图。
附图标记：
1：共振器
2：IDT电极
3：反射器
4：抽出电极
5：汇流条
6：电极指
7：反射器汇流条
8：反射器电极指
10：压电基板
11：输入端口
12：输出端口
13：接地端口
20：电容
21：电感
22：电阻
23：晶体管
24：二极管
25：输入端子
26：端口
27：输出端口
h：膜厚
r：线占有率
具体实施方式
弹性表面波元件的概略
参照图1～图3，来说明本发明的弹性表面波元件的实施方式的一例。首先，在说明弹性表面波元件以如下方式构成的理由之前，对所述弹性表面波元件的概略进行说明。如图1所示，弹性表面波元件构成为：利用SAW（弹性表面波，surface acoustic wave）中的L（Leaky）SAW，所述例子中是：在压电基板10上形成多个共振器1，且电气地呈梯形相互连接，从而构成梯形带通滤波器（band pass filter）。如图2（a）、图2（b）的示意性所示，所述压电基板10是由旋转Y-X钽酸锂基板（弹性表面波在X轴方向、于钽酸锂基板上传播的基板，该钽酸锂基板是相对于绕着结晶轴的X轴仅旋转角度θ的Y轴而垂直切断）构成。所述角度θ为45°～46°，具体来说是46°。还有，关于压电基板10，即便与角度θ相反地绕轴旋转时，则成为该压电基板10的表面背面交换后的关系，获得相同的SAW特性。
所述例子中，在输入端口11与输出端口12之间，例如3个共振器1以分别形成串联臂的方式而相互串联地连接；且在所述多个共振器1、1之间，1个共振器1以分别形成并联臂的方式而并联地连接。图1中13是接地端口，4是将各共振器1、1彼此、或共振器1与各端口11、12、13电气连接的抽出电极。还有，图1中，各共振器1是示意性简化后进行描绘。
各共振器1包括：IDT电极2、以及在弹性表面波（LSAW）的传播方向中分别形成于所述IDT电极2的一方侧及另一方侧的反射器3、3。IDT电极2包含：一对汇流条5、5，以沿着弹性表面波的传播方向分别延伸并相互平行的方式配置；及多根电极指6，以在所述这些汇流条5、5间相互交叉的方式，形成为梳齿状。在所述例子中，IDT电极2是标准型电极，由自一对汇流条5、5中的一方侧的汇流条5延伸的电极指6、与邻接于该电极指6而从另一方侧的汇流条5延伸的电极指6，沿着弹性表面波的传播方向交替配置而成。图1中，7是反射器汇流条，8是反射器电极指。
而且，如图3所示，各电极指6以下述方式构成，即：使包含相互邻接的2根电极指6、6的各宽度尺寸、所述多个电极指6、6间的隔开尺寸的周期长λ，对应于在压电基板10上传播的弹性表面波的频率。具体来说，所述周期长λ是：与所期望的频率的弹性表面波的波长λ相同的尺寸。在所述实施方式中，以压电基板10上传播共振频率f为2GHz以上、所述例子中为2.4GHz的LSAW的方式，来构成所述周期长λ。即，在所述压电基板10上，在电极指6的配置区域内传播的LSAW的传播速度V例如为3877m/s，因此，以f＝V/λ的方式，来设定周期长λ。具体来说，周期长λ成为约1.62μm。还有，图3是表示以图1的A-A线将压电基板10切断后的纵截面图，关于压电基板10的厚度尺寸是示意性地予以表示。
此处，若将电极指6的宽度尺寸及相互邻接的电极指6、6间的隔开尺寸分别设为D及S，则如以下的式（1）所示，用宽度尺寸D和隔开尺寸S的和除宽度尺寸D所得的值而表示的线占有率r，为0.55～0.65，在所述例子中成为0.6。
r＝D÷（D＋S）···（1）
作为具体的尺寸，所述宽度尺寸D及隔开尺寸S分别为0.486μm及0.324μm。相互交叉的电极指6、6的数量（电极指6的对数）N设定为例如300对，相互邻接的电极指6、6彼此交叉的交叉长W例如为37.5λ。
而且，如图3所示，各电极指6是由作为导电体膜的例如铝（Al）膜构成。具体来说，通过在压电基板10上，从下侧依次层叠例如铝膜和抗蚀膜，接着以使用光刻（photolithography）或蚀刻等的图案化法，而一体地形成各共振器1。电极指6的膜厚h若利用周期长λ进行表示，则为例如7.5%λ～8%λ，在所述例子中为8%λ。以下，详细说明这样构成弹性表面波元件的理由。
至此为止所得的弹性表面波的能量损耗的原因
如背景技术说明的那样，LSAW具有SV成分，因此，在所述压电基板10上传播时，所述SV成分会和LSAW以外的其他SV体声波耦合，从而产生传播损耗。因此，若LSAW的SV成分正好变成零，则SV体声波辐射消失，传播损耗成为零。这样，传播损耗为零的条件是：由电极指6的膜厚及宽度尺寸、压电基板10的切割角及弹性表面波元件的频带的组合而决定。因此，通过以弹性表面波元件大概满足所述条件的方式来设定各参数，该弹性表面波元件成为低损耗。具体来说，在以下列举的技术资料1中记载了，在电极指6的膜厚h及线占有率r分别为8%λ及0.5的情况下，共振器1的共振频率（阻带（stop band）下端）中传播损耗成为零的，是42°Y板。而且，根据技术资料2，在膜厚h及线占有率r分别为10%λ及0.5的情况下，从共振频率至***振频率为止的传播损耗的平均成为最小的，是48°Y板。
但是，所述技术资料1、2的分析是：在电极指6的根数为无限（无限周期IDT）的情况下才成立的，这是针对弹性表面波的传播方向上没有端部的理想共振器所得的结果。另一方面，实际的共振器1是电极指6的根数有限的结构，因此，必须考虑所述SV体声波损耗以外的损耗。因此，本发明中，如下所示，研究SV体声波损耗以外的损耗，分析尽可能减小LSAW的损耗的条件。
关于SV体声波损耗以外的损耗
图4表示针对以下所示的共振器，将实测求出的机械损耗量表示为1/Q（Q：共振的Q值）的特性。图4中的横轴是基于2个横波中传播速度较快的横波的传播速度（4214m/s）而考虑的布拉格（Bragg）频率（约2107MHz）、即以较快横波的截止（cutoff）频率标准化后的频率。图4中，电极指电阻所致的欧姆损耗被除外，仅表示机械（Mechanical）损耗1/Qm。还有，所谓“损耗”，是指单位时间内失去的能量（相对于全体）的比例，单位为无因次。
（用于测定的共振器）
压电基板：48°Y-X钽酸锂
周期长λ：2μm
电极指的对数N：250对
反射器电极指：各50根
共振器的膜厚：9.53%λ
图4中表示为“实验值”的实线是实测值，共振器的共振点（共振频率）中损耗成为最小，且随着自所述共振点接近***振点（***振频率），损耗逐渐增加。
而且，实际制作压电基板的切割角、共振器的膜厚、IDT电极的线占有率、IDT电极的汇流条间的尺寸（开口长）、电极指的对数N等实验参数不同的各种1端口共振器，利用高频探针及网络分析仪（networkanalyzer），测定所述多个共振器的共振特性，并且基于所述测定结果，算出表示损耗的实验式。具体来说，通过所述测定，获得共振特性（从反射特性看是共振圆），所以，通过向集中常数等效电路（L（电感）、C（电容）、R（电阻）构成的单纯电路）进行拟合（fitting）处理，来决定常数。此时，表示机械损耗的串联共振臂的电阻RM是依存于频率变化而被决定，从而获得损耗的频率特性为1/Qm＝RM（ω）/ωL。
欧姆损耗是由电路全体的串联电阻RE表现且分离。因此，所谓作为1/Qm所得的机械损耗是：波动由于某种原因泄漏而引起的损耗，分类如下。
（1）向基板中的体声波辐射
（2）传播方向上未由反射器封闭而漏出的SAW
（3）向横向（开口长方向）的泄漏
（4）因电极所具粘性而损失的能量损耗
此次的情况下，（2）由于具有足够的反射量和反射器长度，在关注的共振特性附近基本上不产生损耗。（3）着眼于足够大的开口长的数据，在影响较少的状态下进行讨论。（4）是影响变得显着的绝对频率以下。如上所述，所述实验中，关于机械损耗，（1）着眼于成为主要原因的条件。而且，基于以上的结果，关于实验式是构成为能够评估所述实验参数变化时的损耗。即，为了通过模拟把握SH-BAW损耗，必须进行涉及数百根电极指的表现的分析，因此，分析规模变大而变得困难。另一方面，若为以此方式基于实验结果的近似式，则可自由设定参数进行评估。
此处，图4中，作为“传播损耗（SV-BAW）”，表示：通过与技术资料1、2相同的手法，理论上决定的SV-BAW引起的传播损耗；且作为“传播损耗（SH-BAW）、及其他”，是表示：所述实验式引起的损耗。而且，作为“传播损耗合计”，是表示：所述2个损耗的和（SV＋SH）。所述损耗的合计与图4中作为“实验值”表示的结果极其良好地吻合，因此，关于作为第1损耗即“无限周期结构中的SV-BAW的损耗”以外的部分，表示了：可通过表示第2损耗的实验式而良好地进行补充。
若将以上说明汇总，可知LSAW的传播损耗包含第1损耗及第2损耗，第1损耗是作为理论值的SV-BAW损耗。而且，第2损耗是通过实验式求出的值，主要是理解为由SH-BAW产生。因此，（1）的损耗是SV-BAW与SH-BAW的混合，SV-BAW是通过理想的无限周期结构的理论分析而求出，因此，可通过从实验结果中扣除（1）的损耗，而实现获取有限结构引起的SH-BAW的损耗的模型（model）化（近似式化）。
此处，在构成滤波器（filter）或双工器（Duplexer）等共振器件（device）时，尤其是：在共振点与***振点之间的区域内的传播损耗较小，此为较佳。因此，对该区域内的传播损耗进行研究。关于SV-BAW，根据图4可知，损耗在共振点与***振点之间正好为零，因此，用于所述测定的共振器可以说：对于SV-BAW来说成为最适合条件。
另一方面，关于SH-BAW，由于共振器是有限的结构，因此，即便在所述较快的横波的截止频率（标准化频率：1）以下也会产生损耗，从共振点越接近截止频率则损耗逐渐变大。实验所得的损耗中，***振点的损耗大于共振点的损耗，这是所述SH-BAW损耗的主要原因。
图5表示针对所述SH-BAW损耗，确认共振器的膜厚h的依存性的结果。图5表示膜厚h分别设定为7%λ、8%λ、9%λ及10%λ时的SH-BAW损耗，且以与表现各损耗的线型相同的线型，来表示各条件下的共振点及***振点。根据所述结果，可知***振点处的SH-BAW损耗随着膜厚增加而变大。作为理由，认为是在接近截止的频率中，膜厚h变得越厚，则SAW与BAW的耦合越大，因此，从SAW向BAW的转换及辐射增加。
但是，在2GHz以上的高频带使用共振器时，若共振器的膜厚h过小，则欧姆损耗（ohmic loss）以共振点为中心而增加，故理想的是7%λ（λ＝2μm时为140nm）以上。因此，本发明中，在求出尽可能减小损耗的条件（参数）时，将膜厚h的下限设定为7%λ。此时，关于欧姆损耗，即便是波长比膜厚为相同的条件，也会伴随频带（或周期长λ）发生变化，因此，不作为最佳化的对象。还有，图6示意性表示以上说明的损耗的频率依存性。
各参数的最佳化
接着，对以尽可能减小损耗的方式，算出膜厚h、切割角及线占有率r的最佳值的结果进行说明。图7～图10表示：在将线占有率r分别设定为0.5时，共振点（fr）及***振点（fa）各自的损耗的膜厚h依存性。图7表示切割角为44°时的结果，图8表示45°时的结果。而且，图9及图10表示切割角分别为46°及47°时的结果。而且，图7～图10各自的横轴上，代替膜厚h而使用波长比膜厚（h/λ）。所述模拟中，电极指的对数N及开口长分别设为300对及37.5λ。
如图7～图10所示，共振点的损耗及***振点的损耗的任一者成为如下曲线，即，随着波长比膜厚从0.05左右逐渐变大（变厚）而减少，之后随着接近0.10而增大。而且，共振点及***振点的损耗最小时的波长比膜厚在切割角为44°（图7）的情况下，成为小于（薄于）7%。因此，在2GHz以上的高频带使用共振器时的最佳切割角，可知为45°以上（44°并不适合）。
另一方面，在切割角为45°（图8）及46°（图9）的情况下，共振点及***振点的损耗最小时的波长比膜厚成为0.075～0.08（7.5%～8%）的范围，所述范围是欧姆损耗在2GHz以上的高频带的影响较少的区域。在切割角为47°（图10）的情况下，与图7～图9相比，共振点及***振点的损耗增大。因此，在线占有率r为0.5的情况下，切割角及波长比膜厚的最佳值可知分别为45°～46°及7.5%～8%。
在线占有率r为0.6时，同样地分别改变切割角及波长比膜厚而进行计算，如图11～图14所示，切割角及波长比膜厚各自的最佳值分别为45°～46°及7.5%～8%。
接着，对线占有率r的最佳值进行研究。在利用2GHz以上的高频带的LSAW的弹性表面波元件中，电极指的宽度尺寸、相互邻接的电极指间的隔开尺寸等成为极小，因此，难以制造该弹性表面波元件，并且会由于制造时的尺寸不均而容易引起频率特性的偏移。因此，理想的是，线占有率r相对于频率特性的依存性较小。即，在制造弹性表面波元件时，优选的是，在因制造不均而变动这一程度的尺寸误差下，频率特性基本上不发生变化。因此，如下所示，使用实验式，同样地对线占有率r和共振点及***振点的相互关系进行考察。
图15表示使用45°Y-X钽酸锂基板并将膜厚h设为7.5%λ时，线占有率r相对于共振点及***振点的依存性。根据图15可知，在线占有率r为0.5左右至0.7左右的区域内，共振点变化较小。因此，线占有率r可以说优选采用所述区域的值。还有，关于其他条件是与所述条件相同。
此处，图16表示的是表现共振器的电容比和线占有率r的相互关系的曲线（graph）。所述“电容比”是指：从等效电路的观点来观察共振器时，表示该共振器的压电性的电容值C 1相对于该共振器原本的静电电容C0的比率，该比率越小则共振点和***振点之间隔得越开，获得波段越宽的滤波器；该比率越大，则获得波段越窄的滤波器。而且，在弹性表面波元件中，要求波段非常宽的滤波器的情况较多，所述电容比优选为尽可能小。因此，图16中电容比采取尽可能小的值，且图15中共振点的频率的变动幅度尽可能小时的线占有率r为0.55～0.65。所述线占有率r的最佳范围在切割角为45°～46°的区域及膜厚h为7.5%λ～8%λ的区域内，基本上无变化。而且，若电极指的对数及开口长并非极端小，即，电极指的对数及开口长分别为100对左右以上及12λ左右以上，则损耗量可能会发生变化，但以上说明的最佳条件基本上不受影响。
另外，通过根据目标特性（规格）来设定线占有率r，而获得针对各规格进行特化（specific）的最佳特性。具体来说，为了获得频率变动相对于线占有率r的变动而较小的特性，线占有率r优选设定为0.55～0.60。另一方面，在重视电容比较小，共振点与***振点之间的间隔尽可能大的弹性表面波元件的性能时，线占有率r优选设定为0.60～0.65。即，作为所述弹性表面波元件，构成为具备通带（passband）及阻带（stopband）的滤波器时，在增大通带而获得宽波段的带通滤波器的情况下，线占有率r优选设定为0.60～0.65。而且，在将线占有率r设定为0.60～0.65而构成宽波段的弹性表面波元件的情况下，通过将该弹性表面波元件应用于电压控制振荡器（VCO：Voltage Control Oscillator），而实现所述VCO的频率的可变幅度的宽波段化。若在图17中表示此种VCO的一例，则所述VCO采用的构成是利用将电容20、电感21、电阻22、晶体管23及二极管24组合而成的柯匹茨电路（colpitts circuit），晶体管23的基极端子与输入端子25之间，***所述共振器1。图17中，26是为了驱动晶体管23施加了电压的端口，27是输出端口。
根据所述实施方式，在利用包含2GHz以上的频率的LSAW的弹性表面波的弹性表面波元件中，使用了包含旋转45°～46°的Y-X板的钽酸锂基板，来作为压电基板10。而且，将IDT电极2的膜厚h设定为7.5%λ～8%λ，并且针对IDT电极2的电极指6群，将线占有率r设定为0.55～0.65。因此，能够一边抑制制造不均引起的频率特性的偏移，一边将LSAW的传播损耗抑制得较小。而且，由于弹性表面波元件的电容比能够如上所述设定得较小，因此，可将共振点与***振点之间较大隔开，而构成宽波段的滤波器。
以往，并未进行综合研究所有机械损耗的频率特性，并包含线占有率r在内而特定最佳条件的分析。但是，本发明中，如以上详细说明那样，除了研究SV-BAW的损耗以外，还研究SH-BAW的损耗，并且制作表示SH-BAW的损耗的实验式，基于所述实验式而将压电基板10的切割角、膜厚h及线占有率r最佳化。因此，针对采用有限结构的实际共振器等弹性表面波元件，可以获得符合实际的最佳条件。而且，以往，仅对于用来调整例如传播速度、电极指反射率等的参数即线占有率r，设定损耗尽可能小的范围，并且抑制制造不均引起的共振点的变动，且以变成宽波段的滤波器的方式使值一致。因此，这样能获得损耗得到抑制的弹性表面波元件。
因此，以上说明的弹性表面波元件较佳用于具备该弹性波表面元件的电子零件。
作为以上说明的弹性表面波元件，可列举：利用了共振器1的梯形滤波器为例，但如图18所示，也可以是纵共振器型滤波器。图18中，表示的例子为，在压电基板10上，沿弹性表面波的传播方向排列多个例如3个IDT电极2，并且在该传播方向上的所述这些IDT电极2的一方侧及另一方侧，分别配置反射器3。而且，电极指6的膜厚h是设定为例如7.5%λ～8%λ，但关于汇流条5的膜厚，也可以对该电极指6个别地进行设定。
技术文献1：桥本研也等人，“***损耗最小化元件用的钽酸锂的最佳泄漏表面声波截止”，1997年，美国电气和电子工程师协会超声波研讨会公布，pp.245-254（Ken-ya Hashimoto et al，“Optimum Leaky-SAWCut of LiTaO3for Minimised Insertion Loss Devices，”Proc.1997IEEEUltrason.Symp.，pp.245-254.）
技术文献2：娜塔莉亚·纳鲁门科及本杰明·艾伯特，“用于共振器滤波器的性能改善的LiTaO3的最佳截止”，2002年，美国电气和电子工程师协会超声波研讨会公布，pp.385-390（Natalya Naumenko andBenjamin Abbotto，“Optimized Cut of LiTaO3for Resonator Filters withImproved Performance”Proc.2002IEEE Ultrason.Symp.，pp.385-390）
Claims (4)
1.一种弹性表面波元件，利用包含2GHz以上的频率的泄漏弹性表面波的弹性表面波，所述弹性表面波元件的特征在于包括：
压电基板，构成为：在相对于绕着结晶轴的X轴旋转45°～46°的Y轴而垂直切断的钽酸锂基板上，使弹性表面波沿着X轴方向传播；
叉指换能器电极，包含：含有导电体膜的一对汇流条、及含有导电膜的电极指群，所述一对汇流条是以沿着弹性表面波的传播方向分别延伸并相互平行的方式，而形成在所述压电基板上，且所述电极指群是以从所述多个汇流条朝对向的汇流条相互呈梳齿状交叉的方式配置；及
反射器，分别设于弹性表面波的传播方向的所述叉指换能器电极的一方侧及另一方侧，且所述反射器分别包含：一对反射器汇流条、及反射器电极指群，所述一对反射器汇流条以沿着弹性表面波的传播方向分别延伸并相互平行的方式，而形成在所述压电基板上，所述反射器电极指群以将所述多个反射器汇流条彼此相互连接的方式而各自形成；
将所述电极指群的周期长设为λ，则所述电极指群的各个所述导电体膜的膜厚为7.5%λ～8%λ，
将所述电极指的宽度尺寸及相互邻接的电极指间的隔开尺寸分别设为D及S，则用宽度尺寸D和隔开尺寸S的和除宽度尺寸D所得的值表示的线占有率为0.55～0.65。
2.根据权利要求1所述弹性表面波元件，其特征在于：
为了抑制频率相对于线占有率的变动而变动，所述线占有率设定为0.55～0.60。
3.根据权利要求1所述弹性表面波元件，其特征在于：
为了扩大所述弹性表面波元件中的共振频率与***振频率之间的间隔，所述线占有率设定为0.60～0.65。
4.一种电子零件，其特征在于包括：
根据权利要求1所述弹性表面波元件。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-229055 | 2011-10-18 | ||
| JP2011229055 | 2011-10-18 | ||
| JP2012-173011 | 2012-08-03 | ||
| JP2012173011A JP2013102418A (ja) | 2011-10-18 | 2012-08-03 | 弾性表面波素子及び電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103066944A true CN103066944A (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=48085613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201210389910 Pending CN103066944A (zh) | 2011-10-18 | 2012-10-15 | 弹性表面波元件及电子零件 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9059676B2 (zh) |
| JP (1) | JP2013102418A (zh) |
| CN (1) | CN103066944A (zh) |
| TW (1) | TW201318338A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108781068A (zh) * | 2016-03-18 | 2018-11-09 | 追踪有限公司 | 由于横向模式和sh模式的干扰减小的saw组件和具有saw组件的hf滤波器 |
| CN110176915A (zh) * | 2018-02-19 | 2019-08-27 | 日本电波工业株式会社 | 弹性表面波装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9038005B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
| US9208274B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
| US8990742B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-03-24 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
| JP6288760B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2018-03-07 | 日本電波工業株式会社 | 弾性表面波デバイス、共振子及び発振回路 |
| JP6332101B2 (ja) | 2015-03-26 | 2018-05-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| US20210144483A1 (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-13 | Innovative Interface Laboratory Corp. | Single-axis actuator, acoustic wave generator and its array |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817303B2 (ja) | 1987-03-26 | 1996-02-21 | 東洋通信機株式会社 | リ−キ−ｓａｗ共振子 |
| JP3643106B2 (ja) | 1991-10-28 | 2005-04-27 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| JPH09167936A (ja) | 1995-10-13 | 1997-06-24 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP4285472B2 (ja) | 2000-04-18 | 2009-06-24 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ |
| EP1401099B1 (en) | 2002-04-15 | 2012-06-06 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, and mobile communication device and sensor both using same |
| JP4127170B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2008-07-30 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| WO2005011117A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
| DE102004037819B4 (de) * | 2004-08-04 | 2021-12-16 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten |
| DE112007001609B4 (de) | 2006-07-05 | 2013-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellenvorrichtung |
| JP4582150B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2010-11-17 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 |
| JP2012142735A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 縦結合共振器型フィルタ |
-
2012
- 2012-08-03 JP JP2012173011A patent/JP2013102418A/ja active Pending
- 2012-10-14 US US13/651,461 patent/US9059676B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-15 CN CN 201210389910 patent/CN103066944A/zh active Pending
- 2012-10-17 TW TW101138279A patent/TW201318338A/zh unknown
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| CN110176915A (zh) * | 2018-02-19 | 2019-08-27 | 日本电波工业株式会社 | 弹性表面波装置 |
| CN110176915B (zh) * | 2018-02-19 | 2023-03-24 | Ndk声表滤波器股份有限公司 | 弹性表面波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013102418A (ja) | 2013-05-23 |
| TW201318338A (zh) | 2013-05-01 |
| US9059676B2 (en) | 2015-06-16 |
| US20130093538A1 (en) | 2013-04-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130424 |