CN103055600B - 废水循环利用方法与*** - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种废水循环利用方法与***，以减小现有技术中单多晶硅片的制造需要消耗大量自来水的问题。该方法包括：根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求，将所述用水环节分成高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节；将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水。根据本发明的技术方案，利用第一级沉淀池和第二级沉淀池对多晶硅片制造过程中的废水进行回收并处理之后应用于该制造过程，使其中的中等水质用水环节和低等水质用水环节无需额外使用自来水，减小了单多晶硅片制造过程中的自来水消耗。

Description

废水循环利用方法与***

技术领域

本发明涉及硅片制造领域，特别地涉及一种废水循环利用方法与***。

背景技术

在太阳能电池生产领域，以多晶硅片为基体制成的太阳能电池一直都是光伏市场的主流产品，而在整个晶体硅太阳能电池产业链中单多晶硅片生产环节是一个用水大户，在国家倡导节能减排的大背景下，如何在保证生产工艺和设备正常运行的前提下大幅降低水资源单耗是一个亟待解决的问题。

目前，行业中单多晶硅块及硅片的生产环节基本都是利用多线切割方式实现的，即高速运行的钢线携带含有SiC颗粒的砂浆把硅锭切割成硅块和把硅块切割成硅片，可想而知完成切割的硅块和硅片表面上沾满了砂浆，所以要进行后续加工，需要用大量的水进行喷淋冲洗操作，把沾满砂浆的硅块和硅片进行预处理，用水量极大。

同时，在硅块研磨倒角和带锯环节中，为了使刀口冷却，也需要大量的水。在现有技术中，上述用水主要采用自来水，因此对自来水的消耗量较大。

发明内容

本发明目的在于提供一种废水循环利用方法与***，以减小现有技术中单多晶硅片制造需要消耗大量自来水的问题。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种废水循环利用方法，应用于单多晶硅片制造，该方法包括：根据多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求，将用水环节分成高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节；将高等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水。

进一步地，本发明提供的方法，还包括：将中等水质用水环节和低等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水。

进一步地，低等水质用水环节包括对切割硅锭所得到的硅块进行冲洗的环节、对切割硅块得到的单多晶硅片进行预冲洗的环节，以及，对切割中所用工装进行冲洗的环节；中等水质用水环节包括对单多晶硅块进行形状及表面研磨加工时用水进行冷却的环节；高等水质用水环节包括采用去离子水对切割硅块得到的单多晶硅片进行清洗的环节。

进一步地，高等水质用水环节中，采用多槽式超声波硅片清洗机对切割硅块得到的单多晶硅片进行清洗；将高等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将多槽式超声波硅片清洗机的预漂洗槽和精漂洗槽排出的废水进行净化处理。

进一步地，将高等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将高等水质用水环节排出的废水先后进行一级沉淀和过滤；将中等水质用水环节和低等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将中等水质用水环节和低等水质用水环节排出的废水先后进行两级沉淀和过滤。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种废水循环利用***，应用于单多晶硅片制造，该***包括：第一级沉淀池；第二级沉淀池；过滤器；其中，第一级沉淀池、第二级沉淀池、过滤器依次串联；第一级沉淀池具有与中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水出口相连的第一级废水接收口以及将沉淀后的废水排出的第一级沉淀池出口；第二级沉淀池具有与第一级沉淀池出口相连的第二级沉淀池入口以及与高等水质用水环节的废水出口相连的第二级废水接收口；高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节是根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求而划分。

进一步地，本发明提供的***，还包括滤前泵、滤后储水槽、增压泵和压力罐，其中：第二级沉淀池与过滤器之间通过滤前泵相连，滤前泵的输入端与第二级沉淀池相连，滤前泵的输出端与过滤器相连；过滤器与压力罐之间设置滤后储水槽，滤后储水槽用于存储过滤器过滤后的水；滤后储水槽与压力罐之间通过增压泵相连，增压泵的输入端与滤后储水槽相连，增压泵的输出端与压力罐的输入端相连；压力罐的输出端与中等水质用水环节和低等水质用水环节的供水输入端相连。

进一步地，本发明提供的***，还包括控制器，滤后储水槽内由高至低设置有第一高液位传感器、第一中液位传感器和第一低液位传感器三个液位传感器，其中，

控制器分别与第一高液位传感器和滤前泵相连，用于在液位达到第一高液位传感器时停止滤前泵；控制器分别与第一中液位传感器和增压泵相连，用于在液位达到第一中液位传感器时启动增压泵；控制器分别与第一低液位传感器和增压泵相连，用于在液位低于第一低液位传感器停止增压泵。

进一步地，本发明提供的***，还包括第一三通阀，增压泵和压力罐分别连接至第一三通阀的两端，该第一三通阀的第三端与过滤器的反洗水路连接；过滤器的反洗排污出口与第一级沉淀池的入口连接。

进一步地，本发明提供的***，还包括第二三通阀、滤前储水槽和控制器，其中，第二三通阀的第一端与中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水出口连接，第二端与污水管网连接，第三端与第一沉淀池的入口连接；滤前储水槽与第二级沉淀池通过溢流堰连接，滤前储水槽内由高至低设置有第二高液位传感器、第二中液位传感器和第二低液位传感器，其中，控制器分别与第二高液位传感器和第二三通阀相连，用于在液位达到第二高液位传感器时控制第二三通阀将中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水在污水管网和第一沉淀池的入口之间切换；控制器分别与第二中液位传感器和滤前泵相连，也用于在液位达到第二中液位传感器时启动滤前泵；控制器分别与第二低液位传感器和滤前泵连接，用于在液位低于第二低液位传感器时停止滤前泵；溢流堰上具有通孔，该通孔上安装有阀门，通孔的高度与滤前储水槽内的第二中液位传感器的高度相同或低于第二中液位传感器的高度。

本发明提供了一种废水循环利用方法及***，该方法包括：根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求，将所述用水环节分成高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节；将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水；该***包括：第一级沉淀池；第二级沉淀池；过滤器；其中，所述第一级沉淀池、所述第二级沉淀池、所述过滤器依次串联；所述第一级沉淀池和所述第二级沉淀池用于处理中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水；所述第二级沉淀池还用于处理高等水质用水环节的废水。本发明提供的废水循环利用方法及***利用第一级沉淀池和第二级沉淀池对单多晶硅片制造过程中的废水进行回收并处理之后应用于该制造过程，使其中的中等水质用水环节和低等水质用水环节无需额外使用自来水，减小了多晶硅片制造过程中的自来水消耗。本发明实施例中的废水循环利用***的水处理成本也较低，并可长期自动稳定运行，而且对于下一代金刚线切割制造工艺而言，该***依然非常适用，无须升级改造。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照附图，对本发明的实施方式举例说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据本发明实施例的废水循环利用***的基本原理的示意图；

图2是根据本发明实施例的废水循环利用***的一种优选结构的示意图；

图3是根据本发明实施例的砂滤器反洗程序的示意图；

图4是根据本发明实施例的废水循环利用***在中等水质用水环节和低等水质用水环节用水状态下的一种控制流程的示意图；以及

图5是根据本发明实施例的废水循环利用***在中等水质用水环节和低等水质用水环节在停止用水状态下的一种控制流程的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

在本发明实施例中，根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求，将这些用水环节分成高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节；将高等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水，这样能够较好地利用高等水质用水环节排出的废水，减小中等水质用水环节和低等水质用水环节对自来水的使用量。如果中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水量较大，还可以将这两个环节排出的废水也进行净化处理然后作为这两个环节的用水，同样有助于减小这两个环节的自来水使用量。

在实际的单多晶硅片制造过程中，对切割硅块得到的单多晶硅片进行预冲洗的环节主要是对沾满砂浆的硅片进行预冲洗，此时的用水允许含有少量微小颗粒物，所以该环节可以认为是低等水质用水环节；对单多晶硅块进行形状及表面加工时用水进行冷却的环节中，允许含有较多的可溶性物质，所以该环节可以认为是中等水质用水环节；而在单多晶硅片完成加工后进行清洗时，需要使用去离子水，此时对水质要求相当高，所以该环节可以认为是高等水质用水环节。在使用去离子水对单多晶硅片进行清洗时，通常采用多槽式超声波硅片清洗机，该清洗机有预漂洗槽、药液清洗槽、和精漂洗槽。其中药液清洗槽排出的废水中含有较多的清洗药液，净化处理较为复杂，因此在本实施例中，只将预漂洗槽和精漂洗槽排出的废水进行净化处理。

在对上述用水环节排出的废水进行净化处理时，对于高等水质用水环节排出的废水，只进行一级沉淀，然后进行过滤；对于中等水质用水环节和低等水质用水环节排出的废水进行处理时，要进行二级沉淀，然后进行过滤。上述的过滤可以共用一个过滤装置，一级沉淀可以采用二级沉淀中的第二级沉淀池。具体参考图1，图1是根据本发明实施例的废水循环利用***的基本原理的示意图。

如图1所示，本发明实施例的废水循环利用***中有第一级沉淀池11、第二级沉淀池12、以及过滤器13，它们依次串联。第一级沉淀池11具有与中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水出口A相连的中等水质用水环节和低等水质用水环节的第一级废水接收口以及将沉淀后的废水排出的第一级沉淀池出口；第二级沉淀池具有与第一级沉淀池出口相连的第二级沉淀池入口以及与高等水质用水环节的废水出口相连的高等水质用水环节废水接收口；高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节是根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求而划分。

上述的单多晶硅片制造过程中的中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水经过废水出口A排入第一级沉淀池11，经第一级沉淀池11沉淀处理之后进入第二级沉淀池12从而完成了二级沉淀。高等水质用水环节的废水经过废水出口B直接排入第二级沉淀池12，即只进行一级沉淀。经过过滤器13过滤的水经过出水口C和出水口D就可以用作中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水。可以看出采用本发明实施例的废水循环利用***可以有效利用单多晶硅片制造过程中的各个环节排出的废水，减小其中的中等水质用水环节和低等水质用水环节的自来水使用量。

图2是根据本发明实施例的废水循环利用***的一种优选结构的示意图。如图2所示，第一级沉淀池11第二级沉淀池12过滤器13第一级沉淀池11和第二级沉淀池12可以均为平流式沉淀池，中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水从废水出口A处由第二三通阀111引入，经过粗滤网112后进入第一级沉淀池11的进水槽113（相当于第一级沉淀池11的第一级废水接收口），或者在中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水已经足够的情况下直接排入污水管网W中。由于中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水水质较差并且所含杂质易沉淀，所以汇流管路或渠道必须采用坡度较大的设计施工。

来自于高等水质用水环节排出的废水从废水出口B处直接经由粗滤网121（相当于第二级沉淀池12的高等水质用水环节废水接收口）进入第二级沉淀池12。第一级沉淀池11中的水可以通过溢流（相当于第一级沉淀池11的第一级沉淀池出口与第二级沉淀池12的二级沉淀池入口）的方式进入第二级沉淀池12。第一级沉淀池11和第二级级沉淀池12的串联分布方式使得来自于中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水经过了两级沉淀后大部分杂质得以沉淀，并且第一级沉淀池11和第二级沉淀池12可以灵活的互为备用。第一级沉淀池11和第二级沉淀池12的顶部分别有刮泥车114、刮泥车122，内部分别有刮泥板115、刮泥板123，底部分别有存泥斗116、泥斗124。这样就可以方便的把沉淀的泥沙收集到存泥斗，再被污泥泵14抽走。

经两级沉淀处理后的废水通过第二级沉淀池12和滤前储水槽15之间的溢流堰151进入滤前储水槽15。滤前储水槽15的主要功能是为滤前泵16和过滤器13蓄水。滤前储水槽15中设置第二高液位传感器152、第二中液位传感器153和第二低液位传感器154。实际上，该***还包括控制器，第一高液位传感器191与滤前泵16之间通过控制器相连，控制器用于在液位达到第一高液位传感器191时停止滤前泵16；第一中液位传感器192与增压泵17之间通过控制器相连，控制器也用于在液位达到第一中液位传感器192时启动增压泵17；第一低液位传感器193与增压泵17之间通过控制器相连，控制器还用于在液位低于第一低液位传感器193停止增压泵17。

第二高液位传感器152用于控制第二三通阀111，即当滤前储水槽15的液位到达高液位时则发出信号，与各个液位传感器以及水泵、阀门连接的控制***（图中未示出）根据该信号，控制第二三通阀111把来自于中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水排至污水管网W。第二中液位传感器153发出信号时，滤前泵16开始往过滤器13内泵水。第二低液位传感器154发出信号时，滤前泵16停止工作，防止抽空。第二级沉淀池12与过滤器13之间通过滤前泵16相连，滤前泵16的输入端与第二级沉淀池12相连，滤前泵16的输出端与过滤器13相连；过滤器13与压力罐18之间设置滤后储水槽19，滤后储水槽用于存储过滤器13过滤后的水；滤后储水槽19与压力罐18之间通过增压泵17相连，增压泵17的输入端与滤后储水槽19相连，增压泵17的输出端与压力罐18的输入端相连；压力罐18的输出端与中等水质用水环节和低等水质用水环节的供水输入端相连。

溢流堰151上具有通孔，该通孔上安装有阀门155。通孔的高度与第二中液位传感器153的高度基本相同或略低于第二中液位传感器153的高度。这样如果过滤器13的水源不足，可以直接打开阀门155供水。可以有多个通孔及阀门155，并可以采用手动闸阀。

实际上，过滤器13为砂滤器，该砂滤器设计为具有压差感应控制或固定周期控制式的自动反洗功能过滤装置，反洗水源采用增压泵17提供水源，反洗水路131连接第一三通阀132的第一端，第一三通阀132的另两端分别连接增压泵17和压力罐18。砂滤器的排污出口可以与第一级沉淀池11的入口连接，也可以直接接入污水管网W。反洗程序可采用图3所示的流程，图3是根据本发明实施例的砂滤器反洗程序的示意图。

经砂滤器过滤后的净水流入滤后储水槽19，滤后储水槽19设置有高、中、低三个液位传感器，分别是第一高液位传感器191、第一中液位传感器192和低液位传感器193。第二高液位传感器152与第二三通阀111之间通过控制器相连，控制器用于在液位达到第二高液位传感器152时控制第二三通阀111将中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水在污水管网W和第一沉淀池11的入口之间切换；第二中液位传感器153与滤前泵16之间通过控制器相连，控制器也用于在液位达到第二中液位传感器153时启动滤前泵16；第二低液位传感器154与滤前泵16之间通过控制器连接，控制器还用于在液位低于第二低液位传感器154时停止滤前泵16。也就是说，第一高液位传感器191用于控制滤前泵16停止泵水，以达到用多少净水产多少净水的目的，最大限度降低***运行成本。第一中液位传感器192用于控制增压泵17的启动，即只有在滤后储水槽19的水位到达中液位时才可以启动增压泵17。第一低液位传感器193用于在滤后储水槽19的水位到达低液位时停止增压泵27，从而能够保护增压泵17，防止无水空转。在滤后储水槽19的水位符合增压泵17的启动条件下，增压泵17的启停完全受压力罐18内的压力感应控制。最后通过压力罐18联通供水管路由出水口C和出水口D分别为中等水质用水环节和低等水质用水环节进行恒压供水，最终达到高效利用水资源的目的。

应用图2所示的废水循环利用***时，可以选用的控制流程如图4和图5所示。图4是根据本发明实施例的废水循环利用***在中等水质用水环节和低等水质用水环节用水状态下的一种控制流程的示意图。图5是根据本发明实施例的废水循环利用***在中等水质用水环节和低等水质用水环节在停止用水状态下的一种控制流程的示意图。

根据本发明实施例的技术方案，从单多晶硅片制造全过程着眼，对工艺流程中各个用水点进行综合分析，巧妙利用部分用水点对水质要求不高以及各类排水点所排废水水质以含大量固体悬浮微粒为主的特点，进行废水按类回收处理并统一分配，以实现高效用水。根据单多晶硅片制造过程中的各类用水点所排废水水质的差异性，设计出两级串联的平流式沉淀池，从而最大限度沉淀废水中固体微粒。为最大限度降低***运行成本，通过各级传感器、水泵、自动阀门的配合动作来实现用多少净水产多少净水，减小废水循环利用***的运行成本。为实现恒压供水，采用压力罐18（含水压感应器）和增压泵17配合动作来实现，同时该增压泵17也作为砂滤器反洗水源泵使用。砂滤器采用自带压差感应方式、定期自动反冲洗方式和手动反冲洗功能，并可自动控制增压泵17和支路阀门配合动作，为反冲洗提供水源。中等水质用水环节和低等水质用水环节所排废水是否排入第一级沉淀池11，或直接排至污水管网W，可以根据滤前储水槽15的储水量来控制，当该滤前储水槽15储水达高液位，则自动切换水路从而放弃对中等水质用水环节和低等水质用水环节所排出的废水的回收，而仅使用高等水质用水点所排废水作为回收水源。为应对长期停产后开机，该***水源无法快速启动循环，而出现局部缺水的问题，在第二级沉淀池12和滤前储水槽15之间的溢流堰151的中液位高度处设制手动阀门，可以临时开闸放水至滤前储水槽15，以启动***循环。采用本发明实施例的技术方案，能够综合回收单多晶硅片制造过程中的废水并处理之后应用于该制造过程，使其中的中等水质用水环节和低等水质用水环节无需额外使用自来水，减小了单多晶硅片制造过程中的自来水消耗。本发明实施例中的废水循环利用***的水处理成本也较低，并可长期自动稳定运行，而且对于下一代金刚线切割制造工艺而言，该***依然非常适用，无须升级改造。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种废水循环利用方法，应用于单多晶硅片制造，其特征在于，该方法包括：

根据多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求，将所述用水环节分成高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节；

将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水；

该方法还包括：将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水；

所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的废水在所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水已经足够的情况下直接排入污水管网(W)中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述低等水质用水环节包括对切割硅锭所得到的硅块进行冲洗的环节、对切割硅块得到的单多晶硅片进行预冲洗的环节，以及，对切割中所用工装进行冲洗的环节；

所述中等水质用水环节包括对所述单多晶硅块进行形状及表面研磨加工时用水进行冷却的环节；

所述高等水质用水环节包括采用去离子水对所述切割硅块得到的单多晶硅片进行清洗的环节。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述高等水质用水环节中，采用多槽式超声波硅片清洗机对所述切割硅块得到的单多晶硅片进行清洗；

将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将所述多槽式超声波硅片清洗机的预漂洗槽和精漂洗槽排出的废水进行净化处理。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将所述高等水质用水环节排出的废水先后进行一级沉淀和过滤；

将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节排出的废水先后进行两级沉淀和过滤。

5.一种废水循环利用***，应用于单多晶硅片制造，其特征在于，该***包括：

第一级沉淀池(11)；

第二级沉淀池(12)；

过滤器(13)；其中，

所述第一级沉淀池(11)、所述第二级沉淀池(12)、所述过滤器(13)依次串联；

所述第一级沉淀池(11)具有与中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水出口(A)相连的第一级废水接收口以及将沉淀后的废水排出的第一级沉淀池出口，其中，中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水在中等水质用水环节和低等水质用水环节的用水已经足够的情况下直接排入污水管网(W)中；

所述第二级沉淀池(12)具有与所述第一级沉淀池出口相连的第二级沉淀池入口以及与高等水质用水环节的废水出口(B)相连的第二级废水接收口；

所述高等水质用水环节、所述中等水质用水环节、和所述低等水质用水环节是根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求而划分。

6.根据权利要求5所述的***，其特征在于，还包括滤前泵(16)、滤后储水槽(19)、增压泵(17)和压力罐(18)，其中：

所述第二级沉淀池(12)与所述过滤器(13)之间通过所述滤前泵(16)相连，所述滤前泵(16)的输入端与所述第二级沉淀池(12)相连，所述滤前泵(16)的输出端与所述过滤器(13)相连；

所述过滤器(13)与所述压力罐(18)之间设置所述滤后储水槽(19)，所述滤后储水槽用于存储所述过滤器(13)过滤后的水；

所述滤后储水槽(19)与所述压力罐(18)之间通过所述增压泵(17)相连，所述增压泵(17)的输入端与所述滤后储水槽(19)相连，所述增压泵(17)的输出端与所述压力罐(18)的输入端相连；

所述压力罐(18)的输出端与所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的供水输入端相连。

7.根据权利要求6所述的***，其特征在于，还包括控制器，所述滤后储水槽(19)内由高至低设置有第一高液位传感器(191)、第一中液位传感器(192)和第一低液位传感器(193)三个液位传感器，其中，

所述控制器分别与所述第一高液位传感器(191)和所述滤前泵(16)相连，用于在液位达到所述第一高液位传感器(191)时停止所述滤前泵(16)；

所述控制器分别与所述第一中液位传感器(192)和所述增压泵(17)相连，用于在液位达到所述第一中液位传感器(192)时启动所述增压泵(17)；

所述控制器分别与所述第一低液位传感器(193)和所述增压泵(17)相连，用于在液位低于所述第一低液位传感器(193)停止所述增压泵(17)。

8.根据权利要求6所述的***，其特征在于，还包括第一三通阀(132)，所述增压泵(17)和所述压力罐(18)分别连接至所述第一三通阀(132)的两端，该第一三通阀(132)的第三端与所述过滤器(13)的反洗水路(131)连接；所述过滤器(13)的反洗排污出口与所述第一级沉淀池(11)的入口连接。

9.根据权利要求6所述的***，其特征在于，还包括第二三通阀(111)、滤前储水槽(15)和控制器，其中，

所述第二三通阀(111)的第一端与所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的废水出口(A)连接，第二端与污水管网(W)连接，第三端与所述第一级沉淀池(11)的入口连接；

所述滤前储水槽(15)与所述第二级沉淀池(12)通过溢流堰(151)连接，所述滤前储水槽(15)内由高至低设置有第二高液位传感器(152)、第二中液位传感器(153)和第二低液位传感器(154)，其中，

所述控制器分别与所述第二高液位传感器(152)和所述第二三通阀(111)相连，用于在液位达到所述第二高液位传感器(152)时控制所述第二三通阀(111)将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的废水在污水管网(W)和所述第一级沉淀池(11)的入口之间切换；

所述控制器分别与所述第二中液位传感器(153)和所述滤前泵(16)相连，用于在液位达到所述第二中液位传感器(153)时启动所述滤前泵(16)；

所述控制器分别与所述第二低液位传感器(154)和所述滤前泵(16)相连，用于在液位低于所述第二低液位传感器(154)时停止所述滤前泵(16)；

所述溢流堰(151)上具有通孔，该通孔上安装有阀门(155)，所述通孔的高度与所述滤前储水槽(15)内的所述第二中液位传感器(153)的高度相同或低于所述第二中液位传感器(153)的高度。