CN102990503A - 用于CdS晶片的抛光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于CdS晶片的抛光方法，包括：将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm2，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；最后将所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为10~100nm，pH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料5~15wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，通过本方法处理后的CdS晶片有效的降低了晶体表面的损伤。
Description
技术领域
本发明涉及晶体材料加工技术领域，尤其涉及一种用于CdS晶片的抛光方法。
背景技术
Ⅱ—Ⅵ族单晶材料是优良的探测器材料和激光材料，CdS是直接跃进Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体，它是一种较好的窗口材料和过渡层材料，常用来制作光化学催化、半导体器件、发光器件、激光和光敏传感器。CdS可以制作紫外探测器，又是良好的红外窗口材料，因此被用于导弹的红外/紫外双色制导。因此，对CdS单晶材料研究有着很高的应用前景和军事意义。
CdS单晶的表面质量与其器件的性能密切相关，但是现有的CdS单晶抛光工艺处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好。
发明内容
鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种用于CdS晶片的抛光方法，用以解决现有技术中CdS单晶抛光工艺处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：
一种用于CdS晶片的抛光方法，包括：
将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150妙/cm2，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120妙/cm2，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。
优选地，所述聚氨酯抛光垫为LP-66型。
优选地，所述磨料包括氧化铝，或者氧化铝和碳化硼的混合物，或者是氧化铝和碳化硅的混合物，或是氧化铝、碳化硼和碳化硅的混合物，当所述磨料为混合物时，所述氧化铝占所述混合物的重量分数大于80%。
优选地，所述合成革抛光垫为FIWEL N0054型抛光垫。
优选地，抛光液的成分包括：纳米磨料3~10wt%，氧化剂为1~2.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。
优选地，所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。
优选地，所述抛光液的流量10~80ml/min。
优选地，所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。
优选地，所述表面活性剂为非离子性表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。
优选地，所述PH值调节剂为无机溶液和有机溶液，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种，所述有机溶液为三异丙醇胺，三乙醇胺中的一种或两种，所述无机溶液和有机溶液的比例为1：1~5。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，通过采用本发明的方法对CdS晶片进行粗磨、精磨和化学机械抛光处理，得到的CdS晶片的表面平整，粗糙度达到1nm以下，有效的降低了晶体表面的损伤，提高了晶体表面的质量。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本发明实施例1的CdS晶片的抛光方法的流程图；
图2为本发明实施例3的CdS晶片的抛光方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。
实施例1
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，参见图1，该方法包括：
S101、将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm2，转速 40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
S102、将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120g/czm2，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水；
S103、得到CdS晶片。
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，通过对CdS晶片进行粗磨、精磨和化学机械抛光处理，得到的CdS晶片的表面平整，粗糙度达到1nm以下，有效的降低了晶体表面的损伤，改善了晶体表面的损伤。
实施例2
本发明实施例提供了另一种用于CdS晶片的抛光方法，包括：
将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm2，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
其中，本发明实施例中的所述聚氨酯抛光垫为LP-66型。
本发明实施例中的所述磨料包括氧化铝，或者氧化铝和碳化硼的混合物，或者是氧化铝和碳化硅的混合物，或是氧化铝、碳化硼和碳化硅的混合物，当所述磨料为混合物时，所述氧化铝占所述混合物的重量分数大于80%。
将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100r/min， 所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。
其中，本发明实施例中的所述合成革抛光垫为FIWEL N0054型抛光垫。
本发明实施例中的抛光液的成分包括：纳米磨料3~10wt%，氧化剂为1~2.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。
本发明实施例中的所述抛光液的流量10~80ml/min。
本发明实施例中的所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。
本发明实施例中的所述表面活性剂为非离子性表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。
本发明实施例中的所述PH值调节剂为无机溶液和有机溶液，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种，所述有机溶液为三异丙醇胺，三乙醇胺中的一种或两种，所述无机溶液和有机溶液的体积比例为1：1~5。
本发明实施例中的化学机械抛光先采用大流量和大粒径的纳米磨料进行抛光，然后再采用小流量和小粒径的纳米磨料进行抛光，以达到更好的抛光效果。
实施例3
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，参见图2，该方法包括：
S201、将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
S202、将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝和碳化硅共占20wt%，且氧化铝和碳化硅的重量比例大于4:1，磨削液0.2wt%，助磨液0.3wt%，余量为去离子水，研磨液流量为40ml/min，研磨压力100g/cm2，转速60r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
S203、在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
S204、最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为100g/cm2，转速80r/min，所述抛光液包括：二氧化硅10wt%，次氯酸钠为2wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:1的氢氧化钾和三异丙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为60nm的抛光液，大流量80ml/min进行抛光，然后转为粒度30nm的抛光液，流量为50ml/min进行抛光。
S205、得到CdS晶片。
实施例4
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝和碳化硅的混合物共5wt%，其中氧化铝和碳化硅的重量比例大于9：1，磨削液0.3wt%，助磨液0.2wt%，余量为去离子水，研磨液流量为50ml/min，研磨压力150g/cm2，转速80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为120g/cm2，转速100r/min，所述抛光液包括：二氧化硅1wt%，次氯酸钠和双氧水的混合物为1wt%，其中次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:1的氢氧化钠和三异丙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为50nm的抛光液，大流量70ml/min进行抛光，然后转为粒度20nm的抛光液，流量为50ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
实施例5
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝和碳化硼的混合物30wt%，其中氧化铝与碳化硼的重量比例大于4:1，磨削液0.5wt%，助磨液0.5wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1ml/min，研磨压力50g/cm2，转速40r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为60g/cm2，转速60r/min，所述抛光液包括：二氧化硅15wt%，次氯酸钠为3wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:1的氢氧化钠和三乙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为50nm的抛光液，大流量60ml/min进行抛光，然后转为粒度20nm的抛光液，流量为30ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
实施例6
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝和碳化硅30wt%，其中氧化铝与碳化硅的重量比例大于4:1，磨削液0.5wt%，助磨液0.5wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1ml/min，研磨压力100g/cm2，转速50r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为60g/cm2，转速60r/min，所述抛光液包括：二氧化硅与氧化铝的混合物15wt%，其中，二氧化硅与氧化铝的重量比例大于4:1，次氯酸钠为3wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:2的氢氧化钠和三乙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为60nm的抛光液，大流量50ml/min进行抛光，然后转为粒度20nm的抛光液，流量为8ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
实施例7
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，参见图2，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝20wt%，磨削液0.2wt%，助磨液0.3wt%，余量为去离子水，研磨液流量为40ml/min，研磨压力100g/cm2，转速60r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为100g/cm2，转速80r/min，所述抛光液包括：二氧化硅10wt%，次氯酸钠为2wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:3的氢氧化钠和三异丙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为50nm的抛光液，大流量40ml/min进行抛光，然后转为粒度30nm的抛光液，流量为10ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
实施例8
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝和碳化硼5wt%（氧化铝与碳化硼的重量比例大于4:1），磨削液0.3wt%，助磨液0.2wt%，余量为去离子水，研磨液流量为50ml/min，研磨压力150g/cm2，转速80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为120g/cm2，转速100r/min，所述抛光液包括：二氧化硅和氧化铈1wt%（二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1），双氧水为1wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:3的氢氧化钠和三异丙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为40nm的抛光液，大流量80ml/min进行抛光，然后转为粒度20nm的抛光液，流量为20ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
实施例9
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝30wt%，磨削液0.5wt%，助磨液0.5wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1ml/min，研磨压力50g/cm2，转速40r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为60g/cm2，转速60r/min，所述抛光液包括：二氧化硅与氧化铈15wt%（二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1），次氯酸钠为3wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:5的氢氧化钠和三乙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为35nm的抛光液，大流量40ml/min进行抛光，然后转为粒度25nm的抛光液，流量为10ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
实施例10
本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，该方法包括：
将陶瓷板加热至80度，然后将液体蜡均匀涂抹在陶瓷板上，再将CdS晶片 固定在陶瓷板上；
将固定有CdS晶片的陶瓷板放在研磨机的聚氨酯抛光垫上进行粗磨，采用的研磨液的成分为：氧化铝与碳化硼和碳化硅的混合物30wt%（氧化铝与另两种的成分的重量比例大于4:1），磨削液0.5wt%，助磨液0.5wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1ml/min，研磨压力100g/cm2，转速50r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7；
其中，研磨液采用滴注的方式进入抛光垫上的陶瓷环内，通过陶瓷环使研 磨液在抛光垫均匀分布，以达到更好的研磨效果；
在聚氨酯抛光垫上进行精磨，精磨与粗磨采用相同的方式，只是精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
最后在抛光机的FIWEL N0054型抛光垫上进行化学机械抛光，PH值为9.5，抛光压力为60g/cm2，转速60r/min，所述抛光液包括：二氧化硅15wt%，次氯酸钠为3wt%，脂肪醇聚氧乙烯醚0.01wt%，PH调节剂为体积比1:2的氢氧化钠和三乙醇胺，余量为去离子水。
先采用粒度为30nm的抛光液，大流量30ml/min进行抛光，然后转为粒度20nm的抛光液，流量为10ml/min进行抛光。
得到CdS晶片。
综上所述，本发明实施例提供了一种用于CdS晶片的抛光方法，能够带来以下有益效果：
通过本发明的方法对CdS晶片进行粗磨、精磨和化学机械抛光处理，得到的CdS晶片的表面平整，粗糙度达到1nm以下，有效的降低了晶体表面的损伤， 提高了晶体表面的质量。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于CdS晶片的抛光方法，其特征在于，包括：
将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm2，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；
将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚氨酯抛光垫为LP-66型抛光垫。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨料为氧化铝，或者氧化铝和碳化硼的混合物，或者是氧化铝和碳化硅的混合物，或是氧化铝、碳化硼和碳化硅的混合物，当所述磨料为混合物时，所述氧化铝占所述混合物的重量分数大于80%。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述合成革抛光垫为FIWELN0054型抛光垫。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，抛光液包括：纳米磨料3~10wt%，氧化剂为1~2.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述抛光液的流量10~80ml/min。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。
9.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂为非离子性表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。
10.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述PH值调节剂为无机溶液和有机溶液，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种，所述有机溶液为三异丙醇胺，三乙醇胺中的一种或两种，所述无机溶液和有机溶液的比例为1：1~5。
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