CN102956672B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置及其制造方法。在用于窄边框的双连接结构中，第一连接配线与栅极线形成在相同的层上，第二连接配线与数据线形成在相同的层上。第一连接配线和第二连接配线形成在非显示区域中。或者，在第一连接配线和第二连接配线上方进一步分别形成辅助连接配线。或者第一连接配线和第二连接配线划分为两段子连接配线。构成一条连接配线的子连接配线分别相连接并形成在不同层上，由此能够改善由于相邻连接配线之间的电阻差导致的缺陷图像。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种采用双连接(dual-link)结构用以实现窄边框的显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息技术的进步，作为连系用户和信息的媒介的显示装置的市场不断扩张。因此，诸如液晶显示器（LCD）、有机发光显示器（OLED）以及等离子显示面板（PDP）等这样的显示装置的应用不断增长。
这种显示装置出于各种目的被应用于电视机、录像机、电脑、移动电话等等。
下文中，将参照附图详细描述现有技术的普通显示装置。图1是示意性图解现有技术的普通显示装置的平面图。图2是图1所示的显示装置的“E”部分的放大平面图。
参照图1和图2，如上所述，诸如LCD或者OLED这样的显示装置10包括显示单元20、非显示单元和驱动单元，显示单元20中以矩阵形式布置有多个子像素（未示出），非显示单元包围显示单元20，驱动单元用于驱动子像素。
驱动单元包括时序驱动单元（未示出）、数据驱动单元30等等。数据驱动单元30形成在显示装置10的面板上，而时序驱动单元形成在与所述面板连接的柔性电路板（未示出）上。
如上所述构造的普通显示装置10需要连接配线26，连接配线26的数量对应于所述多个子像素的栅极线的数量，以将栅极信号施加至各条栅极线。因此，在普通显示装置10中，根据用于提高分辨率所需的栅极线的数量而增加连接配线26的数量，于是，显示装置10的边框的宽度（W）也增加。因此，应该寻求改善该问题的方案。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种通过应用双连接结构能够实现窄边框(narrow bazel)的显示装置，以及所述显示装置的制造方法。
本发明的另一个方面是提供一种通过应用双连接结构能够减少相邻连接配线之间的电阻差的显示装置，以及所述显示装置的制造方法。
根据本发明的一个方面，提供一种显示装置，包括：第一基板，所述第一基板包括显示单元和包围所述显示单元的非显示单元；驱动单元；其中所述第一基板进一步包括：多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管形成在所述显示单元中；以及多条第一连接配线和多条第二连接配线，所述多条第一连接配线和所述多条第二连接配线交替地形成在所述非显示单元中，用于将来自所述驱动单元的栅极信号施加给所述显示单元中的各条栅极线；以及第二基板，所述第二基板与所述第一基板贴合，其中所述第一连接配线与所述第二连接配线相邻，并且所述第一连接配线形成在第一层上，所述第二连接配线形成在与所述第一层不同的第二层上。
栅极线形成在所述第一层上，数据线形成在所述第二层上。所述第一层可以是阵列基板。当所述缓冲层形成在所述阵列基板上时，所述第一层可以是所述缓冲层。所述第二层可以是栅极绝缘层。
所述的显示装置可以进一步包括：第一连接电极，所述第一连接电极将所述第一连接配线与所述栅极线电连接；以及第二连接电极，所述第二连接电极将所述第二连接配线与所述栅极线电连接。
所述第一连接电极和所述第二连接电极可以由相同的材料制成。
所述第一连接配线可以进一步包括第一辅助连接配线，所述第二连接配线可以进一步包括第二辅助连接配线。
所述第一辅助连接配线可以与所述第一连接配线平行并且形成在所述第一连接配线上方，所述第二辅助连接配线可以与所述第二连接配线平行并且形成在所述第二连接配线上方。
所述第一辅助连接配线可以形成在所述第一连接配线的正上方，第二辅助连接配线可以形成在第二连接配线的正上方。
所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线可以形成在相同的层上。例如，所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线形成在覆盖所述数据线的钝化层上。
所述第一辅助连接配线的宽度可以窄于所述第一连接配线的宽度，所述第二辅助连接配线的宽度可以窄于所述第二连接配线的宽度。
所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线可以由透明导电材料形成。
所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线可以与像素电极形成在相同的层上。
所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线可以与所述第一连接电极和所述第二连接电极形成在相同的层上。
所述第一连接配线与所述第一辅助连接配线可以彼此电连接，所述第二连接配线与所述第二辅助连接配线可以彼此电连接。
所述第一连接配线可以包括形成在所述第一层上的第一下子连接配线和形成在所述第二层上的第一上子连接配线，所述第二连接配线包括形成在所述第一层上的第二下子连接配线和形成在所述第二层上的第二上子连接配线。
所述第一下子连接配线与所述第一上子连接配线可以通过第三连接电极相连，所述第二下子连接配线与所述第二上子连接配线可以通过第四连接电极相连。
所述第一下子连接配线与所述第二上子连接配线可以彼此相邻并且交替地形成，所述第一上子连接配线与所述第二下子连接配线可以彼此相邻并且交替地形成。
所述第一下子连接配线与所述第二下子连接配线可以形成在相同的层上，例如缓冲层或者阵列基板上。并且第一上子连接配线与所述第二上子连接配线可以形成在相同的层上，例如栅极绝缘层上。
根据本发明的另一个方面，提供一种制造显示装置的方法，包括：提供第一基板，所述第一基板包括显示单元和包围所述显示单元的非显示单元；在所述显示单元中形成栅极线，在所述非显示单元中形成多条第一连接配线；形成覆盖所述栅极线和所述第一连接配线的栅极绝缘层；形成薄膜晶体管的有源层；在所述显示单元中形成数据线、源极和漏极，在所述非显示单元中形成多条第二连接配线；形成覆盖所述数据线、所述源极、所述漏极和所述第二连接配线的钝化层；形成暴露所述栅极线、所述第一连接配线、所述第二连接配线和所述漏极的接触孔；形成与所述漏极连接的像素电极；提供第二基板；以及将所述第一基板与所述第二基板贴合。
所述第一连接配线与所述第二连接配线可以在所述非显示单元中交替地形成，并且所述第一连接配线与所述第二连接配线相邻。
所述形成与所述漏极连接的像素电极的步骤进一步包括：分别形成将所述第一连接配线与所述栅极线连接的连接电极、以及将所述第二连接配线与所述栅极线连接的连接电极。
所述形成与所述漏极连接的像素电极的步骤进一步包括：分别在所述第一连接配线与所述第二连接配线上方形成辅助连接配线。
所述辅助连接配线由形成像素电极的透明导电材料形成。
根据本发明的另一个方面，提供一种制造显示装置的方法，包括：提供第一基板和第二基板，其中所述第一基板包括显示单元和包围所述显示单元的非显示单元；提供驱动单元；在所述显示单元中形成栅极线，在所述非显示单元中形成多条第一下子连接配线和多条第二下子连接配线；形成覆盖所述栅极线、所述第一下子连接配线和所述第二下子连接配线的栅极绝缘层；形成薄膜晶体管的有源层；在所述显示单元中形成数据线、源极和漏极，在所述非显示单元中形成多条第一上子连接配线和多条第二上子连接配线；形成覆盖所述数据线、所述源极、所述漏极、所述第一上子连接配线和所述第二上子连接配线的钝化层；形成暴露所述栅极线、所述第一下子连接配线、所述第二下子连接配线、所述第一上子连接配线和所述第二上子连接配线的接触孔；形成与所述漏极连接的像素电极，并且形成连接电极，所述连接电极将相应的栅极线分别与所述第一上子连接配线连接、将相应的所述栅极线分别与所述第二下连接配线连接、将所述第一下子连接配线分别与所述第一上子连接配线连接、将所述第二下子连接配线分别与所述第二上子连接配线连接；以及将所述第一基板与所述第二基板贴合。
所述第一下子连接配线与所述第二下子连接配线可以在相同的层上彼此隔开。
所述第一上子连接配线与所述第二上子连接配线可以在相同的层上彼此隔开。
所述第一下子连接配线与所述第二上子连接配线可以彼此相邻并且交替地形成，所述第一上子连接配线与所述第二下子连接配线可以彼此相邻并且交替地形成。
当结合附图通过下面对本发明的详细描述，本发明的前述及其它目标、特征、方面和优点将会变得更加清晰。
附图说明
图1是示意性地示出普通显示装置的平面图。
图2是示出图1所示的显示装置的一部分的放大平面图。
图3是示意性地示出根据本发明的第一实施方式的显示装置的平面图。
图4是示出图3所示的根据本发明的第一实施方式的显示装置的一部分的放大平面图。
图5A、图5B和图5C是分别示意性地示出图4所示的根据本发明的第一实施方式的显示装置中沿A-A’、B-B’、C-C’线所取的连接单元的剖面示图。
图6是示意性地示出根据本发明的第二实施方式的显示装置的平面图。
图7是示出图6所示的根据本发明的第二实施方式的显示装置的一部分的放大平面图。
图8A和图8B是分别示意性地示出图7所示的根据本发明的第二实施方式的显示装置中沿D-D’和E-E’线所取的阵列基板的剖面示图。
图9A到9E是顺序示出制造图7所示的根据本发明的第二实施方式的显示装置的工艺的剖面图，其中以制造LCD阵列基板的工艺以非显示单元的连接单元（图9A到图9E中的上图）以及显示单元的TFT区域（图9A到图9E中的下图）为例。
图10是示意性地示出根据本发明的第三实施方式的显示装置的平面图。
图11是示出图10所示的根据本发明的第三实施方式的显示装置的一部分的放大平面图。
图12是示意性地示出图11所示的根据本发明的第三实施方式的显示装置中沿F-F’线所取的阵列基板的剖面示图。
图13A到图13E是顺续示出制造图11所示的根据本发明的第三实施方式的显示装置的工艺的剖面图，其中制造LCD阵列基板的工艺以非显示单元内的连接单元（图13A到图13E中的上图）以及显示单元的TFT区域（图13A到图13E中的下图）为例。
图14是示意性地示出根据本发明的第四实施方式的显示装置的平面图。
图15是示出图14所示的根据本发明的第四实施方式的显示装置的一部分的放大平面图。
具体实施方式
将参照附图详细描述根据本发明的实施方式的显示装置以及所述装置的制造方法。
图3是示意性地示出根据本发明的第一实施方式的显示装置的平面图。
此外，图4是示出图3所示的根据本发明的第一实施方式的显示装置的一部分的放大平面图，其中连接单元的“E”部分被放大以进行图解。
图5A、图5B和图5C是分别示意性地示出图4所示的根据本发明的第一实施方式的显示装置中沿A-A'、B-B’、C-C'线所取的连接单元的剖面示图。
参照图3到图5A、图5B和图5C，根据本发明第一实施方式的显示装置100包括显示单元120、非显示单元和驱动单元，在显示单元120中以矩阵形式布置有多个子像素（未示出），非显示单元包围显示单元120，驱动单元用于驱动子像素。
这里，驱动单元包括时序驱动单元（未示出）、数据驱动单元130等。这里，数据驱动单元130形成在显示装置100的面板上，时序驱动单元可以形成在柔性电路板（未示出）上。然而，本发明并不局限于此。
这里，显示装置100可以包括液晶显示器（LCD）或者有机发光显示器。
当以LCD作为显示装置100的实例时，尽管在附图中未示出，但显示装置100的面板可以由作为第一基板的滤色器基板、作为第二基板的阵列基板110以及在所述滤色器基板与阵列基板110之间形成的液晶层构成。
这里，滤色器基板包括滤色器、黑矩阵以及覆层(overcoat)，所述滤色器由红色、绿色和蓝色子滤色器组成，所述黑矩阵分隔(demarcate)所述子滤色器并且阻挡透过液晶层的光，所述覆层形成在滤色器和黑矩阵的上部上。
限定单位像素区域的栅极线和数据线被形成为垂直地和水平地布置在阵列基板110上，而作为开关元件的薄膜晶体管可以形成在每个单位像素区域处，例如在栅极线和数据线彼此交叉的薄膜晶体管（TFT）区域处。
这里，TFT包括与栅极线连接的栅极、与数据线连接的源极以及与像素电极连接的漏极。此外，TFT包括栅极绝缘层115a和有源层，栅极绝缘层115a用于将栅极与源极/漏极绝缘，有源层在源极与漏极之间形成导电沟道。在这里以及下文中，“源极/漏极”是指“源极和漏极”。此外，TFT还包括用于将源极/漏极电极与像素电极绝缘的保护层115b。
根据本发明第一实施方式的显示装置100要求许多与栅极线相对应的连接配线126a和126b，以将栅极信号施加给各条栅极线。
这里，根据本发明第一实施方式的显示装置100采用双连接结构，即其中多条连接配线126a和126b分别交替地形成在不同层上，故能够在连接单元中布置与现有技术相同数量的连接配线126a和126b而总宽度比现有技术的连接单元更小，从而减小显示单元100的边框“W”。即，在本发明的第一实施方式中，与连接配线形成在同一层上的现有技术相比，第一连接配线126a和第二连接配线126b形成在不同的层上，具体地说，分别形成在上面形成有栅极线的第一层上和上面形成有数据线的第二层上，从而减少了连接配线126a与126b之间的空间，故能够在连接单元中布置与现有技术相同数量的连接配线126a和126b而总宽度比现有技术的连接单元更小。所述第一层可以是上面形成有栅极线的基板，所述第二层可以是上面形成有数据线的栅极绝缘层。如果栅极配线层被定义为其中形成有栅极线的空间而数据配线层被定义为其中形成有数据线的空间，则第一连接配线126a可构成包括栅极线的栅极配线层的一部分，第二连接配线126b可构成包括数据线的数据配线层的一部分。
也就是说，栅极配线层是上面形成有栅极线的第一基板与覆盖栅极线的栅极绝缘层之间的空间，数据配线层是上面形成有数据线的栅极绝缘层与覆盖数据线的钝化层之间的空间。
此外，尽管当执行工艺时会稍微发生叠加移位（overlay shift），但是在所述第一层和第二层上分别形成的第一连接配线126a和第二连接配线126b之间的间隔能够被最大限度的减小，而不会引起第一连接配线126a与第二连接配线126b之间的短路。
由于根据本发明的第一实施方式的显示装置100采用双连接结构，所以需要接触孔140b和140c用以将第二连接配线126b与连接单元116中的栅极线连接（这里，连接单元116中的栅极线是指从显示单元延伸到非显示单元的栅极线）。即，形成在栅极绝缘层上的第二连接配线126b通过第二接触孔140b与形成在覆盖数据线的钝化层上的第二连接电极145b电连接，第二连接电极145b还通过第三接触孔140c与连接单元116中的栅极线电连接，因此形成在栅极绝缘层上的第二连接配线126b与连接单元116中的相对应的栅极线连接。
这里，形成在基板上的第一连接配线126a（当缓冲层形成在基板上时，第一连接配线126a形成在缓冲层上）也以相同的方式通过第一接触孔140a与第一连接电极145a电连接，所述第一连接电极145a也形成在上面形成有第二连接电极145b的钝化层上，而且由于第一连接电极145a通过第三接触孔140c与连接单元116中的栅极线电连接，所以第一连接配线126a也与连接单元116中相对应的栅极线连接。
根据连接单元116中栅极线的顺序交替地形成第一连接配线126a和第二连接配线126b，并且在该情形下，例如，连接单元116中的奇数序号栅极线可以与第一连接配线126a连接，连接单元116中的偶数序号栅极线可以与第二连接配线126b连接。然而，本发明并不局限于此。
第一和第二连接电极145a和145b可以由诸如氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）这样的透明导电材料制成。可以形成第一接触孔140a、第二接触孔140b以及第三接触孔140c，以分别穿过(penetrate)第一连接配线126a、第二连接配线126b以及连接单元116中的栅极线。
同时，在根据本发明的第一实施方式的双连接结构中，第一层上的第一连接配线126a和第二层上的第二连接配线126b并非同时蚀刻，故在第一连接配线126a的临界尺寸l（CDI）与第二连接配线126b的临界尺寸l’（CD l’）之间会有差异（I≠l’）。这里，临界尺寸是指配线的宽度。由各配线的CD差引起的电阻差可能造成模糊型缺陷（dim type defect），该缺陷波纹状（dimply）水平地出现在显示装置100的屏幕上。
特别地，全球移动显示装置市场正朝着具有高分辨率、窄边框发展，因此，边框的宽度减少，而要在所述边框中构图的连接配线的数量增加。由于应该在有限的边框宽度中将设置比现有技术数量更多的连接配线，所以电路应该必需地被设计成具有细小间距（finepitches），使得减少连接配线的CD，也减少连接配线之间的间隔。由于连接配线之间的电阻差，所以在细小间距的设计中不可避免的CD的减少会导致图像的变形。此外，在双连接结构中，后沉积的数据配线层中的连接配线的CD根据先沉积的栅极配线层中的连接配线的CD而改变。
因此，在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，在第一连接配线和第二连接配线上方分别并联地形成额外的配线，以减少电阻差。将参照附图对此进行详细说明。
图6是示意性地示出根据本发明的第二实施方式的显示装置的平面图
此外，图7是示出图6所示的根据本发明的第二实施方式的显示装置的一部分的放大平面图，其中连接单元的“E”部分被放大以进行图解。
图8A和图8B是分别示意性地示出图7所示的根据本发明的第二实施方式的显示装置中沿D-D’和E-E’线所取的阵列基板的剖面示图。
参照图6到图8A和图8B，根据本发明的第二实施方式的显示装置200包括显示单元220、非显示单元和驱动单元，其中在显示单元220中以矩阵形式布置有多个子像素（未示出），非显示单元包围显示单元220，驱动单元用于驱动子像素。
驱动单元包括时序驱动单元（未示出）、数据驱动单元230、电平移位器（未示出）等。这里，数据驱动单元230形成在显示装置200的面板上，时序驱动单元可以形成在与面板连接的柔性电路板（未示出）上，或者可以形成在与所述柔性电路板连接的外部***基板上，等等。然而，本发明并不局限于此，而且时序驱动单元可以与数据驱动单元230一起形成。
驱动单元以集成电路（IC）的形式安装在面板上，并且柔性电路板贴合于所述面板。这里，面板和柔性电路板可以通过各向异性导电膜（ACF）贴合。
这里，显示装置200包括，例如，诸如LCD装置或者OLED显示装置这样的平板显示装置。
当以LCD作为显示装置200的实例时，尽管未详细示出，但显示装置200的面板可以包括作为第一基板的滤色器基板、作为第二基板的阵列基板210以及在所述滤色器基板与阵列基板210之间形成的液晶层。
这里，滤色器基板可以包括滤色器、黑矩阵以及覆层，所述滤色器包括红色、绿色和蓝色子滤色器，所述黑矩阵分隔所述子滤色器并且阻挡透过液晶层的光，所述覆层形成在滤色器和黑矩阵的上部上。
垂直地和水平地布置以限定像素区域的栅极线和数据线形成在阵列基板210上，作为开关元件的薄膜晶体管形成在栅极线和数据线的交叉区域处，即TFT区域处。
这里，薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅极、与数据线连接的源极以及与像素电极连接的漏极。此外，TFT包括栅极绝缘层215a和有源层，其中栅极绝缘层215a用于将栅极与源极/漏极绝缘，通过供给栅极的栅极电压，所述有源层用于在源极与漏极之间形成导电沟道。此外，TFT包括用于将源极/漏极与像素电极绝缘的保护层215b。
根据上述构造的本发明的第二实施方式的显示装置200需要许多与栅极线相对应的连接配线226a和226b，以将栅极信号施加给多个子像素的各条栅极线。
这里，根据本发明第二实施方式的显示装置200采用双连接结构，在所述双连接结构中以与上述本发明第一实施方式相同的方式形成多条连接配线226a和226b。
特别地，在本发明的第二实施方式中，在第一连接配线226a和第二连接配线226b上方分别形成额外的配线，即第一辅助连接配线226a'和第二辅助连接配线226b'，并且所述第一辅助连接配线226a'和第二辅助连接配线226b'分别与第一连接配线226a和第二连接配线226b并联，以减少电阻差，从而防止由于栅极配线层中的第一连接配线226a与数据配线层中的第二连接配线226b之间的电阻差导致的缺陷图像。优选地，第一辅助连接配线形成在第一连接配线的正上方，并且第二辅助连接配线形成在第二连接配线的正上方。
这里，第一辅助连接配线226a'和第二辅助连接配线226b'可以由诸如氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）这样的透明导电材料制成。第一辅助连接配线226a'和第二辅助连接配线226b'可以形成在覆盖数据线的钝化层上。
与本发明的第一实施方式相似，根据本发明的第二实施方式的显示装置200需要接触孔240b和240c，用以将第二连接配线226b与连接单元216中的栅极线相连（这里，连接单元216中的栅极线是指向非显示单元延伸的显示单元的栅极线）。即，第二连接配线226b通过第二接触孔240b与形成在第二连接配线226b上方的第二辅助连接配线226b’电连接，第二辅助连接配线226b'通过第三接触孔240c与连接单元216中的栅极线电连接，因此第二连接配线226b与连接单元216中的相对应的栅极线连接。
在该情形下，以相同的方式，在第一层上的第一连接配线226a还通过第一接触孔240a与第一辅助连接配线226a'电连接，而第一辅助连接配线226a'通过第三接触孔240c与连接单元216中的栅极线电连接，因此第一连接配线226a与连接单元216中的相对应栅极线连接。
同时，在数据驱动单元230中，第一连接配线226a和第二连接配线226b通过第四接触孔（未示出）分别与第一辅助连接配线226a'和第二辅助连接配线226b'电连接。
通过这种方式，由于第一辅助连接配线226a'和第二辅助连接配线226b'分别与第一连接配线226a和第二连接配线226b并联，所以降低了总电阻，并且能够减小第一连接配线226a与第二连接配线226b之间的电阻差。
第一连接配线226a和第二连接配线226b根据连接单元216中栅极线的顺序交替地形成，在该情形下，例如可以将连接单元216中的奇数序号栅极线与第一连接配线226a连接，而将连接单元216中的偶数序号栅极线与第二连接配线226b连接。然而，本发明并不局限于此。
将参照附图详细描述制造上述构造的显示装置的方法。
图9A到9E是顺序示出制造图7所示的根据本发明的第二实施方式的显示装置的工艺的剖面图，其中制造LCD阵列基板的工艺以非显示单元的连接单元（图9A到图9E中的上图）以及显示单元的TFT区域（图9A到图9E中的下图）为例。
如图9A中所示，在由诸如玻璃这样的透明绝缘材料制成的阵列基板210的显示单元中形成栅极221和栅极线（未示出），在阵列基板210的非显示单元中形成第一连接配线226a。
这里，通过在阵列基板210的整个表面上沉积第一导电膜形成栅极221、栅极线以及第一连接配线226a，然后通过光刻工艺（第一掩模工艺）选择性地构图(pattern)第一导电膜。
这里，第一导电膜可以由诸如铝（Al）、铝合金、钨（W）、铜（Cu）、铬（Cr）、钼（Mo）、钼合金、或类似这样的低电阻不透明导电材料制成。此外，第一导电膜也可以具有多层结构，在所述多层结构中两种或更多种低电阻导电材料叠置(stack)。
接着，如图9B中所示，在上面已经形成有栅极221、栅极线以及第一连接配线226a的阵列基板210的整个表面上顺序形成栅极绝缘层215a、非晶硅薄膜以及n+非晶硅薄膜。然后，通过光刻工艺（第二掩模工艺）选择性地去除非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜。从而，由非晶硅薄膜形成的有源层224在阵列基板210的TFT区域中形成，而n+非晶硅薄膜图案225在有源层224上形成，所述n+非晶硅薄膜图案225被构图成具有与有源层224基本上相同的形状。
之后，如图9C中所示，在上面已经形成有有源层224和n+非晶硅薄膜图案225的阵列基板210的整个表面上形成第二导电膜。这里，第二导电膜可以由诸如铝（Al）、铝合金、钨（W）、铜（Cu）、铬（Cr）、钼（Mo）、钼合金或类似这样的低电阻不透明导电材料制成。此外，第二导电膜也可以具有多层结构，在所述多层结构中两种或者更多种低电阻导电材料叠置。
之后，通过光刻（第三掩模工艺）选择性地去除n+非晶硅薄膜和第二导电膜，以形成由位于有源层224上部的第二导电膜形成的源极222和漏极223。
同时，由第二导电膜形成的数据线（未示出）在阵列基板210的数据线区域中形成，同时，通过第三掩模工艺在阵列基板210的非显示单元中形成由第二导电膜形成的第二连接配线226b。
根据栅极线的顺序交替地形成第一连接配线226a和第二连接配线226b，在该情形下，可以将奇数序号栅极线与第一连配线226a连接，而将偶数序号栅极线与第二连接配线226b连接。
在该情形下，有源层224上形成欧姆接触层225n，所述欧姆接触层225n由n+非晶硅薄膜形成并允许有源层224的源极/漏极区域与源极222/漏极223进行欧姆接触。
然后，如图9D中所示，在上面已经形成有源极222/漏极223、数据线以及第二连接配线226b的阵列基板210的整个表面上形成保护层215b。
通过光刻工艺（第四掩模工艺），选择性地去除保护层215b和栅极绝缘层215a，以形成第一接触孔240a（见图7）、第二接触孔240b、第三接触孔240c和第四接触孔（未示出），其中第一、二、三接触孔240a、240b、240c在阵列基板210的跳线区域（jumpingregion）中分别暴露部分第一连接配线226a、部分第二连接配线226b和部分栅极线，而第四接触孔在阵列基板210的数据驱动单元中暴露部分第一连接配线225a和部分第二连接配线225b。
此外，通过第四掩模工艺，在阵列基板210的显示单元中形成第五接触孔240e，以暴露部分漏极223。
这里，第一接触孔至第五接触孔可以这样形成：使得下部的第一导电膜或第二导电膜被暴露，或者下部的第一导电膜或第二导电膜可被去除以暴露该第一导电膜和第二导电膜的侧面（Iateral sides）。
然后，如图9E中所示，在上面形成有保护层215b的阵列基板210的整个表面上形成由透明导电材料制成的第三导电膜，然后通过使用光刻工艺（第五掩模工艺）进行选择性地构图，以形成像素电极228，在阵列基板210的像素区域中所述像素电极228通过第五接触孔240e与漏极223电连接。
同时，通过使用第五掩模工艺选择性地构图第三导电膜，以形成第一辅助连接配线226a'。这里，第一辅助连接配线226a’形成在第一连接配线226a上方，并且通过第一接触孔240a和第三接触孔240c分别与第一连接配线226a和栅极线电连接，并且第一辅助连接配线226a'通过第四接触孔与驱动电路单元的第一连接配线226a电连接。
此外，通过使用第五掩模工艺，选择性地构图第三导电膜以形成第二辅助连接配线226b'。这里，第二辅助连接配线226b’形成在第二连接配线226b的上方，并且通过第二接触孔240b和第三接触孔240c分别与第二连接配线226b和栅极线电连接，并且第二辅助连接配线226b'通过第四接触孔与驱动电路单元的第二连接配线226b电连接。
同时，根据第三和第四实施方式的显示装置可以这样制造：使得通过跳线结构分别形成栅极配线层中的连接配线和数据配线层中的连接配线，从而包括不同层的连接配线，由此减小相邻连接配线之间的电阻差。将参照附图对此进行详细描述。
图10是示意性地示出根据本发明的第三实施方式的显示装置的平面图。
图11是示出图10所示的根据本发明的第三实施方式的显示装置的一部分的放大平面图。
图12是示意性地示出图11所示的根据本发明的第三实施方式的显示装置中沿F-F’线所取的阵列基板的剖面示图。
参照图10到图12，根据本发明的第三实施方式的显示装置300包括显示单元320、非显示单元和驱动单元，在显示单元320中以矩阵形式布置有多个子像素（未示出），非显示单元包围显示单元320，驱动单元用于驱动子像素。
驱动单元包括时序驱动单元（未示出）、数据驱动单元330、电平移位器（未示出）等。这里，数据驱动单元330形成在显示装置300的面板上，时序驱动单元可以形成在与面板连接的柔性电路板（未示出）上，或者形成在与所述柔性电路板连接的外部***基板上，等等。然而，本发明并不局限于此，而且时序驱动单元可以与数据驱动单元330一起形成。
驱动单元以集成电路（IC）的形式安装在面板上，柔性电路板贴合于面板。这里，面板和柔性电路板可以通过各向异性导电膜（ACF）贴合。
这里，显示装置300包括，例如，诸如LCD装置或者OLED显示装置这样的平板显示装置。
当以LCD装置作为显示装置300的实例时，尽管未详细示出，但显示装置300的面板可以包括作为第一基板的滤色器基板、作为第二基板的阵列基板310以及在所述滤色器基板与阵列基板310之间形成的液晶层。
这里，滤色器基板可以包括滤色器、黑矩阵以及覆层，所述滤色器包括红色、绿色和蓝色子滤色器，所述黑矩阵分隔所述子滤色器并且阻止透过液晶层的光，所述覆层形成在滤色器和黑矩阵的上部上。
垂直地和水平地布置以限定像素区域的栅极线和数据线形成在阵列基板310上，作为开关元件的薄膜晶体管形成在栅极线和数据线的交叉区域处，即TFT区域处。
这里，薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅极、与数据线连接的源极以及与像素电极连接的漏极。此外，TFT包括栅极绝缘层315a和有源层，所述栅极绝缘层315a用于将栅极与源极/漏极绝缘，通过供给栅极的栅极电压，所述有源层用于在源极与漏极之间形成导电沟道。此外，TFT包括用于将源极/漏极与像素电极绝缘的保护层315b。
根据本发明第三实施方式的如上所述构造的显示装置300需要许多与栅极线相对应的连接配线组326a和326a’（326a与326a'作为一组）、326b和326b’（326b与326b’作为一组），以将栅极信号施加给多个子像素的各条栅极线。
这里，根据本发明第三实施方式的显示装置300采用双连接结构，在所述双连接结构中以与如上述本发明第一实施方式相似的方式通过使用数据配线层和栅极配线层形成多组连接配线326a、326a'和多组连接配线326b和326b'。也就是说，在本发明第三实施方式的情形下，第一连接配线组326a、326a'和第二连接配线组326b和326b'交替地形成在栅极配线层和数据配线层内，使得各组彼此相邻，因而能够减小相邻的连接配线组326a、326a'与连接配线组326b和326b'之间的间隔，并因此能够在连接单元中布置与现有技术相同数量的连接配线组326a、326a'和连接配线组326b、326b'，而总宽度比现有技术的连接单元更小。
然而，在本发明的第三实施方式中，通过跳线结构分别形成第一连接配线组326a和326a'和第二连接配线组326b和326b'，以包括与连接配线326a和326b形成在不同的层的连接配线326a'和326b'，从而防止由于相邻连接配线组326a、326a'与326b、326b'之间的电阻差所导致的缺陷图像。即，第一连接配线组326a、326a'可以包括栅极配线层中的第一连接配线326a（即第一下子连接配线）和数据配线层中的第一连接配线326a’（即第一上子连接配线），而第二连接配线组326b、326b'可以包括数据配线层中的第二连接配线326b（即第二上子连接配线）和栅极配线层中的第二连接配线326b’（即第二下子连接配线）。
这里，由于根据第三实施方式的显示装置300采用双连接结构，所以需要接触孔340b和340c，以将第一上子连接配线326a'与连接单元316中的栅极线连接（这里，连接单元316中的栅极线是指向非显示单元延伸的显示单元的栅极线）。即，第一上子连接配线326a’通过第二接触孔340b与上部的第二连接电极345b电连接，而第二连接电极345b通过第三接触孔340c与连接单元316中的下部的栅极线电连接，由此，第一上子连接配线326a’与连接单元316中的相对应的栅极线连接。并且，第一上子连接配线326a'通过第四连接电极345d与在不同层中的第一下子连接配线326a电连接。
在该情形下，以相同的方式，第二下子连接配线326b'也通过第一接触孔340a与上部的第一连接电极345a电连接，而第一连接电极345a通过第三接触孔340c与连接单元316中的下部的栅极线电连接，由此，第二下子连接配线326b'与连接单元316中的相对应的栅极线连接。并且，第二下子连接配线326b'通过第三连接电极345c与在不同层中的第二上子连接配线326b电连接。
这种跳线结构形成在第一下和上子连接配线组326a和326a'的至少一个点处以及第二上和下子连接配线组326b和326b'的至少一个点处。即，第一下和上子连接配线组326a和326a'以及第二上和下子连接配线组326b和326b'可以在适当的点跳线至少一次，以便调整它们的电阻。例如，具有大CD的线可以跳线至具有小CD的线一次，具有小CD的线可以跳线至具有大CD的线一次，从而允许将电阻校正成中间值。
因此，连接配线组326a、326a'和连接配线组326b和326b'之间的电阻偏差得以补偿，从而改善屏幕上各行的颜色不同的水平模糊现象。
第一下和上子连接配线组326a、326a’以及第二上和下子连接配线组326b、326b’根据连接单元316中的栅极线的顺序交替地形成，在该情形下，例如，连接单元316中的奇数序号栅极线可以与第一下和上子连接配线326a和326a'连接，连接单元316中的偶数序号栅极线可以与第二上和下子连接配线326b和326b'连接。然而，本发明并不局限于这种连接方案。
第一、第二、第三和第四连接电极345a、345b、345c、345d可以由诸如氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）这样的透明导电材料制成。
将参照附图详细描述制造上述构造的显示装置的方法。
图13A到图13E是顺序示出制造图11所示的根据本发明的第三实施方式的显示装置的工艺的剖面图，其中制造LCD阵列基板的工艺以非显示单元的连接单元（图13A到图13E中的上图）以及显示单元的TFT区域（图13A到图13E中的下图）为例。
如图13A中所示，在由诸如玻璃这样的透明绝缘材料制成的阵列基板310的显示单元中形成栅极321、栅极线（未示出），在阵列基板310的非显示单元中形成连接单元316中的栅极线316。
这里，通过在阵列基板310的整个表面上沉积第一导电膜形成栅极321、栅极线、第一下子连接配线326a、第二下子连接配线以及连接单元栅极线316，然后通过光刻工艺（第一掩模工艺）选择性地构图第一导电膜。
这里，第一导电膜可以由诸如铝（Al）、铝合金、钨（W）、铜（Cu）、铬（Cr）、钼（Mo）、钼合金或类似这样的低电阻不透明导电材料制成。此外，第一导电膜可以具有多层结构，在所述多层结构中两种或更多种低电阻导电材料叠置。
接着，如图13B中所示，在上面已经形成有栅极321、栅极线、第一下子连接配线326a、第二下子连接配线和连接单元316的栅极线的阵列基板310的整个表面上顺序形成栅极绝缘层315a、非晶硅薄膜以及n+非晶硅薄膜。然后，通过光刻工艺（第二掩模工艺）选择性地去除非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜。因此，由非晶硅薄膜形成的有源层324在阵列基板310的TFT区域中形成。并且这里，有源层324上形成n+非晶硅薄膜图案325，所述n+非晶硅薄膜图案325被构图为具有与有源层324基本上相同的形状。
之后，如图13C中所示，在上面已经形成有有源层324和n+非晶硅薄膜图案325的阵列基板310的整个表面上形成第二导电膜。这里，第二导电膜可以由诸如铝（Al）、铝合金、钨（W）、铜（Cu）、铬（Cr）、钼（Mo）、钼合金或类似这样的低电阻不透明导电材料制成。此外，第二导电膜可以具有多层结构，在所述多层结构中两种或更多种低电阻导电材料叠置。
之后，通过光刻（第三掩模工艺）选择性地去除n+非晶硅薄膜和第二导电膜，以形成由位于有源层324上部的第二导电膜形成的源极322和漏极323。
同时，在阵列基板310的数据线区域中形成由第二导电膜形成的数据线（未示出），同时，通过第三掩模工艺在阵列基板310的非显示单元中形成由第二导电膜形成的第二上子连接配线326b以及由第二导电膜形成的第一上子连接配线326a'。
根据连接单元316中栅极线的顺序交替地形成第一下子连接配线326a和第一上子连接配线326a’以及第二上子连接配线326b和第二下子连接配线326b'，在该情形下，可以将连接单元316中的奇数序号栅极线与第一下子连接配线326a和第一上子连接配线326a’连接，并将连接单元316中的偶数序号栅极线与第二上子连接配线326b和第二下子连接配线326b'连接。
在该情形下，有源层324上形成欧姆接触层325n，所述欧姆接触层325n由n+非晶硅薄膜形成，并且允许有源层324的源极/漏极区域与源极322/漏极323欧姆接触。
这里，是以执行两次掩模工艺分别形成有源层324和数据配线层（即，源极322、漏极323、数据线、第二上子连接配线326b以及第一上子连接配线326a'）为例的，但是本发明并不局限于此，有源层324和数据配线层可以通过使用衍射曝光或者半色调(half-tone)曝光的单次掩膜工艺形成。
然后，如图13D中所示，在上面已经形成有源极322/漏极323、数据线、第二上子连接配线326b以及第一上子连接配线326a'的阵列基板310的整个表面上形成保护层315b。
通过光刻工艺（第四掩模工艺）选择性地去除保护层315b和栅极绝缘层315a，以形成第一接触孔340a（见图11）以暴露栅极配线层中的部分第二下子连接配线326b'、第二接触孔340b和340b'以暴露部分第一上子连接配线326a'、第三接触孔340c以暴露连接单元316中的部分栅极线、第四接触孔340d（见图11）以暴露数据配线层中的部分第二上子连接配线326b，以及第五接触孔340e以暴露部分第一下子连接配线326a，其中所述接触孔分别在阵列基板310的非显示单元中暴露、、、。
此外，通过第四掩膜工艺，在阵列基板310的显示单元中形成暴露部分漏极323的第六接触孔340f。
这里，第一接触孔340a至第六接触孔340f可以这样形成：使得下部的第一导电膜或者第二导电膜被暴露，或者下部的第一导电膜或第二导电膜可被去除以暴露第一导电膜和第二导电膜的侧面。
然后，如图13E中所示，在上面已形成有保护层315b的阵列基板310的整个表面上形成由透明导电材料制成的第三导电膜，然后通过使用光刻工艺（第五掩模工艺）选择性地构图所述第三导电膜，以形成通过阵列基板310的像素区域中的第六接触孔340f与漏极323电连接的像素电极318。
同时，通过使用第五掩膜工艺选择性地构图第三导电膜以形成第一连接电极345a（见图11）和第三连接电极345c（见图11），其中第一连接电极345a通过第一接触孔340a和第三接触孔340c分别与栅极配线层中的第二下子连接配线326b'和连接单元316中的栅极线电连接，第三连接电极345c通过另一第一接触孔340a'和第四接触孔340d分别与栅极配线层中的第二下子连接配线326b'和数据配线层中的第二上子连接配线326b电连接。由此，第二上子连接配线326b通过第三连接电极345c与栅极配线层中的第二下子连接配线326b'电连接，栅极配线层中的第二下子连接配线326b'通过第一连接电极345a与连接单元316中的栅极线电连接。
此外，通过使用第五掩模工艺，选择性地构图第三导电膜以形成第二连接电极345b和第四连接电极345d，其中第二连接电极345b通过第二接触孔340b和第三接触孔340c与第一上子连接配线326a'和连接单元316中的栅极线电连接，第四连接电极345d通过第二接触孔340b'和第五接触孔340e分别与第一上子连接配线326a'和第一下子连接配线326a电连接。由此，第一下子连接配线326a通过第四连接电极345d与第一上子连接配线326a'电连接，第一上子连接配线326a'通过第二连接电极345b与连接单元316中的栅极线电连接。
这里，第三连接电极345c和第四连接电极345d分别形成在第一下和上子连接配线组326a、326a'的至少一个点处，以及第二上和下子连接配线组326b和326b'的至少一个点处。
同时，在本发明的第三实施方式中，是以具有双连接结构的连接单元形成在显示单元的一侧为例描述的，但是本发明并不局限于此。在本发明的一种实施方式中，具有双连接结构的连接单元可以形成在显示单元的两侧，将在本发明的第四实施方式中对此进行详细描述。
图14是示意性示出根据本发明的第四实施方式的显示装置的平面图。
图15是示出图14所示的根据本发明的第四实施方式的显示装置的一部分的放大平面图。
参照图14和图15，根据本发明的第四实施方式的显示装置400包括显示单元420、非显示单元和驱动单元，在显示单元420中以矩阵形式布置有多个子像素（未示出），非显示单元包围显示单元420，驱动单元用于驱动子像素。
驱动单元包括时序驱动单元（未示出）、数据驱动单元430、电平移位器（未示出）等等。这里，数据驱动单元430形成在显示装置400的面板上，时序驱动单元可以形成在与面板连接的柔性电路板（未示出）上，或者可以形成在与所述柔性电路板连接的外部***基板上，等等。然而，本发明并不局限于此，而且时序驱动单元可以与数据驱动单元430一起形成。
驱动单元以集成电路（IC）的形式安装在面板上，柔性电路板贴合于面板。这里，面板和柔性电路板可以通过各向异性导电膜（ACF）贴合。
这里，显示装置400包括，例如，诸如LCD装置或者OLED显示装置这样的平板显示装置。
当以LCD装置作为显示装置400的实例时，尽管未详细示出，但是显示装置400的面板可以包括作为第一基板的滤色器基板、作为第二基板的阵列基板以及在滤色器基板与阵列基板之间形成的液晶层。
这里，滤色器基板可以包括滤色器、黑矩阵以及覆层，所述滤色器包括红色、绿色和蓝色子滤色器，所述黑矩阵分隔子滤色器并且阻挡透过液晶层的光，所述覆层形成在滤色器和黑矩阵的上部上。
垂直地和水平地布置以限定像素区域的栅极线和数据线形成在阵列基板上，而作为开关元件的薄膜晶体管形成在栅极线和数据线交叉区域处，即TFT区域处。
这里，薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅极、与数据线连接的源极以及与像素电极连接的漏极。此外，TFT包括栅极绝缘层和有源层，所述栅极绝缘层用于将栅极与源极/漏极绝缘，通过供给栅极的栅极电压，所述有源层用于在源极与漏极之间形成导电沟道。此外，TFT包括用于将源极/漏极与像素电极绝缘的保护层。
根据本发明第四实施方式的如上所诉构造的显示装置400需要许多与栅极线相对应的连接配线组426la、426la’，426lb、426lb’，426ra、426ra'，426rb、426rb'，以将栅极信号施加给多个子像素的各条栅极线。
这里，根据本发明第四实施方式的显示装置400采用双连接结构，在所述双连接结构中，以与上述本发明第一和第二实施方式相似的方式通过使用数据配线层和栅极配线层来形成多条连接配线组426la、426la’，多条连接配线组426lb、426lb’、多条连接配线组426ra、426ra’和多条连接配线组426rb、426rb'。也就是说，在本发明第四实施方式的情形下，第一下和上子连接配线426la、426la’，426ra、426ra’以及第二上和下子连接配线426lb、426lb’，426rb、426rb'交替地形成在栅极配线层和数据配线层中，使得第一子连接配线组426la、426la'与第二子连接配线组426lb、426lb’相邻，而第一子连接配线组426ra、426ra’与第二子连接配线组426rb、426rb'相邻，故能够减少相邻的连接配线组426la、426la’与426lb、426lb’之间和426ra、426ra’与426rb、426rb'之间的间隔，因此能够在连接单元中布置相同数量的连接配线组426la、426la’，426lb、426lb’，426ra、426ra’，426rb、426rb'，而总宽度比现有技术的连接单元更小。
然而，与第二实施方式相似，在本发明的第四实施方式中，通过跳线结构分别形成第一连接配线组426la、426la'和426ra、426ra'以及第二连接配线组426lb、426lb’和426rb、426rb'，以包括与连接配线426la、426ra，426lb、426rb形成在不同层的连接配线426la'、426ra'，426lb’、426rb'，由此防止由于相邻连接配线组426la、426la'与426lb、426lb'之间，426ra、426ra’与426rb、426rb'之间的电阻差所导致的缺陷图像。即，第一连接配线组426la、426la'和426ra、426ra'可以包括在栅极配线层中的第一连接配线426la、426ra（即第一下子连接配线）以及在数据配线层中的第一连接配线426la'、426ra’（即第一上子连接配线），第二连接配线组426lb、426lb'和426rb、426rb'可以包括在数据配线层中的第二连接配线426lb、426rb（即第二上子连接配线）以及在栅极配线层中的第二连接配线426lb'、426rb’（即第二下子连接配线）。此外，第一连接配线组426la、426la'和426ra、426ra'可以包括位于左侧的左侧第一下和上子连接配线426la、426la'以及位于右侧的右侧第一下和上子连接配线426ra、426ra'，第二连接配线组426lb、426lb'和426rb、426rb’可以包括左侧第二上和下子连接配线426lb、426lb'以及右侧第二上和下子连接配线426rb、426rb'。
这里，由于根据第四实施方式的显示装置400采用双连接结构，所以需要接触孔440b和440c以将第一上子连接配线426la'、426ra’（为了解释起见将基于左侧连接配线描述）与连接单元416中的栅极线（这里，连接单元416中的栅极线是指向非显示单元延伸的显示单元的栅极线）连接。即，第一上子连接配线426la'、426ra'通过第二接触孔440b与上部的第二连接电极445b电连接，第二连接电极445b通过第三接触孔440c与连接单元416中的下部的栅极线电连接，因此，第一上子连接配线426la'、426ra'与连接单元416中的相对应的栅极线连接。并且，第一上子连接配线426la'、426ra'通过第四连接电极445d与在不同层中的第一下子连接配线426la、426ra电连接。
在该情形下，以相同的方式，第二下子连接配线426lb'、426rb'也通过第一接触孔440a与上部的第一连接电极445a电连接，第一连接电极445a通过第三接触孔440c与连接单元416中的下栅极线电连接，因此，第二下子连接配线426lb'、426rb'与连接单元416中相对应的栅极线连接。并且，第二下子连接配线426lb'、426rb'通过第三连接电极445c与在不同层中的第二上子连接配线426lb、426rb电连接。
这种跳线在每组第一下和上子连接配线组426la、426la'和426ra、426ra’的至少一个点处以及每组第二上和下子连接配线组426lb、426lb'和426rb、426rb'的至少一个点处形成。即，第一下和上子连接配线组426la、426la'和426ra、426ra’以及第二上和下子连接配线组426lb、426lb'和426rb、426rb'可以在适当的点跳线至少一次以便调整它们的电阻。因此，连接配线426la、426la'与426lb、426lb'，426ra、426ra'与426rb、426rb'之间的电阻的偏差得以补偿，由此改善屏幕上各个行的颜色不同的水平模糊现象。
根据连接单元416中栅极线的顺序和水平顺序，交替地形成第一下和上子连接配线组426la、426la'和426ra、426ra'以及第二上和下子连接配线组426lb、426lb'和426rb、426rb'，在该情形下，例如，在左侧基础上，连接单元416中的奇数序号栅极线可以与左侧第一下和上子连接配线426la、426la'连接，而连接单元416中的偶数序号栅极线可以与左侧第二上和下子连接配线426lb、426lb'连接。此外，在右侧基础上，连接单元416中的奇数序号栅极线可以与右侧第一下和上子连接配线426ra、426ra'连接，连接单元416中的偶数序号栅极线可以与右侧第二上和下子连接配线426rb、426rb'连接。然而，本发明并不局限于这种连接方案。
根据本发明第一至第四实施方式的阵列基板通过密封剂以面对的方式与滤色器基板贴合，所述密封剂施加到图像显示部分的外缘（outer edges）的。在该情形下，滤色器基板包括用于防止向TFT漏光的黑矩阵、栅极线、数据线以及用于实现红色、绿色和蓝色的滤色器。
滤色器基板与阵列基板的贴合通过形成在滤色器基板或者阵列基板上的贴合键（attachment keys）实现。
本发明还可以应用于利用TFT制造的任何其它显示装置，例如OLED（有机发光二极管）显示装置，其中OLED与驱动晶体管连接。
由于本发明可以在不背离其特征的情况下以多种形式体现，故还应理解的是，除非另有说明，上述实施方式并不受任何前述的细节的限制，而应在如所附权利要求所限定那样在权利要求保护范围内作广泛地解释，因此所有落入权利要求的界限和范围内，或者与这种界限和范围等同的界限和范围内的变化和修改都意在被所附权利要求所包含。
Claims (24)
1.一种显示装置，包括：
第一基板，所述第一基板包括显示单元和包围所述显示单元的非显示单元；
驱动单元；
其中所述第一基板进一步包括：
多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管形成在所述显示单元中；和
多条第一连接配线和多条第二连接配线，所述多条第一连接配线和所述多条第二连接配线交替地形成在所述非显示单元中，用于将来自所述驱动单元的栅极信号施加给所述显示单元中的各条栅极线；以及
第二基板，所述第二基板与所述第一基板贴合，
其中所述第一连接配线与所述第二连接配线相邻，并且所述第一连接配线形成在第一层上，所述第二连接配线形成在与所述第一层不同的第二层上，
其中所述第一基板还包括位于所述第一连接配线上方的第一辅助连接配线以及位于所述第二连接配线上方的第二辅助连接配线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中栅极线形成在所述第一层上，数据线形成在所述第二层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：
第一连接电极，所述第一连接电极将所述第一连接配线与所述栅极线电连接；以及
第二连接电极，所述第二连接电极将所述第二连接配线与所述栅极线电连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一连接电极和所述第二连接电极由相同的材料制成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线与所述第一连接配线平行并且所述第一辅助连接配线形成在所述第一连接配线上方，所述第二辅助连接配线与所述第二连接配线平行并且所述第二辅助连接配线形成在所述第二连接配线上方。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线形成在所述第一连接配线的正上方，所述第二辅助连接配线形成在所述第二连接配线的正上方。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线形成在相同的层上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线的宽度比所述第一连接配线的宽度窄，所述第二辅助连接配线的宽度比所述第二连接配线的宽度窄。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线由透明导电材料形成。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线与像素电极形成在相同的层上。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一辅助连接配线和所述第二辅助连接配线与所述第一连接电极和所述第二连接电极形成在相同的层上。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一连接配线与所述第一辅助连接配线彼此电连接，所述第二连接配线与所述第二辅助连接配线彼此电连接。
13.根据权利要求3所述的显示装置，所述第一连接配线包括形成在所述第一层上的第一下子连接配线和形成在所述第二层上的第一上子连接配线，所述第二连接配线包括形成在所述第一层上的第二下子连接配线和形成在所述第二层上的第二上子连接配线。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一下子连接配线与所述第一上子连接配线通过第三连接电极相连接，所述第二下子连接配线与所述第二上子连接配线通过第四连接电极相连接。
15.根据权利要求13所述的显示装置，所述第一下子连接配线与所述第二上子连接配线彼此相邻并且交替地形成，所述第一上子连接配线与所述第二下子连接配线彼此相邻并且交替地形成。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一下子连接配线与所述第二下子连接配线与所述栅极线形成在相同的层上，所述第一上子连接配线与所述第二上子连接配线与所述数据线形成在相同的层上。
17.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
提供第一基板，所述第一基板包括显示单元和包围所述显示单元的非显示单元；
在所述显示单元中形成栅极线，在所述非显示单元中形成多条第一连接配线；
形成覆盖所述栅极线和所述第一连接配线的栅极绝缘层；
形成薄膜晶体管的有源层；
在所述显示单元中形成数据线、源极和漏极，在所述非显示单元中形成多条第二连接配线；
形成覆盖所述数据线、所述源极和所述漏极、以及所述第二连接配线的钝化层；
形成暴露所述栅极线、所述第一连接配线、所述第二连接配线和所述漏极的接触孔；
形成与所述漏极连接的像素电极；
提供第二基板；以及
将所述第一基板与所述第二基板贴合，
其中，所述形成与所述漏极连接的像素电极的步骤进一步包括：分别在所述第一连接配线与所述第二连接配线上方形成辅助连接配线。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一连接配线与所述第二连接配线在所述非显示单元中交替地形成，并且所述第一连接配线与所述第二连接配线相邻。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述形成与所述漏极连接的像素电极的步骤进一步包括：
分别形成将所述栅极线与所述第一连接配线连接的连接电极，和将所述栅极线与所述第二连接配线连接的连接电极。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述辅助连接配线由形成像素电极的透明导电材料形成。
21.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
提供第一基板和第二基板，其中所述第一基板包括显示单元和包围所述显示单元的非显示单元；
提供驱动单元；
在所述显示单元中形成栅极线，在所述非显示单元中形成多条第一下子连接配线和多条第二下子连接配线；
形成覆盖所述栅极线、所述第一下子连接配线和所述第二下子连接配线的栅极绝缘层；
形成薄膜晶体管的有源层；
在所述显示单元中形成数据线、源极和漏极，在所述非显示单元中形成多条第一上子连接配线和多条第二上子连接配线；
形成覆盖所述数据线、所述源极和漏极、所述第一上子连接配线以及所述第二上子连接配线的钝化层；
形成暴露所述栅极线、所述第一下子连接配线、所述第二下子连接配线、所述第一上子连接配线和所述第二上子连接配线的接触孔；
形成与所述漏极连接的像素电极，并且形成连接电极，所述连接电极将相应的栅极线分别与所述第一上子连接配线连接、将相应的栅极线分别与所述第二下连接配线连接、将所述第一下子连接配线分别与所述第一上子连接配线连接、将所述第二下子连接配线分别与所述第二上子连接配线连接；以及
将所述第一基板与所述第二基板贴合。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一下子连接配线与所述第二下子连接配线在相同的层上彼此隔开。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一上子连接配线与所述第二上子连接配线在相同的层上彼此隔开。
24.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一下子连接配线与所述第二上子连接配线彼此相邻并且地交替形成，所述第一上子连接配线与所述第二下子连接配线彼此相邻并且交替地形成。
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