CN102939551A

CN102939551A - 偏振光板及偏振光板的制造方法

Info

Publication number: CN102939551A
Application number: CN2011800271489A
Authority: CN
Inventors: 花岛直树
Original assignee: Dexerials Corp
Current assignee: Dexerials Corp
Priority date: 2010-05-31
Filing date: 2011-05-31
Publication date: 2013-02-20
Anticipated expiration: 2031-05-31
Also published as: CN102939551B; JP2011248284A; US9097857B2; US20130128358A1; WO2011152422A1

Abstract

本发明提供即使在高温、高湿度环境下也具有高可靠性的偏振光板。在衬底（2）的周缘部具有不形成栅（3）的非形成区域（10）。

Description

偏振光板及偏振光板的制造方法

技术领域

本发明涉及将入射光和偏振光方向对应地分离为透射光和反射光的偏振光板及偏振光板的制造方法。

本申请是以在日本于2010年5月31日申请的日本专利申请编号特愿2010-124178为基础而要求优先权的申请，通过参照该申请，援引于本申请。

背景技术

近年来，在液晶显示装置等中，作为薄型的偏振光板，多使用将碘化合物吸附于聚乙烯醇（PVA）膜并通过使其延伸定向而呈现可见光的吸收二色性的偏振光膜。偏振光膜为确保机械强度、耐热性、耐湿性，使用三乙酰基纤维素（TAC, triacetyl cellulose）等透明膜从两面夹紧，在此基础上为防止损伤、防止污垢附着等而施加有硬化（ハードコード）处理。

入射进偏振光膜的光之中不通过的偏振光分量的光在偏振光膜内被吸收并被作为热而向膜外排出。因此，存在当强光照射时，发热导致膜的温度上升而偏振光特性劣化的问题。此问题的原因在于有机材料自身的耐热性，难以得到本质性的改善。

针对此问题，使用仅由完全无机的材料构成的偏振光板。作为薄型的代表，有偏振光玻璃和线栅（wire grid）偏振光板。偏振光玻璃由在玻璃内析出的金属的岛状微粒子构成，通过微粒子的等离子体谐振吸收的各向异性而呈现吸收二色性。虽然吸收不通过的偏振光分量，但因为由无机材料构成，因此具有高耐热性。

另一方面，线栅偏振光板在衬底的表面形成由具有光的波长以下的周期的微细的金属线构成的线栅（参照专利文献1）。该线栅偏振光板反射由于自由电子的等离子体振动而不通过的偏振光分量，因此具有能够更为有效地利用入射光的优点。

此外作为和线栅类似的类型，还有在衬底表面排列椭圆形状的金属微粒子而成的微粒子型偏振光板（参照专利文献2）。这利用了微粒子的等离子体谐振吸收，和线栅偏振光板不同，因为吸收不通过的偏振光分量，例如，防止由于来自偏振光板的反射光而液晶面板温度上升、劣化，因此用于液晶面板的出射侧。

这些由无机材料构成的偏振光板不存在可见于有机偏振光膜的耐热性导致的特性劣化的问题，逐渐被用作照射强灯光的液晶投影仪用的偏振光板。

专利文献

专利文献1：日本特表2003-502708号公报；

专利文献2：日本特开2008-216956号公报；

专利文献3：日本特开平10-073722号公报；

专利文献4：日本特开2006-126464号公报。

发明内容

这些无机偏振光板因为不含有在高温下分解的有机材料成分因此能得到高耐热性，但在像线栅偏振光板、微粒子型偏振光板那样在衬底表面形成线栅、微粒子等的偏振光膜的类型中，根据偏振光膜材料的不同，有时在高湿度、高温环境下，从表面开始的氧化等导致特性劣化。为防止此情况的发生，有效的做法有将由金属线构成的线栅或金属微粒子用某种保护膜被覆。作为保护膜，能够使用由有机的单分子层构成的膜、一般被用作半导体器件的阻挡层的SiO₂、Al₂O₃等氧化膜、SiN等氮化膜等。

在专利文献3中，记载有：通过使用由10nm以下的铝膦酸盐（aluminophosphonate）构成的防腐蚀剂的单分子层被覆，从而提高线栅偏振光板的可靠性。据此，记载有在线栅偏振光板中，因为具有纳米级别的微细结构，原封不动地适用关于耐蚀性而言通常被使用的材料、形成方法时，有时招致显著的光学特性的劣化。

在专利文献4中，记载有通过被覆构成线栅的Al的表面而改善线栅偏振光板的耐环境性。在此使用通过Al的热处理而得到的表面热氧化膜，而由该方法能够将电子束蚀刻所需要的导电性基底Al膜一同热氧化，因此具有能够将该部分透明化的优点。还叙述了以下优点：从而，不需要使用蚀刻将该基底膜除去，能够使用举离（liftoff）法作为图案形成方法，能够回避蚀刻工序的不稳定性。

像这样，一般认为在线栅偏振光板及微粒子偏振光板中，被覆保护膜以提高耐环境性。然而，线栅、微粒子等表面存在微细的结构时，即使使用相同的材料作为保护膜，也存在由于该形成方法不同而导致它的可靠性的改善效果产生显著的差异的问题。

这样的偏振光膜上的保护膜的形成，因为伴随着偏振光特性的劣化所以一般优选使膜厚变薄。然而，由于保护膜自身内在的微小缺陷的影响变大，因此其薄膜化存在极限，在其保护功能不下降的范围内最优地决定厚度。例如，将Ge等富有反应性的材料用作偏振光材料时，有时氧化反应从小孔、切除端面的保护膜的微小的缺陷部开始进行而使偏振光特性劣化。尤其是在缺陷上存在皮脂等异物时，有时会呈现出显著的劣化。该偏振光膜的变质在线栅偏振光板、微粒子型偏振光板的结构上，具有沿着偏振光材料排列的栅（grid）而进行的倾向，即使缺陷自身在偏振光板的有效范围外，有时也随着时间的经过而变质区域扩大至有效范围内。

作为这样的保护膜的缺陷，除了小孔（pin hole）等膜自身内在的缺陷之外，也有在衬底的切断端面产生的缺陷。因为低价格化而使用在大型的晶片上成批地制作偏振光板并最后单片化的工艺时，使用切割（dicing）、划线（scribe）等的单片化，有时导致在偏振光膜上形成的保护膜的一部分被破坏。此外，处理衬底的切断端面部分时等附着异物等的可能性高，这也是单片后劣化变得容易进行的一个原因。

因此，本发明的目的在于提供在高温、高湿度环境下也具有高可靠性的偏振光板及此种偏振光板的制造方法。

为解决上述问题，本发明涉及的偏振光板在衬底的周缘部具有不形成栅的非形成区域。

此外，本发明涉及的偏振光板的制造方法，具备：在衬底的整个一面形成的基底膜设置抗蚀剂，该抗蚀剂具有形成栅的图案、以及在上述衬底的周缘部形成不形成上述栅的非形成区域的图案，利用了上述基底膜的形成上述栅及上述非形成区域的工序；形成保护上述栅的保护膜的工序。

根据本发明，因为在衬底的周缘部设置有不形成栅的区域，因此即使在衬底周缘部的保护膜产生破坏的情况下也不会产生偏振光膜的劣化。

附图说明

图1是表示线栅偏振光板的剖面图；

图2是表示微粒子型偏振光板的剖面图；

图3是表示偏振光板的俯视图；

图4中，图4A是表示透射了光的偏振光板的图，图4B是图4A涉及的偏振光板的照片。左端照出了摄影者的手指；

图5中，图5A是表示透射了光的现有的偏振光板的图，图5B是图5A涉及的偏振光板的照片。左端照出了摄影者的手指。此外，成圆弧状地照出了照相机的轮廓；

图6是表示衬底的周缘部的剖面图；

图7是表示其他的偏振光板的俯视图；

图8是表示其他的偏振光板的俯视图；

图9中，图9A至图9F是表示线栅偏振光板的制造工序的图；

图10中，图10A至图10G是表示微粒子型偏振光板的制造工序的图。

具体实施方式

下面，针对适用了本发明的偏振光板及其制造方法，参照附图详细地进行说明。适用了本发明的偏振光板1，例如是如图1所示，在衬底2上形成由具有光的波长以下的间距的微细的金属线构成的线栅3，并且在衬底2的整个面形成保护线栅3的保护膜4的线栅偏振光板1A，或者是如图2所示，在衬底5上形成具有光的波长以下的间距的栅图案6，并且在该栅图案6上隔着金属层9排列有微粒子7，进而在衬底5的整个面形成有保护膜8的微粒子型偏振光板1B。

而且，该偏振光板1如图3所示，在衬底2、5的周缘部，设置有在线栅3、栅图案6上排列的微粒子7等形成偏振光膜的栅G不形成的区域（下面称为“非形成区域10”）。由此，偏振光板1即使在通过切断单片化等而在衬底2、5的周缘部形成的保护膜4、8产生缺陷的情况下，也能够回避从衬底2、5的周缘部分沿着栅G进行的偏振光膜的劣化。

以玻璃为首，只要是光学上透明的材料，都能够用作构成偏振光板1A、1B的衬底2、5。在液晶投影仪等的应用中通过吸收避免因发生的热而偏振光膜破坏，因此多使用具有高耐热性、散热性的衬底。

例如，水晶衬底和玻璃相比不仅具有高的导热率，而且因为组成和石英玻璃相同，因此适合在想要对衬底自身进行蚀刻而提高偏振光板的光学特性的情况。此外蓝宝石衬底因为具有超越水晶的高导热率因此散热特性优秀，即使是相同的冷却结构，和水晶相比也能够将衬底温度抑制在低水平，具有能够抑制光学***自身的温度的优点。

此外，线栅3、栅图案6上排列的微粒子7等偏振光膜，例如为线栅偏振光板1A时，能够使用Al或者AlSi等作为偏振光膜材料，但毫无疑问，并不限定于这些材料。另一方面，为微粒子型偏振光板1B时使用Ge、Si等，而此种情况也不限定于这些材料。

非形成区域10是衬底2、5的周缘部的形成偏振光膜的栅G不形成的区域。偏振光板1例如在形成保护膜4、8之后通过晶片衬底的切断而单片化的情况下，在该切断部分可能存在衬底2、5的微小切口即碎片（chipping）区域。保护膜4、8在伴随单片化而产生的切断区域、和该切断区域邻接的碎片区域中被破坏。

因而，偏振光板1通过在此种保护膜4、8遭到破坏的周缘部形成非形成区域10，从而即使保护膜4、8遭到破坏，也能防止在线栅3、栅图案6上排列的微粒子7暴露于外部，能够防止偏振光膜的劣化。

如图4所示，在周缘部设置有非形成区域10的偏振光板1，遍及整个面都观察不到偏振光膜的变色，防止了劣化。另一方面，如图5所示，栅G一直形成至周缘部，在未设置非形成区域10的偏振光板，观察到以周缘部为起点的筋纹A，能够知道产生了偏振光膜的劣化。此外，在图5中，也观察到了以在残留在衬底上的异物为起点的筋纹B。

此外，非形成区域10具有从衬底2、5的周缘部朝向内侧，远比栅G的间距大的宽度，优选0.2mm以上。这是因为，由此，即使在多个碎片存在的情况下也能够降低伴随保护膜4、8的破坏的偏振光膜的劣化的可能性。即，可能产生碎片的范围是从切断面朝向衬底内侧至多0.1mm的范围，因此通过从衬底2、5的周缘部朝向衬底内侧设置0.2mm以上的非形成区域，偏振光膜不会受到碎片的影响。

此外，非形成区域10形成至从衬底2、5的周缘部朝向内侧2mm～3mm的范围。这是，由于光线入射的偏振光板1的有效区域的边界多位于距衬底端2mm～3mm的位置，因此通过在从衬底2、5的周缘部开始宽度0.2mm以上2mm～3mm的范围设置非形成区域10，从而能够防止伴随保护膜4、8的破坏的偏振光膜的劣化而不会降低作为偏振光板1的有效面积。

此外，在预先单片化了的衬底2、5形成保护膜4、8时，非形成区域10同样有效。即，偏振光板1在衬底2、5的周缘部附近，由于保护膜4、8的栅结构的错乱、衬底形状的错乱而易产生缺陷。此外，偏振光板1在衬底2、5的处理时等在周缘部附近附着异物的可能性也高，根据异物的种类、偏振光膜的种类的不同，有时即使微小的缺陷对偏振光膜造成的劣化程度也大。因此，偏振光板1通过在衬底2、5的周缘部附近设置不形成栅G的非形成区域10，即使是在保护膜4、8形成后不包含切断工序的情况下，在提高可靠性上也有显著的效果。

在此，所谓非形成区域10，意指未形成格子状的微细图案（栅G）的区域，如图6所示，除隔着保护膜4、8而Al膜等金属膜15露出的情况之外，还包含衬底2、5自身的平坦的表面直接露出的情况、覆盖衬底2、5的表面的平坦膜露出的情况。

此外，在栅G由Al等金属材料形成的线栅偏振光板1A、具有类似结构的偏振光板的情况下，非形成区域10成为金属膜15原封不动残存的状态。此种情况下，非形成区域10的金属膜在光学上作为反射膜或者遮光膜发挥功用，非形成区域10成为遮光膜。

非形成区域10是在偏振光特性上不发挥任何功能的区域，作为偏振光板1，想要增大有效区域时优选该非形成区域10小。进而，通过了该非有效部分的光成为漏光而带来负面影响时，优选在该部分形成有遮光膜（反射膜、吸收膜等，对该一部分进行遮光的膜），出于此目的而优选形成于非形成区域10的金属膜15。另一方面，进行反射的膜带来负面影响时，还能够通过对遮光膜进行蚀刻而除去，使其具有透射性。

此外，偏振光板1中，到衬底2、5的周缘部的非形成区域10为止形成保护膜4、8。假设和形成在线栅3、栅图案6上排列的微粒子7的栅G的区域对应而除了衬底2、5的周缘部之外形成保护膜时，保护膜的成膜区域的周缘部分有可能由于膜厚减少而保护性能变得不足够。从而，保护膜优选形成为比栅G的形成区域大，进而，优选在包含衬底周缘部的衬底整个面形成。

而且，偏振光板1中，到衬底2、5的周缘部的非形成区域10为止形成有保护膜4、8，因此在线栅3、栅图案6上排列的微粒子7的保护性能提高，此外，在基板2、5的周缘部的保护膜4、8的不良不会和线栅3、栅图案6上排列的微粒子7的形成区域重叠，不会影响该保护性能。

此外，非形成区域10也可以如图3所示，遍及衬底2、5的整个周围地形成，此外还可以如图7所示，仅形成为和衬底2、5的线栅3的方向、微粒子7的排列方向正交的边2A、5A，或者如图8所示，以使和衬底2、5的线栅3的方向、微粒子7的排列方向正交的边2A、5A的非形成区域10比和线栅3的方向、微粒子7的排列方向平行的边2B、5B大的方式形成。

偏振光膜的劣化容易沿着线栅3、微粒子7在栅G的方向进行。从而，在和线栅3的方向、微粒子7的排列方向正交的切断端面发生保护膜4、8的破坏时，同在和线栅3的方向、微粒子7的排列方向平行的切断端面保护膜4、8被破坏的情况相比，偏振光膜的劣化从衬底2、5的周缘部向内部蔓延的可能性高。

因而，即使在将非形成区域10仅形成和线栅3的方向、微粒子7的排列方向正交的边2A、5A，或者使该正交的边2A、5A的大小比平行的边2B、5B大的情况下，偏振光板1能够相对于和线栅3的方向、微粒子7的排列方向平行的边而言依然保证大面积的有效区域，并且防止偏振光膜的劣化蔓延至内部而进行至偏振光板1的有效区域，确保保护膜的性能。

接下来，参照图9说明线栅偏振光板1A的制造方法。线栅偏振光板1A在晶片衬底11形成多个后，通过按照既定尺寸被切断而单片化。首先，在晶片衬底11的背面形成防反射膜（ARC）12之后（图9A），通过溅射法等在晶片衬底11的表面进行Al薄膜13的成膜（图9B）。接着，按照防反射膜（BARC）和化学催化剂型光致抗蚀剂的顺序通过旋涂法涂布。接下来，使用DUV（远紫外线）激光器进行双光束干涉曝光而显影后，形成既定间距、宽度、高度的抗蚀剂的栅图案。此时，在晶片衬底11的表面设置角形遮光开口掩模，在形成于晶片衬底11上的衬底2的周缘部形成在双光束干涉曝光时不被曝光的区域（图9C）。

接着，由于使用RIE蚀刻形成Al的栅图案，所以在首先进行使用Cl4气的Al蚀刻之后（图9D），使用Ar气除去残存抗蚀剂（图9E）。由此，各衬底2的周缘部形成线栅3及非形成区域10。此外，在图9E中，虽然在非形成区域10留有Al薄膜，使其作为遮光部发挥作用，但也能够通过在Al蚀刻工序中除去非形成区域10的Al薄膜而不设置遮光部。

接下来，在晶片衬底11的整个面通过化学气相蒸镀（CVD）等形成由SiO₂等构成的保护膜14（图9F）。最后，使用通用的玻璃划线器等，将在该晶片衬底11形成的线栅偏振光板1A按照既定的尺寸切断而单片化。此外，线栅偏振光板1A在形成保护膜14之前单片化，最后形成保护膜14也可以。此外，线栅偏振光板1A也可以通过对预先单片化了的衬底2实施上述工序而形成。

接下来，参照图10说明微粒子型偏振光板1B的制造方法。微粒子型偏振光板1B也在由水晶衬底等构成的晶片衬底16上形成多个后，按照既定的尺寸被切断。首先，在晶片衬底16的背面形成防反射膜17之后（图10A)，在晶片衬底16的表面通过溅射法等进行Al薄膜18的成膜（图10B）。接着，按照防反射膜和化学催化剂型光致抗蚀剂的顺序通过旋涂法涂布。接下来，使用DUV激光器进行双光束干涉曝光而显影后，形成既定间距、宽度、高度的抗蚀剂的栅图案。此时，在晶片衬底16的表面设置角形遮光开口掩模，在于晶片衬底16上形成多个衬底5的各周缘部形成在双光束干涉曝光时不被曝光的区域（图10C)。

之后，在使用Cl₄气进行Al蚀刻之后（图10D），使用Ar气除去残存抗蚀剂（图10E）。在此，Al膜作为蚀刻掩模一部分发挥作用，其结果在水晶衬底形成既定间距的凹凸栅图案6。此外，并不一定要在栅图案6上设置Al膜，也可以酌情除去Al膜。对该衬底将由Ge等构成的微粒子7通过溅射法而排列形成（图10F）。由此，在各衬底5的周缘部形成栅G及非形成区域10。此外，在图10E中，虽然在非形成区域10留有Al薄膜，使其作为遮光部发挥作用，但也能够通过在Al蚀刻工序中除去非形成区域10的Al薄膜而不设置遮光部。

接下来，在晶片衬底16的整个面通过化学气相蒸镀（CVD）等形成由SiO₂等构成的保护膜19。最后，将在该晶片衬底16形成的微粒子型偏振光板1B按照既定的尺寸切断，单片化（图10G）。此外，在微粒子型偏振光板1B中，也可以在形成保护膜19之前进行单片化，最后形成保护膜19，此外，也可以通过对预先单片化了的衬底5实施上述工序而形成。

<实验例1>

在实验例1中，对设置有非形成区域10的线栅偏振光板1A、未设置非形成区域10的线栅偏振光板以及未形成保护膜的线栅偏振光板分别观察了偏振光膜的变化。

在本实验例1中，在于背面使用电介质多层膜形成有防反射膜（ARC）的4英寸的石英衬底的表面，使用DC溅射装置进行230nm的Al薄膜的成膜。接着，将厚度28nm的防反射膜（BARC）和厚度230nm的化学催化剂型光致抗蚀剂按照该顺序通过旋涂法涂布。接下来，使用DUV（远紫外线）激光器进行双光束干涉曝光而显影后，形成间距150nm、宽度70nm、高度180nm的抗蚀剂的栅图案。接着，由于使用RIE蚀刻形成Al的栅图案，所以在首先进行使用Cl4气的Al蚀刻之后，使用Ar气除去残存抗蚀剂。使用通用的玻璃划线器，将在该4英寸晶片形成的线栅偏振光板按照25mm×25mm的尺寸切断作为比较例1。

对比较例1使用化学气相蒸镀（CVD）而形成厚度20nm左右的由SiO₂构成的保护膜作为比较例2，以切断前的4英寸衬底的状态使用相同条件形成保护膜之后使用划线器按照25mm×25mm切断作为比较例3。接着，将除了当干涉曝光时在衬底表面设置角形遮光开口掩模，24.5mm×24.5mm的外侧形成不被曝光的区域，设置非形成区域10以外，使用和比较例2及比较例3相同的条件制作的样品分别作为实施例1、实施例2。将这些完成后的5种线栅偏振光板各10枚在温度60℃湿度90%的环境下放置100小时，观察了偏振光膜的变化。

[表1]

将结果示于表1。在未形成保护膜的比较例1中，针对所有的样品，可以考虑为Al表面氧化等变质导致的偏振光膜的斑在衬底的整个面发生。

在衬底的切断后虽形成有保护膜，但在衬底的周缘部不设置非形成区域10而直到单片化后的衬底的周缘部为止形成有线栅的比较例2中，衬底中央虽然没有变色、特性劣化，但存在观察到了从衬底周围朝向中央延伸的筋状的变色区域的样品。在衬底的周缘部不设置非形成区域10而直到衬底的周缘部为止形成有线栅，并且在形成保护膜之后切断衬底的比较例3中，观察到变色区域的样品数比比较例2多。针对比较例2及比较例3，评估了变色区域的偏振光特性，原本应该反射的偏振光分量的一部分透射，观察到了偏振光特性的劣化。

另一方面，与比较例2及比较例3相对，在存在保护膜、且衬底的周缘部设置有非形成区域10的实施例1及实施例2中，不管保护膜的形成是在衬底切断之前或是之后，针对所有的样品，包含衬底中央、衬底周缘部，遍及整个面未观察到变色区域等。

<实验例2>

在实验例2中，对设置有非形成区域10的微粒子型偏振光板1B、未设置非形成区域10的微粒子型偏振光板以及未形成保护膜的微粒子型偏振光板分别观察了偏振光膜的变化。

在实验例2中，在于背面使用电介质多层膜形成有防反射膜（ARC）的25mm见方的水晶衬底的表面通过溅射法进行60nm的Al薄膜的成膜。接着，将防反射膜（BARC）和化学催化剂型光致抗蚀剂按照该顺序通过旋涂法分别涂布为28nm、230nm的厚度。接下来，使用DUV（远紫外线）激光器进行双光束干涉曝光而显影后，形成间距150nm、宽度70nm、高度230nm的抗蚀剂的栅图案。之后，使用Cl4气进行Al蚀刻后，使用Ar气去除残存抗蚀剂。在此，Al膜作为蚀刻掩模一部分发挥作用，其结果在水晶衬底形成间距为150nm的凹凸栅图案。对该衬底将Ge微粒子通过溅射法排列形成，从而得到微粒子型偏振光板的比较例4。接着，将对比较例4通过化学气相蒸镀（CVD）形成厚度20nm左右的由SiO₂构成的保护膜的样品作为比较例5。

此外，将除了当干涉曝光时在衬底整个面设置遮光掩模，只在和栅正交的方向形成从端开始1mm左右的不被曝光的区域，设置了非形成区域10以外，以和比较例5相同的条件制作的样品作为实施例3。对于这些完成的3种微粒子型偏振光板，作为处理时产生的极端的例子，将在衬底的周围的4个面人为地附着皮脂的样品各10枚在温度60℃，湿度90%的环境下放置100小时，观察了偏振光特性的变化。

[表2]

将结果示于表2。在未形成保护膜的比较例4中，在所有的样品的衬底的整个面产生Ge的氧化，偏振光膜完全地透明化。虽然形成有保护膜但不设置非形成区域10、在衬底的周围部分也形成有栅，在这样的比较例5中，虽然衬底中央没有变色、特性劣化，但存在观察到从衬底周围朝向中央而延伸的筋状的变色区域的样品。评估变色区域的偏振光特性时，原本应该反射吸收的偏振光分量的一部分透射，观察到了偏振光特性的劣化。

另一方面，和比较例5相对，具有保护膜，且在和栅图案正交的边的附近设置有非形成区域10的实施例3中，衬底周围也未发生变色区域、脱落等。

在比较例5中，保护膜形成后没有切断处理，所以能够认为该劣化并非起因于切断导致的保护膜的一部分破坏，而是从存在于衬底端的保护膜缺陷部分由于皮脂导致诱发某种偏振光膜的变质并沿着栅图案而进行。从实施例3的结果，能够认为，在未形成栅图案的非形成区域10中，与此种保护膜的缺陷无关，沿着栅图案的劣化不发生，因此保持足够的保护功能。

像这样，在线栅偏振光板和微粒子型偏振光板中，在衬底端附近设置有未形成栅的非形成区域10的偏振光膜不会发生偏振光膜的劣化，在高湿度试验中验证了其优秀的可靠性。

产业上的可利用性

本发明并不限定于在此说明的线栅偏振光板1A、微粒子型偏振光板1B，只要是具有微细的栅及和栅类似的结构的依赖于偏振光的器件，例如波长板之类的器件均能够适用。此时，所谓微细的栅，主要设想为具有使用波长的1/2以下左右的间距的凹凸剖面的结构。栅的剖面形状在具有所期望的偏振光特性的范围内适当地决定，但如果“凹凸深度/间距”为1/2以上则有利于产生良好的偏振光特性。

符号说明

1 偏振光板；1A 线栅偏振光板；1B 微粒子型偏振光板；2 衬底；3 线栅；4 保护膜；5 衬底；6 栅图案；7 微粒子；8 保护膜；9 防反射膜；10 非形成区域；11 晶片衬底；12 防反射膜；13 Al薄膜；14 保护膜；16 晶片衬底；17 防反射膜；18 Al薄膜；19 栅图案；20 Ge微粒子；21 保护膜。

Claims

1. 一种偏振光板，在衬底的周缘部具有不形成栅的非形成区域。

2. 根据权利要求1所述的偏振光板，其中在所述非形成区域形成有保护所述栅的保护膜。

3. 根据权利要求1或者权利要求2所述的偏振光板，其中在所述非形成区域形成有遮光部。

4. 根据权利要求1～3的任一项所述的偏振光板，其中所述非形成区域从所述衬底的周缘部朝向内侧设置0.2mm以上。

5. 根据权利要求4所述的偏振光板，其中所述非形成区域设置至距所述衬底的周缘部2～3mm的位置。

6. 根据权利要求1～4的任一项所述的偏振光板，其中

所述衬底形成为大致矩形状，

所述非形成区域设置于所述衬底的和所述栅的长度方向大致正交的边的周缘部。

7. 根据权利要求6所述的偏振光板，其中所述非形成区域还设置于所述衬底的和所述栅的长度方向大致平行的边的周缘部。

8. 根据权利要求7所述的偏振光板，其中在和所述栅的长度方向大致正交的边的周缘部设置的所述非形成区域，以比在和所述栅的长度方向大致平行的边的周缘部设置的所述非形成区域大的方式形成。

9. 一种偏振光板的制造方法，具备：

在衬底的整个一面形成的基底膜设置抗蚀剂，该抗蚀剂具有形成栅的图案、以及在所述衬底的周缘部形成不形成所述栅的非形成区域的图案，利用了所述基底膜的形成所述栅及所述非形成区域的工序；

形成保护所述栅的保护膜的工序。

10. 根据权利要求9所述的偏振光板的制造方法，其中具备对在晶片衬底上形成的多个所述偏振光板进行切断的工序。

11. 根据权利要求10所述的偏振光板的制造方法，其中所述切断工序在形成所述保护膜的工序之前进行。

12. 根据权利要求10所述的偏振光板的制造方法，其中所述切断工序在形成所述保护膜的工序之后进行。

13. 根据权利要求9～12的任一项所述的偏振光板的制造方法，其中在所述非形成区域形成有所述保护膜。

14. 根据权利要求9～13的任一项所述的偏振光板的制造方法，其中在所述非形成区域形成有遮光部。

15. 根据权利要求9～14的任一项所述的偏振光板的制造方法，其中所述非形成区域从所述衬底的周缘部朝向内侧设置0.2mm以上。

16. 根据权利要求15所述的偏振光板的制造方法，其中所述非形成区域设置至距所述衬底的周缘部2～3mm的位置为止。

17. 根据权利要求9～16的任一项所述的偏振光板的制造方法，其中

所述衬底形成为大致矩形状，

18. 根据权利要求17所述的偏振光板的制造方法，其中所述非形成区域还设置于所述衬底的和所述栅的长度方向大致平行的边的周缘部。

19. 根据权利要求18所述的偏振光板的制造方法，其中在和所述栅的长度方向大致正交的边的周缘部设置的所述非形成区域，以比在和所述栅的长度方向大致平行的边的周缘部设置的所述非形成区域大的方式形成。