CN102934530A - 电路板的制造方法 - Google Patents

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镰野淳之
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

一种电路板的制造方法，包括以下步骤：在导体图案(63)上形成树脂绝缘层(106)，该树脂绝缘层(106)含有大约2wt%~60wt%的比例的二氧化硅类填料；以及通过对树脂绝缘层(106)照射导体图案(63)的吸收率在大约30%~60%的范围内的激光，来形成到达导体图案(63)的开口部(106a)。

Description

电路板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电路板的制造方法，特别是涉及一种使导体图案从绝缘层露出的技术。
背景技术
专利文献1公开了以下一种电路板的制造方法：通过对阻焊层(绝缘层)照射CO2激光，来在阻焊层中形成开口，使焊盘在该开口部露出。
专利文献1：日本特开平10-308576号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所公开的制造方法中，导体(例如铜)的CO2激光吸收率低(例如大约10%)，因此由于CO2激光的照射而引起热反应，有可能使阻焊层(绝缘层)碳化。另外，其结果是，担心该碳化后的阻焊层在焊盘上成为残渣，在外层的导体中使焊锡的润湿性降低，在内层的导体中使通路的连接可靠性降低。
另外，在CO2激光照射的情况下，担心焊盘表面的氧化覆膜没有被完全去除，而焊盘(通路连接端子、外部连接端子等)的导通电阻变高。
本发明是鉴于这种情形而完成的，目的在于在内层的导体中提高通路的连接可靠性而在外层的导体中提高焊锡的润湿性。
用于解决问题的方案
在本发明的一个观点所涉及的电路板的制造方法包括以下步骤：在导体图案上形成树脂绝缘层，该树脂绝缘层含有大约2wt%~60wt%的比例的二氧化硅类填料；以及通过对上述树脂绝缘层照射激光来形成到达上述导体图案的开口部，其中，上述导体图案对该激光的吸收率在大约30%~60%的范围内
发明的效果
根据本发明，能够在内层的导体中提高通路的连接可靠性而在外层的导体中提高焊锡的润湿性。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的电路板的截面图。
图2是本发明的实施方式所涉及的电路板的俯视图。
图3是表示在本发明的实施方式所涉及的电路板的表面安装了电子部件的例子的图。
图4是放大表示图1中的一部分的图。
图5是放大表示图4中的一部分的图。
图6是放大表示从阻焊层露出的导体层表面的一部分的图。
图7是表示本发明的实施方式所涉及的电路板的制造方法的流程图。
图8A是用于说明在绝缘层上形成导体层的第一工序的图。
图8B是用于说明在绝缘层上形成导体层的第二工序的图。
图8C是用于说明在绝缘层上形成导体层的第三工序的图。
图9是表示通过图8A~图8C的工序形成的导体层(焊盘)的图。
图10是用于说明在绝缘层上形成覆盖焊盘(导体图案)那样的阻焊层的工序的图。
图11是用于说明激光照射工序的俯视图。
图12是用于说明激光照射工序的截面图。
图13是用于说明使激光(严格地说其对准目标)移动的情况下的条件的一例的图。
图14是表示各材料的激光波长与吸收率之间的关系的曲线图。
图15是表示照射波长不同的五个激光来进行阻焊层的开孔以及去沾污的结果的图表。
图16是表示焊盘(导体图案)由金属箔、无电解镀膜以及电解镀膜的三层结构构成的电路板的一例的截面图。
图17是表示阻焊层(绝缘层)所包含的填料主要由球形二氧化硅构成的例子的图。
图18是表示采用上述实施方式的制造方法来形成电路板的内层部位的例子的图。
图19是表示采用上述实施方式的制造方法来制造内置电子部件的电路板的例子的图。
图20是表示采用上述实施方式的制造方法来制造刚挠性电路板的例子的图。
图21是表示采用上述实施方式的制造方法来制造内置其它电路板的电路板的例子的图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。此外，在图中，箭头Z1、Z2分别指与电路板的主面(表面和背面)的法线方向(或者芯基板的厚度方向)相当的电路板的层叠方向。另一方面，箭头X1、X2以及Y1、Y2分别指与层叠方向正交的方向(与电路板的主面平行的方向)。电路板的主面成为X-Y平面。另外，电路板的侧面成为X-Z平面或者Y-Z平面。
在本实施方式中，将朝向相反的法线方向的两个主面称为第一面(Z 1侧的面)、第二面(Z2侧的面)。即，第一面的相反侧的主面是第二面，第二面的相反侧的主面是第一面。在层叠方向上，将接近芯一侧称为下层(或者内层侧)，将远离芯一侧称为上层(或者外层侧)。
导体层是指包含导体图案的层。导体层的导体图案是任意的，有时包括构成导体电路的布线(还包括接地线)、焊盘、连接盘等，还有时是不构成导体电路的满图案等。另外，在内置电子部件、其它电路板的电路板中，该电子部件的电极、其它电路板的焊盘也包括在导体图案中。焊盘除了外部连接端子以外，还包括通路连接端子、电子部件的电极等。绝缘层除了层间绝缘层以外，还包括阻焊层等。开口部除了孔、槽以外，还包括切口、缝隙等。孔包括通路孔和通孔。将形成于孔内的导体中的、形成于孔的内面(侧面和底面)的导体膜称为保形导体，将填充到孔内的导体称为填充导体。
镀处理是指使导体(例如金属)层状地沉积在金属、树脂等的表面，镀膜是指所沉积导体的层(例如金属的层)。镀处理除了电解镀、无电解镀等湿式镀以外，还包括PVD(Physical VaporDeposition：物理气相沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)等干式镀。
激光并不限定于可见光。激光除了可见光以外，还包括紫外线、X射线等短波长的电磁波、红外线等长波长的电磁波。各材料的激光吸收率是利用分光光度计进行测量得到的值。
如图1(截面图)和图2(俯视图)所示，本实施方式的电路板100例如是多层印刷电路板(双面刚性电路板)。电路板100具有基板200(芯基板)、绝缘层101~104(层间绝缘层)、阻焊层105、106(绝缘层)以及导体层113~116。在此，在基板200的第一面侧交替地层叠两层绝缘层101、103和两层导体层113、115。另外，在基板200的第二面侧交替地层叠两层绝缘层102、104和两层导体层114、116。而且，在第一面侧的最外层形成阻焊层105，在第二面侧的最外层形成阻焊层106。在本实施方式中，导体层113~116分别包含由布线、焊盘(端子)等构成的导体电路。但是，并不限定于此，导体层113~116的导体图案是任意的，并不必须每层均电路化。另外，在本实施方式中，绝缘层101~104和阻焊层105、106相当于树脂绝缘层。
如图3所示，例如利用焊锡1000a在电路板100的表面(单面或者双面)安装电子部件1000(或者其它电路板等)。电路板100例如能够作为便携式电话机等的电路基板来使用。
此外，电路板100可以是刚性电路板，也可以是挠性电路板。另外，电路板100可以是双面电路板，也可以是单面电路板。导体层和绝缘层的层数也是任意的。
基板200具有绝缘层100a、导体层111、112。作为基板200，例如能够使用双面覆铜层叠板。另外，也能够以双面覆铜层叠板或者绝缘板为初始材料，通过镀处理等来制造基板200。
在图4中放大示出图1中的区域R1。
焊盘63是导体层116(以及导体图案)的一部分，作为外部连接端子而发挥功能。此外，在焊盘63上形成焊锡1000a(图3)时，还可以在焊盘63的表面例如形成Ni/Au等保护导体膜。
焊盘63由导体63a、氧化覆膜63b构成。氧化覆膜63b形成于导体63a的表面，覆盖导体63a。但是，在阻焊层106形成开口部106a(例如孔)，在开口部106a中，氧化覆膜63b被去除。由此，认为导体63a(焊盘63的面F1)在该开口部106a露出，在对焊盘63设置了焊锡1000a(图3)的情况下，不会由于氧化覆膜63b而招致导通电阻的增大。此外，在导体63a的表面并不必须形成氧化覆膜63b。
在此，如图5和图6(面F1的局部放大图)所示，在面F1(露出的导体层116的表面)形成有凹凸。由此，认为焊盘63的面F1与焊锡1000a(图3)等的接合强度得到提高。面F1的十点平均粗糙度优选在大约0.5μm~1μm的范围内。
并且，如图2和图5所示，在开口部106a的边缘形成有凸部P1。另外，在图5中，在开口部106a露出的面F1与阻焊层106的开口部106a侧的侧面F2所形成的角度θ例如为大约90°以上。
使阻焊层106(绝缘层)的树脂61含有大约2wt%~60wt%的比例的填料62。树脂61具有绝缘性和热固性。填料62由二氧化硅类填料构成。认为当填料62的含量处于上述范围内时，能够不损伤焊盘63表面而以低激光强度在阻焊层106中形成开口部106a(在后文中详细说明)。另外，认为作为印刷电路板，还能够满足阻焊层106的低CTE(热膨胀系数)化的要求。
作为二氧化硅类填料，优选使用硅酸盐矿物。作为硅酸盐矿物优选包含二氧化硅、滑石、云母、高岭土以及硅酸钙中的至少一个，特别优选包含二氧化硅、用二氧化硅进行了表面处理的金属化合物以及滑石中的至少一个。
在优选的一例中，阻焊层106包含由大约10wt%~20wt%的滑石(3MgO·4SiO2·H2O)和大约10wt%~20wt%的二氧化硅构成的二氧化硅类填料，即包含合计大约20wt%~40wt%的二氧化硅类填料。
作为二氧化硅，优选使用破碎二氧化硅、球形二氧化硅、熔融二氧化硅以及结晶二氧化硅中的至少一个。在本实施方式中，填料62(二氧化硅类填料)包含破碎状的无定形二氧化硅(以下，称为破碎二氧化硅)。破碎二氧化硅的反射率低于球形二氧化硅的反射率，因此认为通过填料62的含量，容易对后述的降低激光吸收率的效果和提高阻焊层106的去除效率的效果进行细微调整。特别是，优选填料62(二氧化硅类填料)的50wt%以上是破碎二氧化硅。认为当这样填料62的主要成分(一半以上)为破碎二氧化硅时，通过填料62反射激光而减小对导体的损伤或者增大延缓损伤进度的效果(在后文中详细说明)。但是，并不限定于此，破碎二氧化硅的含量也可以小于50wt%，并且，填料62也可以不含有破碎二氧化硅(参照后述的图17)。
填料62(二氧化硅类填料)的平均粒径优选在大约0.5μm~20μm的范围内。认为当填料62的平均粒径处于上述范围内时，填料62的降低激光吸收率的效果(在后文中详细说明)增大。
在本实施方式中，树脂61由热固性的环氧树脂构成。但是，并不限定于此，作为树脂61(热固性树脂)，除了环氧树脂以外，还能够使用酚醛树脂、聚苯醚(PPE)、聚亚苯醚(PPO)、氟树脂、LCP(液晶聚合物)、聚酯树脂、酰亚胺树脂(聚酰亚胺)、BT树脂、烯丙基化聚苯醚树脂(A-PPE树脂)或者芳香族聚酰胺树脂等。另外，树脂61也可以由紫外线固化性树脂构成，而不是热固性树脂。作为紫外线固化性树脂，例如可举出环氧丙烯酸酯树脂或者丙烯酸树脂等。
包括焊盘63在内的导体层113~116例如由无电解镀膜和电解镀膜这两层构成。但是，并不限定于此，例如焊盘63等也可以由金属箔(例如铜箔)、无电解镀膜、电解镀膜这三层构成(参照后述的图16)。
在本实施方式中，无电解镀膜和电解镀膜由铜构成。而且，在形成无电解镀膜时，使用钯作为催化剂。但是，并不限定于此，无电解镀膜和电解镀膜也可以由其它材料(例如铜以外的金属)构成。另外，各导体层也可以由含有异种材料的多个层构成。催化剂的种类也是任意的。另外，如果不需要，也可以不使用催化剂。
在本实施方式中，绝缘层100a和绝缘层101~104由热固性环氧树脂构成。但是，并不限定于此，绝缘层100a和绝缘层101~104的材料是任意的。作为构成绝缘层101~104的树脂，优选热固性树脂或者热塑性树脂。作为热固性树脂，除了环氧树脂以外，例如还能够使用酰亚胺树脂(聚酰亚胺)、BT树脂、烯丙基化聚苯醚树脂(A-PPE树脂)、芳香族聚酰胺树脂等。另外，作为热塑性树脂，例如能够使用液晶聚合物(LCP)、PEEK树脂、PTFE树脂(氟树脂)等。期望例如从绝缘性、介电特性、耐热性或者机械特性等的观点出发，根据需要选择这些材料。另外，能够使上述树脂含有固化剂、稳定剂、填料等作为添加剂。另外，各绝缘层也可以由含有异种材料的多个层构成。
能够例如在基板200上交替地层叠绝缘层101~104和导体层113~116之后，在最外层设置阻焊层105、106，来制造电路板100。
能够例如通过使用了树脂膜的真空层压来形成(层叠)绝缘层101~104。能够例如通过版面镀法、图案镀法、全添加法、半添加(SAP)法、减去法以及压凹法中的任一方法或者任意地组合这些方法中的两个以上的方法来形成导体层113~116。能够例如通过丝网印刷、辊涂或者层压等来制造阻焊层105、106。
例如通过图7示出的过程来制造上述电路板100(特别是图4示出的结构)。
首先，在步骤S11中，在绝缘层(下层绝缘层)上形成导体层。
具体地说，例如准备由热固性环氧树脂构成的绝缘层104(下层绝缘层)，例如通过蚀刻使绝缘层104的第二面粗糙化。接着，例如通过浸渍使催化剂吸附于绝缘层104的第二面(粗糙化面)。该催化剂例如为钯。浸渍例如能够使用氯化钯、钯胶体等的溶液。为了固定催化剂，也可以在浸渍之后进行加热处理。
接着，如图8A所示，例如通过化学镀法，在绝缘层104的第二面上例如形成无电解镀膜1001。作为镀液，例如能够使用添加了还原剂等的硫酸铜溶液等。作为还原剂，例如能够使用***、次磷酸盐或者乙醛酸等。
接着，如图8B所示，在无电解镀膜1001上形成抗镀层1002。抗镀层1002在规定的位置处具有开口部1002a。接着，例如通过图案镀法，在抗镀层1002的开口部1002a例如形成铜的电解镀膜1003。具体地说，将阳极与作为要镀的材料的铜(含磷铜)连接，将阴极与作为被镀材料的无电解镀膜1001连接，浸渍至镀液中。然后，在两极之间施加直流电压来流过电流，使铜沉积在阴极的露出的无电解镀膜1001的第二面。由此，在无电解镀膜1001上局部地形成电解镀膜1003。作为镀液，例如能够使用硫酸铜溶液、焦磷酸铜溶液、氰(cyaan)化铜溶液或者四氟硼酸铜溶液等。
接着，如图8C所示，例如利用规定的剥离液来去除抗镀层1002。接着，当例如通过激光或者蚀刻来去除不需要的无电解镀膜1001时，如图9所示那样形成导体63a，在导体63a的表面形成氧化覆膜63b。其结果是，在导体层116中形成焊盘63。此外，焊盘63的导体63a的结构并不限定于无电解镀膜和电解镀膜的两层结构，而是任意的(参照后述的图16)。
接着，在图7的步骤S12中，在绝缘层104(下层绝缘层)上形成覆盖焊盘63(导体图案)的阻焊层(上层绝缘层)。
具体地说，如图10所示，例如通过丝网印刷、辊涂或者层压等，在绝缘层104上形成阻焊层106(上层绝缘层)。由此，焊盘63被阻焊层106覆盖。如上所述，对于阻焊层106，是使例如由热固性环氧树脂构成的树脂61含有大约2wt%~40wt%的比例的由二氧化硅类填料构成的填料62而成的。在该阶段中，阻焊层106为半固化的状态。另外，考虑到对后述的绿色激光的吸收性，优选将阻焊层106的颜色设为绿色系、黑色系或者蓝色系。
接着，在图7的步骤S13中，通过照射激光来去除焊盘63(导体图案)上的阻焊层106，使该部分露出焊盘63。
具体地说，例如图11和图12所示，在被照射体(阻焊层106等)的第二面侧设置具有开口部1004a的遮光掩模1004的状态下，对被照射体的整面(详细地说是第二面整个区域)照射绿色激光。在此，绿色激光是指波长大约1064nm的基波的二次谐波，即波长大约532nm的激光。
在阻焊层106半固化的状态下进行该激光的照射。
在对被照射体的整面照射上述绿色激光的情况下，例如优选固定被照射体而使绿色激光(严格地说其对准目标)移动，或者相反地固定绿色激光(严格地说其对准目标)而使被照射体移动。在使绿色激光移动的情况下，例如优选通过检流镜使绿色激光移动(扫描)。另外，在使被照射体移动的情况下，例如优选通过柱面透镜使绿色激光成为线光，使其照射到规定的位置处，并且通过输送带使被照射体移动。
此外，优选通过脉冲控制来进行激光强度(光量)的调整。具体地说，例如在变更激光强度的情况下，不改变每次发射(一次照射)的激光强度而变更发射数量(照射次数)。即，在通过一次发射得不到期望的激光强度的情况下，对同一照射位置再次照射激光。根据这种控制方法，能够省略改变照射条件的时间，因此认为吞吐量得到提高。
但是，并不限定于此，激光强度的调整方法是任意的。例如也可以针对每个照射位置来决定照射条件，将照射次数设为固定(例如对每个照射位置进行一次发射)。另外，在对同一照射位置多次进行激光照射的情况下，也可以针对每次发射改变激光强度。
在此，示出通过检流镜使绿色激光移动的情况下的条件的一例。在图13中，激光的光斑直径d21例如为30μm。在本例中，将激光的扫描方向设为X方向。X方向的单位移动量d22(邻接光斑的照射中心P之间的距离)例如为20μm。另外，Y方向的单位移动量d23(邻接光斑的照射中心P之间的距离)例如为15μm。激光的扫描速度例如为3000mm/sec。即，在每次发射使激光在X方向上扫描20μm的情况下，激光一秒钟照射15万次。
以下，以在这种条件下进行激光照射的情况为例，说明激光照射方式的一例。
在本例中，首先，对被照射体的X-Y平面上的第一线例如(0,0)~(XX,0)进行激光照射。具体地说，对最初的照射位置(0,0)进行激光照射，如果该激光照射结束则向X2侧移动单位移动量d22，对下一个照射位置(20,0)进行激光照射。而且，如图11中的箭头所示，反复进行激光照射以及向X2侧的移动，来对设定在被照射体的X方向上的各照射位置依次进行激光照射。这样，如果对被照射体的X方向整个区域进行的绿色激光的照射结束，则完成对第一线的激光照射。
接着，对被照射体的X-Y平面上的第二线例如(0,15)~(XX,15)进行激光照射。具体地说，如图11中的箭头所示，绿色激光从第一线最后的照射位置(XX,0)起，将原点返回到X坐标，并且使Y坐标向Y1侧移动单位移动量d23，从照射位置(0,15)起，再次与第一线同样地，使激光朝向X2侧扫描。这样，对各线依次进行激光照射，由此能够对被照射体的第二面(X-Y平面)整个区域照射绿色激光。
在此，示出了使激光沿着X方向扫描的例子，但是也可以使激光沿着Y方向扫描。另外，也可以不使用遮光掩模1004，而在非照射部分停止激光照射来仅对要照射的部分照射激光。另外，照射位置、激光强度的控制方法等也是任意的。
关于图7的步骤S13的激光照射，对每个被照射体进行一次扫描。由此，能够以高生产效率制造电路板100。但是，电路板100的制造方法并不限定于这种扫描方法，也可以对每个被照射体进行两次以上的激光扫描。
并且，在阻焊层106形成开口部106a而使焊盘63露出之后，也持续进行激光照射而进行去沾污。具体地说，对焊盘63(铜)的表面照射激光，来去除焊盘63上的树脂残渣以及焊盘63表面的氧化覆膜63b(氧化铜)。由此，认为焊盘63上的树脂残渣减少，由树脂残渣导致的焊锡的润湿性降低得到抑制。另外，认为由于导体63a(焊盘63的面F1)在开口部106a露出，由此对焊盘63设置了焊锡1000a(图3)的情况下，不会由于氧化覆膜63b而招致导通电阻增大。而且，开孔(阻焊层106的去除)和去沾污是通过共用的激光照射工序来进行的，因此不需要另外设置去沾污工序。另外，在导体63a(焊盘63的面F1)上形成有粗糙化面的情况下，在焊盘63(铜)的表面进行激光照射而使其平滑化，由此，能够减少后续的焊盘表面处理(例如，镀Ni/Au)中的残留空隙，能够期望防止焊锡脱落的效果。
另外，通过该激光照射，在从阻焊层106露出的焊盘63的面F1(导体层116的表面)形成凹凸(参照图5和图6)。由此，认为焊盘63的面F1与焊锡1000a(图3)等的接合强度得到提高。
在本实施方式中，认为在用于上述开孔和去沾污的激光照射(图7的步骤S13)中，通过使用绿色激光，能够去除激光照射后的焊盘63(导体图案)上的树脂残渣，去除焊盘63表面的氧化覆膜63b。另外，认为通过将填料62的含量等调整为适当的范围，能够以低激光强度、即少发射数量(例如一次发射)在阻焊层106中形成开口部106a。以下，参照图14等说明该情况。
图14是表示对环氧树脂(线L11)、铜(线L12)以及二氧化硅(线L13)分别照射激光的情况下的、激光波长与吸收率的关系的曲线图。此外，认为即使将环氧树脂替换为其它树脂(特别是热固性树脂)也得到大致相同的结果。
首先，对波长大约532nm的激光LZ3(绿色激光)与波长大约10640nm的激光LZ5进行比较。作为激光LZ3，例如能够使用YAG或者YVO4激光的二次谐波。作为激光LZ5的光源，例如能够使用CO2激光。
如图14所示，激光LZ5的吸收率在环氧树脂(线L11)和二氧化硅(线L13)两者中高，激光LZ3的吸收率在环氧树脂(线L11)中高到大约50%~70%，在二氧化硅(线L13)中低到小于大约10%。在本实施方式中，阻焊层106不仅含有树脂61(环氧树脂)，还含有填料62(二氧化硅类填料)，因此认为在对阻焊层106照射绿色激光的情况下，由于填料62而抑制阻焊层106的分解反应(光化学反应)的进展。其结果是，认为在用于对阻焊层106开孔的激光照射(图7的步骤S13)中，阻焊层106下的焊盘63不容易被过多去除。特别是，在激光LZ3的情况下，二氧化硅(线L13)的吸收率小于大约10%，因此认为这种效果大。
在此，本实施方式所涉及的电路板的制造方法中的填料62的含量在大约2wt%~40wt%的范围内。根据发明人的试验结果等，认为在填料62的含量小于大约2wt%的情况下，担心对焊盘63表面造成损伤，另一方面，在填料62的含量超过大约40wt%的情况下，难以去除阻焊层106。因此，如果将阻焊层106所含的填料62的含量调整为大约2wt%~40wt%，则认为能够不损伤焊盘63表面而以少发射数量在阻焊层106中形成开口部106a。而且，认为通过选择性地去除阻焊层106所含的树脂成分，使填料62浓缩在阻焊层106与焊盘63的界面附近。而且，其结果是，认为由于该界面附近的填料62，激光的照射能量被抑制，不会过多去除焊盘63，能够仅去除氧化覆膜63b。
另外，认为填料62(二氧化硅类填料)的平均粒径优选在大约0.5μm~20μm的范围内。认为在填料62的平均粒径小于大约0.5μm的情况下，担心对焊盘63表面造成损伤，另一方面，在填料62的平均粒径超过大约20μm的情况下，难以去除阻焊层106。因此，认为如果将阻焊层106所含的填料62的平均粒径调整为大约0.5μm~20μm，则能够不损伤焊盘63表面而以少发射数量在阻焊层106中形成开口部106a。
如图14所示，对于铜(线L12)的吸收率，激光LZ3高于激光LZ5。认为在开孔后的去沾污中，优选铜的激光吸收率高到某种程度。这是由于，易于去除氧化覆膜63b。但是，当铜的激光吸收率过高时，有可能产生铜(导体63a)被过多削减等问题。关于这一点，绿色激光适度地被铜吸收，因此认为适于用于去沾污的激光照射。认为铜的激光吸收率优选为大约50%。
另外，认为波长小于波长大约1064nm的激光LZ4的激光主要通过光化学反应来分解被照射体，波长大于激光LZ4的激光主要通过热反应来分解被照射体。当比较两个反应时，认为与将光转换为热来使用的热反应相比，直接使用光的光化学反应的能量效率高。根据这一点，认为绿色激光在能量效率方面也良好。
接着，对波长大约200nm的激光LZ1、波长大约355nm的激光LZ2(UV激光)和波长大约532nm的激光LZ3(绿色激光)进行比较。此外，作为激光LZ1的光源，例如能够使用准分子激光。作为激光LZ2，例如能够使用YAG或者YVO4激光的三次谐波。
认为这些激光LZ1~LZ3主要通过光化学反应来分解被照射体这一点是共通的。但是，如图14所示，对环氧树脂(线L11)、铜(线L12)以及二氧化硅(线L13)的吸收率，激光LZ1最高，接着激光LZ2高，激光LZ3最低。更详细地说，对于激光LZ2、LZ3的吸收率，按从高到低的顺序为环氧树脂(线L11)、铜(线L12)、二氧化硅(线L13)，但是对于激光LZ1的吸收率，按从高到低的顺序为环氧树脂(线L11)、二氧化硅(线L13)、铜(线L12)。而且，在激光LZ1的情况下，环氧树脂(线L11)的吸收率与二氧化硅(线L13)的吸收率之间几乎没有差。因而，认为在之前的激光照射工序(图7的步骤S13)中，在使用准分子激光的情况下，填料62的降低激光吸收率的效果低。
如上所述，认为优选使用于进行上述开孔和去沾污的激光照射(图7的步骤S13)的激光能够主要通过光化学反应来分解被照射体，即具有大约1064nm以下的波长。另外，认为优选铜的激光吸收率高到某种程度，激光吸收率按从高到低的顺序为环氧树脂(线L11)、铜(线L12)、二氧化硅(线L13)。因而，认为上述激光的波长优选在图14中的范围R21、即大约300nm~1064nm的范围内。并且，当考虑到填料62的降低激光吸收率的效果、去除阻焊层106的效率等时，认为上述激光的波长优选在大约450nm~600nm的范围(范围R22)内，特别优选在大约500nm~560nm的范围(范围R23)内。
认为作为光源，优选使用YAG激光、YVO4激光、氩离子激光或者铜蒸汽激光。例如在将YAG激光或者YVO4激光作为光源的情况下，基于基波来得到波长大约1064nm的激光，基于二次谐波来得到波长大约532nm的激光，基于三次谐波来得到波长大约355nm的激光。另外，根据氩离子激光，得到波长在大约488nm~515nm范围内的激光。另外，根据铜蒸汽激光，得到波长在大约511nm~578nm范围内的激光。但是，光源并不限定于这些，而是任意的，优选根据所需激光的波长来选择适当的激光。另外，可以使用各光源的基波，也可以使用各光源的高次谐波。
认为焊盘63(铜)对使用于进行上述开孔和去沾污的激光照射(图7的步骤S13)的激光的吸收率优选在大约30~60%的范围内。以下，参照图15说明该情况。
图15是表示对阻焊层106照射波长不同的五个激光LZ1~LZ5来进行上述开孔和去沾污的结果的图表。
如图15所示，认为在铜的吸收率超过大约60%的情况下(例如激光LZ1、LZ2)，担心焊盘63表面损伤，另一方面，在铜的吸收率小于大约30%的情况下(例如激光LZ4、LZ5)，难以去除阻焊层106、氧化覆膜63b。因此，认为如果使用焊盘63(铜)的吸收率在大约30~60%的范围内的激光(例如激光LZ3)，则能够抑制对焊盘63表面造成的损伤，并且减少激光照射后的焊盘63(导体图案)上的树脂残渣。
通过激光照射工序(图7的步骤S13)，完成电路板100(特别是图4示出的结构)。如上所述，认为通过该激光照射工序，能够去除焊盘63上的树脂残渣，并且去除焊盘63表面的氧化覆膜63b。另外，其结果是，认为电路板100中的焊盘63(外部连接端子)的电特性得到提高。
以上，说明了本发明的实施方式所涉及的电路板的制造方法，但是本发明并不限定于上述实施方式。
焊盘63的导体63a并不限定于由无电解镀膜和电解镀膜的两层结构构成。例如图16(对应于图4的截面图)所示，也可以是从绝缘层104侧起依次层叠金属箔2001(例如铜箔)、例如铜的无电解镀膜2002以及例如铜的电解镀膜2003而得到的由三层结构构成的导体63a。并且，导体63a的层数并不限定于两层、三层，而是任意的，例如也可以是由4层以上构成的导体63a。
在上述实施方式中，阻焊层106所含的填料62(二氧化硅类填料)的50wt%以上为破碎二氧化硅，但是并不限定于此，能够采用任意的二氧化硅类填料作为填料62。例如图17所示，阻焊层106所含的填料62(二氧化硅类填料)的50wt%以上也可以是球形二氧化硅。
作为焊盘63(特别是导体63a)的材料，也可以使用除了铜以外的导体。认为如果得到遵照图14示出的关系的关系，则得到遵照上述效果的效果。
在上述实施方式中，提到了使用图7以及图8~图12示出的方法来形成图1中的区域R1的结构(外层部位)的情况，但是也可以采用上述方法形成图18中的区域R2的结构(内层部位)。在该情况下，代替绝缘层104，绝缘层102(层间绝缘层)成为下层绝缘层，代替阻焊层106，绝缘层104(层间绝缘层)成为上层绝缘层。在本例中，对于绝缘层104，优选使树脂含有大约2wt~60wt%的比例的填料而成等，由与上述实施方式示出的阻焊层106的材料相同的材料构成。
在上述实施方式中，在图7的步骤S13中，通过照射激光，使作为外部连接端子而发挥功能的焊盘63露出。但是，并不限定于此，在使其它导体图案(内置于电路板的电子部件、其它电路板的焊盘等)露出的情况下，也可以使用上述方法。另外，也可以通过上述激光照射，不是形成用于配置外部连接端子(焊锡凸块等)的孔，而是形成内层中的通路孔、通孔等的开口部。并且，也可以通过上述激光照射来形成孔以外的开口部(例如槽、切口等)。
例如图19所示，根据上述方法，在制造内置电子部件301a的电路板301的情况下，也可以通过上述激光照射来使电子部件301a的电极301b(导体层301c中的导体图案)露出。由此，能够形成电子部件301a的电极301b与其上层导体层之间的通路连接部R31。
例如图20所示，根据上述方法，在制造刚挠性电路板302的情况下，也可以通过上述激光照射来使挠性电路板302a的焊盘302b(导体层302c中的导体图案)露出。由此，能够形成挠性电路板302a的焊盘302b与刚性部(上层导体层)之间的通路连接部R32。
例如图21所示，根据上述方法，在制造内置其它电路板303a(例如高密度电路板)的电路板303的情况下，也可以通过上述激光照射来使其它电路板303a的焊盘303b(导体层303c中的导体图案)露出。由此，能够形成其它电路板303a的焊盘303b与其上层导体层之间的通路连接部R33。
关于其它点，电路板100的结构及其结构要素的种类、性能、尺寸、材质、形状、层数或者配置等在不脱离本发明的宗旨的范围内也能够任意地变更。例如通路连接部R31~R33可以是保形导体，也可以是填充导体。
电路板100的制造方法并不限定于图7示出的内容，能够在不脱离本发明的宗旨的范围内任意地变更顺序、内容。另外，根据用途等，也可以省略不需要的工序。
能够任意地组合上述实施方式和各变形例。优选根据用途等来选择适当的组合。
以上，说明了本发明的实施方式，但是应该理解为设计上的方便、其它原因所需要的各种修改、组合包括在与“权利要求”所记载的发明、“具体实施方式”所记载的具体例对应的发明的范围内。
产业上的可利用性
本发明所涉及的电路板的制造方法适用于电子设备的电路基板等的制造。
附图标记说明
61：树脂；62：填料；63：焊盘；63a：导体；63b：氧化覆膜；100：电路板；100a、101~104：绝缘层；105、106：阻焊层(绝缘层)；106a：开口部；111~116：导体层；200：基板；301、303：电路板；302：刚挠性电路板；301a：电子部件；302a：挠性电路板；303a：其它电路板；301b：电极；302b、303b：焊盘；301c~303c：导体层；1000：电子部件；1000a：焊锡；1001：无电解镀膜；1002：抗镀层；1002a：开口部；1003：电解镀膜；1004：遮光掩模；1004a：开口部；2001：金属箔；2002：无电解镀膜；2003：电解镀膜；F1：面；F2：侧面；P1：凸部；R31~R33：通路连接部。

Claims (14)

1.一种电路板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在导体图案上形成树脂绝缘层，该树脂绝缘层含有大约2wt%~60wt%的比例的二氧化硅类填料；以及
通过对上述树脂绝缘层照射激光来形成到达上述导体图案的开口部，其中，上述导体图案对该激光的吸收率在大约30%~60%的范围内。
2.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述导体图案含有铜，
上述激光的波长处于大约450nm~600nm的范围内。
3.根据权利要求2所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述激光的波长处于大约500nm~560nm的范围内。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述导体图案含有铜，
上述激光的光源是YAG激光、YVO4激光、氩离子激光以及铜蒸汽激光中的任一个。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述导体图案含有铜，
上述激光是YAG激光或者YVO4激光的二次谐波。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
对每个被照射体进行一次扫描来进行上述激光的照射。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
对被照射体的整面进行上述激光的照射。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
通过上述激光的照射来去除露出的上述导体图案的表面的氧化覆膜。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
通过上述激光的照射在露出的上述导体图案的表面形成凹凸。
10.根据权利要求1~9中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述二氧化硅类填料对上述激光的吸收率小于大约10%。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述二氧化硅类填料的平均粒径处于大约0.5μm~20μm的范围内。
12.根据权利要求1~11中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述二氧化硅类填料包含二氧化硅、用二氧化硅进行了表面处理的金属化合物以及滑石中的至少一个。
13.根据权利要求1~12中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
上述二氧化硅类填料包含破碎状的无定形二氧化硅。
14.根据权利要求1~13中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，
在上述树脂绝缘层处于半固化的状态下进行上述激光的照射。
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