CN102891183A - 薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层，其中，多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间，其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。通过以上方式，本发明保证了薄膜晶体管电性正常，从而保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置。
背景技术
目前，Oxide TFT（氧化物薄膜晶体管）因其制备温度要求低，迁移率高等优势已经普遍应用于高频显示和高分辨率显示产品。
Oxide TFT技术是将原本的硅半导体材料部分置换成氧化物半导体如IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)，以形成TFT半导体层。
但是，Oxide TFT中由IGZO形成的半导体层极容易受H-based bonds（含有氢元素的键结）的影响，当GI（Gate Insulator，栅极绝缘层）层含有较高的N-H bond（氮氢键）时会产生高GI/IGZO interfacial trapdensity（界面陷阱密度）,从而造成oxide TFT电性异常。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置，能够有效阻挡栅极绝缘层中所含的氢元素的键结对薄膜晶体管电性的影响，因此，保证了薄膜晶体管电性正常及主动矩阵式平面显示装置的显示品质。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅极；第一绝缘层，设置在栅极上；源极和漏极，分别设置在第一绝缘层上；以及多个氧化物半导体层，依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间，其中，多个氧化物半导体层包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
其中，在多个氧化物半导体层中，第一氧化物半导体层的氧含量高于第二氧化物半导体层的氧含量。
其中，第二氧化物半导体层的载流子浓度大于1×1018cm-3。
其中，第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1015cm-3。
其中，每一氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种主动矩阵式平面显示装置，该主动矩阵式平面显示装置包括阵列基板，阵列基板包括：基底；栅极，设置在基底上；第一绝缘层，设置在栅极上；源极和漏极，设置在第一绝缘层上；以及多个氧化物半导体层，依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间，其中，多个氧化物半导体层包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
其中，在多个氧化物半导体层中，第一氧化物半导体层的氧含量高于第二氧化物半导体层的氧含量。
其中，第二氧化物半导体层的载流子浓度大于1×1018cm-3。
其中，第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1015cm-3。
其中，每一氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在源极和漏极以及第一绝缘层之间依次层叠设置多个氧化物半导体层，并且设置多个氧化物半导体层中紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，设置多个氧化物半导体层中与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。由于第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的电阻率差异很大，在薄膜晶体管工作时，载流子通道会形成于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之界面，载流子于缺陷较少的同质界面进行传输,可有效提升薄膜晶体管的电子迁移率(mobility)，同时，第一氧化物半导体层可有效地阻挡栅极绝缘层中含有氢元素的键结对薄膜晶体管电性的影响，因此，保证了薄膜晶体管电性正常及主动矩阵式平面显示装置的显示品质。
附图说明
图1是本发明一种薄膜晶体管实施例的结构示意图；
图2是本发明一种主动矩阵式平面显示装置实施例的结构示意图；
图3是图2所示的主动矩阵式平面显示装置中阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
请参考图1，图1是本发明一种薄膜晶体管实施例的结构示意图。如图1所示，本发明的薄膜晶体管100包括栅极101、第一绝缘层102、源极103、漏极104以及多个氧化物半导体层105。
本实施例中，第一绝缘层102为栅极绝缘层，其设置在栅极101上。源极103和漏极104分别设置在第一绝缘层102上。因此，第一绝缘层102对栅极101和源极103以及漏极104起到电性绝缘的作用。为了获得更好的器件稳定性，本发明实施例的第一绝缘层102优选采用H（氢）元素含量较少的SiOx（硅的氧化物）。
本实施例中，多个氧化物半导体层105作为薄膜晶体管100的开关，当多个氧化物半导体层105导通时，源极103和漏极104电性连接，当多个氧化物半导体层105截止时，源极103和漏极104电性断开。其中，多个氧化物半导体层105依次层叠设置在源极103和漏极104以及第一绝缘层102之间。在本实施例中，多个氧化物半导体层105优选包括第一氧化物半导体层151以及第二氧化物半导体层152。
其中，第一氧化物半导体层151位于多个氧化物半导体层105的最底层且紧靠第一绝缘层102设置。第二氧化物半导体层152设置在第一氧化物半导体层151上，并与源极103和漏极104电性连接，并且第一氧化物半导体层151和第二氧化物半导体层152包括一界面153。
本实施例中，第一氧化物半导体层151的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层152的电阻率小于1Ω.cm，并且第一氧化物半导体层151的氧含量高于第二氧化物半导体层152的氧含量。因此，第一氧化物半导体层151的载流子浓度小于第二氧化物半导体层152的载流子浓度，在本实施例中，第一氧化物半导体层151的载流子浓度优选小于1×1015cm-3，第二氧化物半导体层152的载流子浓度优选大于1×1018cm-3。由于第一氧化物半导体层151和第二氧化物半导体层152的电阻率差异很大，因此，在薄膜晶体管100工作时，载流子通道会形成于界面153上。
在其他实施例中，多个氧化物半导体层105包括两个以上的氧化物半导体层时，第一氧化物半导体层151的氧含量优选为最高。
本实施例中，第一氧化物半导体层151和第二氧化物半导体层152的组成成分包括锌的氧化物（ZnOx）、锡的氧化物（SnOx）、铟的氧化物（InOx）以及镓的氧化物（GaOx）中的至少一种。第一氧化物半导体层151和第二氧化物半导体层152的氧含量不同，因此形成缺陷较少的同质界面153。载流子在缺陷较少的同质界面153中传输，可有效提升薄膜晶体管100的电子迁移率。
进一步地，在源极103和漏极104上设置第二绝缘层106，第二绝缘层106与第二氧化物半导体层152接触。第二绝缘层106用于防止源极103、漏极104以及第二氧化物半导体层152受到电性与外界环境干扰。
以下介绍薄膜晶体管100的工作原理：
本实施例中，栅极101作为薄膜晶体管100的控制极，源极103作为薄膜晶体管100的输入电极，漏极104作为薄膜晶体管100的输出电极。在栅极101输入信号时，薄膜晶体管100开启，在第一氧化物半导体层151和第二氧化物半导体层152的界面153上形成载流子通道，源极103和漏极104电性连接。在源极103从外部接收驱动信号时，通过载流子通道将驱动信号传输到漏极104。由于载流子通道中传输驱动信号的电子在缺陷较少的同质界面153中进行传输，因此提高了传输驱动信号的电子的迁移率。此外，在电子传输过程中，电阻率大于104Ω.cm的第一氧化物半导体层151阻挡第一绝缘层102中含有氢元素的键结的影响，即防止含有氢元素的键结影响在载流子通道中传输的电子，进而保证薄膜晶体管100的正常工作。
请参阅图2，图2是本发明一种主动矩阵式平面显示装置实施例的结构示意图。如图2所示，本发明的主动矩阵式平面显示装置200包括相对设置的彩色滤光片基板210和阵列基板220。
本实施例中，阵列基板220包括基底221。基底221的材质优选为玻璃，通过在基底221上进行镀膜和蚀刻等工艺，可形成扫描线、数据线、像素电极和薄膜晶体管等主要元件。
请参阅图3，图3是图2所示的阵列基板220的具体实施例的结构图。如图3所示，阵列基板220包括基底221、薄膜晶体管222以及透明导电层223。
其中，本实施例中的薄膜晶体管222与图1所示的薄膜晶体管100相同，其具体结构在此不再赘述。透明导电层223设置在第二绝缘层206上，并且第二绝缘层206在对应漏极204的位置设置一通孔224，使得透明导电层223通过通孔224与薄膜晶体管222的漏极204实现电性连接。其中透明导电层223作为阵列基板220的像素电极。
当薄膜晶体管222开启时，源极203通过界面253上的载流子通道向漏极204输送驱动信号。漏极204进一步向透明导电层223提供驱动信号，透明导电层223根据接收到的驱动信号进行相应灰阶的显示，从而实现主动矩阵式平面显示装置200的显示。
值得注意的是，在源极203向漏极204输送驱动信号时，电阻率大于104Ω.cm的第一氧化物半导体层251还阻挡了第一绝缘层202中含有氢元素的键结的影响。因此保证了薄膜晶体管222的电性正常，并且保证了主动矩阵式平面显示装置200的显示品质。
综上所述，本发明通过在源极和漏极以及第一绝缘层之间依次层叠设置多个氧化物半导体层，并且紧靠第一绝缘层设置的位于多个氧化物半导体层最底层的第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，设置在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm，由于第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的电阻率差异很大，使得在薄膜晶体管工作时，载流子通道会形成于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间的同质界面，可有效提升薄膜晶体管的电子迁移率，同时，第一氧化物半导体层可有效地阻挡栅极绝缘层中含有氢元素的键结对薄膜晶体管电性的影响，因此，保证了薄膜晶体管电性正常，从而保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极；
第一绝缘层，设置在所述栅极上；
源极和漏极，分别设置在所述第一绝缘层上；以及
多个氧化物半导体层，依次层叠设置在所述源极和漏极以及所述第一绝缘层之间，其中，所述多个氧化物半导体层包括紧靠所述第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与所述源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，所述第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述多个氧化物半导体层中，所述第一氧化物半导体层的氧含量高于所述第二氧化物半导体层的氧含量。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的载流子浓度大于1×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1015cm-3。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。
6.一种主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述主动矩阵式平面显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括：
基底；
栅极，设置在所述基底上；
第一绝缘层，设置在所述栅极上；
源极和漏极，设置在所述第一绝缘层上；以及
多个氧化物半导体层，依次层叠设置在所述源极和漏极以及所述第一绝缘层之间，其中，所述多个氧化物半导体层包括紧靠所述第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与所述源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，所述第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
7.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，在所述多个氧化物半导体层中，所述第一氧化物半导体层的氧含量高于所述第二氧化物半导体层的氧含量。
8.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的载流子浓度大于1×1018cm-3。
9.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1015cm-3。
10.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，每一所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576746A (zh) * | 2013-10-11 | 2015-04-29 | 元太科技工业股份有限公司 | 主动元件及其制作方法 |
| CN105140271A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-12-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
| CN105280717A (zh) * | 2015-09-23 | 2016-01-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN106384748A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-02-08 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管 |
| CN109979383A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-07-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路以及显示面板 |
| WO2023184587A1 (zh) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018043643A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を備えた表示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102150194A (zh) * | 2008-09-11 | 2011-08-10 | 松下电器产业株式会社 | 等离子显示装置及等离子显示面板的驱动方法 |
| CN102160102A (zh) * | 2008-09-19 | 2011-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102160103A (zh) * | 2008-09-19 | 2011-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102160184A (zh) * | 2008-09-19 | 2011-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102549757A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-04 | 佳能株式会社 | 薄膜晶体管 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8258511B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors using multiple active channel layers |
| TWI606520B (zh) * | 2008-10-31 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| KR101980167B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2019-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| TWI536577B (zh) * | 2008-11-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| KR20100054453A (ko) * | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
| JP5538797B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び表示装置 |
| US8367486B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
| JP5504008B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2011138934A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| KR101671952B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2016-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
| JP5897910B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2012
- 2012-10-25 CN CN201210413171.8A patent/CN102891183B/zh active Active
- 2012-10-29 US US13/700,499 patent/US20140117347A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-29 WO PCT/CN2012/083695 patent/WO2014063375A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102150194A (zh) * | 2008-09-11 | 2011-08-10 | 松下电器产业株式会社 | 等离子显示装置及等离子显示面板的驱动方法 |
| CN102160102A (zh) * | 2008-09-19 | 2011-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102160103A (zh) * | 2008-09-19 | 2011-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102160184A (zh) * | 2008-09-19 | 2011-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102549757A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-04 | 佳能株式会社 | 薄膜晶体管 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576746A (zh) * | 2013-10-11 | 2015-04-29 | 元太科技工业股份有限公司 | 主动元件及其制作方法 |
| CN105140271A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-12-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
| CN105140271B (zh) * | 2015-07-16 | 2019-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 |
| CN105280717A (zh) * | 2015-09-23 | 2016-01-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN105280717B (zh) * | 2015-09-23 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| US10115832B2 (en) | 2015-09-23 | 2018-10-30 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device |
| CN106384748A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-02-08 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管 |
| CN109979383A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-07-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路以及显示面板 |
| WO2023184587A1 (zh) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US20140117347A1 (en) | 2014-05-01 |
| WO2014063375A1 (zh) | 2014-05-01 |
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