CN102879958A - 一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，用以通过设置在阵列基板上的公共电极和像素电极间产生水平电场，使得液晶显示装置实现显示功能。所述阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极和公共电极；所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极，所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置；其中，所述墙形电极透明，所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形，以使得通电时，相邻的所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间产生水平电场。本发明提供的方案适用于显示装置的设计及生产。

Description

一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置

技术领域

本发明涉及一种液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。为了能够实现显示的功能，还需要设置公共电极，这样在通电时，在公共电极和像素电极所形成电场的作用下，液晶会发生旋转，以控制光透过率的大小，进而实现显示。

根据电极结构的不同，目前的TFT-LCD可包括：AD-SDS(Advanced-SuperDimensional Switching，高级超维场开关)型、IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型、TN(Twist Nematic，扭曲向列)型等类型。其中，在AD-SDS型液晶显示器中，公共电极设置在阵列基板上，同一平面内各像素电极的边缘所产生的电场以及像素电极与公共电极间产生的电场形成多维电场；在IPS型液晶显示器中，公共电极也是设置在阵列基板上，公共电极和像素电极间产生横向电场；在TN型液晶显示器中，公共电极设置在彩膜基板上，公共电极和像素电极间产生垂直电场。

本发明提供一种具有新型电极结构的液晶显示装置。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置，用以通过设置在阵列基板上的公共电极和像素电极间产生水平电场，使得液晶显示装置实现显示功能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极和公共电极；所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极，所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置；其中，所述墙形电极透明，所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形，以使得通电时，相邻的所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间产生水平电场。

可选的，所述墙形电极的两个侧壁平行。

可选的，所述第一墙形电极的侧壁与其相邻的第二墙形电极的侧壁平行。

可选的，所述像素区域包括：透射区和反射区；所述阵列基板还包括：设置在所述反射区的反射层；位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极连接，且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距小于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距；或者，位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极无连接，且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距等于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距，通电时，位于所述透射区的像素电极与所述公共电极间的电压差大于位于所述反射区的像素电极与所述公共电极间的电压差。

可选的，所述阵列基板还包括：设置在所述反射层上的绝缘层，所述绝缘层同时延伸于所述透射区和反射区；所述绝缘层在透射区的厚度大于所述绝缘层在反射区的厚度，且所述绝缘层在两区域厚度之差为所述反射层的厚度。

可选的，所述墙形电极包括墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案；其中所述墙形凸起的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形，所述墙形凸起的材料为透明有机材料，所述电极图案的材料为透明导电材料。

另一方面，本发明实施例提供了一种液晶显示装置，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于两基板间的液晶，其中，所述阵列基板为上述的阵列基板。

可选的，所述第一墙形电极和/或第二墙形电极的顶端与所述彩膜基板的内侧接触；或者，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极的顶端均与所述彩膜基板的内侧之间留有间隙。

可选的，所述液晶为蓝相液晶。

可选的，所述液晶显示装置还包括：设置在所述阵列基板外侧的第一四分之一波片、第一二分之一波片、以及第一偏振片；设置在所述彩膜基板外侧的第二四分之一波片、第二二分之一波片、以及第二偏振片。

又一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

在至少形成有栅金属层和源漏金属层的衬底基板上，制作透明有机材料薄膜，并利用构图工艺形成多个墙形凸起；其中，所述墙形凸起的两个相对的侧壁均垂直于所述衬底基板，且为平板形；所述栅金属层包括：栅线、薄膜晶体管的栅极；所述源漏金属层包括：数据线、薄膜晶体管的源极以及薄膜晶体管的漏极；

制作透明导电薄膜，并利用构图工艺形成像素电极、公共电极的电极图案；其中，所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极，所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置，所述墙形电极包括所述墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案。

本发明提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示装置，通过在阵列基板上设置包含有多个电连接的第一墙形电极的像素电极，以及包含有多个电连接的第二墙形电极的公共电极，其中第一墙形电极和第二墙形电极间隔设置；由于将电极设计成具有两平板形侧壁的墙形结构，这样就使得在通电时，两电极均为面电极，从而能够使得相邻的第一墙形电极和第二墙形电极间产生水平电场，进而在该水平电场的作用下能够使得液晶显示装置实现显示的功能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种液晶显示装置在不加电压时的结构示意图；

图2为图1所示的液晶显示装置在施加电压时的结构示意图；

图3为图1所示的液晶显示装置中像素结构的结构示意图；

图4为本发明提供的又一种液晶显示装置在不加电压时的结构示意图；

图5为图4所示的液晶显示装置在施加电压时的结构示意图；

图6为图4所示的液晶显示装置中像素结构的结构示意图；

图7为本发明提供的一种墙形电极的结构示意图；

图8为本发明提供的又一种液晶显示装置在不加电压时的结构示意图；

图9为图8所示的液晶显示装置在施加电压时的结构示意图；

图10为本发明提供的又一种液晶显示装置在不加电压时的结构示意图；

图11为图10所示的液晶显示装置在施加电压时的结构示意图。

附图标记：

11-阵列基板，12-彩膜基板，13-液晶；

21-第一偏振片，22-第一二分之一波片，23-第一四分之一波片，24-第二四分之一波片，25-第二二分之一波片，26-第二偏振片；

31-反射层，32-绝缘层；

41-第一墙形电极，41a-第一连接部分，42-第二墙形电极，42a-第二连接部分，411-墙形凸起，412-覆盖墙形凸起的电极图案；

300-栅线，301-数据线，303-薄膜晶体管、303a-栅极、303b-源极、303c-漏极，304-像素电极，305-公共电极；

600-栅线，601-第一数据线，602-第二数据线，603-第一薄膜晶体管、603a-栅极、603b-源极、603c-漏极，604-第二薄膜晶体管、604a-栅极、604b-源极、604c-漏极，605-位于透射区的像素电极(第一像素电极)，606-位于反射区的像素电极(第二像素电极)，607-公共电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一、

参考图1-图2，本发明实施例提供了一种液晶显示装置，包括：相对设置的阵列基板11和彩膜基板12，以及位于两基板间的液晶13。

其中，图示中的阵列基板11为本发明实施例提供一种能够产生水平电场的具有新型电极结构的阵列基板，该阵列基板11包括：衬底基板，如图3所示，还包括：位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极304和公共电极305；所述像素电极304包括多个电连接的第一墙形电极41，所述公共电极305包括多个电连接的第二墙形电极42，所述第一墙形电极41和所述第二墙形电极42间隔设置。

为了向上述像素电极304和公共电极305施加电压，如图3所示，上述阵列基板11还包括：交叉设置的栅线300和数据线301、公共电极线(图中未标示)，薄膜晶体管303。其中，公共电极线和公共电极305电连接，以向公共电极305施加电压。薄膜晶体管303的栅极303a、源极303b、漏极303c依序连接栅线300、数据线301、像素电极304，以便在栅极303a的电压为开启电压时，由数据线301向像素电极304施加电压。

为了保证液晶显示装置的透光率，所述墙形电极41、42透明。另外，为了形象描绘本发明中电极的形状，并与现有技术中的条形电极区分，故用“墙形”来形容电极的形状。基于对“墙”最普遍的认识，墙形为具有一定长度、厚度以及高度的形状，其中，用以测量“墙”的长度和高度所使用的一个面称为侧壁。值得注意的是，“墙”的高度不可忽略。在本发明实施例中所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形，以使得通电时，相邻的所述第一墙形电极41和所述第二墙形电极42间产生水平电场。

通常“墙”的厚度相对于其长度和高度而言比较小，且其厚度可以是均匀的，当然也可以是不均匀的。但在本发明实施例中，优选的，所述墙形电极(第一墙形电极41或第二墙形电极42)的两个侧壁平行，即墙形电极的厚度是均匀的。

进一步优选的，所述第一墙形电极41的侧壁与其相邻的第二墙形电极42的侧壁平行。这样，有助于形成均匀的水平电场。

另外，需要说明的是，用以电连接墙形电极的部分可以是任意形状，例如可以为墙形的，还可以是高度可忽略的条形图案等，只要这部分可以起到电连接的作用即可。示例的，如图3所示，像素区域中的像素电极304包括：第一墙形电极41以及第一连接部分41a，其中第一连接部分41a用于电连接各第一墙形电极41，像素区域中的公共电极305包括：第二墙形电极42以及第二连接部分42a，其中第二连接部分42a用于电连接各第二墙形电极42；其中，本发明中不对第一连接部分41a和第二连接部分42a的形状做限定。

下面提供一种比较容易制造的墙形电极，所述墙形电极(第一墙形电极41或第二墙形电极42)包括墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案；其中所述墙形凸起的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形。由于该凸起为墙形，故覆盖一层电极图案后所形成的电极也应是墙形。示例的，如图7所示，第一墙形电极41包括：墙形凸起411以及覆盖所述墙形凸起的电极图案412。第二墙形电极42的结构也可参考图7。

其中，所述墙形凸起(第一墙形电极41或第二墙形电极42)的材料为透明有机材料，示例的，可以是透明高分子材料或透明树脂材料等。所述电极图案的材料为透明导电材料，示例的，可以是氧化铟锡ITO。

相应的，用于电连接墙形电极的部分也可以包括：连接凸起以及连接图案，其中，连接凸起可以与墙形凸起的材料一样，连接图案可以与电极图案的材料一样。值得注意的是，用于电连接墙形电极的部分还可以不包含连接凸起，而只由连接图案构成，以起到电连接的作用即可。

上述提供的阵列基板可以应用于透射式、反射式以及透反式液晶显示装置中。若是应用于透射式液晶显示装置，则该液晶显示装置在阵列基板的外侧还需设置背光源；若是应用于反射式液晶显示装置，则在阵列基板上还需形成有反射层；下面，详细介绍应用于透反式液晶显示装置的阵列基板。

应用于透反式液晶显示装置的阵列基板，其像素区域包括：透射区和反射区；并且这种阵列基板11还包括：设置在所述反射区的反射层31。应用这种阵列基板11的液晶显示装置，一定要使得同一个像素区域的透射区、反射区的光线通过所述液晶层所产生的相位延迟量相同方可；另为简化制作工艺，在本发明实施例中优选为将该阵列基板应用于单盒厚的透反式液晶显示装置中，而这样就需要透射区的液晶产生较大的相位延迟，反射区的液晶产生较小的相位延迟，由于电场强度和液晶能够产生的相位延迟为正方向比例关系，故而在通电情况下，需要使同一像素区域的透射区产生较强的电场强度、反射区产生较弱的电场强度。

基于这一目的，上述阵列基板上，位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极连接，即一个像素区域内只有一个像素电极304，且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距d1小于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距d2。这样就使得在通电时，一个像素区域内，位于透射区和位于反射区的像素电极的电压时一致的，另外，由于按照本领域公知常识，公共电极305的电压一般是不变的，从而间距越小电场强度就会越强，即同一像素区域的透射区产生较强的电场强度、反射区产生较弱的电场强度。

为了保证透反式液晶显示装置为单盒厚，所述阵列基板11还包括：设置在反射层31上的绝缘层32，所述绝缘层32同时延伸于所述透射区和反射区；并且，所述绝缘层32在透射区的厚度大于所述绝缘层32在反射区的厚度，且所述绝缘层在两区域厚度之差为所述反射层的厚度；这样就可以使得在反射区和透射区的液晶层厚度一致。

本发明实施例提供的液晶显示装置可以包含上述任一阵列基板。该液晶显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。

可选的，所述第一墙形电极41和/或第二墙形电极42的顶端与所述彩膜基板12的内侧接触。这样由于墙形电极可以起到支撑的作用，便能够省去的在彩膜基板12和阵列基板11间设置隔垫物这一步骤。图示中以第一墙形电极41和第二墙形电极42的顶端均与彩膜基板12的内侧接触为例。

上述液晶显示装置中的液晶13可以是任一种可被水平电场驱动的液晶，由于蓝相液晶显示器具有视野角大，暗态好，响应时间短等优势，在本发明实施例中所述液晶13优选为蓝相液晶。所有附图中也均以蓝相液晶为例。

蓝相液晶分子的特性为：在不施加电压时，蓝相液晶分子具有各向同性特性；在施加电压时，蓝相液晶分子则沿着一个方向具有双折射特性，并且蓝相液晶分子沿电场的方向配向。由于上述蓝相液晶分子的这种特性，故而在本发明实施例中利用像素电极和公共电极所能够产生的水平电场驱动液晶显示装置。

进一步的，上述液晶显示装置还包括：设置在所述阵列基板11外侧的第一四分之一波片23、第一二分之一波片22、以及第一偏振片21；设置在所述彩膜基板12外侧的第二四分之一波片24、第二二分之一波片25、以及第二偏振片26。

示例的，在所述阵列基板11外侧，从内至外依次设置有第一四分之一波片23、第一二分之一波片22、以及第一偏振片21；在所述彩膜基板12外侧，从内至外依次设置有第二四分之一波片24、第二二分之一波片25、以及第二偏振片26。

上述介绍的应用于透反式液晶显示装置的阵列基板上，位于所述透射区的相邻墙形电极的间距d1小于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距d2，而两者的比例关系的确定与蓝相液晶的性质(如：双折射率性质，介电各向异性性质，科尔常数等)相关。具体可以按照以下测试方法针对包含特定一种蓝相液晶的装置，确定两间距的比例关系：首先，按照预先设定的几个间距比值制造不同的测试装置，并且，这些测试装置中均填充上述特定的一种蓝相液晶。其次，绘制这几个测试装置的透射区和反射区的V-T(电压-透过率)曲线特性，若一测试装置的透射区和反射区的曲线特性在误差范围内一致，则说明透射区的相位延迟大致为反射区的相位延迟的2倍，那么该测试装置的比例关系就可以作为实际生产中的参考值。在本发明实施例中对上述比值不加限定，而以实际生产中能够使得同一个像素区域的透射区、反射区的光线通过所述液晶层所产生的相位延迟量相同为准。

下面，针对上述提供透反式液晶显示装置如何实现半透半反显示进行详述。

图1为液晶显示装置在不加电时的结构示意图。由于不加电压时，蓝相液晶分子是各向同性的，而透射区和反射区的光线经过各向同性的液晶13不会产生相位延迟量，若第一偏振片21和第二偏振片26的偏振方向呈90度夹角，出射光线会被第二偏振片26完全挡住，从而实现暗态的显示。

图2为液晶显示装置在加电时的结构示意图。蓝相液晶分子在水平电场作用下，产生水平方向的相位延迟，位于透射区的相邻墙形电极的间距d1与位于反射区的相邻墙形电极的间距d2不同，且d1＜d2。由于位于透射区的相邻墙形电极的间距d1较小，将产生较强的电场强度，所以蓝相液晶分子在较强的电场作用下会产生较大的相位延迟△n1。反之，由于位于反射区的相邻墙形电极的间距d2较大，将产生较弱的电场强度，所以蓝相液晶分子在较弱的电场作用下会产生较小的相位延迟△n2。由于反射层31的反射作用，反射区的光线会两次通过液晶层，所以反射区的光线经过液晶层的传播距离D2约为透射区的光线经过液晶层的传播距离D1的2倍，即大概D2＝2*D1；于是，可以通过优化位于透射区和反射区的相邻墙形电极的间距d1和d2，使得同一个像素区域的透射区、反射区的光线通过所述液晶层所产生的相位延迟量相同，即为△n1*D1＝△n2*D2，以达到半透半反的显示效果。

同样，上述本发明实施例提供的透射式液晶显示装置、反射式液晶显示装置也能够实现正常显示的功能。

本发明提供的阵列基板、液晶显示装置，通过在阵列基板上设置包含有多个电连接的第一墙形电极的像素电极，以及包含有多个电连接的第二墙形电极的公共电极，其中第一墙形电极和第二墙形电极间隔设置；由于将电极设计成具有两平板形侧壁的墙形结构，这样就使得在通电时，两电极均为面电极，从而能够使得相邻的第一墙形电极和第二墙形电极间产生水平电场，进而在该水平电场的作用下能够使得液晶显示装置实现显示的功能。

实施例二、

参考图4-图5，本发明实施例提供一种阵列基板以及液晶显示装置。本实施例二与实施例一的区别仅在于，当应用于透反式液晶显示装置时，设置在阵列基板上的电极结构以及向电极施加电压的方式不同，故在本实施例中仅针对区别点进行详述，其他皆可参考实施例一中的描述。

应用于透反式液晶显示装置的阵列基板11，其像素区域包括：透射区和反射区；并且这种阵列基板还包括：设置在所述反射区的反射层31。应用这种阵列基板的液晶显示装置，一定要使得同一个像素区域的透射区、反射区的光线通过所述液晶层所产生的相位延迟量相同方可；另为简化制作工艺，在本发明实施例中优选为将该阵列基板应用于单盒厚的液晶显示装置中，而这样就需要透射区的液晶产生较大的相位延迟，反射区的液晶产生较小的相位延迟，由于电场强度和液晶能够产生的相位延迟为正方向比例关系，故而在通电情况下，需要使同一像素区域的透射区产生较强的电场强度、反射区产生较弱的电场强度。

基于这一目的，上述阵列基板11上，如图6所示，位于所述透射区的像素电极605和位于所述反射区的像素电极606无连接，即一个像素区域内，设置有两个像素电极，分别是位于透射区的第一像素电极605和位于反射区的第二像素电极606。并且，位于所述透射区的相邻墙形电极的间距d1等于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距d2，通电时，位于所述透射区的像素电极(第一像素电极)605与所述公共电极607间的电压差大于位于所述反射区的像素电极(第二像素电极)606与所述公共电极607间的电压差。

下面参考图6，针对如何向像素电极和公共电极施加电压进行详述。上述阵列基板11还包括：栅线600、第一数据线601、第二数据线602、公共电极线(图中未标示)、以及位于所述像素区域的第一薄膜晶体管603和第二薄膜晶体管604；由第一数据线601通过所述第一薄膜晶体管603向所述第一像素电极605施加第一电压，由第二数据线602通过所述第二薄膜晶体管604向所述第二像素电极606施加第二电压，且第一电压与第二电压不相等。

具体的，所述第一薄膜晶体管603的栅极603a、源极603b和漏极603c依序分别电连接栅线600、第一数据线601和第一像素电极605，所述第二薄膜晶体管604的栅极604a、源极604b和漏极604c依序分别电连接栅线600、第二数据线602和第二像素电极606。这样在栅极603a、604a为开启电压的情况下，第一数据线601可以向第一像素电极605施加第一电压，第二数据线602可以向第二像素电极606施加第二电压，第一电压与第二电压不相等，使得第一像素电极605与所述公共电极607间的电压差大于第二像素电极606与所述公共电极607间的电压差。优选的，所述第一数据线601和所述第二数据线602分置于所述像素区域的两侧。

上述介绍的阵列基板，在通电情况下，由第一数据线601、第二数据线602分别向第一像素电极605、第二像素电极606施加不同电压，至于施加给两像素电极的电压值的确定与蓝相液晶的性质(如：双折射率性质，介电各向异性性质，科尔常数等)相关。具体可以按照以下测试方法针对包含特定一种蓝相液晶的装置，确定两电压值的比例关系：首先，按照预先制造测试装置，该测试装置中填充上述特定的一种蓝相液晶。其次，通过第一数据线601给透射区的第一像素电极605施加电压，通过第二数据线602给反射区的第二像素电极606施加电压，分别绘制该测试装置的透射区和反射区的V-T(电压-透过率)曲线特性，分析两区域的曲线特性，并且依次得到在各个透过率一致的位置处所对应的第一、第二数据线的电压值。在本发明实施例中对上述施加给两像素电极的电压值不加限定，以实际生产中能够使得同一像素区域的透射区和反射区的光线通过所述蓝相液晶层所产生的相位延迟量相同为准；但位于同一像素区域的第一像素电极605和公共电极607间的电压差必须大于第二像素电极606和公共电极间607的电压差，这样才为透射区和反射区的相位延迟量相同提供了条件。

本发明实施例提供了一种液晶显示装置，可以包含上述任一阵列基板。该液晶显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。

下面，针对包含上述阵列基板的透反式液晶显示装置如何实现半透半反显示进行详述。

图4为液晶显示装置在不加电时的结构示意图。由于不加电压时，蓝相液晶分子是各向同性的，而透射区和反射区的光线经过各向同性的蓝相液晶不会产生相位延迟量，若第一偏振片21和第二偏振片26的偏振方向呈90度夹角，出射光线会被第二偏振片26完全挡住，从而实现暗态的显示。

图5为液晶显示装置在加电时的结构示意图。蓝相液晶分子在水平电场作用下，产生水平方向的相位延迟，位于透射区的相邻墙形电极的间距d1与位于反射区的相邻墙形电极的间距d2相同，且d1＝d2，从而此时无需考虑透射区和反射区的相邻墙形电极的间距对所产生的水平电场的影响，而是利用了施加给位于透射区的第一像素电极605和施加给位于反射区的第二像素电极606的不同电压对电场的影响。通过向第一像素电极605、第二像素电极606施加不同电压，使得位于同一像素区域的第一像素电极605和公共电极607间的电压差大于第二像素电极606和公共电极607间的电压差，由于电压差越大所产生的电场就越强，故而透射区将产生较强的电场强度，蓝相液晶分子在较强的电场作用下会产生较大的相位延迟△n1，而反射区将产生较弱的电场强度，蓝相液晶分子在较弱的电场作用下会产生较小的相位延迟△n2。由于反射层31的存在，反射区的光线会两次通过液晶层，所以反射区的光线经过液晶层的传播距离D2约为透射区的光线经过液晶层的传播距离D1的2倍，即大概D2＝2*D1；于是，可以通过给第一像素电极和第二像素电极施加不同电压，能够使得同一个像素区域的透射区、反射区的光线通过所述液晶层所产生的相位延迟量相同，即为△n1*D1＝△n2*D2，以达到半透半反的显示效果。

本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示装置，通过在阵列基板上设置包含有多个电连接的第一墙形电极的像素电极，以及包含有多个电连接的第二墙形电极的公共电极，其中第一墙形电极和第二墙形电极间隔设置；由于将电极设计成具有两平板形侧壁的墙形结构，这样就使得在通电时，两电极均为面电极，从而能够使得相邻的第一墙形电极和第二墙形电极间产生水平电场，进而在该水平电场的作用下能够使得液晶显示装置实现显示的功能；并且向位于透射区的像素电极和位于反射区的像素电极施加不同电压，以使得光线经过透射区和反射区的相位延迟量相同，从而半透半反的显示效果。

实施例三、

参考图8-图9，本发明实施例提供一种液晶显示装置。本实施例三与实施例一的区别仅在于，墙形电极的高度不同，故在本实施例中仅针对区别点进行详述，其他皆可参考实施例一中的描述。

本发明实施例提供的液晶显示装置中，第一墙形电极41和所述第二墙形电极42的顶端均与所述彩膜基板12的内侧之间留有间隙，这样可以增强液晶在液晶显示装置中的流动性。此时，可以在彩膜基板和阵列基板间设置隔垫物，通过隔垫物保证液晶盒的盒厚。

实施例四、

参考图10-图11，本发明实施例提供一种液晶显示装置。本实施例四与实施例二的区别仅在于，墙形电极的高度不同，故在本实施例中仅针对区别点进行详述，其他皆可参考实施例二中的描述。

本发明实施例提供的液晶显示装置中，第一墙形电极41和所述第二墙形电极42的顶端均与所述彩膜基板12的内侧之间留有间隙，这样可以增强液晶在液晶显示装置中的流动性。此时，可以在彩膜基板和阵列基板间设置隔垫物，通过隔垫物保证液晶盒的盒厚。

实施例五、

本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

步骤1、在至少形成有栅金属层和源漏金属层的衬底基板上，制作透明有机材料薄膜，并利用构图工艺形成多个墙形凸起。

其中，所述墙形凸起的两个相对的侧壁均垂直于所述衬底基板，且为平板形；所述栅金属层包括：栅线、薄膜晶体管的栅极；所述源漏金属层包括：数据线、薄膜晶体管的源极以及薄膜晶体管的漏极。另外，所述透明有机材料可以是透明的高分子材料，或透明树脂材料。

步骤2、制作透明导电薄膜，并利用构图工艺形成像素电极、公共电极的电极图案。

其中，所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极，所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置，所述墙形电极包括所述墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案。另外，透明导电材料可以是氧化铟锡(ITO)等材料。

示例的，上述阵列基板的制造方法可以包括：

(1)在至少形成有栅金属层和源漏金属层的衬底基板上，旋涂透明有机材料，形成透明有机材料薄膜。

(2)通过预先设计的掩模板进行曝光处理。

(3)利用显影工艺，并去除不需要的部分透明有机材料薄膜，至少保留作为墙形凸起的那部分透明有机材料薄膜；

(4)对形成的墙形凸起进行固化和老化的处理，形成了墙形凸起。

(5)沉积透明导电材料，以形成透明导电薄膜。

(6)通过构图工艺，至少形成覆盖墙形凸起的电极图案以及用于电连接墙形电极的连接图案。

本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过设置包含有多个电连接的第一墙形电极的像素电极，以及包含有多个电连接的第二墙形电极的公共电极，其中第一墙形电极和第二墙形电极间隔设置；由于将电极设计成具有两平板形侧壁的墙形结构，这样就使得在通电时，两电极均为面电极，从而能够使得相邻的第一墙形电极和第二墙形电极间产生水平电场，进而在该水平电场的作用下能够使得液晶显示装置实现显示的功能。

另外，需要注意的是，为清楚地描述本发明所要保护的结构，故与本发明不相关的结构在各实施例及附图中做简化或省略处理，并且在各实施例及附图中做简化或省略处理的结构都是本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下容易得到的，故在本实施例不加赘述。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极和公共电极；其特征在于，所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极，所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置；其中，所述墙形电极透明，所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形，以使得通电时，相邻的所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间产生水平电场。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述墙形电极的两个侧壁平行。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一墙形电极的侧壁与其相邻的第二墙形电极的侧壁平行。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区域包括：透射区和反射区；所述阵列基板还包括：设置在所述反射区的反射层；

位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极连接，且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距小于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距；或者，

位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极无连接，且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距等于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距，通电时，位于所述透射区的像素电极与所述公共电极间的电压差大于位于所述反射区的像素电极与所述公共电极间的电压差。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述反射层上的绝缘层，所述绝缘层同时延伸于所述透射区和反射区；

所述绝缘层在透射区的厚度大于所述绝缘层在反射区的厚度，且所述绝缘层在两区域厚度之差为所述反射层的厚度。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述墙形电极包括墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案；其中所述墙形凸起的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板，且为平板形，所述墙形凸起的材料为透明有机材料，所述电极图案的材料为透明导电材料。

7.一种液晶显示装置，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于两基板间的液晶，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一墙形电极和/或第二墙形电极的顶端与所述彩膜基板的内侧接触；或者，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极的顶端均与所述彩膜基板的内侧之间留有间隙。

9.根据权利要求7或8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶为蓝相液晶。

10.根据权利要求7或8所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括：设置在所述阵列基板外侧的第一四分之一波片、第一二分之一波片、以及第一偏振片；设置在所述彩膜基板外侧的第二四分之一波片、第二二分之一波片、以及第二偏振片。

11.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在至少形成有栅金属层和源漏金属层的衬底基板上，制作透明有机材料薄膜，并利用构图工艺形成多个墙形凸起；其中，所述墙形凸起的两个相对的侧壁均垂直于所述衬底基板，且为平板形；所述栅金属层包括：栅线、薄膜晶体管的栅极；所述源漏金属层包括：数据线、薄膜晶体管的源极以及薄膜晶体管的漏极；

制作透明导电薄膜，并利用构图工艺形成像素电极、公共电极的电极图案；其中，所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极，所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极，所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置，所述墙形电极包括所述墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案。

Images