发明内容
本发明正是鉴于上述问题而进行的,其目的在于提供一种能以低电压迅速进行OCB模式的初始取向转移的液晶装置及电子设备。
本发明的液晶装置具有:一对基板,设置反射显示区域及透过显示区域且对液晶层进行夹持;和液晶层厚调整层,其使上述反射显示区域中的上述液晶层的厚度小于上述透过显示区域中的上述液晶层的厚度;该液晶装置使上述液晶层的取向状态从喷射取向向弯曲取向转移来进行显示,其特征在于,上述液晶层厚调整层具备从上述反射显示区域侧向上述透过显示区域侧倾斜的倾斜部,在上述一对基板中的一方基板上设置:信号线;与该信号线电连接的开关元件;和与该开关元件电连接的像素电极,在该像素电极上,在俯视状态下与上述倾斜部重叠的区域内形成狭缝,上述信号线的一部分以沿着上述狭缝的形状的至少一部分的方式突出。
根据本发明的液晶装置,通过向信号线施加电压,从而在像素电极的狭缝形成区域的附近,可以将上述信号线与像素电极之间产生的电场用于初始转移操作。再有,由于在液晶分子倾斜取向而导致取向容易混乱的液晶层厚调整层的倾斜部设置上述狭缝,故借助上述电场,可以使液晶层中容易地产生旋转位移。由此,由于将该旋转位移作为转移核,可以容易地向周围传播初始转移,故能以低电压迅速进行OCB模式的初始取向转移。
再有,在上述液晶装置中,优选上述狭缝具有弯曲部。
由此,通过具有弯曲部,从而在像素电极与信号线之间,电场产生于各种方向,通过弯曲部可以使得转移核的产生更可靠,可以进一步提高初始转移的均匀性、高速性。
进而,在上述液晶装置中,优选上述像素电极的端部与上述信号线重叠。
这样,可以使得像素电极端部上的液晶分子也取向,可以在像素电极上的宽范围内使初始转移产生。
另外,在上述液晶装置中,优选上述信号线是与上述开关元件电连接的源极线。
由此,在初始转移操作时,例如通过仅向源极线输入图像信号,从而可以在源极线与像素电极之间产生电场,由此可以使得初始取向转移产生。
或者,在上述液晶装置中,优选上述信号线是与上述开关元件电连接的扫描线。
由此,由于不仅在初始取向转移动作时,在显示动作时也向扫描线(栅极线)施加比其他信号布线高的电压,故上述的电场也据此增强,可以更可靠地使旋转位移产生。
此时,优选上述狭缝形成于上述像素电极的与设置了上述开关元件的一侧相反侧的端缘处。
这样,开关元件的正上方成为以下结构,即虽然与像素电极间难以产生电场,但通过自与设置开关元件的一侧相反的端缘侧开始形成狭缝,从而上述开关元件被像素电极覆盖。由此,可以将狭缝的形成区域有效地利用为形成上述初始取向转移的电场生成部。
还有,在上述液晶装置中,优选形成有在俯视下与上述狭缝重叠的遮光膜。
这样,在初始转移操作结束后的显示动作时,即使在狭缝的形成区域周边残留有旋转位移,也可以防止该旋转位移引起的漏光。因此,可以将显示品质的下降抑制在最小限度。
本发明的电子设备,其特征在于具备上述液晶装置。
根据本发明的电子设备,由于具备能够以低电压并且在短时间内进行OCB模式的初始取向转移的液晶装置,故显示品质优越。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的实施方式进行说明,但本发明的技术范围并未限于以下的实施方式。再有,在以下说明中参照的各附图中,为了容易观察各构成要素而适当地变更各部分的尺寸比例等来表示。进而,在本说明书中,将液晶装置的各构成部件中的液晶层侧称为内侧,将其相反侧称为外侧。还有,将图像显示的最小单位称为“子像素”,将具备各色滤色器的多个子像素的集合称为“像素”。另外,在子像素的平面区域中,将利用从液晶装置的显示面侧入射的光且能进行显示的区域称为“反射显示区域”,将利用从液晶装置的背面侧(与上述显示面相反的一侧)入射的光且能进行显示的区域称为“透过显示区域”。进而,所谓“非选择电压施加时”及“选择电压施加时”分别指“向液晶层施加的电压在液晶的阈值电压附近时”及“向液晶层施加的电压与液晶的阈值电压相比非常高时”。
(第一实施方式)
首先,参照图1到图4,对本发明第一实施方式的液晶装置进行说明。本实施方式的液晶装置是将TFT元件用作像素开关元件的有源矩阵型的液晶装置。
图1(a)是从对置基板一侧观察各构成要素和本实施方式的液晶装置100的俯视图,图1(b)是沿图1(a)的H-H’线的侧面剖视图。
如图1(a)、(b)所示,液晶装置100具备:元件基板(一方基板)10;与元件基板10对置配置的对置基板(另一基板)20;被元件基板10及对置基板20夹持的液晶层50。作为液晶层50,采用介电常数各向异性为正的液晶材料。
再有,液晶装置100通过密封部件52粘合元件基板10及对置基板20,将液晶层50密封在由密封部件52划分的区域内。沿密封部件52的内周形成有周边分型面53,将被周边分型面53围起来的俯视状态(从对置基板20一侧观察元件基板10的状态)下呈矩形的区域作为图像显示区域10a。
还有,液晶装置100备有:设置于密封部件52的外侧区域的数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104;与数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104导通的连接端子102;连接扫描线驱动电路104的布线105。
如图2所示,在液晶装置100的图像显示区域10a中,多个子像素区域排列为俯视下呈矩阵状。与每个子像素区域对应,设有像素电极15、和对像素电极15进行开关控制的TFT(Thin Film Transistor;薄膜晶体管)30。在图像显示区域10a中,多条数据线6a与扫描线3a延伸形成为网格状。即,上述子像素区域与由上述数据线6a及扫描线3a围起来的区域对应。
数据线6a电连接于TFT30的源极,扫描线3a电连接于TFT30的栅极。TFT30的漏极与像素电极15电连接。数据线6a与数据线驱动电路101连接,将从数据线驱动电路101供给的图像信号S1、S2、…、Sn提供给各子像素区域。扫描线3a与扫描线驱动电路104连接,将从扫描线驱动电路104提供的扫描信号G1、G2、…、Gm提供给各子像素区域。从数据线驱动电路101向数据线6a提供的图像信号S1~Sn可以按照该顺序依次提供,也可以按组向互相邻接的多条数据线6a提供。扫描线驱动电路104以规定的定时按脉冲方式依次向扫描线3a提供扫描信号G1~Gm。
液晶装置100构成为:通过利用扫描信号G1~Gm的输入使作为开关元件的TFT30仅在一定期间内为导通状态,从而可以以规定的定时将从数据线6a提供的图像信号S1~Sn写入像素电极15。而且,经由像素电极15而写入液晶中的规定电平的图像信号S1~Sn在像素电极15和隔着液晶层50而对置配置的后述的共用电极之间被保持一定期间。
在此,为了防止所保持的图像信号S1~Sn发生泄漏,与形成于像素电极15和共用电极之间的液晶电容并联地连接有蓄积电容17。蓄积电容17设于TFT30的漏极和电容线3b之间。
图3是本实施方式涉及的液晶装置中的、图4的A-A’线的侧剖视图。再有,图4是构成液晶装置100的1个图像显示单位的子像素的平面构成图,在图4中,将俯视下大致呈矩形的子像素区域的长轴方向、像素电极15的长轴方向以及源极线6a的延伸方向规定为X轴方向,将子像素区域的短轴方向或像素电极15的短边方向、扫描线3a及电容线3b的延伸方向规定为Y轴方向。
如图3所示,本实施方式涉及的液晶装置具备:元件基板10;与该元件基板10对置配置且配置于观察者侧的对置基板20;被夹持于基板10、20之间的液晶层50;液晶层厚调整层24,其通过反射从对置基板20侧入射的光,并且使来自上述元件基板10侧的光透过,从而进行透过显示,并使得反射显示区域R中的液晶层50的层厚小于透过显示区域T中的液晶层50的层厚。
再有,液晶装置100备有配设于上述元件基板10的外面侧(面板背面侧)的背光灯(照明装置)60。作为该背光灯60,可以采用具有光源、反射器(reflector)、导光板等的公知的照明装置。该背光灯形成透过显示区域T中的显示光。即,本实施方式涉及的液晶装置100是所谓的多间隙(multi-gap)方式的半透过反射型液晶装置。
在上述元件基板10与对置基板20之间夹持有后面详细描述的以OCB模式工作的液晶层50。由此,本实施方式涉及的液晶装置100在其工作时液晶分子呈弯曲取向,能够进行高速响应动作,运动图像显示品质优越(参照图5)。其中,图3概念性地表示基板10、20间呈弯曲取向的液晶分子51的取向状态,未必与实际的取向状态一致。
上述元件基板10以由玻璃或石英、塑料等构成的透明基板主体11为基体,在基板主体11的内面侧(液晶层50一侧)形成有扫描线3a及电容线3b,并形成有覆盖这些扫描线3a与电容线3b的绝缘薄膜41。在隔着绝缘薄膜41而与扫描线3a对置的位置上形成有俯视下呈矩形的非晶硅膜(amorphous silicon film)构成的半导体层45,再有,以一部分跨在半导体层45上的方式形成有源电极6b与漏电极44。而且,以覆盖这些半导体层45、源电极6b及漏电极44的方式形成有层间绝缘膜12。形成贯通层间绝缘膜12并抵达漏电极44的接触孔14。层间绝缘膜12上形成有像素电极15,经由上述接触孔14,层间绝缘膜12上的像素电极15和上述漏电极44(TFT30)电连接。
在上述元件基板10的内侧设有表面具有凹凸的树脂层16。该树脂层16形成于作为图像显示单位的点区域的长边方向的一方端部。在该树脂层16的表面形成有Al或Ag等高反射率的金属材料构成的反射电极部(反射膜)15r。再有,在点区域的长边方向的剩余部分形成有ITO等透明导电性材料构成的透明电极部15t。这些反射电极部15r与透明电极部15t导通连接而形成上述像素电极15。而且,反射电极部15r的形成区域为反射显示区域R,透明电极部15t的形成区域为透过显示区域T。
覆盖像素电极15及层间绝缘膜12而形成有聚酰亚胺等构成的取向膜18。取向膜18是使图3概念性表示的液晶分子51在膜面上大致水平地取向的水平取向膜,沿图4所示的像素电极15的短边方向(Y轴方向)实施研磨(rubbing)处理(研磨方向18a)。
一方的上述对置基板20也构成为以玻璃或石英、塑料等构成的透明基板主体21为基体。在该基板主体21的内面侧(液晶层50一侧)形成有对子像素周围进行镶边的遮光膜23,遮光膜23上形成有具备滤色器的CF层22,该滤色器按每个子像素而使不同的色光透过。其中,CF层22也可以形成于元件基板10一侧。
在上述CF层22上,ITO等透明导电材料构成的共用电极25形成于基板主体21的几乎整个面上,共用电极25的表面上形成有聚酰亚胺等构成的取向膜29。取向膜29也是使液晶分子51在膜面上大致水平地取向的水平取向膜,表面被实施了研磨处理。取向膜29在与元件基板10一侧的取向膜18的研磨方向(取向限制方向)18a平行的方向(29a)上进行研磨处理,相对于液晶层50的厚度方向的中央而言,液晶分子51的取向上下对称。
上述滤色器22优选构成为在点区域内被划分为色度不同的两种区域。若列举具体例子,则可以采取以下构成:对应于透过显示区域T的平面区域而设置第一色材区域,对应于反射显示区域R的平面区域而设置第二色材区域,第一色材区域的色度大于第二色材区域的色度。再有,也可以采取反射显示区域R的一部分设有非着色区域的构成。通过采取这种构成,从而可以防止滤色器在仅透过1次显示光的透过显示区域T与透过2次显示光的反射显示区域R之间显示光的色度不同,可以统一反射显示与透过显示的外观,提高显示品质。
在与反射膜15r的形成区域对应的滤色器22的表面上,形成有液晶层厚调整层24。在半透过反射型的液晶装置中,向反射显示区域R的入射光透过液晶层50两次,但向透过显示区域T的入射光仅透过液晶层50一次。由此,若在反射显示区域R与透过显示区域T之间液晶层50的延迟(retardation)不同,则光透过率会产生差异,无法得到均匀的图像显示。因此,通过设置液晶层厚调整层24,从而反射显示区域R中的液晶层50的层厚(例如2μm左右)设为透过显示区域T中的液晶层50的层厚(例如4μm左右)的一半程度,将反射显示区域R及透过显示区域T中的液晶层50的延迟设为大致相同。这样,可以通过液晶层厚调整层24实现多间隙结构,在反射显示区域R及透过显示区域T中可以得到均匀的图像显示。
在反射显示区域R与透过显示区域T的边界区域内,形成有液晶层厚调整层24的倾斜部70。由此,从反射显示区域R到透过显示区域T,液晶层50的层厚连续变化。该倾斜部的倾斜角为10°~30°左右。一般在液晶层厚调整层24的倾斜部70中,液晶分子的取向状态容易混乱,显示品质容易下降。因此,第一实施方式的液晶装置通过将倾斜部70配置于透过显示区域T,从而成为重视反射显示区域的构成。
作为该液晶层厚调整层24的构成材料,希望采用丙烯酸树脂等具有电绝缘性及感光性的材料。通过采用感光性材料,从而能够进行利用光刻技术的图案化,可以高精度地形成液晶层厚调整层24。该液晶层厚调整层24可以设置于元件基板10,也可以设置于元件基板10及对置基板20双方。
如图4所示,沿矩形的像素电极15的长边方向(图示X轴方向),配置上述的源极线6a,沿像素电极15的短边方向(Y轴方向)配置扫描线3a,与扫描线3a的像素电极15一侧邻接,配置有与该扫描线3a平行地延伸的电容线3b。在源极线6a与扫描线3a的交点附近中的上述扫描线3a上形成有底栅型的TFT(开关元件)30。
TFT30具备:岛状的非晶硅膜构成的半导体层45;和配置为一部分与半导体层45平面重叠的源电极6b及漏电极44。扫描线3a在与半导体层45平面重叠的位置上作为TFT30的栅电极起作用。
TFT30在其漏电极44延伸到像素电极15一侧的位置,经由接触孔14而与像素电极15电连接。而且,在像素电极15的大致中央部分、即子像素的一个角落部,立设有对元件基板10与对置基板20的间隔进行限制的柱状隔离物59。
源电极6b以与半导体层45相反一侧的端部,和源极线6a连接。漏电极44以与半导体层45相反一侧的端部,和俯视下大致呈矩形的电容电极40连接。电容电极40配置于电容线3b的平面区域内,构成将电容电极40与电容线3b作为电极的蓄积电容17(参照图2)。通过经由形成于电容电极40的平面区域内的像素接触孔14,电连接像素电极15和电容电极40,从而TFT30的漏极与像素电极15导通。
在上述像素电极15的、和设于上述反射显示区域R与上述透过显示区域T之间的上述液晶层厚调整层24的倾斜部70俯视下重叠的区域中形成有狭缝S。如图4所示,该狭缝S形成于源极线6a侧的短缘侧,在该狭缝S内沿上述狭缝形状形成有上述源极线6a。另外,在本实施方式中,成为源极线6a沿着狭缝形状的全部的结构,但也可以以沿狭缝形状的至少一部分的方式形成源极线6a。
具体是,在本实施方式中,上述狭缝S由平面Z字(zigzag)形状构成,并具有多个弯曲部。再有,上述源极线6a中形成有一部分被分支的分支部6c。分支部6c沿狭缝的形状形成,设定为该分支部6c的宽度大于狭缝S的宽度,伴随于此,上述分支部6c上配置像素电极15的端部。
如图3所示,在元件基板10、对置基板20的外侧,分别设有偏振板36、37。这些偏振板36、37仅使沿特定方向振动的直线偏振光透过。偏振板36的透过轴和偏振板37的透过轴配置为相互大致正交,并且配置于和取向膜18、29的研磨方向相交为大致45°的方向。
进而,在偏振板36及/或偏振板37的内侧,也可以配置光学补偿薄膜。通过配置光学补偿薄膜,从而能够补偿正视或斜视液晶装置时的液晶层的相位差,可以减少漏光,可以增加对比度(contrast)。作为光学补偿薄膜,可以使用使折射率各向异性为负的盘状(discotic)液晶等混合取向而构成的负的单轴性介质。再有,也能使用使折射率各向异性为正的向列(nematic)液晶等混合取向的而构成的正的单轴性介质。进而,也能组合使用负的单轴性介质与正的单轴性介质。另外,也可以使用各方向的折射率为nx>ny>nz的双轴性介质。
图5是OCB模式的液晶装置中的液晶的取向状态的说明图。在OCB模式的液晶装置中,在其初始状态(非工作时)下,如图5(b)所示,液晶分子51为打开成喷射状的取向状态(喷射取向),在显示工作时,如图5(a)所示,液晶分子51为弯曲成弓形的取向状态(弯曲取向)。而且,在显示工作时通过以弯曲取向的弯曲程度来调制透过率,从而可以实现显示动作的高速响应性。
如上所述,在OCB模式的液晶装置的情况下,切断电源时的液晶为喷射取向,故在接通电源时通过向液晶施加阈值电压以上的电压,从而需要进行所谓的初始转移操作,即液晶的取向状态从图5(b)所示的初始喷射取向转移到图5(a)所示的显示动作时的弯曲取向。在此,若初始转移没有充分进行,则会产生显示不良或无法得到所希望的高速响应性。
作为液晶层50的初始转移操作,可以采用仅向源极线6a施加电压的方法。此时,在源极线6a与像素电极15之间形成电场,如图3所示,在狭缝S的形成位置附近产生旋转位移(disclination),形成初始转移核。而且,在该初始转移核中,从开始的喷射取向到弯曲取向的取向转移在周围进行,进行子像素整体内的液晶层50的初始取向转移。
再有,在本实施方式中,沿扫描线3a的延伸方向(图4中Y轴方向)形成狭缝S,另一方面将取向膜18、29的研磨方向18a、29a设为与上述Y轴方向平行的方向。即,如图4所示,上述狭缝S形成为:形成于狭缝S与源极线6a(分支部6c)之间的电场E的主方向(参照图4)与液晶分子51的初始取向方向(Y轴方向)交叉。通过采取这种构成,从而借助初始转移操作,狭缝S附近的液晶分子强制性地在电场方向取向,结果在由于研磨而被限制在Y轴方向的液晶区域和在上述电场E方向取向的液晶区域的边界处产生旋转位移,通过该旋转位移形成初始转移核。
如上所述,狭缝S由于具有多个弯曲部,故在源极线6a(分支部6c)与像素电极15之间,可以在各种方向产生电场。由此,借助弯曲部可以使转移核的产生更可靠,可以进一步提高初始转移的均匀性、高速性。
本实施方式涉及的液晶装置100为在上述分支部6c上配置像素电极15的端部的结构,因此可以使像素电极15的端部上的液晶分子51也取向,可以在像素电极15上的宽范围内使初始转移产生。
还有,本实施方式涉及的液晶装置100在像素电极15与源极线6a之间形成斜向电场E时,电场E的形成区域附近的液晶相对于周边的液晶层50而言,成为扭曲取向的状态。在以OCB模式动作的液晶层中,扭转(twist)取向的能量(Gibbs energy:吉布斯能)状态由于位于图5所示的喷射取向中的能量状态和弯曲取向状态中的能量状态的中间,因此从扭转取向到弯曲取向的取向转移变得极为容易。
进而,在本实施方式中,如上所述,由于在液晶分子51的取向容易混乱的液晶层厚调整层24的倾斜布70形成有上述狭缝S,故借助配置在狭缝S内的分支布6c与像素电极15之间产生的电场E,可以容易地使液晶分子51取向。
以上,根据本实施方式的液晶装置100,通过对源极线6a施加电压,从而在像素电极15的狭缝S的形成区域附近,可以将上述源极线6a与像素电极15之间产生的电场用于初始转移操作。再有,由于在液晶分子51倾斜取向而导致取向容易混乱的液晶层厚调整层24的倾斜部70设置狭缝S,故借助上述电场E,可以使得液晶层50中很容易地产生旋转位移。由此,由于可以容易地将该旋转位移作为转移核,向周围传播初始转移,故可以以低电压迅速地进行OCB模式的初始取向转移。
(第二实施方式)
接着,参照附图,对本发明的液晶装置的第二实施方式进行说明。第二实施方式涉及的液晶装置,与上述第一实施方式涉及的液晶装置100同样,为TFT有源矩阵方式的半透过反射型液晶装置,其特征之处在于:在狭缝内形成作为信号线的栅极线。其中,关于除此以外的基本构成,由于与上述实施方式的液晶装置同样,故对共用的构成要素赋予相同的标记,省略或简略详细的说明。
图6是构成液晶装置200的1个图像显示单位的子像素的平面构成图,图7是图6的A-A’线的侧剖视图。
如图6所示,在本实施方式中,在俯视下与液晶层厚调整层的倾斜部重叠的区域中形成狭缝S,沿着该狭缝形状,形成有与TFT30连接的扫描线3a。其中,在本实施方式中,虽然为扫描线3a沿整个狭缝形状的结构,但也可以沿着狭缝形状的至少一部分形成扫描线3a。
具体是,在本实施方式中,上述狭缝S由俯视下呈Z字形的形状构成、并具有多个弯曲部。再有,上述扫描线3a在沿着狭缝形状的部分,其宽度设定为大于狭缝S的宽度。由此,在上述分支部6c上配置像素电极15的端部。
上述狭缝S自像素电极15中的与设置上述TFT30一侧相反的端缘侧开始形成,由此成为像素电极15覆盖上述TFT30的结构。一般,TFT30的正上方由于与像素电极15之间难以生成电场,故如上所述通过从与设置TFT30的一侧相反的端缘侧开始形成狭缝S,从而可以将狭缝S的形成区域的整个区域作为电场发生部而有效利用。
再有,上述实施方式同样,也具有多个弯曲部。由此,在与像素电极15之间,电场可以产生于各种方向,可以更可靠地产生转移核,可以进一步提高初始转移的均匀性、高速性。
在本实施方式涉及的液晶装置200中,如图7所示,经由设于反射电极部15r的接触孔14,漏电极44与像素电极15导通。由此,成为电容线3b被上述反射电极部15r的背面遮挡的构成,因此可以防止电容线3b的存在所引起的数值孔径下降。
作为本实施方式涉及的液晶装置200中的初始转移操作,可以采用在向源极线6a施加偏置电压的状态下向扫描线3a施加规定的脉冲电压的方法。此时,扫描线3a与像素电极15之间形成电场E’,如图6所示在狭缝S的形成位置附近产生旋转位移,形成初始转移核。而且,在该初始转移核中,从开始的喷射取向到弯曲取向的取向转移在周围进行,进行整个子像素的液晶层50的初始取向转移。
再有,在本实施方式中,与上述实施方式同样,形成上述狭缝S,以使形成于狭缝S与扫描线3a之间的电场E’的主方向(参照图6)成为与液晶分子51的初始取向方向(Y轴方向)交叉的方向。由此,借助初始转移操作,狭缝S附近的液晶强制性地在电场方向取向,结果在由于研磨而被限制于Y轴方向的液晶区域和在上述电场E’方向取向的液晶区域的边界处产生旋转位移,该旋转位移成为初始转移核。
如图7所示,在本实施方式涉及的液晶装置200中,以在俯视下与液晶层厚调整层24的倾斜部70重叠的方式形成遮光膜23。即,在俯视下由遮光膜23覆盖上述狭缝S的形成区域。根据该构成,在初始转移操作结束后的显示动作时,即使在狭缝S的形成区域周边残留有旋转位移,也可以防止该旋转位移引起的漏光。因此,可以将显示品质的降低抑制在最小限度。
由于不仅在初始取向转移动作时,即使在显示动作时也向扫描线(栅极线)3a施加比其他信号布线(源极线6a)高的电压,故上述的电场E’也据此增强,可以更可靠地使旋转位移产生。
再有,即使在本实施方式中,由于在液晶分子的取向容易混乱的液晶层厚调整层24的倾斜部70形成上述狭缝S,故借助在配置于狭缝S内的扫描线3a与像素电极15之间产生的电场E’,可以使液晶分子51容易取向。
另外,本发明的液晶装置并未限于上述实施方式,在不脱离本发明主旨的范围内,包含上述各实施方式中增加了各种变更的方式。即,各实施方式中列举的具体材料或构成只不过是一例,能够进行适当变更。例如,上述实施方式中说明过的狭缝的形状以及信号线(扫描线3a、源极线6a)的形状不限于上述实施方式,例如也可以采用俯视下的褶皱形状等。再有,在上述实施方式中,例示了作为开关元件而采用了薄膜晶体管(TFT30)的有源矩阵型的液晶装置,但也可以适用于作为开关元件而采用薄膜二极管(Thin Film Diode)的有源矩阵型的液晶装置。
(电子设备)
图8是表示本发明涉及的电子设备的一例的立体图。图8所示的移动电话机1100将上述实施方式的液晶装置作为小尺寸的显示部1101而具备,并构成为具备多个操作按钮1102、受话口1103及送话口1104。
上述实施方式的液晶装置可以以低电压且在短时间内顺利地进行OCB模式的初始转移动作,因此可以提供一种具备显示品质优越的液晶显示部的移动电话机1100。
上述各实施方式的液晶装置不限于上述电子设备,也可以作为电子书、个人计算机、数码相机、液晶电视机、取景型或监视器直视型录像机、寻呼机、电子记事本、电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、具备触摸面板的设备等的图像显示机构来使用,无论在哪种电子设备中,都可以获得明亮且高对比度的优良显示品质。