CN102842679A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN102842679A CN2011101682057A CN201110168205A CN102842679A CN 102842679 A CN102842679 A CN 102842679A CN 2011101682057 A CN2011101682057 A CN 2011101682057A CN 201110168205 A CN201110168205 A CN 201110168205A CN 102842679 A CN102842679 A CN 102842679A
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周明杰
王平
钟铁涛
冯小明
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括：阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极中间的发光层；所述发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料。这种有机电致发光器件的发光层中掺杂有n型材料，从而提高了电子注入效率，使电子空穴更多的在发光材料中复合。相对于传统的发光层没有掺杂n型材料的有机电致发光器件，能量效率得到提高，且随着亮度的增加，能量效率的衰减较小。本发明还提供一种上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
有机电致发光器件(OLED)具有一些独特的优点：(1)OLED属于扩散型面光源，不需要像发光二极管(LED)一样通过额外的导光***来获得大面积的白光光源；(2)由于有机发光材料的多样性，OLED照明可根据需要设计所需颜色的光，目前无论是小分子OLED，还是聚合物有机发光二极管(PLED)都已获得了包含白光光谱在内的所有颜色的光；(3)OLED可在多种衬底如玻璃、陶瓷、金属、塑料等材料上制作，这使得设计照明光源时更加自由；(4)采用制作OLED显示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同时显示信息；(5)OLED在照明***中还可被用作可控色，允许使用者根据个人需要调节灯光氛围。
传统的有机电致发光器件由于发光层材质的限制，使得能量效率较低。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种能量效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括：阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极中间的发光层；
所述发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料。
优选的，所述n型掺杂材料为无机材料。
优选的，所述n型掺杂材料为Cs2CO3、CsF、CsN3、Li2CO3或LiF。
优选的，所述n型掺杂材料占所述发光层的质量分数的20％～30％。
优选的，所述主体材料为N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，’-联苯基)-4，4’-二胺、苯基吗琳、N-芳基苯并咪唑、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9′-(1，3-苯基)二-9H-咔唑、4，4′-二(9-咔唑)联苯或1，4-双(三苯基硅烷)苯。
优选的，所述客体材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱或二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱；
所述客体材料占所述发光层的质量分数的0.5％～2％。
优选的，所述客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱；
所述客体材料占所述发光层的质量分数的5％～8％。
优选的，所述客体材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱或双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱；
所述客体材料占所述发光层的质量分数的10％～20％。
优选的，所述发光层厚度为10nm～20nm。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、提供阳极，并对所述阳极进行前处理；
步骤二、在所述阳极一个表面蒸镀形成发光层；所述发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料；
步骤三、在所述发光层表面蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。
这种有机电致发光器件的发光层中掺杂有n型材料，从而提高了电子注入效率，使电子空穴更多的在发光材料中复合。相对于传统的发光层没有掺杂n型材料的有机电致发光器件，能量效率得到提高，且随着亮度的增加，能量效率的衰减较小。
【附图说明】
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为图1示有机电致发光器件的制备流程图；
图3为实施例1和对比例制得的有机电致发光器件的能量效率-亮度曲线图。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法做进一步的描述。
如图1所示的一实施方式的有机电致发光器件，包括：阳极、阴极以及位于阳极和阴极中间的发光层；
阳极可以为铟锡氧化物玻璃、含氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌、镁-铟氧化物、镍-钨氧化物、金属氮化物、金属硒化物或金属硫化物，其中阳极的导电层的厚度为100nm～150nm。
阴极的材质可以为银(Ag)、铝(Al)、镁银合金或金(Au)，厚度为20nm～200nm。
发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料。
主体材料可以为N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)、苯基吗琳(NPB)、N-芳基苯并咪唑(TPBi)、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9′-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)或1，4-双(三苯基硅烷)苯(UGH2)。
通过选择不同的客体材料，可以得到发出不同颜色光的有机电致发光器件。
对于发出红光的有机电致发光器件，客体材料可以为三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))。此时，客体材料占发光层的质量分数的0.5％～2％。
对于发出绿光的有机电致发光器件，客体材料可以为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))。此时，客体材料占发光层的质量分数的5％～8％。
对于发出蓝光的有机电致发光器件，客体材料可以为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)或双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)。此时，客体材料占发光层的质量分数的10％～20％。
本实施方式中，n型掺杂材料为无机材料。一般的，可以列举如：Cs2CO3、CsF、CsN3、Li2CO3和LiF等。
n型掺杂材料占发光层的质量分数为20％～30％。
发光层厚度为10nm～20nm。
这种有机电致发光器件的发光层中掺杂有n型材料，从而提高了电子注入效率，使电子空穴更多的在发光材料中复合。相对于传统的发光层没有掺杂n型材料的有机电致发光器件，能量效率得到提高。
同时，随着亮度的增加，相对于传统有机电致发光器件的能量效率的衰减，这种有机电致发光器件的能量效率的衰减较小。
本实施方式中的有机电致发光器件可以包括依次层叠的如下结构：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，有机电致发光器件的结构可以为依次层叠的：阳极、发光层和阴极，其余空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等各层结构可以按照需要添加，也可以选择不添加。
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等均使用本领域技术人员公知的材料和制备方法。
空穴注入层的材质可以选择为掺杂有p型材料的空穴传输材料，厚度为10nm～15nm。P型材料可以为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)或二氧化铼(ReO2)。空穴传输材料可以为苯基吗琳(NPB)、N，N′-二苯基-N，N′-(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(α-NPD)或N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)。
空穴传输层的材质可以为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)或1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)，厚度为30nm～50nm。
电子传输层的材质可以为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、4，7-二苯基-1，10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)(BAlq)或8-羟基喹啉铝(Alq3)，厚度为10nm～60nm。
电子注入层的材质可以选择掺杂有上述n型材料的电子传输材料，厚度为20nm～40nm。电子传输材料可以为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、2，9-二甲基-4，7二苯基-1，10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1，2，4-***衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。
如图2所示的上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供阳极，并对阳极进行前处理。
一般的，阳极可以选择铟锡氧化物玻璃、含氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌、镁-铟氧化物、镍-钨氧化物、金属氮化物、金属硒化物或金属硫化物。
前处理的操作包括：对阳极依次用洗洁精、乙醇、丙酮和纯水超声清洗，每次洗涤采用清洗5min，停止5min，并重复三次的方法，洗涤完成后干燥，最后对干燥的阳极进行表面活化处理以增加阳极表面导电层的含氧量，从而提高导电层表面的功函数。
S20、在阳极一个表面蒸镀形成发光层。
发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料。
主体材料可以为TPD、NPB、TPBI、TAPC、TCTA、mCP、CBP或UGH2。
通过选择不同的客体材料，可以得到发出不同颜色光的有机电致发光器件。
对于发出红光的有机电致发光器件，客体材料可以为Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)和Ir(MDQ)2(acac)等。此时，客体材料占发光层的质量分数的0.5％～2％。
对于发出绿光的有机电致发光器件，客体材料可以为Ir(ppy)3和Ir(ppy)2(acac)等。此时，客体材料占发光层的质量分数的5％～8％。
对于发出蓝光的有机电致发光器件，客体材料可以为FIrpic和FIr6等。此时，客体材料占发光层的质量分数的10％～20％。
本实施方式中，n型掺杂材料为无机材料。一般的，可以列举如：Cs2CO3、CsF、CsN3、Li2CO3和LiF等。
n型掺杂材料占发光层的质量分数为20％～30％。
发光层厚度为10nm～20nm。
本实施方式中，有机电致发光器件可以为依次层叠的如下结构：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
以上述结构为例，简单介绍具体蒸镀过程。
阳极的一个表面上蒸镀形成空穴注入层，厚度为10nm～15nm，真空度为5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000061
在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，厚度30nm～50nm，真空度为5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000062
在空穴传输层上的蒸镀形成发光层，发光层可以为单层和多层结构，每层结构厚度为10nm～20nm，真空度为5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000063
在发光层上蒸镀形成电子传输层，厚度为10nm～60nm，真空度为5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000064
在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，厚度为20nm～40nm，真空度为5×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000065
S30、在发光层表面蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。
在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质可以为银(Ag)、铝(Al)、镁银合金或金(Au)，厚度为20nm～200nm，真空度为7×10-5Pa～5×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000066
Figure BDA0000070003140000067
以下为具体实施例部分，所用到的仪器为：高精度数字源表(美国Keithley公司，型号：2402)和色彩亮度计(美能达，型号：CS-100A)。
实施例1
选择铟锡氧化物玻璃作为阳极，其中由铟锡氧化物构成的导电层厚度为150nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000068
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为30％，厚度为10nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为30nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000071
的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为Ir(ppy)3和掺杂了Cs2CO3的TPBI，Ir(ppy)3的质量分数为5％，Cs2CO3的质量分数为30％，TPBI的质量分数为65％，厚度为20nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000072
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为10nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000073
的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为30％，厚度为20nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000074
的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为Al，厚度为100nm。
实施例2
选择铟锡氧化物玻璃作为阳极，其中由铟锡氧化物构成的导电层厚度为100nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000075
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为30％，厚度为12nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000076
的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为35nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为Ir(piq)3和掺杂了Cs2CO3的TPD，Ir(piq)3的质量分数为0.5％，Cs2CO3的质量分数为20％，TPD的质量分数为79.5％，厚度为18nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000078
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为20nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000081
的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为30％，厚度为25nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000082
的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为Ag，厚度为50nm。
实施例3
选择含氟氧化锡玻璃作为阳极，其中由含氟氧化锡构成的导电层厚度为120nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000083
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为25％，厚度为15nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000084
的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为40nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000085
的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为Ir(piq)2(acac)和掺杂了CsF的NPB，Ir(piq)2(acac)的质量分数为2％，CsF的质量分数为25％，NPB的质量分数为73％，厚度为16nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000086
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为30nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000087
的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为25％，厚度为20nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为镁银合金，厚度为200nm。
实施例4
选择铟锡氧化物玻璃作为阳极，其中由铟锡氧化物构成的导电层厚度为100nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000091
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为35％，厚度为12nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000092
的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为50nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为Ir(ppy)2(acac)和掺杂了CsN3的mCP，Ir(ppy)2(acac)的质量分数为8％，CsN3的质量分数为22％，mCP的质量分数为70％，厚度为14nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000094
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为50nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000095
的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为35％，厚度为40nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为Au，厚度为180nm。
实施例5
选择铟锡氧化物玻璃作为阳极，其中由铟锡氧化物构成的导电层厚度为100nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000101
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为30％，厚度为12nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为45nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000103
的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为FIrPic和掺杂了Li2CO3的TAPC，FIrPic的质量分数为10％，Li2CO3的质量分数为28％，TAPC的质量分数为62％，厚度为12nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000104
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为60nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000105
的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为30％，厚度为40nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000106
的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为Al，厚度为180nm。
实施例6
选择铟锡氧化物玻璃作为阳极，其中由铟锡氧化物构成的导电层厚度为100nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000107
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为32％，厚度为10nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000108
的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为35nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000111
的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为Fir6和掺杂了LiF的CBP，Fir6的质量分数为20％，LiF的质量分数为30％，CBP的质量分数为50％，厚度为10nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000112
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为55nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为28％，厚度为20nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000114
的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为Ag，厚度为80nm。
对比例
选择铟锡氧化物玻璃作为阳极，其中由铟锡氧化物构成的导电层厚度为100nm。用超声波清洗机依次选择洗洁精、乙醇、丙酮和纯水对阳极进行超声清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，洗涤完成后用红外烘箱烘干。对洗净烘干后的阳极进行表面活化处理，以增加导电层的含氧量，提高阳极表面的功函数。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000115
的条件下，在阳极上蒸镀形成空穴注入层，材质为掺杂了MoO3的NPB，MoO3掺杂的质量比例为30％，厚度为10nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000116
的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层，材质为TCTA，厚度为30nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000117
的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层，材质为Ir(ppy)3和TPBI，Ir(ppy)3的质量分数为5％，TPBI的质量分数为95％，厚度为20nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000118
的条件下，在发光层表面蒸发形成电子传输层，材质为Bphen，厚度为10nm。
真空度为3×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000121
的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层，材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3掺杂的质量比例为30％，厚度为20nm。
真空度为5×10-5Pa，蒸发速率为
Figure BDA0000070003140000122
的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极，材质为Al，厚度为100nm。
如图3所示的实施例1和对比例制得的有机电致发光器件能量效率-亮度曲线图。曲线1为实施例1制得的有机电致发光器件，曲线2为对比例制得的有机电致发光器件。
由图中可以读出如下数据：
  亮度(cd/m2)   114   934   1530   1970   2320   2600   2830   3040   3230
  曲线1(lm/w)   43.9   43.4   42.5   41.5   40.4   39.0   37.6   35.5   32.9
  曲线2(lm/w)   26.7   25.9   24.6   22.8   20.5   17.9   14.9   11.8   8.2
读表可以得出，在相同的亮度下，实施例1制得的有机电致发光器件的能量效率明显高于对比例制得的有机电致发光器件的能量效率。
此外，随着亮度的提高，实施例1制得的有机电致发光器件能量效率的衰减明显低于对比例制得的有机电致发光器件能量效率的衰减。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极中间的发光层；
所述发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂材料为无机材料。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂材料为Cs2CO3、CsF、CsN3、Li2CO3或LiF。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂材料占所述发光层的质量分数的20％～30％。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料为N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺、苯基吗琳、N-芳基苯并咪唑、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9′-(1，3-苯基)二-9H-咔唑、4，4′-二(9-咔唑)联苯或1，4-双(三苯基硅烷)苯。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱或二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱；
所述客体材料占所述发光层的质量分数的0.5％～2％。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱；
所述客体材料占所述发光层的质量分数的5％～8％。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱或双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱；
所述客体材料占所述发光层的质量分数的10％～20％。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层厚度为10nm～20nm。
10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供阳极，并对所述阳极进行前处理；
步骤二、在所述阳极一个表面蒸镀形成发光层；所述发光层的材质包括掺杂有n型掺杂材料的主体材料和起发光功能的客体材料；
步骤三、在所述发光层表面蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。
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