CN102842572A - 一种小型双列式桥堆 - Google Patents

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林茂昌
刘天明
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Abstract

本发明公开的一种小型双列式桥堆，包括一个封装体和四个二极管整流二极管以及四个引脚，其四个整流二极管由两条平行排列在封装体内的双晶PN结芯片构成，其中第一条双晶PN结芯片的底面为P型区，顶面两端为N型区；第二条双晶PN结芯片的底面为N型区，顶面两端为P型区；第一、二引脚分别与第一、二双晶PN结芯片的底面固定连接，构成直流输出正负极，第三引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的一个P型区固定连接，第四引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的另一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的另一个P型区固定连接，第三、四引脚构成交流输入端。本发明双晶PN结芯片的品种只需两种，且对摆放位置没有任何要求，提高了整个封装工效。

Description

一种小型双列式桥堆
技术领域
本发明涉及整流堆，尤其涉及一种交流变直流的小型双列式桥堆。 
背景技术
桥式整流器是由四个整流二极管组成的一个桥式结构，它利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，由于桥式整流器对输入正弦波得利用效率比半波整流高一倍，是对二极管半波整流的一种显著改进，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。 
随着电子产品向小型化方向发展，要求半导体电子器件的外形做的又小又薄。目前的微型桥堆主要分为两类，一类是直插式桥堆，另一种是贴片式桥堆。 
对于贴片式桥堆而言，目前比较典型的结构有以下几种：1、中国发明专利公开号CN1197989公开的一种微型半导体桥式整流器，其包括一共N型的双二极体晶粒以及一共P型的双二极体晶粒，其中共N型晶粒的一P型区与共P型晶粒的一相对应N型区系连接至第一组导线架的一端子电极，共N型晶粒的另一P型区则与共P型晶粒的另一N型区连接至第一组导线架的另一端子电极，且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接至第二组导线架的两端子电极，从而构成一桥式整流器，这种微型整流器尽管在结构上有利于微型化，但制造上需要采用两个品种的双二极管芯片，即一共N型双二极管芯片和一共P型双二极管芯片，容易造成如下问题：1)核心芯片品种多，工艺复杂形增大；2)芯片合格率相对较低；3)由于存在两个芯片品种，均匀性较差；4)P型衬底的芯片相对比较难做。2、中国实用新型专利授权公告号CN2545706Y公开的片式微型桥堆，其在一个封装体内，由四个整流二极管形成桥式整流器，四个整流二极管由相同的PN结芯片构成，四个PN结芯片在空间上两个并列在上，另两个并列在下，每个PN结芯片的P型区和N型区上下布置，其中对角位置PN结芯片的P型区和N型区方位相同，上下迭放的两个PN结芯片之间分别采用一连接片连接，并列在上和并列在下的两个PN结芯片分别采用另一连接片 连接，中间层上的两个连接片作为一组电极端子，上层和下层上的两个连接片作为另一组电极端子，并分别从封装体内引出，以此构成微型五层整流桥堆结构。由于该专利采用五层结构，其产品的厚度一般在2.5～2.7mm左右，不仅占用了电子产品内部比较多的容置空间，且由于多层结构的设置使得桥堆生产加工的工艺步骤增多，同时给各层部件安装定位提出了较高的要求。 
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述整流桥堆所存在的问题而提供一种组装方便、散热效果好、体积小的小型双列式桥堆。 
本发明所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现： 
一种小型双列式桥堆，包括一个封装体和设置在封装体内的四个二极管整流二极管以及四个引脚，其特征在于，所述四个整流二极管由两条PN结芯片构成，两条双晶PN结芯片平行排列在所述封装体内，其中第一条双晶PN结芯片的底面为P型区，第一条双晶PN结芯片的顶面两端为N型区，两个N型区的中间隔断但整个第一双晶PN结芯片中间不断开；第二条双晶PN结芯片的底面为N型区，第二条双晶PN结芯片的顶面两端为P型区，两个P型区的中间隔断但整个第二双晶PN结芯片中间不断开；所述四个引脚中的第一、二引脚分别与所述第一、二双晶PN结芯片的底面固定连接，构成直流输出正负极，第三引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的一个P型区固定连接，第四引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的另一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的另一个P型区固定连接，第三、四引脚构成交流输入端。 
在本发明中，所述双晶PN结芯片上的钝化层可以采用玻璃或二氧化硅钝化层，也可以采用硅橡胶钝化层。 
在本发明的一个优选实施例中，所述四个引脚延伸出所述封装体的部分处于同一平面上。 
本发明的核心是：采用两条双晶PN结芯片和四个引脚在空间迭放成微型三层的桥堆结构。 
由于采用了如上的技术方案，本发明与现有技术相比具有下列优点： 
1、本发明采用两条双晶PN结芯片和四个引脚连接成小型双列式三层桥堆， 其高度比原来降低30％，克服了以往传统技术偏见——CN1197989A发明专利申请中所说：唯该常规的桥式整流器制造方法必须将四个硅二极体接以电机再行封装，使其体积无法缩成细小，无法符合电子产品之需求，且其制程复杂，良品率不易提升“。 
2、本发明双晶PN结芯片的品种只需两种，且对摆放位置没有任何要求，提高了整个封装工效。 
3、本发明双晶PN结芯片合格率很高，一次封装后的品质合格率≥99.9％。 
4、本发明组装时在焊接模具上摆放占用较小的空间，使得同一焊接模具焊接的桥堆数量较多，提高了生产效率，降低了成本。 
5、本发明由于两条双晶PN结芯片和四个引脚采用分层平铺，可以实现自动化生产，同时降低了桥堆的厚度，节省了胶料，使得桥堆的体积更小，重量更轻。 
6、本发明将双晶PN结芯片直接焊接在引脚上，无须跳线，同时散热效果好。 
7、引脚可以采用框架式结构，节省了材料的浪费，使铜材的浪费率由原来的25％下降至5％。 
附图说明
图1为本发明小型双列式桥堆的内部结构示意图。 
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体附图和实施例，进一步阐述本发明。 
参见图1，图中所示的小型双列式桥堆，包括一个封装体100和四个整流二极管以及四个引脚310、320、330、340，四个整流二极管由两条双晶PN结芯片210、220构成，两条双晶PN结芯片210、220平行排列地设置在封装体100内。 
双晶PN结芯片210的底面为P型区211，顶面的两端为N型区212、213，两个N型区212、213的中间隔断但整个双晶PN结芯片210中间不断开。双晶PN结芯片220的底面为N型区221，顶面的两端为P型区222、223，两个P型 区212、213的中间隔断但整个双晶PN结芯片220中间不断开。 
引脚310、320可以采用框架式结构，这样可以节省材料，引脚310、320分别与PN结芯片210的底面的P型区211和PN结芯片220的底面的N型区221固定连接，构成直流输出正负极. 
引脚330、340可以采用框架式结构，这样可以节省材料。引脚330与双晶PN结芯片210顶面上的一个N型区212和双晶PN结芯片220顶面上的一个P型区222固定连接，引脚340与双晶PN结芯片210顶面上的N型区213和PN结芯片220顶面上的P型区223固定连接，引脚330、340构成交流输入端。 
在本发明中，双晶PN结芯片210、220上的钝化层可以采用玻璃或二氧化硅钝化层，也可以采用硅橡胶钝化层。四个引脚310、320、330、340延伸出封装体100的部分处于同一平面上。 
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。 

Claims (2)

1.一种小型双列式桥堆，包括一个封装体和设置在封装体内的四个二极管整流二极管以及四个引脚，其特征在于，所述四个整流二极管由两条双晶PN结芯片构成，两条双晶PN结芯片平行排列在所述封装体内，其中第一条双晶PN结芯片的底面为P型区，第一条双晶PN结芯片的顶面两端为N型区，两个N型区的中间隔断但整个第一双晶PN结芯片中间不断开；第二条双晶PN结芯片的底面为N型区，第二条双晶PN结芯片的顶面两端为P型区，两个P型区的中间隔断但整个第二双晶PN结芯片中间不断开；所述四个引脚中的第一、二引脚分别与所述第一、二双晶PN结芯片的底面固定连接，构成直流输出正负极，第三引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的一个P型区固定连接，第四引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的另一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的另一个P型区固定连接，第三、四引脚构成交流输入端。
2.如权利要求1所述的小型双列式桥堆，其特征在于，所述四个引脚延伸出所述封装体的部分处于同一平面上。
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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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