CN102820174A - 一种射频mems开关 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种射频MEMS开关,包括驱动电极、悬臂梁、共面波导信号线、固定锚区和衬底,所述驱动电极、共面波导信号线固定在衬底上,悬臂梁的固定端通过固定锚区固定在共面波导信号线上,驱动电极位于悬臂梁的下方,该射频MEMS开关还包括鲨齿式触点***,所述鲨齿式触点***位于悬臂梁自由端的下方,或者所述射频MEMS开关导通时与悬臂梁自由端接触的传输线的上方,所述鲨齿式触点***包括第一触点和第二触点,且第一触电高度低于第二触点高度,第一触点距离固定锚区距离长于第二触点高度距离固定锚区距离。本发明提供的射频MEMS开关,有效地改善了触点因多次接触击打引起的可靠性问题,使开关的寿命得到较大的提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种射频 MEMS开关。
背景技术
目前所制作的带有触点的MEMS开关,通常采用单个或单列触点,当开关工作一定时间,由于频繁的击打,金属表面会发生腐蚀,触点会引起变形,从而导致开关触点不能与信号线很好地接触,最终导致失效,减小了开关的寿命。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种含有鲨齿式触点***的射频MEMS开关,以提高射频 MEMS开关的寿命。
技术方案:为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种射频MEMS开关,包括驱动电极、悬臂梁、共面波导信号线、固定锚区和衬底,所述驱动电极、共面波导信号线固定在衬底上,悬臂梁的固定端通过固定锚区固定在共面波导信号线上,驱动电极位于悬臂梁的下方,该射频MEMS开关还包括鲨齿式触点***,所述鲨齿式触点***位于悬臂梁自由端的下方,或者所述射频MEMS开关导通时与悬臂梁自由端接触的传输线的上方,所述鲨齿式触点***包括第一触点和第二触点,且第一触电高度低于第二触点高度,第一触点距离固定锚区的距离长于第二触点高度距离固定锚区的距离。
有益效果:本发明提供的射频MEMS开关,有效地改善了触点因多次接触击打引起的可靠性问题,使开关的寿命得到较大的提高。射频MEMS开关工作一段时间后,由于触点变形或表面蚀化会引起接触不良,导致开关失效,本发明的鲨齿式触点***使得这一现象得到有效缓解,当左边一列触点失效后,右边一列触点可以作为补充,较好地实现与信号线的接触,完成信号的传输,对开关性能的提高起了很大的作用。
附图说明
图1为本发明的正视结构示意图;
图2为本发明的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
图1、图2所示为一种射频MEMS开关,其特征在于:该射频MEMS开关包括驱动电极1、悬臂梁3、共面波导信号线4、固定锚区6和衬底7,所述驱动电极1、共面波导信号线4固定在衬底7上,悬臂梁3的固定端通过固定锚区6固定在共面波导信号线4上,驱动电极1位于悬臂梁3的下方,该射频MEMS开关还包括鲨齿式触点***2,所述鲨齿式触点***2位于悬臂梁3自由端的下方,或者所述射频MEMS开关导通时与悬臂梁3自由端接触的传输线的上方,所述鲨齿式触点***2包括第一触点21和第二触点22,且第一触电21高度低于第二触点22高度,第一触点21距离固定锚区6的距离长于第二触点22高度距离固定锚区6的距离。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种射频MEMS开关,其特征在于:该射频MEMS开关包括驱动电极(1)、悬臂梁(3)、共面波导信号线(4)、固定锚区(6)和衬底(7),所述驱动电极(1)、共面波导信号线(4)固定在衬底(7)上,悬臂梁(3)的固定端通过固定锚区(6)固定在共面波导信号线(4)上,驱动电极(1)位于悬臂梁(3)的下方,该射频MEMS开关还包括鲨齿式触点***(2),所述鲨齿式触点***(2)位于悬臂梁(3)自由端的下方,或者所述射频MEMS开关导通时与悬臂梁(3)自由端接触的传输线的上方,所述鲨齿式触点***(2)包括第一触点(21)和第二触点(22),且第一触电(21)高度低于第二触点(22)高度,第一触点(21)距离固定锚区(6)的距离长于第二触点(22)高度距离固定锚区(6)的距离。
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Family
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Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105575734A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-05-11 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种射频mems开关及其制造方法 |
CN108281328A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-07-13 | 苏州希美微纳***有限公司 | 一种高性能高功率容量的射频mems开关 |
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2011
- 2011-06-11 CN CN 201110155922 patent/CN102820174A/zh active Pending
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121212 |