CN102779565A - 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法 - Google Patents

闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102779565A
CN102779565A CN2012101435957A CN201210143595A CN102779565A CN 102779565 A CN102779565 A CN 102779565A CN 2012101435957 A CN2012101435957 A CN 2012101435957A CN 201210143595 A CN201210143595 A CN 201210143595A CN 102779565 A CN102779565 A CN 102779565A
Authority
CN
China
Prior art keywords
baffle
scintillator
coating
baffle plate
forms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101435957A
Other languages
English (en)
Inventor
鞠润奉
洪兑权
宋在福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Abetz -R Corp.
Original Assignee
BMR TECHNOLOGY Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BMR TECHNOLOGY Corp filed Critical BMR TECHNOLOGY Corp
Publication of CN102779565A publication Critical patent/CN102779565A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
    • Y10T428/24653—Differential nonplanarity at margin

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明披露了一种闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法。本发明的闪烁体面板包括基底，在该基底上形成的并且包括多个柱状晶体的闪烁体层，以使辐射转化成预定波长的光，在该基底上形成的挡板结构用来与该闪烁体层的周围边缘分隔开预定间隔，在该闪烁体层表面、该闪烁体层与该挡板结构之间限定的基底的表面以及该挡板结构表面的一部分上形成的保护层，在该保护层上形成的第一涂层位于该闪烁体层外周表面与该挡板结构之间的空间中；以及在该第一涂层和保护层上形成的第二涂层。

Description

闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法
技术领域
本发明涉及一种闪烁体（scintillator）面板以及一种制造其的方法。
背景技术
传统的使用胶片和显示屏实现的X-射线照相术存在问题，因为它需要人力和空间来存储胶片。为了解决这个问题，已经做出多种尝试使用扫描仪扫描这类胶片来将它们数字化。然而，这也不可避免地用光胶片，不希望地使成本加倍。因此，已经引入了数字化放射照相成像装置，其中使用检测器替代胶片将辐射转化成一种电信号并且将这样的信号传送给计算机。
数字化放射照相成像装置的类型为直接转化类型和间接转化类型，这取决于转化的类型。直接转化类型使辐射的X射线能够被直接转化成电信号用来检测成像信号。另一方面，间接转化类型将X射线转化成可见光，然后使用图像传感器例如光电二极管、CMOS（互补金属-氧化物-半导体）或CCD（电荷藕合器件）将可见光转化成一种电信号，因而产生图像。因为直接转化类型中为了检测放射图像必须使用高电压，因此主要使用间接转化类型。
基于间接转化类型的检测器实例包括X-射线检测器。这种X射线检测器包括用于使用穿过目标的X射线形成图像的放射图像传感器。下面是放射图像传感器如何产生图像的说明。X-射线穿过目标并且通过提供在图像传感器输入表面上的闪烁体而转化成光。这样转化的光被再次转化成光电子，然后通过内部电子枪将光电子放大，并且使放大的光电子与输出单元的荧光材料相碰撞并且因此转化成可见光。通过光接收元件例如光电二极管等将转化的可见光转化成电信号，以使响应于这样转化的信号形成了图像。
制造用于X射线检测器的放射图像传感器的方法被广义地分类成间接沉积法和直接沉积法。在间接沉积法中，闪烁体层和由聚对二甲苯（Parylene）制成的保护层依次形成于辐射通过其中并且从其反射可见光的铝基底上，因此分开地制备闪烁体面板，并且使用光学胶将闪烁体面板整体地附接到成像设备上，成像设备包括布置在玻璃基底中心表面上的多个光接收元件以及布置在玻璃板边缘表面上并且电连接到光接收元件上的多个电极衬垫。
另一方面，在直接沉积法中，闪烁体直接沉积在包括安排在玻璃板中心表面上的多个光接收元件以及布置在玻璃板边缘表面上并且电连接到光接收元件上的多个电极衬垫的成像设备的表面上，因此形成闪烁体层，以及在包括闪烁体层的成像设备的整个表面上形成了由聚对二甲苯制成的保护层，以及在保护层上形成了由铝制成的反射层，由此制造了一种图像传感器。
图1示出了传统闪烁体面板的部分横截面。
图1对应于根据直接沉积法和间接沉积法的闪烁体面板。如图1中示出的，配置了传统闪烁体面板以使闪烁体层200形成于基底100上，挡板300形成于基底100上，挡板300被布置在闪烁体层200周围，并且形成了由聚对二甲苯制成的保护层400用于覆盖闪烁体层200和挡板300表面一部分的整个表面。
CsI，它用于形成闪烁体层200，是一种吸湿性材料，并且起到用于从空气中吸收水蒸气（湿气），以使层200溶于水蒸气中的作用。因此，必须将闪烁体层200与湿气阻断开。在这样的传统闪烁体面板200中，在闪烁体层200上形成保护层400。这样，因为闪烁体层200的周围表面是倾斜的，沿着闪烁体层200倾斜的周围表面形成了保护层400。与其他部分相比，闪烁体层200倾斜的周围表面对于湿气更敏感。因此，因为湿气可以直接地穿透进入保护层400的倾斜表面中，不希望地闪烁体层200可能溶于所吸收的湿气中。
此外，湿气可以穿透进入挡板300与保护层400之间的界面中，不希望地引起多种问题，其中闪烁体层200可能不希望地溶于所吸收的湿气中。
此外，湿气可以直接地穿透进入挡板300中并且可以穿透进入基底100与挡板300之间的界面中，不希望地引起多种问题，其中闪烁体层200可能不希望地溶于所吸收的湿气中。
因此，需要能够有效地防止湿气穿透的闪烁体面板。
同时如图1中示出的，因为闪烁体层200倾斜的周围表面，整个闪烁体面板的表面是不均匀的，这不希望地引起随后过程中的多种缺陷。
发明内容
因此，考虑相关领域中发生的上述问题做出了本发明，并且本发明的目的是提供可以防止湿气穿透并且可以具有均匀平面的一种闪烁体面板，以及包括闪烁体面板的放射图像传感器。
为了实现上述目的，本发明一方面提供了一种闪烁体面板，包括基底；形成于基底上并且包括多个柱状晶体的闪烁体层，以使辐射转化成预定波长的光；在基底上形成的挡板结构从而与闪烁体层的周围边缘分隔开预定间隔；在闪烁体层表面、闪烁体层与挡板结构之间限定的基底的表面，以及挡板结构表面的一部分上形成的保护层；在保护层上形成的第一涂层被布置在闪烁体层外周表面与挡板结构之间的空间中；以及在第一涂层和保护层上形成的第二涂层。
在这方面，挡板结构可以包括在闪烁体层的外周边缘周围基底上形成的第一挡板以及在第一挡板上形成的第二挡板。
在这方面，挡板结构可以包括在闪烁体层的外周边缘周围基底上形成的第一挡板，在第一挡板周围形成的第二挡板、以及在第一挡板和第二挡板上形成的第三挡板。
这样，形成第一挡板可以低于闪烁体层最大高度，并且形成第二挡板可以高于闪烁体层最大高度。
而且，可以在第一挡板表面的一部分上形成保护层，并且可以在闪烁体层周围表面与第二挡板之间的空间内形成第一涂层。
此外，第二挡板可以与第一挡板的外表面分隔开预定间隔。
此外，可以在第一隔板与第二隔板之间形成第一涂层。
在这方面，挡板结构可以包括在闪烁体层的外周边缘周围基底上形成的第一挡板，在第一挡板周围形成的第二挡板，在第二挡板周围形成的第三挡板，以及在第一挡板、第二挡板以及第三挡板上形成的第四挡板。
这样，形成第一挡板可以低于闪烁体层的最大高度，并且形成第二挡板可以高于闪烁体层的最大高度。
此外，可以在第一挡板表面的一部分上形成保护层，并且可以在闪烁体层周围表面与第二挡板之间的空间内形成第一涂层。
在这方面，可以在第二涂层上形成反射层，并且反射层可以包括反射预定波长下的光的颗粒，颗粒包括选自以下的至少一种：TiO2、LiF、MgF2、SiO2、Al2O3、MgO、SiN、CaF2、NaCl、KBr、KCl、AgCl、SiNO3、Au、SiO、AlO、B4C、以及BNO3。
在这方面，保护层可以包括聚对二甲苯。
在这方面，第一涂层可以包括一种UV可固化树脂。
这样，UV可固化树脂可以是选自以下的任何一种：烯键式不饱和的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯树脂（ethylenically unsaturated urethane acrylateresin）、烯键式不饱和的聚酯丙烯酸酯树脂、以及烯键式不饱和的环氧丙烯酸酯，它们每一种都具有烯键式不饱和的官能团。
在这方面，第一涂层可以包括一种热固性树脂。
这样，热固性树脂可以是选自以下中的任何一种：丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、以及氨酯树脂。
在这方面，第二涂层可以包括一种热固性树脂。
这样，热固性树脂可以是选自以下中的任何一种：丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、以及氨酯树脂。
本发明另一方面提供了一种闪烁体面板，包括基底；在基底上形成的并且包括多个柱状晶体的闪烁体层，以使辐射转化成预定波长的光；在闪烁体层以及基底整个表面上形成的保护层；在闪烁体层的外周边缘周围的保护层上形成的挡板结构；在保护层上形成的第一涂层被布置在闪烁体层周围表面与挡板结构之间的空间内；以及在第一涂层和保护层上形成的第二涂层。
在这方面，挡板结构可以包括在闪烁体层的外周边缘的周围基底上形成的第一挡板以及在第一挡板上形成的第二挡板。
这样，可以形成高于第一挡板的第二挡板。
在这方面，保护层可以包括聚对二甲苯（parylene）。
在这方面，第一涂层可以包括一种UV可固化树脂。
这样，UV可固化树脂可以是选自以下中的任何一种：烯键式不饱和的氨酯丙烯酸酯树脂、烯键式不饱和的聚酯丙烯酸酯树脂、以及烯键式不饱和的环氧丙烯酸酯，它们每一种都具有烯键式不饱和的官能团。
在这方面，第一涂层可以包括一种热固性树脂。
这样，热固性树脂可以是选自以下中的任何一种：丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、以及氨酯树脂。
在这方面，第二涂层可以包括一种热固性树脂。
这样，热固性树脂可以是选自以下中的任何一种：丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、以及氨酯树脂。
附图说明
结合附图通过下面详细的说明可以更清楚地理解本发明的上述以及其他目标、特征和优点，其中：
图1示出了传统闪烁体面板的部分横截面；
图2示出了根据本发明第一实施方式的闪烁体面板的横截面；
图3示出了根据本发明第二实施方式的闪烁体面板的横截面；
图4示出了根据本发明第三实施方式的闪烁体面板的横截面；
图5示出了根据本发明第四实施方式的闪烁体面板的横截面；
图6示出了根据本发明第五实施方式的闪烁体面板的横截面；
图7示出了根据本发明第六实施方式的闪烁体面板的横截面；以及
图8示出了根据本发明第七实施方式的闪烁体面板的横截面。
具体实施方式
此后，参考附图将详细说明关于闪烁体面板的本发明优选实施方式。在可能的地方，相同的参考数字可以贯穿附图和说明书用于指相同或类似的部件。在下面的说明中，应当注意的是，当与本发明相关的配置或功能的详细说明可能使本发明的要点不清楚时，应当将它们忽略。
下面是根据本发明第一实施方式的闪烁体面板的说明。
第一实施方式
图2示出了根据本发明第一实施方式的闪烁体面板的横截面。如图2中所示，根据本发明第一实施方式的闪烁体面板包括基底100；在基底上形成的并且包括多个柱状晶体的闪烁体层200，以使辐射转化成预定波长的光；在基底上形成的挡板结构301、302用来与闪烁体层的周围边缘间隔开预定间隔；在闪烁体层200的表面、在闪烁体层200与挡板结构301、302之间限定的基底100的表面、以及挡板结构301、302表面的一部分上形成的保护层400；在保护层400上形成的第一涂层500被布置在闪烁体层200的周围表面与挡板结构301、302之间的空间中；在第一涂层500和保护层400上形成的第二涂层600；以及在第二涂层600上形成的反射层700。这样，挡板结构301、302包括第一挡板301以及在第一挡板301上形成的第二挡板302。
保护层400起到用来保护闪烁体层300与外部接触的作用，并且特别地起湿气阻挡层的作用，湿气阻挡层防止湿气穿透进入闪烁体层200中。
基底100包括包含安排在基底100表面上的多个光接收元件的光接收单元，以及包含布置在基底100表面边缘区域上的多个电极衬垫的电极单元。更具体地，光接收单元包括一维或二维地安排在Si基底或玻璃基底上的多个光接收元件用于进行光电转化。当通过闪烁体层200将闪烁体层200上的入射的辐射转化成光时，光接收元件检测出转化的光，以使这样的光转化成电信号。光接收元件的实例可以包括由无定形Si制成的光电二极管（PD）、薄膜晶体管（TFT）、CCD（电荷藕合器件）、CMOS（互补金属氧化物半导体）传感器、FOP（纤维光学板）等。
电极单元包括在光接收单元外面的基底100表面边缘区域上形成的多个电极衬垫，电极衬垫起到用来读取由光接收元件产生的电信号并将这种信号传送到图像分析仪等，并且使用导线或图2中未显示的类似物电连接到光接收元件上的作用。
在光接收单元上提供了闪烁体层200，其能够将入射的辐射转化成光接收元件可检测的波长的光并且以柱状结构的形式提供。
在本说明书中，光不限于可见光，而是包括电磁波例如UV光、IR光、预定辐射等的概念。优选地形成闪烁体层200以覆盖光接收元件以及它们周围区域的整个表面。
为了形成闪烁体层200，可以使用任何材料而没有具体限制只要它可以将辐射转化成特定波长的光，并且其具体实例可以包括CsI、Tl-掺杂的CsI、Na-掺杂的CsI、Tl-掺杂的NaI等。特别有用的是Tl-掺杂的CsI，它发射可见光并且具有良好的光发射效率。
闪烁体层200以多个柱状物的形式来提供。闪烁体层200的柱状物可以使用沉积过程不规则地生长，以使在闪烁体层200的表面上存在不规则性。闪烁体层200的厚度是约20~2000μm。
CsI，典型地用于形成闪烁体层200，是一种吸湿性材料，并且从空气中吸收水蒸气（湿气），以使层200可以溶于水蒸气中。当由于吸湿使闪烁体层200发生损害时，放射图像传感器的分辨率可能变差，并且因此需要一种结构来保护闪烁体避免湿气。因此，配置了根据本发明的闪烁体面板使得形成了保护层400从而使闪烁体层200具有气密性。
优选地形成保护层400用于覆盖闪烁体层200及其周围区域的整个表面。
为了形成保护层400，可以使用任何材料而没有具体限制，只要辐射（X射线）可以穿过其中并且其可以阻断水蒸气即可，优选地使用有机树脂，更优选地一种基于聚对二甲苯的树脂。聚对二甲苯是化学沉积的聚对二甲苯聚合物的一种商品名，可以包括聚对二甲苯N、聚对二甲苯C、聚对二甲苯D、聚对二甲苯AF-4等。使用聚对二甲苯的涂层薄膜防止几乎所有水蒸气和气体的穿透并且具有高防水性和耐化学性。调整这种涂层薄膜的特性使其适于保护层，以使它即使在薄膜的形式中具有电绝缘特性并且它允许辐射和可见光穿过其中。
可以使用化学气相沉积（CVD）来涂覆聚对二甲苯，化学气相沉积类似于金属的真空沉积，在真空下在载体上形成沉积。具体地说，可以在有机溶剂例如甲苯、苯等中将二对二甲苯单体（diparaxylene monomer）的热分解产物进行淬灭以得到称为二聚体的二对二甲苯，将二聚体热分解以产生稳定的游离的对二甲苯气体，将产生的气体吸附到基底上并且将它聚合以产生具有约5x105分子量的聚对二甲苯薄膜。
通过在基底100上形成闪烁体层200，并且在基底100上形成第一挡板301用来与闪烁体层200的周围边缘分隔开预定间隔来制造根据本发明第一实施方式的闪烁体面板。
在形成保护层400之前，形成了遮蔽层用来保护布置在成像设备表面上与闪烁体层200的周围边缘分开的电极单元，并且在具有遮蔽层的基底100表面上形成保护层400。
沿着在闪烁体层200外周边缘周围定位的第一挡板301切割保护层400，并且将其上形成的遮蔽层和保护层400移除。由此，保护层400仅存在达到第一挡板301表面的一部分。
在形成保护层的过程中，遮蔽层在防止电极单元上形成保护层400中起作用。遮蔽层的形状或材料没有限制，只要它不使电极单元的电学特性变差，并且可以防止保护层400直接沉积在电极单元上，并且当移除形成的保护层400后，只要它可以容易地从电极单元移除即可。
具体地，可以使用UV胶带、热固性树脂等，并且如在后面将说明的第四实施方式中可以使用一种夹具（jig）结构。特别有用的是UV胶带。这种UV胶带起作用用来保护基底100的表面，并且还允许当用UV光照射时附着力立即消失，并且因此当对基底100的表面几乎不施加应力时，可以将它剥离。这种胶带包含非常少量的杂质并且因此不污染基底并且可以有效地保护基底的表面。可商购的UV胶带可以包括可从Furukawa得到的SP系列。当将UV胶带用作遮蔽层时，将保护层400切除，并且用UV光照射遮蔽层使得失去UV附着力，并且将其上形成的遮蔽层和保护层剥离，由此容易地移除保护层而不损害基底表面也不损害电极单元。
通过切割保护层400，用UV光照射遮蔽层以引起UV胶带失去其粘着力，以及将其上形成的掩蔽层和保护层400剥离，切割保护层400以及移除其上形成的遮蔽层和保护层可以容易地实现而不损害基底表面也不损害电极单元。
而且，切割保护层400的过程不受任何具体限度的限制只要过程均匀并且容易地切割保护层400。具体地说，良好的实例是使用一种切割器或激光裁边（laser trimming）进行切割。特别有用的是激光裁边。与使用切割器时相比较，使用激光裁边的切割过程可能得到更精确的控制和更快的切割速率，以使能够以精确的位置和深度均匀地切割保护层400。
当以这种方式切割并且移除保护层400时，如图2中所示，在闪烁体层200及其周围区域的表面上，以及第一挡板301表面的一部分上形成保护层400。
在保护层400上形成第一涂层500以布置在闪烁体层200的周围表面与第一挡板301之间的空间中。
而且，在第一涂层500以及其上不形成第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600，此后在第一挡板301上形成第二挡板302。
在形成第二挡板302之后，在第二涂层600上形成反射层700。
第二挡板302覆盖移除保护层400的第一挡板301表面的一部分从而防止湿气穿透，并且还以在将形成的反射层700的周围具有预定高度的壁的形式来提供，因此限定了其中可以形成反射层700的空间。
对于用于形成挡板结构301、302的材料，可以使用任何树脂而没有具体限制只要它具有高粘着力并且可以形成刚性框架。其具体实例包括硅酮树脂、丙烯酸树脂、以及环氧树脂。特别有用的是UV可固化的树脂。例如，可以通过应用UV可固化的树脂然后使用UV光将它固化形成挡板结构301、302。
第一涂层500和第二涂层600补偿了闪烁体层200的倾斜周围表面，以使在第二涂层600上形成的反射层700的平面变得均匀。当以这种方式将反射层700的平面保持均匀时，可以降低闪烁体面板的次品率。
可以使用热固性树脂或UV可固化树脂形成第一涂层500和第二涂层600。
热固性树脂可以是选自以下中的任何一种：丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、以及氨酯树脂。
在丙烯酸树脂的情况下，例如可以制备和应用包括100重量份丙烯酸树脂、10-50重量份的固化剂、150重量份的溶剂和1重量份的添加剂的组合物，因此形成第一涂层500。
溶剂的实例可以包括低沸点溶剂以及高沸点溶剂。低沸点溶剂的实例可以包括甲乙酮和乙酸乙酯，它们可以单独地或结合地使用，并且高沸点溶剂的实例可以包括乙酸丁酯、苯、甲苯、二甲苯、丁基溶纤剂等，它们可以单独地或结合地使用。溶剂不限于上面列出的实例，并且可以使用而没有具体限制只要它可以均匀地溶解化合物并且可以给予化学稳定性并且不与化合物反应。
添加剂起作用用于抑制泡沫的产生并且当形成薄膜时给予优异的外部形态，并且可以包括例如硅酮系列、氟系列、丙烯醛基系列等。
而且，可以将UV可固化树脂与具有大量烯键式不饱和官能团的单体、当用UV光照射时产生一种自由基的一种自由基引发剂、一种溶剂以及一种添加剂混合，因此制备一种组合物，然后使用湿涂料来涂覆这种组合物，由此形成第一涂层500或第二涂层600。可以使用与上述热固性树脂中使用的那些相同的溶剂以及添加剂。
UV可固化树脂是具有两个或更多个烯键式不饱和官能团的具有重均分子量为2x103-2x104的一种低聚物，并且可以是选自下面各项中的任何一项：烯键式不饱和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯树脂、烯键式不饱和的聚酯丙烯酸酯树脂、以及烯键式不饱和环氧丙烯酸酯，它们每一种都具有烯键式不饱和的官能团。
在UV可固化树脂的情况下，可以制备包括100重量份上述低聚物、50份重量上述单体、5重量份自由基引发剂、150重量份溶剂、以及1重量份添加剂的组合物。
可以使用选自下面各项中的任何一项进行湿式涂覆过程：旋涂、凹版涂覆、喷涂、浸涂、流涂（flow coating）、丝网印刷、辊涂覆（roll coating）、棒涂（bar coating）、帘幕涂覆（curtain coating）、压模涂覆（die coating）、以及刀片涂覆（knife coating）。可以适当地选择湿式涂覆过程的类型，这取决于待涂覆的目标的类型。
可以使用辐射能够穿过其中并且可反射可见光的材料形成反射层700。反射层700可以包括针对可见光具有预定反射率的金属层，例如Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Ph、Pt以及Au，或电介质多层。
可以使用金属CVD、PVD(物理气相沉积)、溅射（sputtering）、离子束沉积或等离子体增强的CVD形成反射层700。
下面说明根据本发明第二实施方式的闪烁体面板。
第二实施方式
在本发明的第二实施方式中，将与第一实施方式重复的说明部分省略。
图3示出了根据本发明第二实施方式闪烁体面板的横截面。如图3中所示，配置根据本发明第二实施方式的闪烁体面板以使在基底100上形成闪烁体层200，在基底100上形成第一挡板311用来与闪烁体层200的周围边缘间隔开预定间隔，并且定位在第一挡板311周围的第二挡板312。这样，形成闪烁体层200、形成第二挡板312以及然后在第二挡板312内部形成第一挡板311的顺序是可能的。如图3中所示，第一挡板311和第二挡板312具有相同高度和宽度，这仅仅是说明性的，并且高度和宽度可以依赖于过程生产率和效率而改变。
在形成保护层400之前，形成遮蔽层用来保护与闪烁体层200周围边缘分开的成像设备表面上的电极单元，并且在具有遮蔽层的基底100表面上形成保护层400。
沿着在闪烁体200外周边缘周围定位的第一挡板311切割保护层400，并且将其上形成的遮蔽层和保护层400移除。由此，保护层400仅存在达到第一挡板311表面的一部分。
通过切割保护层400，用UV光照射遮蔽层以引起UV胶带失去其粘着力，以及将其上形成的掩蔽层和保护层400剥离，切割保护层400以及移除其上形成的遮蔽层和保护层400可以容易地实现而不损害基底表面也不损害电极单元。
切割保护层400的过程不受任何具体限度的限制只要过程均匀地并且容易地切割保护层400即可，并且具体地，可以使用典型的切割器、激光裁边等进行切割。特别有用的是激光裁边。与使用典型的切割器时相比较，使用激光裁边进行切割可得到更精确的切割和更快的切割速率，以使能够以精确的位置和深度均匀地切割保护层400。
当以这种方式切割并且移除保护层400时，在闪烁体层200及其周围区域的表面上，以及第一挡板311表面的一部分上形成保护层400，如图3中所示。
而且，在保护层400上形成第一涂层500用于布置在闪烁体层200的周围表面与第一挡板311之间的空间中。
此外，在第一挡板311以及第二挡板312上形成第三挡板313，在第一涂层500和其上没有第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600，并且在第二涂层600上形成反射层700。
第三挡板313覆盖移除保护层400的第一挡板311表面的一部分从而防止湿气穿透，并且还以在将形成的反射层700周围具有预定高度的壁的形式来提供，因此限定了其中可以形成反射层700的空间。
第一涂层500和第二涂层600补偿了闪烁体层200的倾斜周围表面，以使在第二涂层600上形成的反射层700的平面变得均匀。当以这种方式将反射层700的平面保持均匀时，可以降低闪烁体面板的次品率。
下面说明根据本发明第三实施方式的闪烁体面板。
第三实施方式
在本发明的第三实施方式中，将与第一实施方式重叠的说明部分省略。
图4示出了根据本发明第三实施方式闪烁体面板的横截面。如图4中所示，配置根据本发明第三实施方式的闪烁体面板以使在基底100上形成闪烁体层200，在基底100上形成第一挡板321用来与闪烁体层200的周围边缘间隔开预定间隔，在第一挡板321周围形成第二挡板322，以及在第二挡板322周围形成第三挡板323。这样，形成第一挡板321，第二挡板322并且然后第三挡板323的顺序不必要限于上述说明，并且形成第一挡板321至第三挡板323的顺序可以改变。
如图4中所示，第一挡板321，第二挡板322以及第三挡板323具有相同高度和宽度，这仅仅是说明性的，并且高度和宽度可以根据过程生产率和效率而改变。
在形成保护层400之前，形成遮蔽层用来保护与闪烁体层200周围边缘分开的成像设备表面上的电极单元，并且在具有遮蔽层的基底100表面上形成保护层400。
沿着在闪烁体层200外周边缘周围定位的第二挡板322切割保护层400，并且将其上形成的遮蔽层和保护层400移除。由此，保护层400仅存在达到第二挡板322表面的一部分。
通过切割保护层400，用UV光照射遮蔽层以引起UV胶带失去其粘着力，以及将其上形成的掩蔽层和保护层400剥离，切割保护层400以及移除其上形成的遮蔽层和保护层可以容易地实现而不损害基底表面也不损害电极单元。
当以这种方式切割并且移除保护层400时，在闪烁体层200及其周围区域的表面上，以及第二挡板322表面的一部分上形成保护层400，如图4中所示。
而且，在保护层400上形成第一涂层500用于布置在闪烁体层200的周围表面与第一挡板321之间的空间中。
此外，在第一涂层500以及其上不形成第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600，并且在第一挡板321、第二挡板322以及第三挡板323上形成第四挡板324。
而且，在第二涂层600上形成反射层700。
第四挡板324覆盖移除保护层400的第二挡板322表面的一部分从而防止湿气穿透，并且还以在将形成的反射层700周围具有预定高度的壁的形式来提供，因此限定了其中可以形成反射层700的空间。
第一涂层500和第二涂层600补偿了闪烁体层200的倾斜周围表面，以使在第二涂层600上形成的反射层700的平面变得均匀。当以这种方式将反射层700的平面保持均匀时，可以降低闪烁体面板的次品率。
下面说明根据本发明第四实施方式的闪烁体面板。
第四实施方式
在本发明的第四实施方式中，将与第一实施方式重叠的说明部分省略。
图5示出了根据本发明第四实施方式的闪烁体面板的横截面。如图5中所示，配置根据本发明第四实施方式的闪烁体面板以使在基底100上形成闪烁体层200，在基底100上形成第一挡板331用来与闪烁体层200的周围边缘间隔开预定间隔，以及在第一挡板331周围形成第二挡板332。
这样，低于闪烁体层200的最大高度形成第一挡板331，并且高于闪烁体层200的最大高度形成第二挡板332。
此外，其中形成第一挡板331和第二挡板332的顺序不必限于上述说明，并且首先形成第二挡板332然后形成第一挡板331的顺序是可能的。
在形成保护层400之前，形成遮蔽层用来保护与闪烁体层200周围边缘分开的成像设备表面上的电极单元，并且在具有遮蔽层的基底100表面上形成保护层400。
沿着在闪烁体200外周边缘周围定位的第一挡板331切割保护层400，并且将其上形成的遮蔽层和保护层400移除。因此，保护层400仅存在达到第一挡板331表面的一部分。
通过切割保护层400，用UV光照射遮蔽层以引起UV胶带失去其粘着力，以及将其上形成的掩蔽层和保护层400剥离，切割保护层400以及移除其上形成的遮蔽层和保护层可以容易地实现而不损害基底表面也不损害电极单元。
当以这种方式切割并且移除保护层400时，在闪烁体层200及其周围区域的表面上，以及第一挡板331表面的一部分上形成保护层400，如图5中所示。
而且，在保护层400上形成第一涂层500用于布置在闪烁体层200的周围表面与第二挡板332之间的空间中。因此，第一涂层500覆盖第一挡板331的表面。
而且，在第一挡板331和第二挡板332上形成第三挡板333。
而且，在第一涂层500以及其上不形成第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600，并且在第二涂层600上形成反射层700。
可替代地，形成第二涂层600、第三挡板333然后反射层700的顺序是可能的。
第一涂层500覆盖移除保护层400的第一挡板331表面的一部分从而防止湿气穿透。
第三挡板333覆盖第一涂层500以及第二挡板332从而防止湿气穿透，并且还以在将形成的反射层700周围具有预定高度的壁的形式来提供，因此限定了其中可以形成反射层700的空间。
第一涂层500和第二涂层600补偿了闪烁体层200的倾斜周围表面，由此在第二涂层600上形成的反射层700的平面变得均匀。当以这种方式将反射层700的平面保持均匀时，可以降低闪烁体面板的次品率。
下面说明根据本发明第五实施方式的闪烁体面板。
第五实施方式
在本发明的第五实施方式中，将与第一实施方式重叠的说明部分省略。
图6示出了根据本发明第五实施方式闪烁体面板的横截面。如图6中所示，配置根据本发明第五实施方式的闪烁体面板以使在基底100上形成闪烁体层200，在基底100上形成第一挡板341用来与闪烁体层200的周围边缘间隔开预定间隔，并且第二挡板342与第一挡板341外表面间隔开预定间隔。这种预定间隔可以改变。
在形成保护层400之前，形成遮蔽层用来保护与闪烁体层200周围边缘分开的成像设备表面上的电极单元，并且在具有遮蔽层的基底100表面上形成保护层400。
沿着在闪烁体200外周边缘周围定位的第二挡板342切割保护层400，并且将其上形成的遮蔽层和保护层400移除。由此，保护层400仅存在达到第一挡板341的表面以及第一挡板341与第二挡板342之间的基底表面以及第二挡板342表面的一部分。
通过切割保护层400，用UV光照射遮蔽层以引起UV胶带失去其粘着力，以及将其上形成的掩蔽层和保护层400剥离，切割保护层400以及移除其上形成的遮蔽层和保护层可以容易地实现而不损害基底表面也不损害电极单元。
当以这种方式切割并且移除保护层400时，在闪烁体层200及其周围区域的表面上，第一挡板341的表面、第一挡板341与第二挡板342之间的基底表面以及第二挡板342表面的一部分上形成保护层400，如图6中所示。
在闪烁体层200的周围表面与第一挡板341之间的空间中以及在第一挡板341与第二挡板342之间的空间中形成第一涂层500。
而且，在第一挡板341和第二挡板342上形成第三挡板343。
在第一涂层500以及其上不形成第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600，并且在第二涂层600上形成反射层700。
第三挡板343覆盖移除保护层400的第二挡板342表面的一部分并且使第一挡板341和第二挡板342气密从而防止湿气穿透进入闪烁体层200中，并且还以在将形成的反射层700周围具有预定高度的壁的形式来提供，因此限定了其中可以形成反射层700的空间。
在第一挡板341和第二挡板342之间形成的第一涂层500覆盖了保护层400以防止湿气穿透。
此外，第一涂层500和第二涂层600补偿了闪烁体层200的倾斜周围表面，由此在第二涂层600上形成的反射层700的平面变得均匀。当以这种方式将反射层700的平面保持均匀时，可以降低闪烁体面板的次品率。
可以将第一至第五实施方式应用到直接沉积过程中。下面说明可以用于间接沉积过程的根据本发明第六实施方式的闪烁体面板。
第六实施方式
在本发明的第六实施方式中，将与第一实施方式重叠的说明部分省略。
图7示出了根据本发明第六实施方式闪烁体面板的横截面。如图7中所示，配置根据本发明第六实施方式的闪烁体面板以使在基底100上形成闪烁体层200并且在基底的整个表面上形成保护层400。
而且，在基底100上形成挡板351以与闪烁体层200的周围边缘分隔开预定间隔。
在闪烁体层200的周围表面与挡板351之间的空间中形成第一涂层500。
此外，在第一涂层500和其上未形成第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600。
第一涂层500补偿了闪烁体层200倾斜的周围表面，由此使第二涂层600的平面变得均匀，因此增强了与成像设备的粘附力。
基底100可以包括一种聚合物薄膜，例如铝板、金属板、玻璃、石英基底、碳基底(石墨)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)共聚物等。
下面说明根据本发明第七实施方式的闪烁体面板。
第七实施方式
在本发明的第七实施方式中，将与第一实施方式重叠的说明部分省略。
图8示出了根据本发明第七实施方式闪烁体面板的横截面。配置根据本发明第七实施方式的闪烁体面板以使在基底100上形成闪烁体层200，并且在基底的整个表面上形成保护层400。
而且，在基底100上形成第一挡板361用来与闪烁体层200的周围边缘分隔开预定间隔，并且在第一挡板361周围形成第二挡板362。这样，可以高于第一挡板361形成第二挡板362。
此外，在闪烁体层200的周围表面与第一挡板361之间的空间中形成第一涂层500。
在第一涂层500和其上未形成第一涂层500的保护层400上形成第二涂层600。
第一涂层500补偿了闪烁体层200倾斜的周围表面，由此使第二涂层600的平面变得均匀，因此增强了与成像设备的粘附力。
基底100可以包括一种聚合物薄膜，例如铝板、金属板、玻璃、石英基底、碳基底(石墨)、PC、PMMA、PI、PES、PEN、ABS共聚物等。
如此前说明的，本发明提供了一种闪烁体面板以及它的一种制造方法。本发明可以用于放射图像传感器中。
在根据本发明的闪烁体面板及其制造方法中，可以有效地防止湿气穿透因此增强了闪烁体面板的耐久性，并且还有可以将闪烁体面板的平面保持恒定，因此将随后过程中的缺陷降至最低。由此，使用根据本发明的放射性图像传感器可以防止在延伸使用之后X射线检测器产生变差的图像。
本发明的作用不限于上述内容，并且本领域普通技术人员从上面说明中应当能够清楚并且理解未提及的其他作用。
虽然为了说明的目的已经披露了本发明优选的实施方式，本领域普通技术人员应当理解的是不同修改、添加以及取代是可能的，而不偏离如随附权利要求中披露的本发明的范围和精神。

Claims (22)

1.一种闪烁体面板，包括：
基底；
闪烁体层，形成在所述基底上并且包括多个柱状晶体，以使辐射转化成预定波长的光；
挡板结构，形成在所述基底上，以与所述闪烁体层的周围边缘分隔开预定间隔；
保护层，形成在所述闪烁体层的表面、在所述闪烁体层和所述挡板结构之间限定的所述基底的表面、以及所述挡板结构表面的一部分上；
第一涂层，形成在所述保护层上，以使位于所述闪烁体层的周围表面与所述挡板结构之间的空间中；以及
第二涂层，形成在所述第一涂层和所述保护层上。
2.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述挡板结构包括在所述闪烁体层的所述外周边缘周围的所述基底上形成的第一挡板以及在所述第一挡板上形成的第二挡板。
3.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述挡板结构包括在所述闪烁体层的所述外周边缘周围的所述基底上形成的第一挡板，在所述第一挡板周围形成的第二挡板、以及在所述第一挡板和所述第二挡板上形成的第三挡板。
4.根据权利要求3所述的闪烁体面板，其中低于所述闪烁体层的最大高度形成所述第一挡板，并且高于所述闪烁体层的最大高度形成所述第二挡板。
5.根据权利要求4所述的闪烁体面板，其中在所述第一挡板表面的一部分上形成所述保护层，并且在所述闪烁体层的所述周围表面与所述第二挡板之间的空间内形成所述第一涂层。
6.根据权利要求3所述的闪烁体面板，其中所述第二挡板与所述第一挡板的外表面分隔开预定的间隔。
7.根据权利要求6所述的闪烁体面板，其中在所述第一挡板与所述第二挡板之间形成所述第一涂层。
8.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述挡板结构包括在所述闪烁体层的所述外周边缘周围的所述基底上形成的第一挡板、在所述第一挡板周围形成的第二挡板、在所述第二挡板周围形成的第三挡板、以及在所述第一挡板、所述第二挡板以及所述第三挡板上形成的第四挡板。
9.根据权利要求8所述的闪烁体面板，其中低于所述闪烁体层的最大高度形成所述第一挡板，并且高于所述闪烁体层的最大高度形成所述第二挡板。
10.根据权利要求9所述的闪烁体面板，其中在所述第一挡板的表面的一部分上形成所述保护层，并且在所述闪烁体层的所述周围表面与所述第二挡板之间的空间内形成所述第一涂层。
11.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中在所述第二涂层上形成反射层，并且所述反射层包括用于反射预定波长的光的颗粒，所述颗粒包括选自下面各项中的至少一项：TiO2、LiF、MgF2、SiO2、Al2O3、MgO、SiN、CaF2、NaCl、KBr、KCl、AgCl、SiNO3、Au、SiO、AlO、B4C、和BNO3。
12.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述保护层包括聚对二甲苯。
13.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述第一涂层包括UV可固化树脂。
14.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述第一涂层包括热固性树脂。
15.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其中所述第二涂层包括热固性树脂。
16.一种闪烁体面板，包括：
基底；
闪烁体层，形成于所述基底上并且包括多个柱状晶体，以使辐射转化成预定波长的光；
保护层，形成在所述闪烁体层和所述基底的整个表面上；
挡板结构，形成在所述闪烁体层周围边缘附近的所述保护层上；
第一涂层，形成在所述保护层上，以使位于所述闪烁体层周围表面与所述挡板结构之间的空间中；以及
第二涂层，形成在所述第一涂层和所述保护层上。
17.根据权利要求16所述的闪烁体面板，其中所述挡板结构包括在所述闪烁体层的所述外周边缘周围的所述基底上形成的第一挡板以及在所述第一挡板上形成的第二挡板。
18.根据权利要求17所述的闪烁体面板，其中高于所述第一挡板形成所述第二挡板。
19.根据权利要求16所述的闪烁体面板，其中所述保护层包括聚对二甲苯。
20.根据权利要求16所述的闪烁体面板，其中所述第一涂层包括UV可固化树脂。
21.根据权利要求16所述的闪烁体面板，其中所述第一涂层包括热固性树脂。
22.根据权利要求16所述的闪烁体面板，其中所述第二涂层包括热固性树脂。
CN2012101435957A 2011-05-09 2012-05-08 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法 Pending CN102779565A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110043433A KR101266554B1 (ko) 2011-05-09 2011-05-09 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법
KR10-2011-0043433 2011-05-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102779565A true CN102779565A (zh) 2012-11-14

Family

ID=47124445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101435957A Pending CN102779565A (zh) 2011-05-09 2012-05-08 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120288688A1 (zh)
KR (1) KR101266554B1 (zh)
CN (1) CN102779565A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103885079A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 佳能株式会社 闪烁体、放射线检测装置和放射线检测***
CN105723244A (zh) * 2013-11-15 2016-06-29 浜松光子学株式会社 放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法
CN106905813A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 北京奥托米特电子有限公司 一种派瑞林保护涂层及其制备方法和应用
CN107110984A (zh) * 2015-01-09 2017-08-29 东芝电子管器件株式会社 放射线检测器及其制造方法
US10067242B2 (en) 2015-08-06 2018-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator, method of manufacturing the same, radiation imaging apparatus, and radiation imaging system
CN109073765A (zh) * 2016-03-30 2018-12-21 浜松光子学株式会社 放射器检测器及闪烁器面板
CN115926785A (zh) * 2022-08-12 2023-04-07 成都信息工程大学 闪烁体层材料、柔性闪烁体面板及其制备方法、应用
WO2023206316A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 探测基板、其制作方法及平板探测器

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2927656B1 (en) * 2012-11-30 2019-01-16 Fuji Electric Co., Ltd. Pressure sensor device and pressure sensor device manufacturing method
JP6100045B2 (ja) * 2013-03-19 2017-03-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
JP5936584B2 (ja) * 2013-08-29 2016-06-22 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び製造方法
JP2016038279A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器
CN114937674A (zh) 2014-11-20 2022-08-23 皇家飞利浦有限公司 辐射探测器芯组件
JP6519195B2 (ja) * 2015-01-23 2019-05-29 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
JP6549950B2 (ja) * 2015-09-15 2019-07-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル、及び、放射線検出器
WO2017171387A1 (ko) * 2016-03-31 2017-10-05 주식회사 아비즈알 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법
KR102432252B1 (ko) * 2017-06-13 2022-08-16 삼성전자주식회사 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법
JP6898193B2 (ja) * 2017-09-27 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP7080630B2 (ja) * 2017-12-21 2022-06-06 キヤノン株式会社 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器
JP6535769B2 (ja) * 2018-01-26 2019-06-26 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法
JP7240998B2 (ja) 2018-11-13 2023-03-16 キヤノン電子管デバイス株式会社 放射線検出モジュール、放射線検出器、及び放射線検出モジュールの製造方法
WO2020100809A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 キヤノン電子管デバイス株式会社 放射線検出モジュール、放射線検出器、及び放射線検出モジュールの製造方法
JP2019164163A (ja) * 2019-06-03 2019-09-26 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP2021103122A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
JP7345385B2 (ja) * 2019-12-25 2023-09-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
JP2020177033A (ja) * 2020-08-06 2020-10-29 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220732A (zh) * 1997-02-14 1999-06-23 浜松光子学株式会社 放射线检测元件及其制造方法
CN1287619A (zh) * 1998-06-18 2001-03-14 浜松光子学株式会社 闪烁器面板及放射线图象传感器
CN1394286A (zh) * 2000-01-13 2003-01-29 浜松光子学株式会社 放射线图像传感器及闪烁器板
US20060033031A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, producing method therefor and radiation image pickup system
JP2010014581A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルの製造方法
KR20110113482A (ko) * 2010-04-09 2011-10-17 (주)비엠알테크놀러지 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220732A (zh) * 1997-02-14 1999-06-23 浜松光子学株式会社 放射线检测元件及其制造方法
CN1287619A (zh) * 1998-06-18 2001-03-14 浜松光子学株式会社 闪烁器面板及放射线图象传感器
CN1394286A (zh) * 2000-01-13 2003-01-29 浜松光子学株式会社 放射线图像传感器及闪烁器板
US20060033031A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, producing method therefor and radiation image pickup system
JP2010014581A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルの製造方法
KR20110113482A (ko) * 2010-04-09 2011-10-17 (주)비엠알테크놀러지 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103885079A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 佳能株式会社 闪烁体、放射线检测装置和放射线检测***
CN110361771A (zh) * 2013-11-15 2019-10-22 浜松光子学株式会社 放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法
CN105723244A (zh) * 2013-11-15 2016-06-29 浜松光子学株式会社 放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法
US11506799B2 (en) 2013-11-15 2022-11-22 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
US10061035B2 (en) 2013-11-15 2018-08-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
US10571581B2 (en) 2013-11-15 2020-02-25 Hamamastsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
US10514470B2 (en) 2013-11-15 2019-12-24 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector, and method for producing radiation detector
CN105723244B (zh) * 2013-11-15 2019-08-20 浜松光子学株式会社 放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法
CN107110984A (zh) * 2015-01-09 2017-08-29 东芝电子管器件株式会社 放射线检测器及其制造方法
US10067242B2 (en) 2015-08-06 2018-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator, method of manufacturing the same, radiation imaging apparatus, and radiation imaging system
CN106905813A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 北京奥托米特电子有限公司 一种派瑞林保护涂层及其制备方法和应用
CN109073765A (zh) * 2016-03-30 2018-12-21 浜松光子学株式会社 放射器检测器及闪烁器面板
WO2023206316A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 探测基板、其制作方法及平板探测器
CN115926785A (zh) * 2022-08-12 2023-04-07 成都信息工程大学 闪烁体层材料、柔性闪烁体面板及其制备方法、应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120125785A (ko) 2012-11-19
KR101266554B1 (ko) 2013-05-27
US20120288688A1 (en) 2012-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102779565A (zh) 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法
EP1258738B1 (en) Radiation image sensor and scintillator panel
US8049177B2 (en) Radiation image detection apparatus and manufacturing method of the same
EP1382723B1 (en) Method of organic film deposition
CN1160581C (zh) 光学元件及用它的射线检测器
JP6211557B2 (ja) 透明導電性フィルム及びその製造方法
US9562980B2 (en) Scintillator panel and radiation detector
Piuz CsI-photocathode and RICH detector
US20100314547A1 (en) Scintillator plate, scintillator panel and flat panel radiation detector by use thereof
JP2004271333A (ja) シンチレータパネル、イメージセンサ及びエネルギー弁別器
JP6412209B2 (ja) 透明導電性フィルム及びその製造方法
US7361901B1 (en) Scintillator detector fabrication
JP2006038870A (ja) シンチレータパネル
Kargar et al. Design of capacitive Frisch grid TlBr detectors for radionuclide identification
KR101216587B1 (ko) 신틸레이터 패널 및 상기 패널을 포함하는 방사선 이미지 센서
JP2006052978A5 (zh)
JP7054651B2 (ja) 下地層付きフィルム、透明導電性フィルム、透明導電性フィルム積層体および画像表示装置
WO2020204747A1 (ru) Детектор рентгеневского излучения с составным сцинтиллятором
JP2012141188A (ja) シンチレータパネル及びその製造方法
CN115298022A (zh) 透明导电性薄膜
JP4317068B2 (ja) シンチレータパネル

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ABETZ-R LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ABETZ-RAY CORP.

Effective date: 20121228

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Abetz - ray Corp.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: BMR TECHNOLOGY Corp.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: BMR TECHNOLOGY CORPORATION TO: ABETZ-RAY CORP.

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121228

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Abetz -R Corp.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Abetz - ray Corp.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121114