JP7345385B2 - 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に関する。

特許文献１、２及び３は、放射線検出器を開示する。これらの文献に開示された放射線検出器は、放射線を光に変換するシンチレータ層と、当該光を検出する光検出パネルと、を有する。光検出器パネルは、複数の受光素子が配置された受光部と、受光部の周囲に設けられて受光部と電気的に接続された複数のボンディングパッドと、を有する。受光部とボンディングパッドとの間には、受光部を囲む樹脂枠が形成されている。シンチレータ層は、耐湿性を有する保護膜に覆われている。

特開２０１５－９６８２３号公報 特開２０１６－２０５９１６号公報 米国特許公報２０１２／０２８８６８８号

特許文献１、２に開示された放射線検出器を製造する方法では、光検出パネル上にシンチレータ層を形成したのちに、樹脂枠を形成する。次に、保護膜を形成する。保護膜は、シンチレータ層の上と及びボンディングパッドの上とに形成されるが、保護膜は、シンチレータ層を覆えばよい。そこで、ボンディングパッドを覆う保護膜の一部を取り除く。具体的には、保護膜を切断するために、樹脂枠上において保護膜をレーザ光の照射により切断する。つまり、保護膜及び樹脂枠は、レーザ光の照射を受ける被照射体である。

レーザ光の照射態様は、予め設定した内容と実際の動作とでは、わずかな相違が生じることがある。そうすると、保護膜は切断するが樹脂枠は切断しない設定とした場合でも、実際の動作にあっては、意図しない樹脂枠の切断が生じることがあり得る。

そこで、本発明は、意図しない被照射物の切断の発生を抑制する放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一形態である放射線検出器は、一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子を含む受光部、及び光電変換素子と電気的に接続され且つ受光部の外側に配置された複数のボンディングパッドを有する光検出パネルと、受光部を覆うように光検出パネル上に積層され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、シンチレータ層の積層方向から見た場合に、シンチレータ層及びボンディングパッドから離間してシンチレータ層とボンディングパッドとの間を通り且つシンチレータ層を包囲するように、光検出パネル上に形成されたパネル保護部と、シンチレータ層を覆い、パネル保護部上に位置する外縁を有するシンチレータ保護膜と、を備え、パネル保護部には、シンチレータ保護膜の外縁と連続する溝が形成され、溝は、レーザ光のエネルギを、シンチレータ保護膜を切断可能な閾値エネルギより小さい値から閾値エネルギよりも大きい値に増加させながら、パネル保護部に沿って走査することによって形成された前照射部と、レーザ光のエネルギを、閾値エネルギよりも大きい値に維持しながら、パネル保護部に沿って走査することによって形成された本照射部と、レーザ光のエネルギを、閾値エネルギより大きい値から閾値エネルギよりも小さい値に減少させながら、パネル保護部に沿って走査することにより形成された後照射部と、を含む。

上記の放射線検出器のパネル保護部の溝は、シンチレータ保護膜の外縁と連続しているので、レーザ光の照射によるシンチレータ保護膜の外縁の形成に伴って形成される。そして、パネル保護部に溝が形成されているということは、パネル保護部上に形成されたシンチレータ保護膜は確実に切断されていることを意味する。そして、前照射部では閾値エネルギよりも小さいエネルギから照射が開始される。このような照射態様によれば、パネル保護部の切断に要するエネルギに対して、余裕を持たせてレーザ光の照射を開始することができる。したがって、レーザ光の照射開始において、意図しない要因によって設定値よりも大きいエネルギが供給されたとしても、確保された余裕によってパネル保護部の切断を抑制することができる。同様に、後照射部では閾値エネルギよりも小さいエネルギまで減少された後に照射が停止される。このような照射態様によれば、パネル保護部の切断に要するエネルギに対して、余裕を持たせてレーザ光の照射を停止することができる。したがって、レーザ光の照射停止において、意図しない要因によって設定値よりも大きいエネルギが供給されたとしても、確保された余裕によってパネル保護部の切断を抑制することができる。したがって、意図しない被照射物であるパネル保護部の切断の発生を抑制することができる。

上記の放射線検出器は、シンチレータ保護膜の外縁を覆う被覆樹脂をさらに備えてもよい。この構成によれば、シンチレータ保護膜の剥がれの発生を抑制することができる。

上記の放射線検出器において、被覆樹脂は、パネル保護部をさらに覆い、被覆樹脂は、被覆樹脂とパネル保護部との接触面の縁部がパネル保護部上に形成されるように、パネル保護部に留まることが可能な材料特性を有してもよい。この構成によれば、被覆樹脂は、パネル保護部の外側に位置する光検出パネルの表面とボンディングパッドに到達しない。したがって、光検出パネルの表面とボンディングパッドを清浄に保つことができる。

上記の放射線検出器において、パネル保護部の中央部は、パネル保護部の両縁部よりも高くてもよい。この構成によれば、被覆樹脂は、シンチレータ保護膜の外縁を確実に覆うことができる。

上記の放射線検出器において、パネル保護部の幅は、７００マイクロメートル以上であり、且つ、１０００マイクロメートル以下であってもよい。この構成によれば、放射線検出器を小型化することができる。

上記の放射線検出器において、パネル保護部の高さは、１００マイクロメートル以上であり、且つ、３００マイクロメートル以下であってもよい。この構成によれば、放射線検出器を小型化することができる。

本発明の別形態である放射線検出器の製造方法は、一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子を含む受光部、及び光電変換素子と電気的に接続され且つ受光部の外側に配置された複数のボンディングパッドを有する光検出パネルを準備し、放射線を光に変換するシンチレータ層を、受光部を覆うように光検出パネル上に積層する工程と、シンチレータ層の積層方向から見た場合に、シンチレータ層を包囲するように、光検出パネル上にパネル保護部を配置する工程と、光検出パネルのシンチレータ層が積層される側の表面全体及びパネル保護部の表面を覆うように、シンチレータ保護膜を形成する工程と、パネル保護部に沿ってレーザ光を照射することにより、シンチレータ保護膜を切断する工程と、シンチレータ保護膜の外側の部分を除去する工程と、を有し、シンチレータ保護膜を切断する工程では、レーザ光のエネルギを、シンチレータ保護膜を切断可能な閾値エネルギより小さい値から閾値エネルギよりも大きい値に増加させながら、パネル保護部に沿って走査する前照射工程と、レーザ光のエネルギを、閾値エネルギよりも大きい値に維持しながら、パネル保護部に沿って走査する本照射工程と、レーザ光のエネルギを、閾値エネルギより大きい値から閾値エネルギよりも小さい値に減少させながら、パネル保護部に沿って走査する後照射工程と、を含む。

放射線検出器の製造方法では、シンチレータ保護膜を切断する工程において、シンチレータ保護膜の外縁が形成されると共に、パネル保護部の溝が形成される。そして、パネル保護部に溝が形成されているということは、パネル保護部上に形成されたシンチレータ保護膜は確実に切断されていることを意味する。そして、当該溝は、エネルギを増加させながら形成する前照射工程と、エネルギを減少させながら形成する後照射工程とにより形成される。これらの工程によれば、溝の深さが深くなりすぎることがない。従って、意図しない被照射物であるパネル保護部の切断の発生を抑制することができる。

別形態である放射線検出器の製造方法において、パネル保護部は、樹脂枠を含み、パネル保護部を配置する工程では、シンチレータ層及びボンディングパッドから離間してシンチレータ層とボンディングパッドとの間を通り且つシンチレータ層を包囲するように、光検出パネル上に樹脂枠を配置してもよい。この工程によれば、樹脂枠を有する放射線検出器を製造することができる。

別形態である放射線検出器の製造方法において、パネル保護部は、マスキング部材をさらに含み、パネル保護部を配置する工程では、ボンディングパッドを覆うように、光検出パネル上にマスキング部材をさらに配置してもよい。この工程によれば、ボンディングパッドを好適に保護することができる。

別形態である放射線検出器の製造方法において、パネル保護部は、マスキング部材を含み、パネル保護部を配置する工程では、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域、及びボンディングパッドを覆うように、光検出パネル上にマスキング部材を配置し、シンチレータ保護膜を形成する工程では、光検出パネルのシンチレータ層が積層される側の表面全体及びマスキング部材の表面にシンチレータ保護膜を形成してもよい。この工程によれば、樹脂枠を備えない放射線検出器を製造することができる。つまり、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の距離を縮めることが可能になるので、放射線検出器をさらに小型化することができる。

別形態である放射線検出器の製造方法において、シンチレータ保護膜を切断する工程の後に、マスキング部材を除去する工程をさらに含んでもよい。この工程によれば、樹脂枠を備えない放射線検出器を好適に製造することができる。

別形態である放射線検出器の製造方法において、シンチレータ保護膜の外側の部分を除去する工程の後に、シンチレータ保護膜の外縁を覆う被覆樹脂を形成する工程をさらに有してもよい。この工程によれば、シンチレータ保護膜の外縁の剥がれの発生をさらに抑制することができる。

本発明によれば、意図しない被照射物の切断の発生を抑制する放射線検出器及び放射線検出器の製造方法が提供される。

図１は、第１実施形態の放射線検出器の平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、図１の放射線検出器の角部付近を拡大して示す平面図である。 図４（ａ）は、シンチレータ層を形成する前の状態を示す断面図である。図４（ｂ）は、シンチレータ層を形成した後の状態を示す断面図である。 図５（ａ）は、樹脂枠を形成した後の状態を示す断面図である。図５（ｂ）は、第１の有機膜を形成した後の状態を示す断面図である。 図６（ａ）は、無機膜を形成した後の状態を示す断面図である。図６（ｂ）は、第２の有機膜を形成した後の状態を示す断面図である。 図７は、レーザ光による加工処理を示す断面図である。 図８は、被照射体が受けるエネルギの時間履歴を模式的に示すグラフである。 図９（ａ）は、前照射部を示す断面図である。図９（ｂ）は前照射部及び本照射部を示す断面図である。図９（ｃ）は前照射部、本照射部及び後照射部を示す断面図である。 図１０（ａ）は、後照射部を形成する工程を説明するための断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に続く後照射部を形成する工程を説明するための断面図である。 図１１（ａ）は、レーザ光ヘッドの速度の時間履歴の一例を示すグラフである。図１１（ｂ）は、レーザ光ヘッドから出射されるレーザ光のエネルギの時間履歴の一例を示すグラフである。図１１（ｃ）は、レーザ光ヘッドから出射されるレーザ光の焦点位置の時間履歴の一例を示すグラフである。 図１２（ａ）は、レーザ光ヘッドの速度の時間履歴の一例を示すグラフである。図１２（ｂ）は、レーザ光ヘッドと保護膜及び樹脂枠との位置関係を模式的に示す図である。 図１３（ａ）は、保護膜の一部を除去した状態を示す断面図である。図１３（ｂ）は、被覆樹脂を形成した後の状態を示す断面図である。 図１４（ａ）は、被照射体が受けるエネルギの時間履歴を模式的に示すグラフである。図１４（ｂ）は、レーザ光ヘッドの速度の時間履歴を模式的に示すグラフである。 図１５は、第２実施形態の放射線検出器の平面図である。 図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿った断面図である。 図１７は、図１５の放射線検出器の第１の斜視図である。 図１８は、図１５の放射線検出器の第２の斜視図である。 図１９（ａ）は、シンチレータ層を形成する前の状態を示す断面図である。図１９（ｂ）は、シンチレータ層を形成した後の状態を示す断面図である。 図２０（ａ）は、マスキング部材を配置した後の状態を示す断面図である。図２０（ｂ）は、第１の有機膜を形成した後の状態を示す断面図である。 図２１（ａ）は、無機膜を形成した後の状態を示す断面図である。図２１（ｂ）は、第２の有機膜を形成した後の状態を示す断面図である。 図２２（ａ）は、レーザ光による加工処理を示す断面図である。図２２（ｂ）は、マスキング部材を除去する処理を示す断面図である。 図２３は、マスキング部材を除去した後の状態を示す断面図である。 図２４は、第２実施形態の変形例である放射線検出器を示す断面図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明を実施するための形態を詳細に説明する。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１及び図２を参照して本実施形態に係る放射線検出器１の構成について説明する。図１及び図２に示すように、放射線検出器１は、光電変換素子アレイ７（光検出パネル）、シンチレータ層８、樹脂枠９、保護膜１３（シンチレータ保護膜）、及び被覆樹脂１４（被覆樹脂）を備える。光電変換素子アレイ７は、基板２、受光部３、信号線４、ボンディングパッド５、及びパッシベーション膜６を有している。保護膜１３は、第１の有機膜１０、無機膜１１（金属膜）、及び第２の有機膜１２を有している。

受光部３は、絶縁性の基板２（例えばガラス製基板）の中央部の矩形状領域に２次元に配列された複数の光電変換素子３ａを含む。光電変換素子３ａは、アモルファスシリコン製のフォトダイオード（ＰＤ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等により構成されている。受光部３における各行又は各列の光電変換素子３ａの各々は、信号読み出し用の信号線４により、外部回路（不図示）へ信号を取り出すためのボンディングパッド５と電気的に接続されている。

ボンディングパッド５は、基板２の外縁のうち隣接する２辺（図１における上辺、右辺）に沿って所定間隔毎に複数配置されている。ボンディングパッド５は、信号線４を介して対応する複数の光電変換素子３ａに電気的に接続されている。光電変換素子３ａ及び信号線４上には、絶縁性のパッシベーション膜６が形成されている。パッシベーション膜６には、例えば窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。ボンディングパッド５は、外部回路との接続のために露出されている。

Ｘ線（放射線）を光に変換する柱状構造のシンチレータ８ａは、受光部３を覆うように光電変換素子アレイ７上に積層されている。シンチレータ層８は、光電変換素子アレイ７における受光部３を含む略矩形状の領域（図１の破線で囲まれた領域）に複数積層されたシンチレータ８ａにより形成されている。シンチレータ８ａには、各種の材料を用いることができる。シンチレータ８ａには、例えば発光効率が良いＴｌドープのＣｓＩを用いることができる。

シンチレータ層８の周縁部８ｂは、シンチレータ層８の外側に向かうにつれて高さが徐々に低くなる勾配形状となっている。つまり、周縁部８ｂにおいて、シンチレータ層８の外側に形成されたシンチレータ８ａほど、高さが低い。ここで、周縁部８ｂは、下方に受光部３が形成されていない領域（有効画面外領域）である。あるいは、周縁部８ｂは、Ｘ線画像生成における影響の小さい領域である。したがって、このような勾配形状の周縁部８ｂを設けることで、製造時においてレーザ光による悪影響が及ぶシンチレータ層８上の領域を限定することができる。ここで、周縁部８ｂの勾配角度（角度θ）を定義する。角度θは、周縁部８ｂに形成されたシンチレータ８ａの高さ位置をシンチレータ層８の内側から外側に向かって結んだ直線が基板２の上面に対してなす角度である。この角度θは、２０度以上８０度以下の範囲に含まれる。

樹脂枠９は、シンチレータ層８の積層方向Ａから見た場合に、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間を通り且つシンチレータ層８を包囲するように、光電変換素子アレイ７上に形成されている。樹脂枠９の角部の形状は、外側に凸の弧状（いわゆるＲ形状）となっている。樹脂枠９は、例えばシリコーン樹脂である。

樹脂枠９は、中央部が両縁部よりも高くなるように形成されている。樹脂枠９の高さｄ１は、シンチレータ層８の高さｄよりも低い。これにより、樹脂枠９を小型化すると共に、製造時におけるレーザ光によるシンチレータ層８への悪影響を抑制できる。ここで、樹脂枠９の高さｄ１は、光電変換素子アレイ７の上面位置と樹脂枠９の頂点位置との間の距離である。シンチレータ層８の高さｄは、シンチレータ層８に含まれるシンチレータ８ａの最大の高さである。

樹脂枠９は、放射線検出器１を小型化する観点から、極力小さくすることが好ましい。より具体的には、樹脂枠９の高さｄ１は、１００μｍ以上である。また、樹脂枠９の高さｄ１は、３００μｍ以下である。さらに、樹脂枠９の幅ｄ２は、７００μｍ以上である。樹脂枠９の幅ｄ２は、１０００μｍ以下である。ここで、樹脂枠９の幅ｄ２は、樹脂枠９の内縁Ｅ１と樹脂枠９の外縁Ｅ２との間の幅である。内縁Ｅ１は、シンチレータ層８側の縁部である。外縁Ｅ２は、ボンディングパッド５側の縁部である。

また、樹脂枠９の内縁Ｅ１とシンチレータ層８の外縁Ｅ３との間の距離は、第１の距離Ｄ１である。また、樹脂枠９の外縁Ｅ２と光電変換素子アレイ７の外縁Ｅ４との間の距離は、第２の距離Ｄ２である。第１の距離Ｄ１は、第２の距離Ｄ２よりも短い。製造時におけるレーザ光によるボンディングパッド５への悪影響を抑制すると共に、シンチレータ層８の有効面積を確保するという観点から、第１の距離Ｄ１に対する第２の距離Ｄ２の比率は、５以上であることが好ましい。より具体的には、第１の距離Ｄ１は、１ｍｍ以下であることが好ましい。第２の距離Ｄ２は、５ｍｍ以上であることが好ましい。これは、以下の理由による。

シンチレータ層８の外縁Ｅ３と樹脂枠９の内縁Ｅ１との間に隙間がなければシンチレータ層８の有効面積を最大化できる。しかし、製造時におけるレーザ光によるシンチレータ層８への悪影響及び樹脂枠９を形成する工程でのわずかな失敗（例えば樹脂枠９をシンチレータ層８上に形成してしまうこと）のおそれを考慮すると、第１の距離Ｄ１を１ｍｍ以下の範囲で確保することが好ましい。また、第２の距離Ｄ２を５ｍｍ以上とすることで、製造時におけるレーザ光によるボンディングパッド５への悪影響を考慮して、樹脂枠９とボンディングパッド５との間に十分な距離を確保できる。

シンチレータ層８は、保護膜１３に覆われている。保護膜１３は、第１の有機膜１０、無機膜１１、及び第２の有機膜１２を有する。これらの膜は、この順にシンチレータ層８側から積層されている。第１の有機膜１０、無機膜１１、及び第２の有機膜１２は、いずれもＸ線（放射線）を透過する。また、第１の有機膜１０、無機膜１１、及び第２の有機膜１２は、水蒸気を遮断する。具体的には、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２には、ポリパラキシリレン樹脂、ポリパラクロロキシリレン等を用いることができる。また、無機膜１１は、光に対しては、透明、不透明、反射性のいずれであってもよい。無機膜１１には、例えばＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ等の酸化膜、金、銀、アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜を用いることができる。例えば、光を反射させる金属膜を用いた無機膜１１は、シンチレータ８ａで発生した蛍光の漏れを防止できる。その結果、放射線検出器１の検出感度が向上する。本実施形態では、無機膜１１として成形が容易なＡｌを用いた例について説明する。Ａｌ自体は空気中で腐蝕しやすい。しかし、無機膜１１は、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２で挟まれている。したがって、Ａｌを用いた無機膜１１は、腐蝕から守られている。

保護膜１３は、例えばＣＶＤ法によって形成される。このため、保護膜１３を形成した直後の状態では、保護膜１３は、光電変換素子アレイ７の表面全体を覆う。そのため、ボンディングパッド５を露出させるために、保護膜１３は、光電変換素子アレイ７のボンディングパッド５よりも内側の位置で切断される。そして、切断位置よりも外側の保護膜１３は、除去される。後述するように、保護膜１３は、樹脂枠９の中央部より外側付近でレーザ光により切断（加工）され、保護膜１３の外縁１３ａは、樹脂枠９によって固定される。これにより、外縁１３ａからの保護膜１３の剥がれを防止することができる。ここで、保護膜１３の切断には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ_２レーザ）及び超短パルス（ナノ秒やピコ秒）の半導体レーザ等を用いることができる。炭酸ガスレーザを用いることで、一度の走査（短時間）で保護膜１３の切断が可能となる。その結果、生産性が向上する。なお、光電変換素子アレイ７、ボンディングパッド５、及びシンチレータ層８等への悪影響とは、例えば炭酸ガスレーザや超短パルスレーザを用いる場合には、熱的なダメージである。

保護膜１３の外縁１３ａは、樹脂枠９上に位置する。外縁１３ａは、樹脂枠９に沿って配置された被覆樹脂１４によって樹脂枠９と共にコーティングされている。被覆樹脂１４には、保護膜１３及び樹脂枠９への接着性が良好な樹脂を用いてよい。例えば、被覆樹脂１４には、アクリル系接着剤等を用いることができる。なお、被覆樹脂１４には、樹脂枠９と同様にシリコーン樹脂を用いてもよい。あるいは、樹脂枠９には、被覆樹脂１４と同様のアクリル系樹脂を用いてもよい。

次に、図３を参照して、樹脂枠９及び保護膜１３の角部（コーナー部分）について説明する。図３においては、樹脂枠９及び保護膜１３の角部の状態を理解し易いように、被覆樹脂１４の図示を一部省略している。

詳しくは後述するが、放射線検出器１の製造工程においてレーザ光が樹脂枠９上の保護膜１３に照射されることで、保護膜１３のレーザ光が照射された部分が、切断されている。ここで、保護膜１３は、非常に薄いため、炭酸ガスレーザのレーザ光により、樹脂枠９の一部も併せて切断されている。これにより、樹脂枠９の中央付近には、溝３０（対応領域）が形成されている。保護膜１３の外縁１３ａ、及び、樹脂枠９において保護膜１３の外縁１３ａは、レーザ光によって加工された状態である。また、溝３０も、レーザ光によって加工された状態である。ここで、溝３０の深さ（高さ）ｄ３は、樹脂枠９の高さｄ１の１／３以下である。これにより、樹脂枠９の下方に位置する光電変換素子アレイ７に対するレーザ光による悪影響が抑制されている。

図３に示すように、レーザ光によって加工された保護膜１３の外縁１３ａ及び溝３０の形状は、シンチレータ層８の積層方向Ａから見た場合に、外側に凸の弧状の角部（図３に示す領域Ｂ参照）を有する略矩形の環状である。また、保護膜１３の外縁１３ａ及び溝３０の表面は、積層方向Ａから見た場合に、微細な波形状である。つまり、保護膜１３の外縁１３ａ及び溝３０の表面は、例えばカッター等の刃物による平坦な切断面とは異なる。保護膜１３の外縁１３ａ及び溝３０の表面は、微小な凹凸形状を有する。これにより、保護膜１３の外縁１３ａと被覆樹脂１４との接触面積が増える。したがって、保護膜１３の外縁１３ａと被覆樹脂１４との接着をより強固にすることができる。また、溝３０と被覆樹脂１４との接触面積も増える。したがって、溝３０と被覆樹脂１４との接着もより強固にすることができる。

また、図１に示すように、樹脂枠９に設けられた溝３０は、溝３０を形成する工程に応じた３つの部分を含む。具体的には、溝３０は、前照射部Ｒｓと、本照射部Ｒａと、後照射部Ｒｅと、を含む。また、重複領域３１において、前照射部Ｒｓと後照射部Ｒｅとは重複している。前照射部Ｒｓ、本照射部Ｒａおよび後照射部Ｒｅの詳細については、後述する。

次に、本実施形態に係る放射線検出器１の動作について説明する。入射面側から入射したＸ線（放射線）は、保護膜１３を透過してシンチレータ８ａに達する。このＸ線は、シンチレータ８ａによって吸収される。シンチレータ８ａは、吸収したＸ線の光量に比例した光を放射する。放射された光のうち、Ｘ線の入射方向に逆行した光は、無機膜１１で反射される。このため、シンチレータ８ａで発生した光のほとんど全てが、パッシベーション膜６を介して光電変換素子３ａに入射する。各々の光電変換素子３ａは、光電変換により、入射した光の光量に対応する電気信号を生成する。当該電気信号は、一定時間蓄積される。この光の光量は、入射するＸ線の光量に対応している。つまり、各々の光電変換素子３ａに蓄積される電気信号は、入射するＸ線の光量に対応する。したがって、この電気信号によって、Ｘ線画像に対応する画像信号が得られる。光電変換素子３ａに蓄積された画像信号は、信号線４を介してボンディングパッド５から順次読み出された後に、外部に転送される。転送された画像信号は、所定の処理回路で処理されることによって、Ｘ線画像が表示される。

＜放射線検出器の製造方法＞
次に、図４～図１３を参照して、本実施形態に係る放射線検出器１の製造方法について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、光電変換素子アレイ７を準備する（工程Ｓ１）。続いて、図４（ｂ）に示すように、シンチレータ層８を形成（積層）する（工程Ｓ２）。具体的には、光電変換素子アレイ７上の受光部３を覆う領域において、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を例えば蒸着法により成長させる。ＣｓＩの柱状結晶の厚さは、一例として６００μｍ程度である。

次に、図５（ａ）に示すように、樹脂枠９を、光電変換素子アレイ７上に形成する（工程Ｓ３）。具体的には、シンチレータ層８の積層方向Ａから見た場合に、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間を通り且つシンチレータ層８を包囲するように、樹脂枠９を形成する。より具体的には、第１の距離Ｄ１が１ｍｍ以下となり、第２の距離Ｄ２が５ｍｍ以上となるような位置に、樹脂枠９を形成する。樹脂枠９の形成には、例えば自動Ｘ－Ｙコーティング装置を用いることができる。以下、説明の便宜上、光電変換素子アレイ７上にシンチレータ層８及び樹脂枠９が形成されたものを指して、単に「基板」という。

なお、工程Ｓ３では、樹脂枠９に加えて、さらに、第２実施形態に示すようなマスキング部材（図２０（ａ）参照）を配置してもよい。マスキング部材は、樹脂枠９の外側の領域であって、ボンディングパッド５を覆うように配置される。マスキング部材は、ボンディングパッド５の表面を保護する。マスキング部材を配置した場合には、後述する保護膜１３の外側の部分を除去する工程Ｓ６において、マスキング部材を保護膜１３と共に取り除く。

次に、図５（ｂ）に示すように、第１の有機膜１０を形成する（工程Ｓ４ａ）。シンチレータ層８を形成するＣｓＩは、吸湿性が高い。したがって、シンチレータ層８を露出したままにしておくと、シンチレータ層８は空気中の水蒸気を吸湿する。その結果、シンチレータ層８は、溶解してしまう。そこで、例えばＣＶＤ法によって、基板全体の表面を、ポリパラキシリレンで被覆する。ポリパラキシリレンの厚さは、５μｍ以上２５μｍ以下としてよい。

続いて、図６（ａ）に示すように、無機膜（金属膜）１１を形成する（工程Ｓ４ｂ）。具体的には、放射線が入射する入射面側の第１の有機膜１０の表面に、０．２μｍ厚さのＡｌ膜を蒸着法により積層する。放射線が入射する入射面とは、放射線検出器１のシンチレータ層８が形成される側の面である。続いて、図６（ｂ）に示すように、第２の有機膜１２を形成する（工程Ｓ４ｃ）。具体的には、無機膜１１が形成された基板全体の表面を、再度ＣＶＤ法によって、ポリパラキシリレンで被覆する。ポリパラキシリレンの厚さは、５μｍ以上２５μｍとしてよい。第２の有機膜１２は、無機膜１１の腐蝕による劣化を防ぐ。以上の処理（工程Ｓ４ａ、工程Ｓ４ｂ及び工程Ｓ４ｃ）により、保護膜１３が形成される。保護膜１３の樹脂枠９の略中央部分よりも外側の部分は、後段の処理によって除去される。保護膜１３の樹脂枠９の略中央部分よりも外側の部分とは、ボンディングパッド５を覆う部分である。このため、光電変換素子アレイ７の側面には、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２を形成しなくともよい。また、光電変換素子アレイ７のシンチレータ層８が積層される側とは反対側の表面にも、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２を形成しなくともよい。

続いて、図７に示すように、樹脂枠９に沿って、レーザ光Ｌを照射し、保護膜１３を切断する（工程Ｓ５）。具体的には、表面に保護膜１３が形成された基板全体を載せたステージ（不図示）に対して、レーザ光Ｌを照射するレーザ光ヘッド（不図示）を移動させることで、レーザ光Ｌを樹脂枠９に沿って一筆書きの要領で走査する。

以下、保護膜１３を切断する工程Ｓ５について、図８、図９、図１０及び図１１を参照しながらさらに詳細に説明する。

図８は、工程Ｓ５において、被照射体が受けるエネルギの時間履歴である。本明細書において「被照射体」とは、保護膜１３及び樹脂枠９である。まず、切断閾値（閾値エネルギ）を定義する。切断閾値は、この値以上のエネルギを被照射体に照射すると、被照射体が切断されるという値である。なお、本明細書において、「切断」とは、被照射体において、レーザ光の照射を受ける面から当該面に対する裏面まで貫通する空隙が形成されることをいう。したがって、レーザ光の照射を受ける面から裏面にまで貫通せず、底を有する場合には、「切断」とは呼ばない。

切断閾値は、材料の種類及び対象の厚みなどに応じて決まる。第１実施形態の放射線検出器１は、被照射体として保護膜１３及び樹脂枠９を含む。この場合には、２個の切断閾値が定義される。具体的には、保護膜１３に関する切断閾値Ｑ１と、樹脂枠９に関する切断閾値Ｑ２と、が定義される。樹脂枠９に関する切断閾値Ｑ２は、保護膜１３に関する切断閾値Ｑ１より大きい。保護膜１３を切断する工程Ｓ５では、保護膜１３を切断し、かつ、樹脂枠９を切断しない。そうすると、工程Ｓ５において、照射されるべきレーザ光のエネルギ（Ｑｓ）は、樹脂枠９に関する切断閾値Ｑ２と保護膜１３に関する切断閾値Ｑ１との間であればよい。具体的には、照射されるべきレーザ光のエネルギ（Ｑｓ）は、樹脂枠９に関する切断閾値Ｑ２より小さく、かつ、保護膜１３に関する切断閾値Ｑ１より大きければよい。

エネルギの時間履歴は、エネルギを増加させる期間ｔｓと、エネルギを維持する期間ｔａと、エネルギを減少させる期間ｔｅと、を含む。

エネルギを増加させる期間ｔｓは、前照射部Ｒｓ（図１参照）を加工する期間（工程Ｓ５ｓ）に対応する。この期間ｔｓは、エネルギを切断閾値Ｑ１よりも小さい値（Ｑ０）から保護膜１３の切断閾値Ｑ１まで増加させる期間ｔｓ１と、エネルギを保護膜１３の切断閾値Ｑ１からエネルギ（Ｑｓ）まで増加させる期間ｔｓ２と、を含む。エネルギを増加させる期間ｔｓにおいて形成される溝３０における前照射部Ｒｓでは、当該前照射部Ｒｓの深さがレーザ光の走査方向に沿って次第に深くなる。

図９（ａ）は、期間ｔｓにおける加工の様子を示す。期間ｔｓ１では、エネルギが切断閾値Ｑ１よりも小さいので、溝３０は、樹脂枠９まで達しない。そして、レーザ光の走査の進行に伴って、エネルギが増加する。そして、エネルギが切断閾値Ｑ１に達すると、溝３０は、保護膜１３を貫通し、樹脂枠９の表面に至る。そして、期間ｔｓ２では、溝３０は、所定の深さに到達する。

エネルギを維持する期間ｔａは、本照射部Ｒａ（図１参照）を加工する期間（工程Ｓ５ａ）に対応する。期間ｔａは、図１に示す本照射部Ｒａに関する処理を行う期間に対応する。したがって、この期間ｔａにおけるエネルギ（Ｑｓ）は、保護膜１３の切断閾値Ｑ１よりも大きく、樹脂枠９の切断閾値Ｑ２よりも小さい。エネルギを維持する期間ｔａにおいて形成される溝３０における本照射部Ｒａでは、当該本照射部Ｒａの深さｄ３がレーザ光の走査方向に沿っておおむね一定である。

図９（ｂ）及び図９（ｃ）は、期間ｔａにおける加工の様子を示す。図９（ｂ）は、本照射部Ｒａの加工が開始された直後の様子を示す。図９（ｃ）は、本照射部Ｒａの加工が終了する直前の様子を示す。このように、樹脂枠９を所定の深さまで切り込むことが可能なエネルギ（Ｑｓ）に設定する。そうすると、保護膜１３の厚みに多少の増減があったとしても、増減の幅が深さに対応する幅よりも小さい場合には、確実に保護膜１３を切断することができる。

エネルギを減少させる期間ｔｅは、後照射部Ｒｅ（図１参照）を加工する期間（工程Ｓ５ｅ）に対応する。この期間ｔｅは、エネルギ（Ｑｓ）から保護膜１３の切断閾値Ｑ１まで減少させる期間ｔｅ２と、エネルギを保護膜１３の切断閾値Ｑ１から切断閾値Ｑ１よりも小さい値（Ｑ０）まで減少させる期間ｔｅ１と、を含む。エネルギを減少させる期間ｔｅにおいて形成される溝３０における後照射部Ｒｅでは、当該後照射部Ｒｅの深さがレーザ光の走査方向に沿って次第に浅くなる。

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、期間ｔｅにおける加工の様子を示す。期間ｔｅでは、エネルギ（Ｑｓ）から次第に小さくなる。図１０（ａ）に示すように、溝３０における樹脂枠９の深さが次第に浅くなる。そして、期間ｔｅの一部は、期間ｔｓの一部とレーザ光の走査方向において重複する。つまり、図１０（ｂ）に示すように、期間ｔｓにおいて既にレーザ光の照射を受けた部分は、期間ｔｅにおいて再びレーザ光の照射を受ける。このように、レーザ光の照射を２回受ける領域では、２回目の照射前には、溝３０の深さが次第に深くなっている。このような形状に対して、２回目の照射では、形成される溝３０の深さが次第に浅くなるように、レーザ光のエネルギを制御している。従って、１回目の照射において残っていた部分Ｐが２回目の照射によって取り除かれる。その結果、保護膜１３が貫通すると共に、樹脂枠９は所定深さまで掘り込まれる。

なお、期間ｔｓ、ｔｅにおいて形成された部分の深さＷ１は、期間ｔａにおいて形成された部分の深さＷ２と同じであってもよいし、異なっていてもよい。換言すると、深さＷ２は、深さＷ１よりも小さくてもよい。また、深さＷ２は、深さＷ１よりも大きくてもよい。

図８に示す単位エネルギの履歴は、幾つかの制御変数から選択される一つの制御変数によって実現可能である。また、単位エネルギの履歴は、複数の制御変数を組み合わせて実現することもできる。

例えば、制御変数として、レーザ光ヘッドの移動速度と、レーザ光の照射エネルギと、レーザ光の焦点位置と、が挙げられる。

図１１（ａ）は、図８の単位エネルギの履歴を実現するための、レーザ光ヘッドの移動速度の履歴の例示である。期間ｔｓでは、時間の経過とともに減速（Ｖ０→Ｖｓ）する。期間ｔａでは、速度（Ｖｓ）を維持する。期間ｔｅでは、時間の経過とともに増速（Ｖｓ→Ｖ０）する。

図１１（ｂ）は、図８の単位エネルギの履歴を実現するための、レーザ光の照射エネルギの履歴の例示である。期間ｔｓでは、時間の経過とともにエネルギを増やす（Ｑ０→Ｑｓ）。期間ｔａでは、エネルギ（Ｑｓ）を維持する。期間ｔｅでは、時間の経過とともにエネルギを減らす（Ｑｓ→Ｑ０）。

図１１（ｃ）は、図８の単位エネルギの履歴を実現するための、レーザ光の焦点位置の履歴の例示である。期間ｔｓでは、時間の経過とともに焦点位置を被照射体の表面に近づける（Ｐ０→Ｐｓ）。期間ｔａでは、焦点位置を被照射体の表面に維持する（Ｐｓ）。期間ｔｅでは、時間の経過とともに焦点位置を被照射体の表面から遠ざける（Ｐｓ→Ｐ０）。

上記のレーザ光の制御態様によれば、確実に、レーザ光が保護膜１３だけでなく樹脂枠９まで貫通することを防止できる。つまり、保護膜１３を確実に切断し、且つ、樹脂枠９が設けられた光電変換素子アレイ７の表面に対して、レーザ光の照射によるダメージを与えることがない。したがって、不良品の発生が抑制されるので、生産性を向上させることができる。

なお、工程Ｓ５の実施にあっては、上記の制御態様に加えて、以下に示す制御を行ってもよい。

上記の制御は、レーザ光の照射を開始するタイミングとレーザ光ヘッドの移動を開始するタイミングとが同時であることを前提にしていた。例えば、レーザ光の照射を開始するタイミングとレーザ光ヘッドの移動を開始するタイミングとをずらすことにより、被照射体への過剰な大きさのエネルギの照射を防止することができる。

例えば、レーザ光の照射を開始するときは、以下のように動作させる。まず、レーザ光ヘッドの移動を開始する（図１２（ａ）のｔ０）。このとき、レーザ光の照射は開始しない（図１２（ｂ）のレーザ光ヘッド３００Ａ参照）。時間の経過（ｔ０→ｔ１）とともに、レーザ光ヘッドの速度が上昇する。そして、レーザ光ヘッドの速度が所定値（Ｖａ）に達したときに、レーザ光Ｌの照射を開始する（図１２（ａ）のｔｓ、図１２（ｂ）のレーザ光ヘッド３００Ｂ参照）。この所定値は、定常速度（Ｖｓ）であってもよいし、速度閾値（Ｖ１）より大きく定常速度（Ｖｓ）より小さい値であってもよい。つまり、レーザ光の照射を開始するタイミング（ｔｓ）を、レーザ光ヘッドの移動を開始するタイミング（ｔ０）より後に設定する。レーザ光の照射を開始するタイミングは、レーザ光ヘッドの移動を開始するタイミングよりも遅延するので、このような制御を「ディレイ制御」と呼ぶ。

また、レーザ光の照射を終了するときは、レーザ光の照射を停止するタイミングを、レーザ光ヘッドの移動を停止するタイミングより前に設定する。例えば、レーザ光ヘッドの速度が定常速度（Ｖｓ）であるときに、レーザ光の照射を停止してもよい。レーザ光ヘッドの速度を減速している期間において、樹脂枠９の切断閾値Ｑ１を下回る単位エネルギを照射可能な速度である期間にレーザ光の照射を停止してもよい。また、第３実施形態で説明したように、レーザ光ヘッドの速度が大きくなると、単位長さあたりのエネルギが小さくなる。したがって、レーザ光ヘッドの速度を増加させながら、レーザ光の照射を停止してもよい。

上記のレーザ光の制御態様によれば、さらに確実に、レーザ光が保護膜１３だけでなく樹脂枠９まで貫通することを防止できる。つまり、保護膜１３を確実に切断し、且つ、樹脂枠９が設けられた光電変換素子アレイ７の表面に対して、レーザ光の照射によるダメージを与えることがない。したがって、不良品の発生が抑制されるので、生産性を向上させることができる。

なお、上記のディレイ制御は、図８に示すエネルギ履歴に基づく制御を前提としない。ディレイ制御は、単独で用いてもよい。

以上の工程Ｓ５を実行することにより、保護膜１３が切断される。

続いて、図１３（ａ）に示すように、保護膜１３におけるレーザ光Ｌによる切断部から外側の部分を除去することによって、ボンディングパッド５を露出させる（工程Ｓ６）。切断部から外側の部分は、入射面と反対側の部分を含む。続いて、図１３（ｂ）に示すように、樹脂枠９に沿って、未硬化の樹脂材料をコーティングする（工程Ｓ７）。未硬化の樹脂材料は、保護膜１３の外縁１３ａ及び樹脂枠９を覆うように設けられる。未硬化の樹脂材料は、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂等である。その後、未硬化の樹脂材料に対して紫外線を照射する。その結果、樹脂材料が硬化するので、被覆樹脂１４が形成される。

また、保護膜１３は、被覆樹脂１４を設けなくとも、樹脂枠９を介して光電変換素子アレイ７に密着する。しかし、被覆樹脂１４を形成することによって、第１の有機膜１０を含む保護膜１３が樹脂枠９と被覆樹脂１４とに挟み込まれて固定される。その結果、光電変換素子アレイ７上への保護膜１３の密着性がさらに向上する。したがって、保護膜１３によりシンチレータ８ａが密封される。その結果、シンチレータ８ａへの水分の浸入を確実に防ぐことができるので、シンチレータ８ａの吸湿劣化によって、素子の解像度が低下すること防ぐことができる。

また、上記の実施形態では、パネル保護部は、樹脂枠９であった。パネル保護部は、複数の部材によって構成されてもよい。例えば、パネル保護部は、樹脂枠９と、樹脂枠９の上に張り付けられるマスキング部材と、を有してもよい。この構成によれば、レーザ光を照射するとき（工程Ｓ５）、樹脂枠９とマスキング部材とにより構成されるパネル保護部が形成される。したがって、レーザ光の照射に対して保護膜１３から光電変換素子アレイ７までの距離を大きく確保することができる。その結果、より確実に光電変換素子アレイ７へのレーザ光の照射の影響を抑制することができる。

＜作用効果＞
以下、本実施形態の作用効果について説明する。前述の課題において、レーザ光の照射態様は、予め設定した内容と実際の動作とでは、わずかな相違が生じることがあると述べた。まず、この点について、その態様を例示する。

レーザ光の照射を開始するとき、被照射体の表面においてレーザ光のエネルギがゼロ（非照射）から所定エネルギまで上昇する時間（図１４（ａ）のｔ１）は、レーザ光ヘッドの移動速度がゼロから所定速度に達する時間（図１４（ｂ）のｔ１からｔ３）よりも極めて短い。

そうすると、レーザ光ヘッドの移動速度がゼロから所定速度に達するまでの加速期間（ｔ１～ｔ３）に単位時間（長さ）あたりの被照射体が受けるレーザ光のエネルギ（Ｑ３～Ｑｓ）は、レーザ光ヘッドが所定速度で移動している定常期間（ｔ３～ｔ４）に単位時間（長さ）あたりに被照射体が受けるレーザ光のエネルギ（Ｑｓ）と異なる。具体的には、加速期間（ｔ１～ｔ３）におけるレーザ光ヘッドの移動速度（０～Ｖｓ）は、定常期間（ｔ３～ｔ４）におけるレーザ光ヘッドの移動速度（Ｖｓ）よりも遅い。したがって、加速期間（ｔ１～ｔ３）に被照射体が受けるレーザ光のエネルギ（Ｑ３～Ｑｓ）は、定常期間（ｔ３～ｔ４）に被照射体が受けるレーザ光のエネルギ（Ｑｓ）よりも大きい。したがって、この加速期間（ｔ１～ｔ３）において、レーザ光のエネルギに対してレーザ光ヘッドの速度が遅すぎると、被照射体に対して過剰な大きさのエネルギが照射される場合があり得る。このエネルギが、樹脂枠９が切れるエネルギ（Ｑ２）を超えると、樹脂枠９の下に存在する光電変換素子アレイ７にダメージが及ぶ可能性がある。

放射線検出器１は、一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子３ａを含む受光部３、及び光電変換素子３ａと電気的に接続され且つ受光部３の外側に配置された複数のボンディングパッド５を有する光電変換素子アレイ７と、受光部３を覆うように光電変換素子アレイ７上に積層され、放射線を光に変換するシンチレータ層８と、シンチレータ層８の積層方向Ａから見た場合に、シンチレータ層８及びボンディングパッド５から離間してシンチレータ層８とボンディングパッド５との間を通り且つシンチレータ層８を包囲するように、光電変換素子アレイ７上に形成された樹脂枠９と、シンチレータ層８を覆い、樹脂枠９上に位置する外縁１３ａを有する保護膜１３と、を備える。樹脂枠９には、保護膜１３の外縁１３ａと連続する溝３０が形成されている。溝３０は、レーザ光のエネルギを、保護膜１３を切断可能な切断閾値Ｑ１より小さい値（Ｑ０）から切断閾値Ｑ１よりも大きい値に増加させながら、樹脂枠９に沿って走査することによって形成された前照射部Ｒｓと、レーザ光のエネルギを、切断閾値Ｑ１よりも大きい値（Ｑｓ）に維持しながら、樹脂枠９に沿って走査することによって形成された本照射部Ｒａと、レーザ光のエネルギを、切断閾値Ｑ１より大きい値から切断閾値Ｑ１よりも小さい値（Ｑ０）に減少させながら、樹脂枠９に沿って走査することにより形成された後照射部Ｒｅと、を含む。

上記の放射線検出器１の樹脂枠９の溝３０は、保護膜１３の外縁１３ａと連続しているので、レーザ光の照射による保護膜１３の外縁１３ａの形成に伴って形成される。そして、樹脂枠９に溝が形成されているということは、樹脂枠９上に形成された保護膜１３は確実に切断されていることを意味する。そして、前照射部Ｒｓでは切断閾値Ｑ１よりも小さいエネルギＱ０から照射が開始される。このような照射態様によれば、樹脂枠９の切断に要する切断閾値Ｑ２に対して、余裕を持たせてレーザ光の照射を開始することができる。したがって、レーザ光の照射開始において、意図しない要因によって設定値よりも大きいエネルギが供給されたとしても、確保された余裕によって樹脂枠９の切断を抑制することができる。同様に、後照射部Ｒｅでは切断閾値Ｑ１よりも小さいエネルギＱ０まで減少された後に照射が停止される。このような照射態様によれば、樹脂枠９の切断に要する切断閾値Ｑ２に対して、余裕を持たせてレーザ光の照射を停止することができる。したがって、レーザ光の照射停止において、意図しない要因によって設定値よりも大きいエネルギが供給されたとしても、確保された余裕によって樹脂枠９の切断を抑制することができる。したがって、意図しない樹脂枠９の切断の発生を抑制することができる。

放射線検出器１は、保護膜１３の外縁１３ａを覆う被覆樹脂１４をさらに備える。この構成によれば、保護膜１３の剥がれの発生を抑制することができる。

被覆樹脂１４は、樹脂枠９をさらに覆う。被覆樹脂１４は、被覆樹脂１４と樹脂枠９との接触面の縁部１４ｅが樹脂枠９上に形成されるように、樹脂枠９に留まることが可能な粘性及びチクソ性を有する。この構成によれば、被覆樹脂１４は、樹脂枠９の外側に位置する光電変換素子アレイ７の表面とボンディングパッド５に到達しない。したがって、光電変換素子アレイ７の表面とボンディングパッド５を清浄に保つことができる。

樹脂枠９の中央部は、樹脂枠９の両縁部よりも高い。この構成によれば、被覆樹脂１４は、保護膜１３の外縁１３ａを確実に覆うことができる。

樹脂枠９の幅は、７００マイクロメートル以上であり、且つ、１０００マイクロメートル以下である。この構成によれば、放射線検出器１を小型化することができる。

樹脂枠９の高さは、１００マイクロメートル以上であり、且つ、３００マイクロメートル以下である。この構成によれば、放射線検出器１を小型化することができる。

放射線検出器１の製造方法は、一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子３ａを含む受光部３、及び光電変換素子３ａと電気的に接続され且つ受光部３の外側に配置された複数のボンディングパッド５を有する光電変換素子アレイ７を準備し、放射線を光に変換するシンチレータ層８を、受光部３を覆うように光電変換素子アレイ７上に積層する工程Ｓ２と、シンチレータ層８の積層方向から見た場合に、シンチレータ層８を包囲するように、光電変換素子アレイ７上に樹脂枠９を配置する工程Ｓ３と、光電変換素子アレイ７のシンチレータ層８が積層される側の表面全体及び樹脂枠９の表面を覆うように、保護膜１３を形成する工程Ｓ４ａ、Ｓ４ｂ、Ｓ４ｃと、樹脂枠９に沿ってレーザ光を照射することにより、保護膜１３を切断する工程Ｓ５と、保護膜１３の外側の部分を除去する工程Ｓ６と、を有する。保護膜１３を切断する工程Ｓ５では、レーザ光のエネルギを、保護膜１３を切断可能な切断閾値Ｑ１より小さい値から切断閾値Ｑ１よりも大きい値に増加させながら、樹脂枠９に沿って走査する前照射工程Ｓ５ｓと、レーザ光のエネルギを、切断閾値Ｑ１よりも大きい値に維持しながら、樹脂枠９に沿って走査する本照射工程Ｓ５ａと、レーザ光のエネルギを、切断閾値Ｑ１より大きい値から切断閾値Ｑ１よりも小さい値に減少させながら、樹脂枠９に沿って走査する後照射工程Ｓ５ｅと、を含む。

放射線検出器１の製造方法では、保護膜１３を切断する工程Ｓ５において、保護膜１３の外縁１３ａが形成されると共に、樹脂枠９の溝３０が形成される。そして、樹脂枠９に溝３０が形成されているということは、樹脂枠９上に形成された保護膜１３は確実に切断されていることを意味する。そして、当該溝３０は、エネルギを増加させながら形成する前照射工程Ｓ５ｓと、エネルギを減少させながら形成する後照射工程Ｓ５ｅとを含む。前照射部Ｒｓ及び後照射部Ｒｅによれば、溝３０の深さが深くなりすぎることがない。従って、意図しない樹脂枠９の切断の発生を抑制することができる。その結果、レーザ光が保護膜１３だけでなく樹脂枠９まで貫通することを防止できる。

つまり、保護膜１３を確実に切断し、且つ、樹脂枠９が設けられた光電変換素子アレイ７の表面に対して、レーザ光の照射によるダメージを与えることがない。したがって、不良品の発生が抑制されるので、生産性を向上させることができる。

放射線検出器１の製造方法において、パネル保護部は、樹脂枠９である。樹脂枠９を配置する工程Ｓ３では、シンチレータ層８及びボンディングパッド５から離間してシンチレータ層８とボンディングパッド５との間を通り且つシンチレータ層８を包囲するように、光電変換素子アレイ７上に樹脂枠９を配置する。この工程Ｓ３によれば、樹脂枠９を有する放射線検出器１を製造することができる。

以上、本発明の第１実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記第１実施形態に限定されない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変形が可能である。

例えば、以上の説明では、保護膜１３は、ポリパラキシリレン製の第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２の間に無機膜１１を挟み込んだ構造を有していた。つまり、第１の有機膜１０の材料は、第２の有機膜１２の材料と同じであった。例えば、第１の有機膜１０の材料は、第２の有機膜１２の材料と異なってもよい。また、無機膜１１として腐蝕に強い材料を使用しているような場合、保護膜１３は、第２の有機膜１２を省略してよい。また、上記の放射線検出器１の受光部３は、２次元に配列された複数の光電変換素子３ａを有していた。受光部３は、１次元に配列された複数の光電変換素子３ａを有してもよい。また、ボンディングパッド５は、矩形状の放射線検出器１の２辺でなく３辺に形成されてもよい。また、上記実施形態においては、レーザ光ヘッドを移動させてレーザ加工する方法について説明した。例えば、レーザ光の照射にあっては、放射線検出器１を載置するステージを移動させてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の放射線検出器１Ａと放射線検出器１Ａの製造方法について説明する。第１実施形態の放射線検出器１は、パネル保護部として樹脂枠９を用いていた。具体的には、放射線検出器１の製造時において、保護膜１３を切断する際にレーザ光から光電変換素子アレイ７を保護する部材として樹脂枠９を用いた。そして、放射線検出器１は、樹脂枠９を構成要素として備えていた。

第２実施形態の放射線検出器１Ａは、保護膜１３を切断する際にレーザ光から光電変換素子アレイ７を保護する部材としてマスキング部材Ｍ１（図２０等参照）を用いる。このマスキング部材Ｍ１は、保護膜２０を切断する工程Ｓ１５の後に、取り除く。つまり、放射線検出器１Ａは、マスキング部材Ｍ１を構成要素として備えない。

図１５及び図１６に示すように、放射線検出器１Ａは、光電変換素子アレイ７と、シンチレータ層８と、保護膜２０と、を備えている。光電変換素子アレイ７及びシンチレータ層８は、第１実施形態と同様であるので、詳細な説明は省略する。以下、保護膜２０について詳細に説明する。

保護膜２０は、本体部２１と、外縁部２２と、を有する。本体部２１は、シンチレータ層８を覆う。本体部２１における第１の有機膜１０は、シンチレータ層８上に設けられている。第１の有機膜１０は、柱状構造の複数のシンチレータ８ａのそれぞれの間を埋める。外縁部２２は、本体部２１の外側に設けられている。外縁部２２は、本体部２１と連続する。

外縁部２２は、密着部２３と、延在部２４と、を有する。密着部２３は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋにおいて光電変換素子アレイ７に密着している。例えば、密着部２３におけるシンチレータ層８側の第１の有機膜１０の一部は、光電変換素子アレイ７との密着面を有する。その結果、密着部２３は、光電変換素子アレイ７に密着する。密着面を大きくすることにより、密着部２３と光電変換素子アレイ７との密着性が高まる。密着面を大きくすることは、換言すると、密着部の長さｇ１＋ｇ２を長くすることである。

密着部２３は、第１部分２３ａと、第２部分２３ｂとを有する。第１部分２３ａは、本体部２１側に位置する部分である。第１部分２３ａは、第１の有機膜１０と、無機膜１１と、第２の有機膜１２と、を有する。つまり、第１部分２３ａは、３層構造である。第２部分２３ｂは、第１部分２３ａを挟んで本体部２１に対して反対側に位置する。第２部分２３ｂは、第１の有機膜１０と、第２の有機膜１２と、を有する。つまり、第２部分２３ｂは、２層構造である。このため、無機膜１１の外縁端１１ａの位置は、保護膜２０の外縁端２０ａよりも内側である。保護膜２０の外縁端２０ａよりも内側とは、換言すると、シンチレータ層８側である。第１部分２３ａにおいて、無機膜１１は、第１の有機膜１０の外縁部１０ｂと第２の有機膜１２の外縁部１２ｂとの間に挟まれる。第２部分２３ｂは、無機膜１１の外縁部１１ｂよりも外側に位置する。換言すると、第２部分２３ｂは、無機膜１１の外縁部１１ｂよりもボンディングパッド５側に位置する。第１の有機膜１０の外縁部１０ｂは、第２部分２３ｂにおいて、第２の有機膜１２の外縁部１２ｂに対して接合されている。第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２が同じ材料で構成されている場合には、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２は、一体化していてもよい。密着部２３において、第１の有機膜１０の外縁部１０ｂ及び第２の有機膜１２の外縁部１２ｂは、協働して、無機膜１１の外縁部１１ｂを包む。

延在部２４は、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２からなる２層構造を有する。延在部２４は、密着部２３から光電変換素子アレイ７の反対側に自立状態で延在する。延在部２４は、保護膜２０のうちの最も外縁端２０ａ側に位置する。このため、第１の有機膜１０の外縁端１０ａ及び第２の有機膜１２の外縁端１２ａは、保護膜２０の外縁端２０ａを構成する。延在部２４は、立ち上がり部２４ａと、片部２４ｂと、を有する。立ち上がり部２４ａは、密着部２３のうち本体部２１とは反対側の部分を基端として、光電変換素子アレイ７の表面の法線方向に延びている。ここで、「自立状態」とは、立ち上がり部２４ａが、何らの部材（例えば樹脂等）によって保持されたり支持されたりすることなく起立している状態をいう。立ち上がり部２４ａの基端部分は、密着部２３に接続されている。立ち上がり部２４ａの基端部分以外の部分は、放射線検出器１Ａのいずれの要素にも接していない。

立ち上がり部２４ａは、光電変換素子アレイ７の表面の法線方向に自立状態で延在している。換言すると、立ち上がり部２４ａは、光電変換素子アレイ７から直立している。ただし、立ち上がり部２４ａの延在方向は、これに限定されない。立ち上がり部２４ａは、光電変換素子アレイ７の表面に対して平行である方向と交差する方向に自立状態で延在していればよい。例えば、立ち上がり部２４ａは、光電変換素子アレイ７から直立した状態を基準として、ボンディングパッド５側に傾いていてもよい。立ち上がり部２４ａは、光電変換素子アレイ７から直立した状態を基準として、シンチレータ層８側に傾いていてもよい。また、立ち上がり部２４ａの形状は、平面に限定されない。立ち上がり部２４ａの形状は、例えば曲面であってもよい。

片部２４ｂは、立ち上がり部２４ａの上部からボンディングパッド５側に向かって突出する。片部２４ｂの突出方向は、光電変換素子アレイ７の表面に対して平行である。ただし。片部２４ｂの突出方向は、光電変換素子アレイ７の表面に対して平行である方向に限定されない。片部２４ｂの突出方向は、立ち上がり部２４ａの延在方向と異なっていればよい。例えば、片部２４ｂは、光電変換素子アレイ７の表面に対して平行である状態を基準として、光電変換素子アレイ７に次第に近づくように傾いてもよい。片部２４ｂは、光電変換素子アレイ７から次第に離間するように傾いてもよい。また、片部２４ｂの形状は、平面に限定されない。片部２４ｂの形状は、例えば曲面であってもよい。

図１６において、長さｇ１及び長さｇ２は、密着部２３の長さを示す。具体的に、長さｇ１は密着部２３の第１部分２３ａの長さを示す。長さｇ２は密着部２３の第２部分２３ｂの長さを示す。長さｇ１と長さｇ２との合計の長さは、例えば１０００μｍ程度である。あるいは、長さｇ１と長さｇ２との合計の長さは、例えば１０００μｍ以下である。長さｇ３は、立ち上がり部２４ａの高さである。換言すると、長さｇ３は、延在部２４の高さである。長さｇ３は、例えば８０μｍ以上２５０μｍ以下である。長さｇ４は、延在部２４の片部２４ｂの長さである。長さｇ４は、例えば３００μｍ程度である。あるいは、長さｇ４は、例えば３００μｍ以下である。長さｇ５は、密着部２３と延在部２４との境界からボンディングパッド５までの距離である。長さｇ５は、長さｇ４よりも長い。例えば、長さｇ５は、長さｇ４よりも、例えば数十μｍ～数百μｍ程度長い。この構成によれば、延在部２４は、ボンディングパッド５に干渉しない。

ここで、放射線検出器１Ａの外観形状について説明する。図１７は、放射線検出器１Ａのコーナー部分を模式的に示す斜視図であり、図１８は、図１７とは異なる角度から見た放射線検出器１Ａのコーナー部分を模式的に示す斜視図である。なお、図１８では、保護膜２０に覆われたシンチレータ層８が見えるようにその断面が図示されている。また、図１８では、柱状構造の複数のシンチレータ８ａが、破線によって示されている。図１７及び図１８からも理解されるように、保護膜２０の外縁部２２は、密着部２３と、延在部２４とを有している。立ち上がり部２４ａは、ボンディングパッド５側に傾いており、片部２４ｂもボンディングパッド５側に傾いていてもよい。また、立ち上がり部２４ａと片部２４ｂとの接続部分は、直角に折れ曲がっておらず、滑らかに屈曲していてもよい。

＜放射線検出器の作用効果＞
放射線検出器１Ａの作用効果について説明する。放射線検出器１Ａにおいて、シンチレータ層８を覆う保護膜２０の外縁部２２は、光電変換素子アレイ７と密着する密着部２３を有する。これにより、保護膜２０と光電変換素子アレイ７との間を通りシンチレータ層８に向かって湿気が入り込むことを防ぐことができる。さらに、保護膜２０の外縁部２２は、延在部２４を有する。延在部２４は、密着部２３から光電変換素子アレイ７の反対側に自立状態で延在する。保護膜２０の外縁部２２が延在部２４を有さないと保護膜２０の外縁端２０ａが密着部２３に含まれる。その場合、特に、密着部２３のうち保護膜２０の外縁端２０ａが位置する部分と光電変換素子アレイ７との密着性が確保しにくくなる。その結果、密着部２３と光電変換素子アレイ７との界面からシンチレータ層８に湿気が侵入しやすくなる。

これに対し、放射線検出器１Ａにおける保護膜２０の外縁部２２は、延在部２４を有する。保護膜２０の外縁端２０ａは、密着部２３には含まれない。つまり、密着部２３と光電変換素子アレイ７との密着性を十分に確保することができる。その結果、延在部２４がない場合よりも、シンチレータ層８の耐湿性を向上させることができる。したがって、第１実施形態のように保護膜２０の外縁部を樹脂部材（樹脂枠９）で保持しなくとも、シンチレータ層８の耐湿性を維持できる。さらに、保護膜２０の外縁部を支持する樹脂部材を設ける必要がない分、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋを狭くすることができる。たとえば、樹脂枠９の幅が９００μｍ程度であるとき、この幅に相当する長さだけ、領域Ｋを縮小することができる。よって、放射線検出器１Ａは、シンチレータ層８の耐湿性を確保すると共に、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋの拡大を抑制することができる。つまり、領域Ｋを縮小できる。その結果、受光部３とボンディングパッド５とを電気的に接続する信号線４を短くすることができる。したがって、電気信号の伝達速度を向上させることができる。また、信号線４が短いので、ノイズの増大を抑制することもできる。

保護膜２０は、無機膜１１と、第１の有機膜１０と、第２の有機膜１２と、を有する。第１の有機膜１０は、無機膜１１に対してシンチレータ層８側に配置される。第２の有機膜１２は、無機膜１１に対してシンチレータ層８の反対側に配置される。このように保護膜２０が無機膜１１を含むことによって、シンチレータ層８で発生した光の外部（受光部３以外の部分）への漏れを防止できる。その結果、放射線検出器１Ａの感度が向上する。また、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２は、無機膜１１の両側に設けられる。この構成によれば、第１の有機膜１０及び第２の有機膜１２は、無機膜１１を保護することもできる。

無機膜１１の外縁端１１ａは、保護膜２０の外縁端２０ａよりも内側に位置する。第１の有機膜１０の外縁端１０ａ及び第２の有機膜１２の外縁端１２ａは、保護膜２０の外縁端２０ａを構成する。そして、第１の有機膜１０の外縁部１０ｂは、無機膜１１の外縁端１１ａよりも外側において、第２の有機膜１２の外縁部１２ｂに接合されている。第１の有機膜１０の外縁部１０ｂと第２の有機膜１２の外縁部１２ｂとは、無機膜１１の外縁部１１ｂを覆っている。例えば、無機膜１１と第１の有機膜１０との密着性、あるいは無機膜１１と第２の有機膜１２との密着性が良くない場合でも、無機膜１１の外縁部１１ｂが第１の有機膜１０の外縁部１０ｂと第２の有機膜１２の外縁部１２ｂとで封止される。したがって、第１の有機膜１０に対する第２の有機膜１２の密着性を確保することができる。

無機膜１１は、アルミニウム又は銀からなる金属膜である。したがって、無機膜１１の光反射性を良好なものとすることができる。

延在部２４の高さは、８０μｍ以上２５０μｍ以下である。したがって、シンチレータ層８の耐湿性をより確実に確保することができる。

延在部２４は、立ち上がり部２４ａと、片部２４ｂとを有する。片部２４ｂは、立ち上がり部２４ａの上部からボンディングパッド５に向かって突出する。このように、延在部２４は、立ち上がり部２４ａだけでなく片部２４ｂを有する。したがって、保護膜２０の外縁端２０ａを密着部２３から十分に遠ざけることができる。その結果、より確実に、密着部２３に対する光電変換素子アレイ７の密着性を確保できる。この場合でも、片部２４ｂの長さは、例えば３００μｍ程度である。あるいは、片部２４ｂの長さは、例えば３００μｍ以下である。したがって、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋを縮小することができる。

例えば配線工程でボンディングパッド５にワイヤ等の導電部材がボンディングされる際、ボンディング部分からシンチレータ層８側に向かって異物等が飛んでくる可能性がある。その場合でも、延在部２４は、シンチレータ層８を異物等から保護する防護壁として機能する。これにより、ボンディングの際のシンチレータ層８のコンタミネーションを防ぐことができる。

光電変換素子アレイ７には高価なものもある。製造工程における検査の結果、放射線検出器１Ａが品質基準等を満たない場合に、光電変換素子アレイ７を再利用することが考えられる。その場合、光電変換素子アレイ７上に設けられたシンチレータ層８を除去して新たなシンチレータ層８を光電変換素子アレイ７上に設ける。そのためには保護膜２０を除去しなければならない。本実施形態の放射線検出器１Ａによれば、保護膜２０の外縁部２２は、延在部２４を有する。例えば、保護膜２０を光電変換素子アレイ７から剥離させるときに、延在部２４を把持して引き上げる等、延在部２４を剥離の起点として用いることが可能である。したがって、延在部２４によれば、保護膜２０を比較的容易に除去することができる。

＜放射線検出器の製造方法＞
次に、図１９～図２３を参照して、放射線検出器１Ａの製造方法の各工程について説明する。まず、図１９（ａ）に示すように、光電変換素子アレイ７を用意する（工程Ｓ１１）。次に、図１９（ｂ）に示すように、受光部３を覆うように光電変換素子アレイ７上にシンチレータ層８を設ける（工程Ｓ１２）。

次に、図２０（ａ）に示すように、ボンディングパッド５を覆うように光電変換素子アレイ７上にマスキング部材Ｍ１を設ける（工程Ｓ１３）。マスキング部材Ｍ１の例は、ＵＶ硬化マスキングテープである。以下、ＵＶ硬化マスキングテープは、単に「ＵＶテープ」と称する。ボンディングパッド５は基板２の外縁の辺に沿って複数配置される。そこで、まず、ＵＶテープの長手方向を、ボンディングパッド５の配置方向に一致させる。次に、ＵＶテープがボンディングパッド５を覆うように、ＵＶテープの粘着面を光電変換素子アレイ７に張り付ける。ＵＶテープの厚さは、例えば１１０μｍ程度であってもよい。また、ＵＶテープの厚さは、１１０μｍ以下であってよい。マスキング部材Ｍ１の厚さを調節するために、複数のＵＶテープを重ねて用いてもよい。

シンチレータ層８、領域Ｋ、及びマスキング部材Ｍ１を覆うように光電変換素子アレイ７上に保護膜２０を設ける（工程Ｓ１４）。具体的には、まず、図２０（ｂ）に示すように、第１の有機膜１０を形成する（工程Ｓ１４ａ）。例えば、ＣＶＤ法によって、基板２の表面全体をポリパラキシリレン等で被覆する。次に、図２１（ａ）に示すように、第１の有機膜１０の上に無機膜１１を形成する（工程Ｓ１４ｂ）。例えば蒸着法によってアルミニウム膜を無機膜１１上に積層する。ここで、ボンディングパッド５が無機膜１１で覆われないようにしてもよい。その場合、ボンディングパッド５をマスキング部材Ｍ２でマスキングしてからアルミニウム膜を蒸着するとよい。マスキング部材Ｍ２には、例えば、ＵＶテープを用いてよい。そして、図２１（ｂ）に示すように、第２の有機膜１２を形成する（工程Ｓ１４ｃ）。例えば、再度、ＣＶＤ法によって、基板２の表面全体をポリパラキシリレン等で被覆する。

続いて、図２２（ａ）に示すように、レーザ光Ｌを照射することにより、マスキング部材Ｍ１上において保護膜２０を切断する（工程Ｓ１５）。例えば、基板２が載置されたステージ（不図示）に対して、レーザ光Ｌを照射するレーザ光ヘッド（不図示）を移動させることで、レーザ光Ｌをマスキング部材Ｍ１のシンチレータ層８側の縁部に沿って走査する。

具体的な工程は、第１実施形態の工程Ｓ５と同様としてよい。

マスキング部材Ｍ１を除去する（工程Ｓ１６）。具体的には、ＵＶテープであるマスキング部材Ｍ１の粘着面の粘着力を低下させたのちに、マスキング部材Ｍ１を除去する。まず、図２２（ｂ）に示すように、マスキング部材Ｍ１に向かって紫外線を照射する（工程Ｓ１６ａ）。紫外線は保護膜２０を透過してマスキング部材Ｍ１に到達する。マスキング部材Ｍ１は、紫外線の照射を受けることによって、粘着面の粘着力を失う。そして、図２３に示すように、マスキング部材Ｍ１を取り除く（工程Ｓ１６ｂ）。切断された保護膜２０のうち、マスキング部材Ｍ１を覆っていた部分は、マスキング部材Ｍ１とともに除去される。その結果、ボンディングパッド５が露出する。

＜作用効果＞
放射線検出器１Ａの製造方法において、パネル保護部は、マスキング部材Ｍ１である。マスキング部材Ｍ１を配置する工程Ｓ１３では、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋ、及びボンディングパッド５を覆うように、光電変換素子アレイ７上にマスキング部材Ｍ１を配置する。保護膜２０を形成する工程Ｓ１４では、光電変換素子アレイ７におけるシンチレータ層８が積層される側の表面全体及びマスキング部材Ｍ１の表面に保護膜２０を形成する。この工程Ｓ１４によれば、樹脂枠９を備えない放射線検出器１Ａを製造することができる。つまり、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の距離を縮めることが可能になるので、放射線検出器１Ａをさらに小型化することができる。

放射線検出器１Ａの製造方法において、保護膜２０を切断する工程Ｓ１５の後に、マスキング部材Ｍ１を除去する工程Ｓ１６ｂをさらに含む。これらの工程１６ａ、１６ｂによれば、樹脂枠９を備えない放射線検出器１Ａを好適に製造することができる。

なお、図２４に示すように、放射線検出器１Ａの製造方法において、保護膜２０の外側の部分を除去する工程Ｓ１６ａの後に、保護膜２０の外縁端２０ａを覆う被覆樹脂１４Ａを形成する工程をさらに有してもよい。この工程によれば、保護膜２０における外縁端２０ａの剥がれの発生をさらに抑制することができる。

また、以上説明した放射線検出器１Ａの製造方法によれば、ボンディングパッド５がマスキング部材Ｍ１で覆われ、シンチレータ層８、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域、及びマスキング部材Ｍ１を覆うように保護膜２０が設けられる。これにより、保護膜２０は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋにおいて光電変換素子アレイ７と密着する密着部２３を有する。また、マスキング部材Ｍ１の端面と光電変換素子アレイ７との間には、マスキング部材Ｍ１の厚さによる段差が生じる。その段差に沿って、保護膜２０が形成される。これにより、保護膜２０は、密着部２３から光電変換素子アレイ７の反対側に延在する延在部２４を有する。さらに、マスキング部材Ｍ１のシンチレータ層８側の縁部に沿ってレーザ光Ｌを照射する。その結果、マスキング部材Ｍ１上において保護膜２０が切断される。そして、マスキング部材Ｍ１が除去される。これにより、ボンディングパッド５が露出する。さらに、延在部２４はマスキング部材Ｍ１に接することなく自立する。また、延在部２４は、立ち上がり部２４ａと、片部２４ｂとを有する。立ち上がり部２４ａは、マスキング部材Ｍ１の縁による段差に沿って形成される。片部２４ｂは、立ち上がり部２４ａから、レーザ照射がなされたマスキング部材Ｍ１の縁部までの間に形成される。

放射線検出器１Ａは、密着部２３と、延在部２４と、を有する。密着部２３は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋにおいて光電変換素子アレイ７に密着する。延在部２４は、密着部２３から光電変換素子アレイ７の反対側に自立状態で延在する。さらに、延在部２４は、立ち上がり部２４ａ及び片部２４ｂを含む。これらの構造によれば、先に説明したように、シンチレータ層８の耐湿性を維持することができる。さらに、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ｋを狭くすることができる。

ここで、レーザ光Ｌの照射によってボンディングパッド５がダメージを受けてしまう可能性も考えられる。しかし、上記の放射線検出器１Ａの製造方法では、保護膜２０が切断されるとき、ボンディングパッド５は、マスキング部材Ｍ１に覆われている。このとき、マスキング部材Ｍ１は、レーザ光Ｌを吸収する吸収層としての役割を果たす。したがって、レーザ光Ｌがボンディングパッド５に照射されてボンディングパッド５がダメージを受けることを防ぐことができる。

上記の放射線検出器１Ａの製造方法では、レーザ光Ｌの照射によって保護膜２０を切断する（工程Ｓ１５）。この工程Ｓ１５によれば、保護膜２０の外縁部２２において密着部２３及び延在部２４を精度良く整形することができる。ボンディングパッド５が基板２の外縁の１辺だけでなく複数の辺（例えば２～４辺）に沿って所定間隔に配置される場合でも、各辺についてレーザ光Ｌを走査すればよい。したがって、外縁部２２において密着部２３及び延在部２４を容易に整形することができる。

以上、本発明の第２実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、無機膜１１の外縁端１１ａは、第１の有機膜１０の外縁端１０ａ及び第２の有機膜１２の外縁端１２ａとともに、保護膜２０の外縁端２０ａを構成してもよい。

無機膜１１は、白色顔料を含む樹脂膜であってもよい。白色顔料として、例えば、アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム等が例示できる。白色顔料を含む樹脂膜を無機膜１１とする場合、第２の有機膜１２を形成した後に、さらに金属膜（例えば、アルミニウム）及び第３保護膜（第１、第２の有機膜と同種材料）をこの順で積層することで、耐湿性に劣る樹脂反射膜であっても金属反射膜と同等の耐湿性、及び金属反射膜以上の光出力を得ることができる。このようにしても、光反射性を有する無機膜１１を実現することができる。

１，１Ａ…放射線検出器、２…基板、３…受光部、３ａ…光電変換素子、４…信号線、５…ボンディングパッド、６…パッシベーション膜、７…光電変換素子アレイ、８…シンチレータ層、８ａ…シンチレータ、８ｂ…周縁部、９…樹脂枠、１０…第１の有機膜、１１…無機膜（金属膜）、１２…第２の有機膜、１３…保護膜、１３ａ…保護膜１３の外縁、１４…被覆樹脂、３０…溝、Ｄ１…第１の距離、Ｄ２…第２の距離、ｄ，ｄ１，ｄ３…高さ、ｄ２…幅、Ｅ１…樹脂枠９の内縁、Ｅ２…樹脂枠９の外縁、Ｅ３…シンチレータ層８の外縁、Ｅ４…光電変換素子アレイ７の外縁、Ｍ１…マスキング部材。

Claims (13)

1. 一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子を含む受光部、及び前記光電変換素子と電気的に接続され且つ前記受光部の外側に配置された複数のボンディングパッドを有する光検出パネルと、
   前記受光部を覆うように前記光検出パネル上に積層され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
   前記シンチレータ層の積層方向から見た場合に、前記シンチレータ層及び前記ボンディングパッドから離間して前記シンチレータ層と前記ボンディングパッドとの間を通り且つ前記シンチレータ層を包囲するように、前記光検出パネル上に形成されたパネル保護部と、
   前記シンチレータ層を覆い、前記パネル保護部上に位置する外縁を有するシンチレータ保護膜と、を備え、
   前記パネル保護部には、前記シンチレータ保護膜の外縁と連続する溝が形成され、
   前記溝は、
   前記パネル保護部の延びる方向に沿って深さが一定である本照射部と、
   前記本照射部の第１の端部に連続し、前記パネル保護部の延びる方向に沿って、前記第１の端部に近づくにつれて深さが次第に深くなる部分を含む前照射部と、
   前記本照射部の第２の端部に連続し、前記パネル保護部の延びる方向に沿って、前記第２の端部から離れるにつれて深さが次第に浅くなる部分を含む後照射部と、を含む放射線検出器。
2. 前記シンチレータ保護膜の前記外縁を覆う被覆樹脂をさらに備える、請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記被覆樹脂は、前記パネル保護部をさらに覆い、
   前記被覆樹脂は、前記被覆樹脂と前記パネル保護部との接触面の縁部が前記パネル保護部上に形成されるように、前記パネル保護部に留まることが可能な材料特性を有する、請求項２に記載の放射線検出器。
4. 前記パネル保護部の中央部は、前記パネル保護部の両縁部よりも高い、請求項２又は３に記載の放射線検出器。
5. 前記パネル保護部の幅は、７００マイクロメートル以上であり、且つ、１０００マイクロメートル以下である、請求項１～４の何れか一項に記載の放射線検出器。
6. 前記パネル保護部の高さは、１００マイクロメートル以上であり、且つ、３００マイクロメートル以下である、請求項１～５の何れか一項に記載の放射線検出器。
7. 一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子を含む受光部、及び前記光電変換素子と電気的に接続され且つ前記受光部の外側に配置された複数のボンディングパッドを有する光検出パネルを準備し、放射線を光に変換するシンチレータ層を、前記受光部を覆うように前記光検出パネル上に積層する工程と、
   前記シンチレータ層の積層方向から見た場合に、前記シンチレータ層を包囲するように、前記光検出パネル上にパネル保護部を配置する工程と、
   前記光検出パネルの前記シンチレータ層が積層される側の表面全体及び前記パネル保護部の表面を覆うように、シンチレータ保護膜を形成する工程と、
   前記パネル保護部に沿ってレーザ光を照射することにより、前記シンチレータ保護膜を切断する工程と、
   前記シンチレータ保護膜の外側の部分を除去する工程と、を有し、
   前記シンチレータ保護膜を切断する工程では、
   前記レーザ光のエネルギを、前記シンチレータ保護膜を切断可能な閾値エネルギより小さい値から前記閾値エネルギよりも大きい値に増加させながら、前記パネル保護部に沿って走査する前照射工程と、
   前記レーザ光のエネルギを、前記閾値エネルギよりも大きい値に維持しながら、前記パネル保護部に沿って走査する本照射工程と、
   前記レーザ光のエネルギを、前記閾値エネルギより大きい値から前記閾値エネルギよりも小さい値に減少させながら、前記パネル保護部に沿って走査する後照射工程と、
   を含む、放射線検出器の製造方法。
8. 前記パネル保護部は、樹脂枠を含み、
   前記パネル保護部を配置する工程では、前記シンチレータ層及び前記ボンディングパッドから離間して前記シンチレータ層と前記ボンディングパッドとの間を通り且つ前記シンチレータ層を包囲するように、前記光検出パネル上に前記樹脂枠を配置する、請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
9. 前記パネル保護部は、マスキング部材をさらに含み、
   前記パネル保護部を配置する工程では、前記ボンディングパッドを覆うように、前記光検出パネル上に前記マスキング部材をさらに配置する、請求項８に記載の放射線検出器の製造方法。
10. 前記パネル保護部は、マスキング部材を含み、
    前記パネル保護部を配置する工程では、前記シンチレータ層と前記ボンディングパッドとの間の領域、及び前記ボンディングパッドを覆うように、前記光検出パネル上に前記マスキング部材を配置し、
    前記シンチレータ保護膜を形成する工程では、前記光検出パネルの前記シンチレータ層が積層される側の表面全体及び前記マスキング部材の表面に前記シンチレータ保護膜を形成する、請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
11. 前記シンチレータ保護膜を切断する工程の後に、前記マスキング部材を除去する工程をさらに含む、請求項１０に記載の放射線検出器の製造方法。
12. 前記シンチレータ保護膜の外側の部分を除去する工程の後に、前記シンチレータ保護膜の外縁を覆う被覆樹脂を形成する工程をさらに有する、請求項１０又は１１に記載の放射線検出器の製造方法。
13. 一次元又は二次元に配列された複数の光電変換素子を含む受光部、及び前記光電変換素子と電気的に接続され且つ前記受光部の外側に配置された複数のボンディングパッドを有する光検出パネルと、
    前記受光部を覆うように前記光検出パネル上に積層され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
    前記シンチレータ層の積層方向から見た場合に、前記シンチレータ層及び前記ボンディングパッドから離間して前記シンチレータ層と前記ボンディングパッドとの間を通り且つ前記シンチレータ層を包囲するように、前記光検出パネル上に形成されたパネル保護部と、
    前記シンチレータ層を覆い、前記パネル保護部上に位置する外縁を有するシンチレータ保護膜と、を備え、
    前記パネル保護部には、前記シンチレータ保護膜の外縁と連続する溝が形成され、
    前記溝は、
    前記パネル保護部の延びる方向に沿って深さが一定である本照射部と、
    前記本照射部の第１の端部に連続し、前記パネル保護部の延びる方向に沿って、前記第１の端部に近づくにつれて深さが次第に浅くなる部分を含む前照射部と、
    前記本照射部の第２の端部に連続し、前記パネル保護部の延びる方向に沿って、前記第２の端部から離れるにつれて深さが次第に深くなる部分を含む後照射部と、を含む放射線検出器。

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