CN102736007A - 高频耦合信号调整方法及其测试装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种高频耦合信号调整方法及其测试装置，该测试装置具有一高频金属针及一耦合传输线，以该高频金属针或该耦合传输线的其中的一个制成一高频线路，另一个制成一耦合线路，并使该高频线路电性连接一信号产生源，使该耦合线路电性连接一信号接收端；因此在该信号接收端接收上述的高频耦合信号，调整该耦合线路与该高频线路的耦合电容及互感即可以调整高频耦合信号的传输频率。

Description

高频耦合信号调整方法及其测试装置

技术领域

本发明是关于半导体测试的高频测试信号，特别是指一种传输高频耦合信号的测试装置及改变信号耦合的调整方法。

背景技术

探针卡的主要目的是接收电测机台(tester)输出的测试信号，使测试信号通过探针卡的电路板与探针进行电路空间转换的作用而传输至集成电路芯片上仅细微间距的测试焊垫，并由芯片电路将测试信号接收处理后在特定测试焊垫输出测试结果，再透过探针与探针卡的电路板回传至电测机台，以供测试人员监控芯片电性，达到自动化的晶圆级测试目的。

对于以高速运算的数字芯片电路而言，探针卡测试时，电路板的电路布设则需兼具高频传输所需特性阻抗的电路结构，并达到维持高频信号传输路径上的阻抗匹配；同理，用于接触芯片以送出并回传测试信号的探针结构也需维持有特性阻抗匹配的高频信号传输条件，以满足高频电测的可靠度。而由于高频传输的特性阻抗对传输结构的环境具有极高的敏感度，因此探针卡结构制成后，各模块结构之间往往有阻抗不匹配的缺点，导致信号传递至模块结构的接合处产生信号反射耗损，因而大多难以实际符合芯片电路的高频传输规格。

因此，近来高频电测多改良为非直接接触式的感应电测结构，利用测试探针与待测芯片的测试焊垫之间的电性耦合效应，使芯片电路以耦合信号方式执行测试；如美国专利公开第20070296435号所提出一种「交流参数耦合测试探针」，除了探针在针尖处以特制的绝缘材质直接接触芯片电路元件形成特定耦合电容，也可通过改变探针与芯片电路元件之间不同的距离形成可调整的耦合电容，得到符合芯片电路规格的测试条件。不过由于上述专利所能提供电性耦合的方式一则为探针针尖部分的绝缘材质，使得绝缘材质经接触磨耗或杂质沾染因素同样影响耦合信号的质量；另者，利用探针针尖与芯片电路元件之间隙调整或感测耦合电容，使得一旦探针针体弹性材质老化后即造成距离参数的改变，影响电性规格的判断。

故实际传输高频信号的测试探针卡，几乎受限于探针卡模块的工艺可靠度，或者受到信号特性变异因素的影响，使得测试传输过程难以维持高频信号传输所需的阻抗匹配。

发明内容

因此，本发明的主要目的是在于提供一种高频耦合信号调整方法及其测试装置，可响应待测芯片的传输特性调整测试装置所传输的高频耦合信号，有效提升高频信号传输的频宽调整功能。

为达成前述目的，本发明所提供一种高频耦合信号调整方法，其包括有以下步骤：制备一高频金属针及一耦合传输线，以该高频金属针或该耦合传输线中的一个制成一高频线路，另一个制成一耦合线路；使该高频线路电性连接一信号产生源，使该耦合线路电性连接一信号接收端；以及在该信号接收端接收上述的高频耦合信号，调整该耦合线路与该高频线路的耦合电容及互感以调整高频耦合信号的传输频率。

因此，前述高频耦合信号调整方法可以待测芯片的信号输入焊点作为上述的信号产生源，该高频金属针为局部的高频线路，该耦合传输线为局部的耦合线路，电测机台作为上述的信号接收端；反之，可以电测机台作为上述的信号产生源，该耦合传输线为局部的高频线路，该高频金属针为局部的该耦合线路，待测芯片的信号输入焊点作为上述的信号接收端。

为达成前述目的，本发明所提供一种高频耦合信号的测试装置，其具有：一电路基板，布设有一耦合传输线；一探针座，其穿设有多个相邻固定间距的通孔，以及一高频金属针及一耦合金属针，其分别穿设各该通孔，该高频金属针用于点触集成电路芯片，并与该耦合金属针相邻并列设置，该耦合金属针电性连接该耦合传输线，并较该高频金属针的长度为短。

因此前述测试装置可以调整高频金属针及耦合金属针的耦合电容及互感，即可响应待测芯片的传输特性调整高频耦合信号以维持相互匹配的特性阻抗，使高频耦合信号得以具有待测芯片的高频电路运作所需的特定传输频率。

为达成前述目的，本发明还提供一种高频耦合信号的测试装置，其具有：一电路基板，具有相对的一上表面及一下表面，该上表面设有一电性接点，用于电性连接电测机台；一高频传输线及一耦合传输线，该耦合传输线与该高频传输线并列设置，该耦合传输线电性连接该电路基板的电性接点；以及一高频金属针，电性连接该高频传输线并用于点触集成电路芯片。

因此前述测试装置可以调整高频传输线及耦合传输线的耦合电容及互感，即可响应待测芯片的传输特性调整高频耦合信号以维持相互匹配的特性阻抗，使高频耦合信号得以具有待测芯片的高频电路运作所需的特定传输频率。

附图说明

以下，将配合图示列举若干较佳实施例，用于对本发明的结构与功效作详细说明，其中所用图示的简要说明如下：

图1是本发明所提供第一较佳实施例的结构示意图；

图2是本发明所提供第二较佳实施例的局部结构示意图；

图3是上述第二较佳实施例的结构示意图，表示所提供调整件及耦合传输线在电路基板的电性连接关系；

图4是本发明所提供第三较佳实施例的结构示意图；

图5是本发明所提供第四较佳实施例的结构示意图；

图6是本发明所提供第五较佳实施例的结构示意图；

图7是本发明所提供第六较佳实施例的局部结构示意图。

本发明主要元件符号说明：

1、2、3、4、5、6测试装置

102测试区             104转接区

106探针区

10、50、60电路基板    11、51、61上表面

12、53、63下表面      13固定座

131槽口             133槽底

135孔板             137焊点

14、52、62电性接点  15导线

16、56耦合传输线    18、54、72高频传输线

19、58调整件        20、200探针座

22上导板            24下导板

26、28通孔          202、204导电层

32高频金属针        34耦合金属针

40、44高频耦合电路  42高频线路

46耦合线路          64第一耦合传输线

70空间转换器        71顶部

73底部              74第二耦合传输线

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。

请参阅如图1所示为本发明所提供的第一较佳实施例，为以高频耦合方式传输高频信号的一测试装置1，该测试装置1可对具有高频运作需求的集成电路芯片进行电性测试；本发明是以例举具有高密度阵列分布的垂直式探针作为接触元件以点触集成电路芯片，举凡如悬臂式探针或微机电集成工艺(MEMS)探针等均为本发明的应用范畴，因而不在此限。该测试装置1是区分有自周围向中心依序分布的一测试区102、一转接区104及一探针区106，该测试区102可供电性连接一信号产生源，如电测机台(图中未示)的点触头，以将电测机台的测试信号传经该转接区104并由该探针区106所设置的垂直式探针输出，再由一信号接收端所接收，如上述集成电路待测芯片(图中未示)的信号输入焊点；经待测芯片运算处理后，运算结果所产生的测试信号则由待测芯片的信号输出焊点(另一信号产生源)输出，再回传至该测试装置1，先后经该探针区106、转接区104以至测试区102，最后由电测机台的点触头(另一信号接收端)接收以读取并分析测试结果。该测试装置1具有一电路基板10、一探针座20、多个高频金属针32及耦合金属针34，其中：

该电路基板10具有相对的一上表面11及一下表面12，且电路基板10中央设有一固定座13对应位于该探针区106，用于装设该探针座20。该上表面11设有多个电性接点14以供电气连接至上述电测机台的点触头，该电路基板10布设有多个导线15及耦合传输线16；各该导线15可为如本实施例所例举的为电路基板10的公板制作规格，是电性连接一该电性接点14并以径向延伸方式自该测试区102延伸至转接区104后在该上表面11电性连接一该耦合传输线16，使该耦合传输线16可以任意方向的电路空间转换将该电性接点14导通至探针区106的特定位置。该固定座13为设在该电路基板10中央的一槽体，其槽口131向上可供该些耦合传输线16延伸进入经固定后穿出槽底133；槽底133设有一孔板135，为具良好绝缘特性的材料所制成，各该耦合传输线16的金属线芯可穿过该孔板135并固定焊接在孔板135底部的一焊点137。

该探针座20设在该孔板135的底部，具有一上导板22及一下导板24，该二导板22、24为具良好绝缘特性的材料所制成，是以周边相叠置且各在其上、下板面对应穿设多个相邻固定间距的通孔26、28，用于使各该高频金属针32及耦合金属针34纵向穿设该探针座20；该多个金属针32、34竖立在该二导板22、24上形成与该电路基板10相互垂直的态样，且各该金属针32、34具有可弹性拱曲的身部位于该二导板22、24之间的容置空间，因此当受到正向应力时可在探针座20内部获得有横向弹性缓冲的空间。

各该高频金属针32的一端是凸出该上导板22的顶部以顶抵于该孔板135，另一端则凸出该下导板24的通孔28用以点触待测电子元件；各该耦合金属针34的一端，即各该耦合金属针34的针尾，是凸出该上导板22的顶部以顶抵于该孔板135底部的焊点137与一该耦合传输线16电性连接，另一端则由该下导板24的通孔28固定其横向位置以呈稳固竖立于该探针座20的态样。该耦合金属针34与该高频金属针32相邻并列设置，用于与高频金属针32产生特定电容及互感，使高频信号传输经具有高通滤波(high pass filter)或带通滤波(band pass filter)作用的该高频金属针32及该耦合金属针34后形成特定带通频率的高频耦合信号，改变该耦合金属针34至另一与该高频金属针32相邻不同距离的通孔26、28则可调整该高频耦合信号的传输频率以及信号特性阻抗，不但可隔绝该高频金属针32与电测机台之间的直流传递以降低直流功率消耗，并可减少高频耦合信号的传输频率以外不必要的频段干扰；因此各通孔26、28间的横向间距仅需预先配置为与特定传输频率对应的微调幅度，则可依照待测电子元件的高频传输规格在高频金属针32周围通孔26、28穿设耦合金属针34；且各该耦合金属针34实际上具有高频耦合的功能，不用于点触待测电子元件，也不与高频金属针32有接触，可如本实施例所例举的仅需以微小的针尖部分凸出该下导板24，或可以直接顶抵该下导板24或固定在通孔28内部的方式，而不在本发明所限制的应用范畴。

当然，本实施例所例举的探针座、高频金属针及耦合金属针是响应用于垂直式探针而有对应的结构，如果是如前述的悬臂式探针或微机电集成工艺(MEMS)探针，则同样将高频耦合功能的耦合金属针电性连接耦合传输线，不用于点触待测电子元件，仅以相邻并列的高频金属针点触待测电子元件，并依照所需形成特定带通频率的高频耦合信号制成耦合金属针与高频金属针的相邻规格，由此得到所需高频耦合信号的传输频率。

因此，当电测机台的测试信号由该电路基板10的电性接点14接收后，传经该导线15及耦合传输线16以至该耦合金属针34，则与该高频金属针32电性耦合形成高频耦合信号由该高频金属针32输出，再由待测芯片的信号输入焊点接收；这样的信号传输路径形成该测试装置1的一高频耦合电路40，以电测机台作为上述的信号产生源，该导线15、耦合传输线16及该耦合金属针34形成该高频耦合电路40的一高频线路42，该高频金属针32形成该高频耦合电路40的一耦合线路，待测芯片的信号输入焊点作为上述的信号接收端。反之，当待测芯片运算处理后则产生测试结果信号，由待测芯片的信号输出焊点输出至该高频金属针32，再与该耦合金属针34电性耦合后形成高频耦合信号，经该耦合传输线16及该导线15传输，最后回传至电测机台接收读取并分析测试结果；这样的测试信号的传输路径形成该测试装置1的另一高频耦合电路44，以待测芯片的信号输出焊点作为上述的信号产生源，该高频金属针32形成该高频耦合电路44的一高频线路，该耦合金属针34、耦合传输线16及该导线15形成该高频耦合电路44的一耦合线路46，电测机台作为上述的信号接收端。

综合上述可知，本发明所提供的测试装置是以高频线路接收来自信号产生源的高频信号，并以耦合线路输出高频耦合信号至信号接收端，主要为所提供的高频线路与耦合线路之间有相互耦合的电容及电感特性的对应结构，如上述实施例所提供高频金属针32与耦合金属针34的并列结构，因此可通过调整该耦合线路与该高频线路的耦合电容及互感，即可响应待测芯片的传输特性调整高频耦合信号以维持相互匹配的特性阻抗，使高频耦合信号得以具有待测芯片的高频电路运作所需的特定传输频率；因此有效提升了高频信号传输的频宽调整功能，更能避免在高密度的测试电路结构中以不同传输介质构成单一的传输路径将高频测试信号传递于测试机台与待测芯片之间，因而有效减少了传输路径上的信号反射耗损，进而提升了高频传输质量及传输频宽。

值得一提的是，高频金属针32与耦合金属针34之间的耦合电容及互感的调整方法，除了改变耦合金属针34在探针座20所穿设的通孔26、28位置，也可如图2及图3所示本发明第二较佳实施例所提供的一测试装置2，其中的一探针座200与上述第一较佳实施例差异者在在下导板24上布设有多个环状的导电层202，配合图2A参照，各该导电层202环设各该高频金属针32并对应位于高频金属针32的周围邻近通孔28上。这样，各该高频金属针32邻近环设的该耦合金属针34仅需其中的一个电性连接耦合传输线16，其余环设的该耦合金属针34可通过对应的该导电层202相互电性短路，即可使一该高频金属针32与邻近所环设的该多个耦合金属针34具有单一等效的耦合电容及互感；因而该测试装置2只需在探针座200之上、下导板22、24的固定通孔26、28位置以插拔耦合金属针34的方式，改变高频金属针32的邻近耦合金属针34设置数量，即可改变耦合线路与高频线路的耦合电容及互感。当然，使邻近环设的该多个耦合金属针34可相互短路的导电层结构也不限定为如本实施例所提供的位于探针座20下的导板24的实施态样，举凡设在该多个耦合金属针34所穿设或接触的任何结构上，包括电路基板10底部的孔板135或探针座20的上、下导板22、24；或者设在该多个耦合金属针34所穿设或接触的多个结构上，如图2B所示同时在上、下导板22、24设有导电层202、204，均可使高频金属针32所环设的该耦合金属针34相互短路，更增加高频耦合的质量，同样具有本发明所要产生的功效，因而不在此限。

为了实现高频耦合信号的传输频率的更细微调整，该测试装置2在电路基板10的上表面11设有一调整件17，配合图3参照，是为电容、电感或两者的组合元件，并使该耦合金属针34所电性连接的导线15或耦合传输线16电性连接该调整件17，改变该调整件17的电容或电感的数值则可更进一步调整该高频耦合信号的传输频率。

另外，请参阅如图4所示本发明第三较佳实施例所提供的一测试装置3，相较于上述各实施例以调整高频金属针32与耦合金属针34的间距或插拔耦合金属针34的数量的方式，该测试装置3的差异在于，是以提供如第一较佳实施例的探针座20设置高频金属针32与耦合金属针34，还提供一高频传输线18与高频金属针32电性连接且与耦合传输线16并列设置，通过改变该高频传输线18的长度或与该耦合传输线16的相邻距离以达到调整耦合线路与高频线路的耦合电容及互感；更进一步，也提供有类似上述实施例所提供的一调整件19，为电容、电感或两者的组合元件，使该耦合传输线16及高频传输线18同时与该调整件19电性连接，改变该调整件17的电容或电感的数值则可进一步调整耦合线路与高频线路的耦合电容及互感，更有效调整该高频耦合信号的传输频率。

至于本发明上述各实施例所提供将耦合传输线16或高频传输线18布设在电路基板10的结构，也不限定于布设在电路基板10外部再穿过中央固定座13至电路基板10下方与探针座20或200接设的方式；请参阅如图5所示本发明第四较佳实施例所提供的一测试装置4，是具有一电路基板50以及如上述第一较佳实施例所提供的探针座20、高频金属针32及耦合金属针34，该电路基板50为具有特定电路结构的电路专板，与上述第一较佳实施例所提供的差异在于：

该电路基板50的一上表面51设有多个电性接点52以供电气连接至电测机台的点触头，该电路基板50的一下表面53设有该探针座20，该电路基板50的内部布设有多个相邻并列的高频传输线54及耦合传输线56分别在该下表面53电性连接该高频金属针32及耦合金属针34；该耦合传输线56在该上表面51电性连接该电性接点52，因此通过在该电路基板50内部的集成电路布设方式，布设与该耦合传输线56并列特定间距的高频传输线54，可以得到该测试装置4传输所需高频耦合信号的特定传输频率。更甚者，为了使测试工程更广泛的应用于多种不同电路规格的待测芯片，该电路基板50的上表面51还设有类似上述实施例所提供的一调整件58，为电容、电感或两者的组合元件，使该耦合传输线56及高频传输线54同时与该调整件58电性连接，改变该调整件58的电容或电感的数值则可进一步调整耦合线路与高频线路的耦合电容及互感，更有效调整该高频耦合信号的传输频率；当然所增设的调整件与任一该耦合传输线56或高频传输线54或两者同时电性连接的作用，均为了实现改变高频信号传输于高频传输线54的特性阻抗功能，因此将调整件设在电路基板50上表面51电性连接任一该耦合传输线56或高频传输线54的设置方式，例如将调整件设在电路基板50上表面51，调整件的两端分别电性连接该耦合传输线56及接地端，或者将调整件的两端分别电性连接该高频传输线54及接地端，以调整信号特性阻抗，同样兼具本发明所要发挥的功效，因而不在此限。

当然，只要高频传输线54周围邻近固定间距并列有多个耦合传输线56，电路基板50的下表面53也可设置如第二较佳实施例所提供的探针座200，使耦合金属针34电性连接耦合传输线56，则为可供耦合金属针34插拔的方式改变耦合线路与高频线路的耦合电容及互感。

此外，上述以电路专板制成的电路基板50所具有的电路功能结构，也可取代为以电路公板搭配一般具有电路空间转换功能的空间转换器，如图6所示本发明第五较佳实施例所提供一测试装置5，是具有一电路基板60、一空间转换器70以及如上述第二较佳实施例所提供的探针座200、高频金属针32及耦合金属针34，与上述第四较佳实施例所提供的差异在于：

该电路基板60的上表面61设有多个电性接点62以供电气连接至电测机台的点触头，该电路基板60的上表面61与下表面63之间延伸布设有多个第一耦合传输线64。

该空间转换器70的一顶部71与该电路基板60电性连接，该空间转换器70的一底部73设有该探针座200与穿设该探针座200的高频金属针32及耦合金属针34，该空间转换器70的内部布设有多个高频传输线72及与各该高频传输线72邻近固定间距所布设的第二耦合传输线74；各该高频传输线72电性连接该高频金属针32，各该第二耦合传输线74用于电性连接各该耦合金属针34。

根据上述第二较佳实施例的详述，由于该探针座200的上或下导板22或24上布设有环设各该高频金属针32的导电层204或202，且各该高频金属针32环设的该耦合金属针34可通过对应的该导电层202或204相互电性短路，因此使各该高频传输线72邻近设置的第二耦合传输线74同样为相互电性短路；故各该高频传输线72邻近的第二耦合传输线74仅需其中的一个电性连接该电路基板60的第一耦合传输线64，则该测试装置5不但具有与上述第二较佳实施例同样为以插拔耦合金属针34的方式，改变高频金属针32的邻近耦合金属针34设置数量以调整耦合线路与高频线路的耦合电容及互感，还可通过以微工艺的空间转换器70布设特定电路传输规格的高频传输线72及第二耦合传输线74，使对应插拔的耦合金属针34为更高精密度的高频耦合信号调整功能，由此可省略额外电容或电感调整件的设置，增加电路基板60上的其余电路空间需求。

值得一提的是，本实施例所提供测试装置5在使高频耦合作用自高频金属针32及耦合金属针34之间延伸至空间转换器70中发生，当然，如果要进一步延伸至电路基板60，使具有与上述第四较佳实施例所提供的方便在电路基板60上方增设任何调整件，以更进一步改变高频信号的传输频率及传输特性阻抗，也可将电路基板60布设为与第四较佳实施例所提供电路基板50同样的结构特性，均可实现本发明所要发挥的功效，因而不在此限。

另外，由于本发明主要在提供调整耦合线路与高频线路的耦合电容及互感，因此在电路基板的电路结构上，如第三及第四实施例的使用耦合传输线并列高频传输线18或54，配合图4至图6参照，均在耦合传输线与高频传输线之间产生电性耦合效应；故即使上述实施例所提供的探针座20仅设置用于点触待测芯片的高频金属针32，仍然可通过耦合传输线与高频传输线的并列布设得到高频耦合信号，如图7所示本发明第六较佳实施例所提供的一测试装置6，相较于上述第三较佳实施例所提供的测试装置，差异在于省略耦合金属针的设置，因此仅以改变调整件19的电容或电感的数值达成调整耦合线路与高频线路的耦合电容及互感，同样具有本发明所要提供的功效。

应注意，以上所述的内容仅为本发明的较佳可行实施例而已，故举凡应用本发明说明书及权利要求所述的等效结构变化，理应包含在本发明的专利范围内。

Claims (20)

1.一种高频耦合信号调整方法，该方法包括有以下步骤：

制备一高频金属针及一耦合传输线，以该高频金属针或该耦合传输线中的一个制成一高频线路，另一个制成一耦合线路；

使该高频线路电性连接一信号产生源，使该耦合线路电性连接一信号接收端；以及

在该信号接收端接收上述的高频耦合信号，调整该耦合线路与该高频线路的耦合电容及互感以调整高频耦合信号的传输频率。

2.根据权利要求1所述的高频耦合信号调整方法，还制备一耦合金属针，与该耦合传输线电性连接且与该高频金属针并列设置，改变该耦合金属针与该高频金属针的相邻距离以调整该高频耦合信号的传输频率。

3.根据权利要求2所述的高频耦合信号调整方法，还制备一电路基板，用于布设该耦合传输线，该耦合传输线在该电路基板的一上表面电性连接该信号接收端，并在该电路基板的一下表面电性连接该耦合金属针，使该耦合传输线及该耦合金属针制成该耦合线路。

4.根据权利要求2所述的高频耦合信号调整方法，还制备一电路基板，用于布设该耦合传输线，该耦合传输线在该电路基板的一上表面电性连接该信号产生源，并在该电路基板的一下表面电性连接该耦合金属针，使该耦合传输线及该耦合金属针制成该高频线路。

5.根据权利要求1、2、3或4中任一项所述的高频耦合信号调整方法，还制备多个耦合金属针使相互电性短路，且分别与该高频金属针并列设置，其中一该耦合金属针与该耦合传输线电性连接，改变该多个耦合金属针的数量以调整该高频耦合信号的传输频率。

6.根据权利要求5所述的高频耦合信号调整方法，还制备一探针座，是穿设有多个相邻固定间距的通孔用于供该高频金属针及耦合金属针穿设，该多个耦合金属针穿设在邻近该高频金属针所环绕的通孔。

7.根据权利要求1所述的高频耦合信号调整方法，还制备一高频传输线，与该高频金属针电性连接且该与耦合传输线并列设置，改变该高频传输线的长度或与该耦合传输线的相邻距离以调整该高频耦合信号的传输频率。

8.根据权利要求7所述的高频耦合信号调整方法，还制备一电路基板，布设有该高频传输线及耦合传输线，该耦合传输线在该电路基板的一上表面电性连接该信号接收端，该高频传输线在该电路基板的一下表面电性连接该高频金属针，使该高频传输线及高频金属针制成该高频线路。

9.根据权利要求7所述的高频耦合信号调整方法，还制备一电路基板，布设有该高频传输线及耦合传输线，该耦合传输线在该电路基板的一上表面电性连接该信号产生源，该高频传输线在该电路基板的一下表面电性连接该高频金属针，使该高频传输线及高频金属针制成该耦合线路。

10.根据权利要求7所述的高频耦合信号调整方法，还制备一电路基板及一空间转换器，将该空间转换器叠置在该电路基板的一下表面，该耦合传输线布设在该电路基板及空间转换器，并在该电路基板的一上表面电性连接该信号接收端，该高频传输线布设在该空间转换器，并在该空间转换器的一下表面电性连接该高频金属针，使该高频传输线及高频金属针制成该高频线路。

11.根据权利要求7所述的高频耦合信号调整方法，还制备一电路基板及一空间转换器，将该空间转换器叠置在该电路基板的一下表面，该耦合传输线布设在该电路基板及空间转换器，并在该电路基板的一上表面电性连接该信号产生源，该高频传输线布设在该空间转换器，并在该空间转换器的一下表面电性连接该高频金属针，使该高频传输线及该高频金属针制成该耦合线路。

12.一种高频耦合信号的测试装置，用于连接电测机台以对集成电路芯片进行电性测试，该测试装置具有：

一电路基板，布设有一耦合传输线用于接收上述电测机台所输出的测试信号；

一探针座，其穿设有多个相邻固定间距的通孔，以及

一高频金属针及一耦合金属针，其分别穿设各该通孔，该高频金属针用于点触上述集成电路芯片，并与该耦合金属针相邻并列设置，该耦合金属针电性连接该耦合传输线，上述测试信号在该耦合金属针与高频金属针之间经滤波后，自该高频金属针输出高频耦合信号以对上述集成电路芯片进行电性测试。

13.根据权利要求12所述的测试装置，该电路基板的一上表面具有一电性接点，用于电性连接上述电测机台，该电路基板的内部布设有一导线自该电路基板的***向内沿径向延伸，该导线的两端分别电性连接该电性接点及该耦合传输线。

14.根据权利要求13所述的测试装置，还具有一高频传输线，该高频传输线与该高频金属针电性连接且与该耦合传输线并列设置。

15.根据权利要求13所述的测试装置，该电路基板的中央是穿设有一固定座，该探针座设在该固定座的底部，该耦合传输线的一端设在该电路基板的上表面，另一端穿设该固定座并在该固定座的底部接设该耦合金属针。

16.根据权利要求12所述的测试装置，该探针座的内部设有一导电层，设在该高频金属针的周围邻近的通孔上，该探针座设有多个耦合金属针穿过该导电层并与该导电层电性连接，其中一该耦合金属针与该耦合传输线相接。

17.一种高频耦合信号的测试装置，用于连接电测机台以对集成电路芯片进行电性测试，该测试装置包括有：

一电路基板，具有相对的一上表面及一下表面，该上表面设有一电性接点，用于电性连接上述电测机台；

一高频传输线及一耦合传输线，该耦合传输线与该高频传输线并列设置，该耦合传输线电性连接该电路基板的电性接点用于接收上述电测机台所输出的测试信号，上述测试信号在该耦合传输线与高频传输线之间经滤波后，自该高频传输线输出高频耦合信号；以及，

一高频金属针，电性连接该高频传输线并用于点触上述集成电路芯片，以将上述高频耦合信号输出至该集成电路芯片。

18.根据权利要求17所述的测试装置，该电路基板的内部布设有一导线自该电路基板的***向内沿径向延伸，该导线的两端分别电性连接该电性接点及该耦合传输线，该电路基板的中央是穿设有一固定座，该固定座的底部设置一探针座，该探针座是穿设该高频金属针，该耦合传输线的一端设在该电路基板的上表面，另一端穿设该固定座至该固定座的底部。

19.根据权利要求17所述的测试装置，具有一探针座，该探针座穿设有该高频金属针及一耦合金属针，该耦合金属针与该高频金属针相邻并列且电性连接该耦合传输线，该探针座的内部设有一导电层，设在该高频金属针的周围，该探针座设有多个耦合金属针穿过该导电层并与该导电层电性连接，其中一该耦合金属针与该耦合传输线相接。

20.根据权利要求17所述的测试装置，具有一探针座及一空间转换器，该探针座穿设有该高频金属针及一耦合金属针，该耦合金属针与该高频金属针相邻并列且电性连接该耦合传输线，该空间转换器设在该电路基板的下表面，该探针座设在该空间转换器的底部，该耦合传输线是区分有一第一及一第二耦合传输线，分别延伸布设在该电路基板及空间转换器的内部，该高频传输线与该第二耦合传输线并列设置。

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