CN201707425U - 用于集成电路测试的探测装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型是一种用于集成电路测试的探测装置，至少包括一基材、一探测针体以及一旁路电容，其中所述的基材是由一内导体经一绝缘材料充填后固定在一外导体内，而所述的基材末端设有一切面，使内导体、绝缘材料都外露于所述的切面上，所述的探测针体一端是与外露于上述切面的内导体电性连接，而探测针体末端则供用于接触待测元件的焊垫，而所述的旁路电容具有第一电极端与第二电极端，其中第一电极端是与探测针体电性连接，第二电极端则与基材末端的外导体相接。

Description

用于集成电路测试的探测装置

技术领域

本实用新型涉及一种可有效滤除电源或接地点的交流杂讯的用于集成电路测试的探测装置。

背景技术

在集成电路测试领域中，探针部份是介于探针头的信号传输线与集成电路待测物之间的界面。集成电路待测物是可为一半导体晶圆中其中一晶粒，晶粒的表面上会形成有可供探针探触的焊垫。

一般而言，一探针组具有复数个探针。当电性接触待测半导体晶粒上的焊垫，能测试其集成电路的电气特性，以判定半导体晶粒是否为良好。良好的半导体晶粒将继续进行后续的封装或组装制程。不良的半导体晶粒将被舍弃或修补，以免增加额外的封装成本。然而，在集成电路测试的信号传输过程中，除需连接高频信号外，常尚须额外供应直流偏压电源，此直流偏压电源受到因导通高频的切换电流结合探针本身的电感(L×di/dt)而产生以及耦合电源或接地点的杂讯干扰，造成信号失真，而无法精确地测量所述的半导体晶粒的电气特性。

因此，请参阅图3，美国专利US4,764,723号即揭示一种利用氧化铝基板制作低阻抗传输线探针，以供应集成电路稳定的直流偏压电源，其虽设有电容器c的设置，然而建置有电容器c的基板前端，需缩小至晶片等级尺寸，造成制作过程复杂且成本偏高，并不实际且目前无商业使用。

另外，请参阅图4，美国专利US5,373,231号也揭示有一种具有外建式旁路电容的探测装置，所述的探测装置是包含有一射频探针a(RF probe)、一线路探针b(wire probe)以及设在所述的射频探针与所述的线路探针之间的电容器c，所述的同轴探针a与所述的线路探针b是直接装设在一探测卡，所述的电容器c是机械式软性连接所述的同轴探针a与所述的线路探针b，以达到有效降低交流杂讯以及确保测试结果的准确性，由于所述的外建式电容器须装设在每两探针之间，成本高且制作费时，虽适用于悬臂式探针的连接装设，然而，一旦遇到待测试元件的焊垫有高低落差时，两探针即形成相互干涉及克制，并不理想。并且所述的线路探针b并未有效屏蔽，无法隔绝耦合杂讯。

有鉴于此，本实用新型设计人不断的研发与改善，遂有本实用新型的产生。

发明内容

本实用新型的主要目的是提供一种可有效滤除电源或接地点的交流杂讯的用于集成电路测试的探测装置。

为达上述的目的，本实用新型为一种用于集成电路测试的探测装置，至少包括一基材、一探测针体以及一旁路电容，其中所述的基材是由一内导体经一绝缘材料充填后固定在一外导体内，而所述的基材末端设有一切面，使内导体、绝缘材料都外露于所述的切面上，所述的探测针体一端是与外露于上述切面的内导体电性连接，而探测针体末端则供用于接触待测元件的焊垫，而所述的旁路电容具有第一电极端与第二电极端，其中第一电极端是与探测针体电性连接，第二电极端则与基材末端的外导体相接。

实施时，所述的基材是同轴传输线结构。

实施时，所述的绝缘材料是聚亚酰胺(polyimide)构成。

实施时，所述的旁路电容是结合于上述外露于上述切面的绝缘材料上。

实施时，所述的外露于基材末端切面的绝缘材料是突出于基材末端切面，供旁路电容可结合固定在所述的突出于基材末端切面的绝缘材料上。

与现有技术相比较，采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于：

1.本实用新型是在探测针体与基材外导体(接地端)之间直接连接有一旁路电容，即每个探测针体都独立具备有一旁路电容，使得进行测量时，不再受限待测元件的焊垫高低不平的影响或受到其他悬臂式探测针体的克制。

2.本实用新型所设的旁路电容是直接连接于探测针体与基材末端的外导体之间，使所述的旁路电容更接近待测元件，有效提高所述的旁路电容的有效性，进而更有效地滤除电源或接地点的交流杂讯。

3.本实用新型所设基材的外导体可构成有效的屏蔽，通过控制绝缘材料的厚度，降低探测针体阻抗，达成去耦合的目的。

附图说明

图1是本实用新型实施例探测装置与探针卡组装后的立体外观示意图；

图2A是本实用新型实施例中旁路电容结合于绝缘材料上的外观示意图；

图2B是本实用新型实施例中旁路电容结合于绝缘材料上的外观示意图；

图2C是本实用新型实施例中旁路电容结合于突出于基材切面绝缘材料上的外观示意图；

图3是现有技术美国专利号的结构示意图；

图4是现有技术美国另一专利号的结构示意图。

附图标记说明：1-基材；10-切面；11-内导体；12-绝缘材料；13-外导体；2-探测针体；3-旁路电容；31-第一电极端；32-第二电极端；4-探针卡；a-射频探针；b-线路探针；c-电容器。

具体实施方式

请参阅图1、图2A，图式内容为本实用新型用于集成电路测试的探测装置的一实施例，其是由至少包括一基材1、一探测针体2以及一旁路电容3所组成。

所述的基材1可为同轴电缆或其他传输线结构，所述的基材1是由一内导体11经一绝缘材料12充填后固定在一外导体13内，所述的绝缘材料12是聚亚酰胺(polyimide)构成。所述的基材1末端设有一切面10，使内导体11、绝缘材料12都外露于所述的切面10上，所述的探测针体2一端是与外露于上述切面10的内导体11电性连接，而探测针体2末端则供用于接触待测元件的焊垫，而所述的旁路电容3具有第一电极端31与第二电极端32，其中第一电极端31与探测针体2电性连接，第二电极端32则与基材1末端的外导体13相接，如此，本实用新型用于集成电路测试的探测装置装设在一探针卡4后，进行测量时，探测针体2末端接触待测元件的焊垫，由于旁路电容3直接连接于探测针体2与基材1的外导体13之间，使外导体13形成接地端，以通过所述的旁路电容3直接滤除因导通高频的切换电流而产生电源或接地点的交流杂讯。此外，基材1的外导体13也可构成有效的屏蔽，通过控制绝缘材料12的厚度，降低探测针体2阻抗，达成去耦合的目的。

实施时，本实用新型所设的旁路电容3可结合于上述外露于上述切面10的绝缘材料12上(如图2B所示)，或是，所述的外露于基材1末端切面10的绝缘材料12是突出于基材1末端切面10，供旁路电容3可结合固定在所述的突出于基材1末端切面10的绝缘材料12上(如图2C所示)。

因此，本实用新型具有以下的优点：

1.本实用新型是在探测针体与基材外导体(接地端)之间直接连接有一旁路电容，即每个探测针体都独立具备有一旁路电容，使得进行测量时，不再受限待测元件的焊垫高低不平的影响或受到其他悬臂式探测针体的克制。

2.本实用新型所设的旁路电容是直接连接于探测针体与基材末端的外导体之间，使所述的旁路电容更接近待测元件，有效提高所述的旁路电容的有效性，进而更有效地滤除电源或接地点的交流杂讯。

3.本实用新型所设基材的外导体可构成有效的屏蔽，通过控制绝缘材料的厚度，降低探测针体阻抗，达成去耦合的目的。

以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种用于集成电路测试的探测装置，其特征在于，至少包括：

一基材，是由一内导体经一绝缘材料充填后固定在一外导体内，而所述的基材末端设有一切面，使内导体、绝缘材料都外露于所述的切面上；

一探测针体，所述的探测针体一端与外露于上述切面的内导体电性连接，而探测针体末端则供用于接触待测元件的焊垫；以及

一旁路电容，具有第一电极端与第二电极端，其中第一电极端与探测针体电性连接，第二电极端则与基材末端的外导体相接。

2.根据权利要求1所述的用于集成电路测试的探测装置，其特征在于：所述的基材是同轴传输线结构。

3.根据权利要求1所述的用于集成电路测试的探测装置，其特征在于：所述的绝缘材料是聚亚酰胺构成。

4.根据权利要求1所述的用于集成电路测试的探测装置，其特征在于：所述的旁路电容结合于上述外露于上述切面的绝缘材料上。

5.根据权利要求4所述的用于集成电路测试的探测装置，其特征在于：所述的外露于基材末端切面的绝缘材料突出于基材末端切面，供旁路电容能够结合固定在所述的突出于基材末端切面的绝缘材料上。

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