CN102714200B - 用于微机电***设备的具有声学气道的基于引脚框的预塑模封装 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种微机电***(MEMS)设备(100),其具有定义空腔的凹部(117),该空腔中心开放到载体表面(111)上。导电引脚(112)在载体表面***嵌入。包括集成电路芯片(101)的***物(120)在凹部的顶部(114、116)内安装,并为空腔提供罩盖。电连接(130)连接芯片上端子与导电引脚。附加到载体表面的罩盖(140)包围集成电路芯片和电连接。穿过包括罩盖中通风孔(141)、***物中第一和第二开孔(121,122)以及集成电路芯片中开孔(104)的路径,提供从环境大气经空腔到在芯片中活动箔片(105)的气道。
Description
技术领域
本发明一般涉及半导体设备和半导体设备制造;尤其涉及封装的微机电***(MEMS)设备及其制造。
背景技术
微机电***(MEMS)设备是可具有包括转换器和致动器的机械活动件的微米尺度小型、轻量设备,并可具有对热、声或光能敏感的零件。因为活动和敏感零件,MEMS设备需要物理和大气保护。因此,MEMS设备通常放置在基片上,并由屏蔽MEMS设备不受环境和电气干扰并且不受应力的外壳或封装围绕。
MEMS设备在共用基片上集成机械元件、传感器、致动器和电子器件。MEMS设备制造针对使用批量制造技术,该技术相似于为其它微型电子设备使用的批量制造技术。MEMS设备可因此从大量生产和最小化的材料消耗获益,从而降低制造成本,同时尝试开发良好控制的集成电路技术。
MEMS设备可采取机械传感器的形式,如压力传感器例如话筒膜、惯性传感器例如加速计,其任意一个都可与芯片的集成电路耦合。机械传感器阵对压力、力、扭矩、流量、速度、加速度、水准、位置、倾斜、以及声波波长和振幅进行反应并测量。压力传感器的一般需要包括长期稳定性、小的温度灵敏度、低压和温度滞后、对腐蚀环境的抵抗力,并经常需要密封性。在MEMS传感器生产中用来在体半导体晶体中制造活动元件及用于其移动的空腔的两种特定体微机械加工工艺是各向异性湿蚀刻和深反应离子蚀刻(DRIE)。
半导体MEMS压力传感器和话筒在绝缘基片上装配,该绝缘基片包括为水平和垂直连接图案化的多级金属化。例如,基片可具有四个金属化级。装配通常包括粘合芯片附加与接合到端子的金属线。在许多产品中,由于紧凑小型轮廓无引脚(SON)或方形扁平无引脚(QFN)型半导体设备示出芯片尺寸封装的紧凑轮廓,因此端子相似于这些半导体设备安置。基片也包括使隔膜暴露于由MEMS设备监控的环境压力和声信号的气道。为保护和鲁棒性,芯片、导线和基片的部分在金属罐中封装或在塑料封装中模塑。例如,移动电话的具有四个端子的MEMS长方体模拟输出话筒的大小可以是大约4.8mm×3.8mm×1.25mm,甚至小到2mm×2mm×1.25mm(导致4mm2占位面积)。
发明内容
本发明认识到具有内腔的MEMS设备快速成长的普及及其广泛的多样化强烈取决于比今日降低制造成本。例如,针对在汽车、医药和航空工业中使传感器、话筒、加速计和其中需要活动构件使外部模拟输入转为电输出的其它应用集成到便携和消费者电子设备的应用,低制造成本和小尺寸是主要需要。
本发明了解在具有图案化多级金属化的基片上制造MEMS设备不仅是高成本途径,而且同样限制材料的挑选和可用于MEMS组件的配置。此外,多金属级基片制造的复杂性使这些MEMS设备对迅速改变的消费者需要或市场机会不灵活。
量产具有适合压力和声音感测的隔膜、话筒和扬声器的低成本MEMS设备的问题,通过在包括预塑模引脚框(pre-molded leadframe)的载体上装配具有隔膜的芯片来解决。使引脚框的引脚***的模塑工艺也形成二层阶梯凹部。放置在第一层上的***物(由塑料、铜、硅或其它合适材料制作)附加到层之间的阶梯,并使第二层限于内部气道的功能。为装配具有隔膜的芯片提供区域的嵌入物具有穿孔以便连接气道到外部环境,并具有另一穿孔以便连接气道到隔膜。由于嵌入物的尺寸和轮廓与穿孔的数量和位置可定制,因此***物向MEMS设备制造添加低成本设计可变性。另外,***物可由便宜的非晶硅制作,其具有与芯片的单晶硅相同的热膨胀(CTE)系数,并因此支持在封装材料之间减小CTE失配的努力。装配工艺不采用激光并因此支持成本降低。
本发明进一步了解QFN/SON型的引脚框允许与其它组件例如堆叠封装MEMS设备的更大***级集成,因此提高电气产品效率。
本发明的实施例包括气压、静电力、重力、气体成分等的应用,从而使隔膜或柱梁偏斜以便形成压力传感器、话筒、加速计、继电器、热电堆,并用于其中需要活动构件使外部输入转为电输出的其它应用。
在具有遮盖的预塑模引脚框上装配具有隔膜的芯片,代替以具有多级基片的常规方式制造时,由活动隔膜导致的电容改变的压力传感器族的MEMS设备实施例可使制造成本降低20到30%。
根据一个实施例提供的MEMS设备,其包含具有高度和表面的载体,该载体在其***嵌入多个金属引脚;在载体中的阶梯凹部,其远离***并具有第一层和第二层;附加到层之间阶梯并具有第一穿孔和第二穿孔的***物;附加到***物的集成电路芯片,其具有延伸穿过芯片的由箔片遮蔽的开孔,该开孔与***物第一穿孔连通;以及附加到载体表面的罩盖,其包围芯片并具有与***物第二穿孔连通的通风孔。
根据另一实施例提供MEMS设备,其包含具有高度和表面的载体,该载体在其***嵌入多个金属引脚;在载体中的阶梯凹部,其远离***,从表面延伸到低于载体高度的深度;附加到阶梯并具有第一穿孔和第二穿孔的***物。
根据另一实施例提供制造MEMS设备的方法,包含下面步骤:提供具有围绕中心开放空间的多个引脚的引脚框,该引脚由具有高度的金属板制作;用聚合物填充开放空间,由此嵌入引脚并形成具有高度和表面的载体;在填充的开放空间的聚合物中形成凹部;在凹部内附加具有第一穿孔和第二穿孔的***物;附加集成电路芯片,其具有在电路侧面由箔片遮蔽并在相对侧面无阻挡的开孔,该开孔延伸穿过芯片到***物上,使得开孔与第一穿孔连通;以及附加罩盖到载体表面上从而包围芯片。
根据另一实施例提供制造MEMS设备的方法,包含下面步骤:提供具有围绕中心开放空间的多个引脚的引脚框,该引脚由具有高度的金属板制作;用聚合物填充开放空间,由此嵌入引脚并形成具有高度和表面的载体;在开放空间中形成凹部;以及附加具有第一穿孔和第二穿孔的***物。
附图说明
实施例参考附图描述,其中:
图1是根据本发明原理在基于引脚框的预塑模封装(pre-moldedpackage)中具有声学气道的MEMS设备的剖面示意图。
图2A是根据本发明原理的用来制造多个MEMS设备的例子预塑模引脚框条带的部分的顶视图。
图2B是沿图2A条带的直线2B-2B的截面图。
图2C是沿图2A条带的直线2C-2C的截面图。
图3A是根据本发明原理的与预塑模引脚框和声学气道一起制造的单个MEMS设备的顶视图。
图3B是沿图2A设备的直线3B-3B的截面图,显示依靠在模塑壁架上的***物的截面。
图3C是沿图2A设备的直线3C-3C的截面图,显示依靠在模塑壁架上的***物的另一截面。
具体实施方式
图1图解源自MEMS设备族的实施例100,其基于气压、静电力、重力、气体成分等的使用,使隔膜或柱梁偏斜以便形成压力传感器、话筒、扬声器、加速计、继电器、热电堆和其中活动构件需要使外部输入转为电输出的其它结构。
如图1示出,集成电路芯片101通过粘合膜102附加到载体110上。该载体包括嵌入金属引脚112的聚合物或其它化合物111,以及***物120。例子MEMS设备具有约2×2mm边长的方形轮廓。其它实施例可具有更大或更小的边长,或其可具有矩形轮廓。如图1表示,在主体110的两个相对侧面上具有三个引脚;其它实施例可具有更多或更少引脚;引脚可对称分布或成群;或非全部引脚可安置在主体轮廓。
载体110的部分111的材料可以是基于环氧树脂并填充无机填料例如二氧化硅或碳化硅的聚合模塑化合物,或其可以是任何其它合适塑料化合物。引脚112可以是铜、铜合金、铝或在半导体工业中为引脚框用作基础的任何其它金属或合金。引脚112的表面可具有适合导线接合(银或铜的薄层)或焊接(锡层、镍和钯或金的薄层)的金属冶金学表面构造。由聚合物111制作的载体部分具有高度111a,并且引脚112具有高度112a。在图1中,由于用于制造主体110的开始引脚框和随后模塑工艺(见于下文),因此高度111a与高度112a相同。因此,载体110的表面为引脚和塑料部分具有相同平坦表面;在图1中,表面是指定的110a。在图1的实施例中,引脚的高度112a在约0.35和0.40mm之间,并且聚合物的高度111a同样在约0.35和0.40mm之间。
图1进一步示出朝向载体中心110并从表面110a延伸的阶梯凹部形成到聚合物111。凹部在两层(tiers层)114和115中构造。在图1的实施例中,示出两层具有相同深度;在其它实施例中,深度可以不同。图1的层具有在约0.12和0.13mm之间的深度。两层的和具有小于塑料载体部分的高度111a的总深度。在层114和115之间是从源自第一层114到第二层115的过渡凸出的阶梯或台阶116。在图1的实施例中,阶梯在凹部***的周围伸展;在其它实施例中可具有多个分立阶梯。图1表示由于凹部,第二层115的底部区域以穿过载体110主要部分的通道117的形式定义空腔;该通道117是MEMS设备气道的一部分(详见下文)。
如图1示出,***物120依靠在阶梯116上,并可通过粘合膜例如B级芯片附加化合物附加到阶梯116;例子包括基于环氧树脂和基于聚酰亚胺的配方。***物具有尺寸(面积和轮廓)和厚度从而填充第一层凹部114,并因此为第二层115充当罩盖,并为附加半导体芯片充当载体。***物120可由多晶硅制作从而具有与芯片101相同的热膨胀(CTE)系数;可替换地,***物120可由塑料或金属例如铜合金、铝或镍,或其它合适化合物制作。图1进一步表示***物120具有限定紧接***物一个末端的开孔的第一穿孔121,以及定义紧接***物相反末端的开孔的第二穿孔122。两个开孔都对通道117形成的空腔开放。
在图1中芯片101的集成电路设置在芯片表面101a上。表面101a也为连接130具有芯片端子103从而接触载体110的引脚。与表面101a相对的芯片表面通过粘合膜102至少部分附加到***物120。该膜可以是B级芯片附加化合物例如基于环氧树脂的配方;可替换地,粘合膜102可以是聚酰亚胺层。如图1图解,芯片101具有延伸穿过芯片高度的开孔104。开孔104可成形为圆柱、截锥或任何其它合适三维几何形状。在电路面,开孔104由活动部件105遮蔽。在图1的实施例中,活动部件105跨开孔104伸展,并沿开孔的圆周在x和y方向上在芯片中锚定。在其它实施例中,活动部件仅跨开孔104部分延伸。
电连接130可以是如在常规半导体球焊中使用的金线,具有约25μm的导线直径。导线130连接芯片端子103到嵌入在载体110中的金属引脚112。
活动部件105可由金属例如铜、镍或铝制作,在一些实施例中具有由钯或金制作的表面。对于许多实施例,活动部件105具有在约0.04和0.25mm2之间的面积与在5与25μm之间的厚度。在该厚度范围中,活动部件105可充当隔膜,该隔膜是在z方向上柔软、活动正交于表面101a并因此在芯片开孔104的空间中活动正交于主体表面110a的箔片。作为隔膜,部件105对从z方向穿过开孔104到达的、使隔膜向开孔104内或外弯曲的外部压力改变敏感。
如图1示出,罩盖140附加到载体的表面110a和***物120的部分。罩盖140可由金属例如铝制作,或其可以是塑料例如模塑部件。罩盖140如同罐头成形从而封装芯片101和电连接130,并具有延伸穿过罩盖140高度的通风孔141。通风孔141与***物120的第二穿孔122对齐。该对齐允许通风孔141穿过通道117在芯片开孔104的末端连续空间连接到活动部件105。
图2A、2B和2C图解一般指定为200的载体一部分的例子,包括在预塑模化合物中嵌入,用来制造图1中MEMS设备的引脚框带。图2A示出由模塑化合物围绕的例子原金属引脚框带的一部分的顶视图。例子引脚框类似于QFN型(方形扁平无引脚)和SON型(小型轮廓无引脚)设备的常规半导体技术中使用的引脚框。直线2B-2B和直线2C-2C包括在图2A中。图2B是沿直线2B-2B取得的载体的剖视图,并且图2C是沿直线2C-2C取得的载体的剖视图。
图2A中引脚框带的部分中的金属呈阴影。对于许多MEMS设备实施例,引脚框带由铜或铜合金的金属板制作;在其它MEMS实施例中引脚框带可由铝或铝合金的引脚框带制作。为在接合步骤中促进导线附加,一个引脚框表面可具有银或金薄层的镀点;为在装配步骤中促进焊接附加,相对引脚框表面(图2A中没有示出)可具有锡镀层,或镍镀层和贵金属例如钯和金的镀层。引脚可具有反映金属板厚度的高度(见于图2C)。
在图2A的例子中,引脚框部分包括边长近2mm,由棒杆或系杆201描绘轮廓并连接的两个方形单元。附加到棒杆的每个单元包括多个引脚112;在图2A的例子中,具有以在相反棒杆上对称安置的两组三个引脚成群的六个引脚。然而,单元不为附加半导体芯片包括常规衬垫,该衬垫在常规引脚框中远离棒杆(或***)设置。代替地,单元的中心部分保持开放空间。在例子中,引脚112具有在到棒杆附加的约0.25mm的宽度202,约0.5mm的长度203,以及中心到中心约0.5mm的间距204。
图2A中载体200的顶视图显示阶梯116的区域,阶梯116使载体200模塑部分中凹部的第一层和第二层分开。图2A表示第一层114的边缘线和第二层115的边缘线。第二层的底部区域形成完成后的设备的通道117。
图2B中载体110沿直线2B-2B的截面图解载体的塑料部分111的高度111a和塑料部分中两层凹部的轮廓。由于引脚框可通过模塑工艺在封装化合物中嵌入,因此塑料载体部分的高度111a与引脚框高度相同(同样见于图2C)。从载体表面110a延伸到第二层形成的通道117底部的凹部深度216小于高度111a。深度216的第一部分是第一层114,并且第二部分是第二层115。图2B的实施例示出层具有与总深度216相等的量;在其它实施例中,其具有不相等的量。第一层形成的凹部空间由***物122填充(见于图3B和3C)。由于第一层114具有大于第二层115的宽度(在图2B的实施例中约15%),因此台阶116在其之间形成。台阶116如在图1中显示为***物122提供支持。
在用于图2B中实施例的引脚框中,系杆(tie bars)201示出具有小于载体高度111a的高度,高度111a如陈述等于原引脚框的厚度。该特征在完成装配和封装工艺之后便于修整引脚框带和从条带切割(singulating)分立单元的操作。该特征通过沿系杆半蚀刻引脚框带的金属形成。
图2C中载体110沿直线2C-2C的截面图解载体的金属引脚部分112的高度112a连同塑料部分111的高度111a。如上面陈述,高度112a与高度111a相同。在具有半导体芯片的不同装配需要的其它实施例中,高度可以不同。在图2C的截面中显示的凹部特征为台阶116比图2B的截面中显示的凹部更宽的面积,表示阶梯116的不均匀宽度。在其它实施例中,台阶116的宽度可以是均匀的。另外,图2C的截面显示与图2B的截面中显示的层与通道的几何形状比较,第一和第二层与通道117具有更短几何形状,表示凹部、层和通道的延长形状。
图3A、3B和3C图解在图1中透视图中示出的实施例的顶视图与沿直线3B-3B和3C-3C的两个剖视图。图3A是实施例100的顶视图,是在切割引脚框带为分立单元,并附加罩盖以便保护芯片连同其隔膜与接合线连接之后。在实施例100中,罩盖140的轮廓确定完成的MEMS设备的轮廓为约2×2mm。在该例子MEMS设备中具有圆形轮廓的通风孔141到达罩盖的顶面;在其它例子中,通风孔可具有不同轮廓。
在顶视图中通过虚线进一步表示成形为具有约1mm边长的正方形,在该例子中是MEMS设备的半导体芯片101,以及遮蔽穿过芯片的开孔的箔片105;***物120,填充凹部的第一层并具有第一开孔121和相对端的第二开孔122;凹部的第二层115,其在第一穿孔和箔片与第二穿孔和通风孔之间提供通道117;以及嵌入载体化合物中的引脚112。
图3B中例子分立MEMS设备的截面(沿图3A中偏位线3B-3B)图解载体金属引脚112的公用高度112a和载体塑料部分111的高度111a。公用高度是使引脚嵌入并形成载体的引脚框预塑模工艺的结果。在图3B的截面中显示的凹部特征为通过使用指定为301的B级聚合物粘合剂配方使***物120附加到预塑模载体的台阶116之后,气道117从第二层凹部115形成。如上面提及,例子MEMS设备中第一层的深度在约0.12和0.13mm之间,并且***物在高度和区域上填充第一层。因此,***物120的厚度连同粘合剂301的厚度在相同范围中。
在图3B中,通过使用例如指示为302的B级聚合物粘合剂配方,半导体芯片101部分附加到***物120上,并部分附加到塑料化合物111上。芯片101的高度101b在约0.3和0.4mm之间。因此,在约0.7和0.8mm之间的罩盖140的高度142足以容纳导线球焊的拱高和箔片105的z轴移动。封装MEMS设备的总高度因此降至近1.0到1.3mm的范围内。在图3B中,芯片101的开孔104示意示出通过一个或更多狭窄部分104a,例如硅通孔(TSV)延续到箔片105;然而,该特征取决于MEMS设备的功能(压力传感器、话筒、扬声器等)。因此,在一些设备中,开孔104可延续到箔片105而没有收缩;在其它设备中,可具有多个收缩或TSV。
图3C的剖视图显示在MEMS设备实施例中完整气道的布局。通过载体110的聚合物111形成的部分包括通道117;该通道通过罩盖140的通风孔141,连接环境入口与在芯片101中开孔104末端的活动部件(箔片、隔膜)105。利用***物120形成气道,***物120通过***物的第一穿孔耦合气道117到芯片开孔104和箔片105,并通过***物的第二穿孔122耦合气道117到环境和通风孔141。
本发明的另一实施例是制造MEMS的方法。在工艺流程的第一步骤中,提供具有多个单元的引脚框带,其中每个单元具有围绕中心开放空间的引脚。如上面陈述,该单元不为附加芯片展现衬垫。单元通过系杆或轨道保持在一起。轨道和引脚从具有高度的金属板冲压或蚀刻得到。为变薄,轨道然后被半蚀刻从而减少原金属厚度约50%。对于许多实施例,板材是铜;铜表面可经过处理例如氧化或粗加工,以便增强到模塑化合物的粘合。在一个表面上,引脚可具有点镀银以便促进导线接合,并且在相对表面上,引脚可具有镀金(例如镍和钯或金)以便于焊接附加。
在下个工艺步骤中,单元的开放空间填充聚合物,由此嵌入引脚并形成具有引脚高度的板状载体,以及与引脚形成共面。对于许多实施例,填充开孔的低成本技术是传递模塑技术:条带在具有空腔的钢模中装载,该空腔具有条带的长度并且高度是引脚框厚度。具有高百分比无机填料的基于环氧树脂的封装化合物压入空腔从而嵌入引脚框带。结果,该条带形成鲁棒板状载体,其类似于许多QFN和SON半导体设备的载体。
与填充每个单元中开放空间的步骤同时,在每个单元的空间中心区域中形成两层阶梯凹部,凹部从载体表面延伸到小于载体高度的深度。另外,凹部形成因此台阶阶梯在凹部的***延伸。台阶标记从第一到第二层的过渡。
***物然后作为零件提供。***物优选使用B级基于环氧树脂的粘合膜附加到每个单元的台阶。***物被构造从而展现第一层凹部的周线、面积和厚度,并因此能够填充第一层。***物在其一个末端进一步具有第一穿孔,并在其相对末端具有第二穿孔。在***物附加到台阶之后,其充当由第二层凹部定义的空腔的遮盖,限定第二层的空间充当气道。由于具有低成本多晶硅制作的***物使***物的CTE等于芯片的CTE,降低热-机械应力,因此该选择对于许多实施例有利。可替换地,***物可由塑料或金属例如铜制作。
在下个工艺步骤中,提供集成电路,其中每个芯片具有延伸穿过芯片厚度的至少一个开孔。在芯片的电路侧面,每个开孔由箔片遮蔽,该箔片足够薄从而充当MEMS设备的活动部件。在与电路相对的芯片侧面,开孔无阻挡。芯片附加到每个单元的***物上,使得芯片开孔与***物的第一穿孔对齐。附加工艺优选使用B级基于环氧树脂的粘合膜。每个芯片的端子然后连接到嵌入每个单元的载体中的引脚;导线球焊技术提供低成本方法。
接下来提供罩盖,其可如同罐状成形从而安装在单元的区域上并具有足以保护芯片和导线接合的高度。罩盖进一步具有穿过罩盖高度的通风孔。罩盖附加到每个载体单元的表面,使得通风孔与***物的第二穿孔对齐并且罩盖封装单元的芯片。
最终,封装单元从条带切割。低成本技术是穿过半蚀刻轨道和较薄模塑化合物切割的沿引脚框轨道的锯切步骤。可替换地,封装基片可在***物添加之前或芯片添加之前切割,允许封装基片的制造独立于最终设备的制造。
本发明应用于MEMS设备封装的任何材料,包括塑料和陶瓷,并应用于任何集成半导体材料,包括硅、硅锗、砷化镓或用于制造的任何其它半导体或化合物材料。具有***物的预塑模引脚框为MEMS设备的封装用作具有气道的载体可应用于压电电阻压力传感器,其中压力到电子可检测信号的转换依赖隔膜的弹性变形,或一般依赖暴露于压力的结构的弹性变形。具有***物的预塑模引脚框为MEMS设备的封装用作具有气道的载体可应用于谐振压力传感器,其中谐振频率取决于振动微结构中的机械应力。
可形成具有由***物覆盖的单层的凹部。例如,***物可安装在单层里面并与层的底部相间隔,从而形成气道。该间隔可由在凹部中倒置的间隙器(stand-offs)控制、可由模塑到凹部的间隙器控制,或由作为***物的部分形成的间隙器来控制。以相似方式,***物可安置在封装基片的顶面上,并任选包括在延伸到凹部的***物中形成的一个或更多结构从而确保对齐。在另一例子中,第二穿孔可由***物边缘和凹部边缘之间的缝隙实施。第二穿孔不需要由封装罩盖包围,尽管覆盖第二穿孔限制颗粒进入第二穿孔和气道。罩盖的使用也允许从第二穿孔到环境的过道的长度和形状为特别应用而调整。
具有在实施例背景下描述的特征或步骤一个或更多的不同结合的实施例意图包括在此,这些实施例具有这样特征或步骤的全部或仅一些。本领域技术人员认识到许多其它实施例和变化在本发明的保护范围内同样可能。
Claims (8)
1.一种微机电***即MEMS设备,包含:
载体,所述载体具有高度和表面;
凹部,所述凹部在所述载体的所述高度内形成并开放到所述载体的所述表面上,
其中所述凹部具有从所述表面延伸的第一层,定义由所述凹部限定的空腔的第二层,以及从所述第一层到所述第二层的阶梯过渡,
其中所述凹部中心开放到所述载体的所述表面上,并且进一步包含在所述表面的***嵌入所述载体中的导电引脚;
***物,所述***物在所述凹部内安装并覆盖所述凹部限定的所述空腔;所述***物具有到所述空腔的第一开孔和第二开孔;
集成电路芯片,所述集成电路芯片附加到所述***物,所述芯片具有穿过所述***物的所述第一开孔与所述空腔连通的芯片开孔,其中所述芯片开孔是延伸穿过所述芯片并由箔片遮蔽的开孔;以及
罩盖,所述罩盖附加到所述载体的所述表面,包围所述芯片并具有穿过所述***物的所述第二开孔与所述空腔连通的通风孔。
2.根据权利要求1所述的设备,其中连续气道从所述罩盖外面穿过所述通风孔到所述空腔形成,并从所述空腔穿过所述芯片开孔到所述箔片形成。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述箔片正交于所述载体表面可移动并在所述芯片开孔的空间内。
4.根据权利要求1所述的设备,进一步包括在芯片上的接触端子;以及在所述接触端子和导电引脚之间延伸的电连接,所述电连接由所述罩盖包围。
5.根据权利要求3所述的设备,其中所述箔片具有在所述芯片的顶侧上锚定的活动悬梁的配置,所述梁延伸到远离所述锚定点的板件并可操作从而使所述板件正交于所述顶侧移动。
6.一种制造微机电***即MEMS设备的方法,包含下面步骤:
提供具有围绕中心开放空间的多个引脚的引脚框,所述引脚由具有厚度的金属板制作;
用聚合物填充所述开放空间,由此嵌入所述引脚并形成具有所述厚度和表面的载体;
在所填充的开放空间中形成凹部;
附加在所述凹部内安装并覆盖空腔的***物,所述***物具有第一穿孔和第二穿孔;
附加集成电路芯片到所述***物上,所述集成电路芯片具有延伸穿过所述芯片的开孔,使得所述开孔通过所述第一穿孔与所述空腔连通,所述开孔在电路侧面由箔片遮蔽并在相反侧面无阻挡;以及
附加罩盖到所述载体的所述表面上从而包围所述芯片,所述罩盖具有穿过所述***物的所述第二穿孔与所述空腔连通的通风孔。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述形成凹部包含在所述开放空间中形成两层凹部,以及在所述凹部***的至少一部分周围形成从第一层到第二层的台阶凸出。
8.根据权利要求7所述的方法,进一步包含提供从所述芯片端子到所述引脚的电连接;并且其中附加所述罩盖包括封装所述电连接。
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