CN101415138A - Mems换能器封装结构 - Google Patents

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金镐哲
吴志江
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Abstract

本发明提供了一种MEMS(Micro－Electro－Mechanical－SystemMicrophone，微电机***)换能器封装结构，包括底板、覆盖于底板的上盖、由底板和上盖共同形成的后声腔和收容于该后声腔内的换能器和控制电路，换能器与控制电路电连接，所述上盖设置有入声孔，所述上盖为陶瓷材料，上盖内设置有导电层。本MEMS换能器封装结构可以提高MEMS换能器封装结构的耐高温性和稳定性。

Description

MEMS换能器封装结构
技术领域
本发明涉及一种换能器封装结构，尤其涉及一种微电机***MEMS换能器封装结构。
背景技术
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的MEMS换能器封装结构作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。
而目前应用较多且性能较好的MEMS换能器封装结构是(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，微电机***)MEMS换能器封装结构。如图1所示，相关技术的MEMS换能器封装结构100’包括：底板14’、覆盖于底板14’的上盖20’、由底板14’和上盖20’共同形成的腔体15’和收容于腔体15’内并分别置于底板14’上的换能器12’和控制电路16’，其中，底板14’设有第一声腔18’，上盖20’设有入声孔12’，上盖20’为金属材料。此种结构的MEMS换能器封装结构，由于上盖20’为金属材料，所以该MEMS换能器封装结构的耐高温性和稳定性差。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种具有良好耐高温性和稳定性的MEMS换能器封装结构，以提高MEMS换能器封装结构的寿命。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：
一种MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，微电机***)换能器封装结构，包括底板、覆盖于底板的上盖、由底板和上盖共同形成的后声腔和收容于该后声腔内的换能器和控制电路，换能器与控制电路电连接，所述上盖设置有入声孔，其中，所述上盖为陶瓷材料，上盖内设置有导电层。
优选的，所述入声孔是由若干贯通上盖的通孔矩阵组成。
优选的，所述上盖包括与底板相对的底壁和自底壁延伸的侧壁，所述换能器和控制电路分别设置在底壁；所述换能器包括一前声腔，该前声腔与入声孔相连。
优选的，所述换能器和控制电路分别设置于底板。
优选的，所述MEMS换能器封装结构还包括设置在上盖侧壁靠近底板一端的焊盘，该焊盘与控制电路电连接。
优选的，所述控制电路与焊盘通过绑定金线实现电连接
优选的，换能器与控制电路通过绑定金线实现电连接。
本发明的有益效果在于：由于上盖采用了陶瓷材料，所以提高了本发明提供的MEMS换能器封装结构的耐高温性和稳定性。
在本发明的一个优选实施例中，由于是由若干贯通上盖的通孔矩阵组成，所以该微机电***麦克风可以起到防尘、防水、防颗粒或光的功能，避免尘土、水、颗粒或光进入该微机电***麦克风损害内部元件，提高了产品的使用寿命。
在本发明的一个优选实施例中，由于换能器和控制电路分别设置在底壁，换能器的前声腔与入声孔相连，增大了MEMS换能器封装结构的后声腔空间，所以该MEMS换能器封装结构具有良好的灵敏度和频响特性。
附图说明
图1是与本发明相关的一种MEMS换能器封装结构的结构；
图2是本发明提供的MEMS换能器封装结构一个优选实施例的剖视图；
图3是本发明提供的MEMS换能器封装结构另一个优选实施例的剖视图；
图4是本发明提供的MEMS换能器封装结构另一个优选实施例的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
参见图2、图3、图4，本发明提供的MEMS换能器封装结构1，主要用于手机上，接受声音并将声音转化为电信号。
参见图4，在本发明提供的一个优选实施例中，MEMS换能器封装结构1，主要包括底板11、覆盖于底板11的上盖12、由底板11和上盖12共同形成的后声腔18和收容于后声腔18内的换能器14和控制电路15，设置在上盖的入声孔13，其中，上盖12采用陶瓷材料，上盖12内设置有导电层。由于上盖采用了陶瓷材料，提高了本发明提供的MEMS换能器封装结构1的耐高温性和稳定性。
其中换能器14与控制电路15电连接。在本优选实施例中，换能器14与控制电路15是通过绑定金线(未标号)实现电连接的，当然也可以采取其他的方式实现电连接。
作为本发明提供的另一个优选实施例中，参见图4，MEMS换能器封装结构1的上盖12包括与底板11相对的底壁121和自底壁121延伸的侧壁122，用于接收外部声音信号的入声孔13设置在底壁121，换能器14包括一前声腔141，换能器14和控制电路15分别设置在底壁121，入声孔13与换能器14的前声腔141相连。这样，上盖12、底板11和换能器14就构成了一密闭的后声腔18。这样，换能器14和控制电路15分别设置在底壁121，换能器14的前声腔141与入声孔13相连，增大了MEMS换能器封装结构的后声腔18空间，所以此种结构的MEMS换能器封装结构1具有良好的灵敏度和频响特性。
作为本发明提供的一个优选实施例中，MEMS换能器封装结构1还包括设置在上盖12的焊盘16，该焊盘16与控制电路15电连接。焊盘16用于与外部电路实现安装连接。控制电路15与焊盘16通过绑定金线(未标出)实现电连接。当然，也可以通过其他方式实现电连接。由于上盖12采用了陶瓷材料，所以焊盘16的位置就具有灵活性。由于上盖12内设置有导电层，使得控制电路15与焊盘16可以实现电连接。
作为本发明的一个优选实施例，参见图2，在该入声孔13为若干贯通上盖12的通孔矩阵，所以入声孔13可以起到防尘、防水、防颗粒或光的功能，避免尘土、水、颗粒或光进入该MEMS换能器封装结构1损害内部元件，提高了产品的使用寿命。
当然，如图2所示，本发明提供的一个优选实施例中，MEMS换能器封装结构1可以包括如上所述的技术特征，即，入声孔13为若干贯通上盖12的通孔矩阵，换能器14和控制电路15分别设置在底壁121，换能器14的前声腔141与入声孔13相连，此种结构的MEMS换能器封装结构1既可以提高产品的耐高温性及稳定性，也可以提高产品的灵敏度和频响特性，同时又能起到防尘、防水、防颗粒或光的功能。
参见图3，在本发明的另一个优选实施方式中，换能器14和控制电路15也可以分别设置于底板11。当然，如图3所示，本发明提供的优选实施例中，换能器14和控制电路15也可以分别设置于底板11，入声孔13为若干贯通上盖的通孔矩阵。
如上的实施例中，换能器14可以是麦克风，也可以是受话器等。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1、一种MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，微电机***)换能器封装结构，包括底板、覆盖于底板的上盖、由底板和上盖共同形成的后声腔和收容于该后声腔内的换能器和控制电路，换能器与控制电路电连接，所述上盖设置有入声孔，其特征在于：所述上盖为陶瓷材料，上盖内设置有导电层。
2、根据权利要求1所述的MEMS换能器封装结构，其特征在于：所述入声孔是由若干贯通上盖的通孔矩阵组成。
3、根据权利要求1所述的MEMS换能器封装结构，其特征在于：所述上盖包括与底板相对的底壁和自底壁延伸的侧壁，所述换能器和控制电路分别设置在底壁；所述换能器包括一前声腔，该前声腔与入声孔相连。
4、根据权利要求1所述的MEMS换能器封装结构，其特征在于：所述换能器和控制电路分别设置于底板。
5、根据权利要求3所述的MEMS换能器封装结构，其特征在于：所述MEMS换能器封装结构还包括设置在上盖侧壁靠近底板一端的焊盘，该焊盘与控制电路电连接。
6、根据权利要求5所述的MEMS换能器封装结构，其特征在于：所述控制电路与焊盘通过绑定金线实现电连接
7、根据权利要求1所述的MEMS换能器封装结构，其特征在于：换能器与控制电路通过绑定金线实现电连接。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101913551A (zh) * 2010-08-20 2010-12-15 台晶(宁波)电子有限公司 一种真空气密式***整合封装结构
WO2011103720A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Ubotic Intellectual Property Co., Ltd. Semiconductor package for mems device and method of manufacturing the same
CN102714200A (zh) * 2009-12-31 2012-10-03 德克萨斯仪器股份有限公司 用于微机电***设备的具有声学气道的基于引脚框的预塑模封装
CN101674519B (zh) * 2009-06-05 2013-01-09 瑞声声学科技(深圳)有限公司 微机电容式麦克风
CN102917303A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 无锡芯奥微传感技术有限公司 塑料壳封装麦克风
CN103641060A (zh) * 2012-06-14 2014-03-19 意法半导体股份有限公司 半导体集成器件组件及相关制造工艺
US8742569B2 (en) 2010-04-30 2014-06-03 Ubotic Intellectual Property Co. Ltd. Semiconductor package configured to electrically couple to a printed circuit board and method of providing same
US8853564B2 (en) 2010-04-30 2014-10-07 Ubotic Intellectual Property Co. Ltd. Air cavity package configured to electrically couple to a printed circuit board and method of providing same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101674519B (zh) * 2009-06-05 2013-01-09 瑞声声学科技(深圳)有限公司 微机电容式麦克风
CN102714200A (zh) * 2009-12-31 2012-10-03 德克萨斯仪器股份有限公司 用于微机电***设备的具有声学气道的基于引脚框的预塑模封装
CN102714200B (zh) * 2009-12-31 2015-09-30 德克萨斯仪器股份有限公司 用于微机电***设备的具有声学气道的基于引脚框的预塑模封装
WO2011103720A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Ubotic Intellectual Property Co., Ltd. Semiconductor package for mems device and method of manufacturing the same
US8809974B2 (en) 2010-02-26 2014-08-19 Ubotic Intellectual Property Company Limited Semiconductor package for MEMS device and method of manufacturing same
US8742569B2 (en) 2010-04-30 2014-06-03 Ubotic Intellectual Property Co. Ltd. Semiconductor package configured to electrically couple to a printed circuit board and method of providing same
US8853564B2 (en) 2010-04-30 2014-10-07 Ubotic Intellectual Property Co. Ltd. Air cavity package configured to electrically couple to a printed circuit board and method of providing same
CN101913551A (zh) * 2010-08-20 2010-12-15 台晶(宁波)电子有限公司 一种真空气密式***整合封装结构
CN103641060A (zh) * 2012-06-14 2014-03-19 意法半导体股份有限公司 半导体集成器件组件及相关制造工艺
CN103641060B (zh) * 2012-06-14 2016-08-31 意法半导体股份有限公司 半导体集成器件组件及相关制造工艺
CN102917303A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 无锡芯奥微传感技术有限公司 塑料壳封装麦克风
CN102917303B (zh) * 2012-10-30 2015-03-18 无锡芯奥微传感技术有限公司 塑料壳封装麦克风

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