CN102686075A - 电子装置壳体及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种电子装置壳体及其制作方法,该种电子装置壳体包括金属基体及嵌设在金属基体外表面由陶瓷材质制成的图案部,该图案部通过化学蚀刻工艺处理、珐琅工艺化处理形成在金属基体上。该壳体的制作方法,包括以下步骤:提供一金属基体;将金属基体进行化学蚀刻处理,以在金属基体表面形成凹槽;对所述凹槽底面进行粗化处理;对金属基体进行珐琅工艺化处理,使金属基体的凹槽内形成陶瓷,同时在金属基体表面于凹槽上将形成多余的陶瓷层;对所述金属基体表面进行打磨处理,以去除多余的陶瓷层,使金属基体表面上显露嵌设在凹槽内由陶瓷制成的图案部。上述方法制得的电子装置壳体,壳体具有陶瓷触感、陶瓷视觉、图案部高度耐磨。
Description
技术领域
本发明是关于一种电子装置壳体及其制作方法。
背景技术
现有金属材质的电子装置壳体表面的图案一般通过钻雕、蚀刻等方法制成。该种方法制作的图案视觉效果不强,尤其是不能呈现出如陶瓷般的视觉效果、及陶瓷触感,且图案不耐磨,难以吸引消费者眼球。
发明内容
鉴于上述内容,有必要提供一种具有陶瓷视觉效果、图案耐磨的电子装置壳体。
有必要提供一种上述电子装置壳体的制作方法。
一种电子装置壳体,包括金属基体及嵌设于金属基体表面的图案部,该图案部由陶瓷材质制成,该图案部为通过化学蚀刻该金属基体的部分区域后,通过珐琅工艺化处理该化学蚀刻区域形成。
一种电子装置壳体的制作方法,包括以下步骤:
提供一金属基体;
将金属基体进行化学蚀刻处理,以在金属基体表面形成凹槽;
对所述凹槽底面进行粗化处理;
对金属基体进行珐琅工艺化处理,使金属基体的凹槽内形成陶瓷,同时在金属基体表面于凹槽上将形成多余的陶瓷层;
对所述金属基体表面进行打磨处理,以去除多余的陶瓷层,使金属基体表面上显露嵌设在凹槽内由陶瓷制成的图案部。
本电子装置壳体通过化学蚀刻在金属基体上形成凹槽,通过珐琅工艺在凹槽内形成陶瓷并通过打磨处理显露形成在凹槽内由陶瓷制成的图案部。该种壳体上的图案具有陶瓷视觉效果、图案耐磨。
附图说明
图1是本发明较佳实施例一电子装置壳体的正视示意图;
图2是图1所示的电子装置壳体沿II-II方向的截面示意图;
图3是图1所示的电子装置壳体表面制作图案的方法流程图。
主要元件符号说明
电子装置壳体 10
金属基体 11
图案部 12
具体实施方式
请参阅图1及图2,本发明较佳实施例电子装置壳体10,如手机外壳,包括一金属基体11及嵌设在金属基体11外表面由陶瓷材质制成的图案部12。所述金属基体11可为不锈钢材质,其厚度在0.5mm及以上,较佳为0.5mm;所述图案部12的深度在0.16-0.18mm之间,较佳深度为0.17mm。
请结合参阅图3,该电子装置壳体10的制作方法包括以下步骤:
S1:提供一金属基体11,金属基体11材质为不锈钢,厚度为0.5mm。在该金属基体11表面进行化学蚀刻,以在金属基体11表面形成与所述图案部12形状对应的凹槽,凹槽的深度在0.16-0.18mm之间。
S2:对凹槽底面进行粗化处理。具体过程如下:先将金属基体11进行干燥除油处理,以除去金属基体11表面上的油脂等,如采用低浓度的草酸或者氢氧化钠清洗金属基体11的表面;然后对凹槽底面粗化处理,粗化处理采用喷砂的方法,先将金属基体11表面上除凹槽以外的区域遮蔽,然后采用喷枪对凹槽区域喷砂,如此凹槽底面被粗化,粗糙度达Ra1.3-2.0μm之间,金属基体11表面上遮蔽的区域由于被遮蔽而在粗化处理时不会被粗化。喷砂中所采用的喷砂材料可为金刚砂、铬铁合金砂、铜矿砂、石英砂、陶瓷砂中的一种。本实施例中选用80#白刚玉砂,其属于金刚砂的一种。
S3:将金属基体11进行珐琅工艺化处理,以在凹槽内形成陶瓷。
所述珐琅工艺化处理是通过高温烧制将无机硅酸盐牢固结合到凹槽内的涂层工艺,其包括施釉与烧釉过程,其中釉指用以形成陶瓷的所述无机硅酸盐,包括后述制作过程中的静电干粉。所述施釉过程通过利用高压静电电晕电场原理,将静电干粉在高压静电场下感应带电,并使金属基体11带上与静电干粉相反的电荷,从而使得静电干粉均匀地吸附在粗化后的凹槽的底面,静电干粉的涂覆厚度可通过控制电场强度调节。所述烧釉过程为将凹槽内涂覆有静电干粉的金属基体11放入烤炉内,升温使静电干粉熔化,从而在凹槽内形成陶瓷。该种经过粗化处理的凹槽的底面,可提高该陶瓷与凹槽底表面的结合强度。在烧釉过程中,由于静电干粉熔化流动,如此将有部分熔融的静电干粉溢出凹槽在金属基体的表面流平,并且遮盖凹槽在金属基体11表面,形成多余的陶瓷层。
S4:对所述金属基体11表面进行打磨处理,去除金属基体11表面上多余的陶瓷层,显露出所述图案部12。具体过程如下:提供一环形砂带机,环形砂带机的砂轮沿金属基体11的表面旋转,从而打磨掉多余的陶瓷层。该打磨处理包括粗磨和细磨两个步骤,粗磨可选择240#氧化铝砂带,以去除多余的陶瓷层;细磨采用800#氧化铝砂带,以去除初磨时图案部12表面以及在图案部12以外的金属基体11表面形成的砂带痕。
S5:对金属基体11的图案部12区域进行精抛,以使该图案部12具有镜面效果。具体过程为:提供一平面研磨机,通过该平面研磨机对该金属基体11表面的图案部12区域进行抛光处理,采用氧化铈材料研磨,并且配合型号为TW-2080抛光液,抛光液主要组成为25%二氧化硅兑75%的水组成。
S6:对金属基体11进行后处理工艺,以突显图案部12的亮度。如对金属基体11表面上图案部12***的区域进行喷砂或拉丝处理,如此不仅可消除精抛时对金属基体11表面的刮伤,同时可突显图案部12的亮度。
本电子装置壳体先通过化学蚀刻先在金属基体表面形成与图案对应的凹槽,然后对凹槽底面的粗化处理,以及在凹槽内形成陶瓷,并通过打磨去除凹槽上及其***多余的陶瓷层,从而突显所述图案部12。该种方法制得的电子装置壳体上的图案部具有陶瓷视觉效果、图案耐磨、且具备高亮度。
另外,珐琅工艺中利用静电干粉施釉的技术,珐琅工艺可应用于结构复杂的金属产品,通过控制静电干粉的涂覆厚度,可制造轻薄的电子装置壳体,使得本电子装置壳体的金属基体厚度可为0.5mm,所述图案部12可为0.16-0.18mm。同时,相较于传统调制釉浆涂覆的技术,静电干粉可保存利用,而调制后的釉浆难以长时保存利用,提高了材料的利用率。
Claims (10)
1.一种电子装置壳体,包括金属基体及嵌设于金属基体表面的图案部,其特征在于:该图案部由陶瓷材质制成,该图案部为通过化学蚀刻该金属基体的部分区域后,通过珐琅工艺化处理该化学蚀刻区域形成。
2.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述金属基体的厚度在0.5mm及以上,所述图案部嵌设在金属基体表面的深度为0.16-0.18mm之间。
3.一种电子装置壳体的制作方法,包括以下步骤:
提供一金属基体;
将金属基体进行化学蚀刻处理,以在金属基体表面形成凹槽;
对所述凹槽底面进行粗化处理;
对金属基体进行珐琅工艺化处理,使金属基体的凹槽内形成陶瓷,同时在金属基体表面于凹槽上将形成多余的陶瓷层;
对所述金属基体表面进行打磨处理,以去除多余的陶瓷层,使金属基体表面上显露嵌设在凹槽内由陶瓷制成的图案部。
4.如权利要求3所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述粗化处理包括先将金属基体表面上除凹槽以外的区域遮蔽,然后采用喷枪对凹槽区域喷砂,所述凹槽底面在粗化后的粗糙度Ra为1.3-2.0μm之间。
5.如权利要求3所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述珐琅工艺化处理包括施釉与烧釉过程,所述施釉过程包括利用高压静电电晕电场原理将静电干粉吸附在经过粗化后的凹槽内,所述烧釉过程包括将涂覆静电干粉后的金属基体放入烤炉内,使静电干粉在凹槽内熔化并溢出凹槽而在金属基体的表面形成所述陶瓷层。
6.如权利要求5所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述静电干粉主要成分为硅酸盐颗粒。
7.如权利要求3所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述打磨处理包括粗磨和细磨两个步骤,通过粗磨去除多余的陶瓷层,通过细磨去除初磨时图案部表面以及在图案部以外的金属基体表面形成的砂带痕。
8.如权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述粗磨选择240#氧化铝砂带,细磨选择800#氧化铝砂带。
9.如权利要求3所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述制作方法还进一步包括在打磨处理后,对金属基体的图案部区域通过平面研磨机进行精抛,采用氧化铈材料研磨,并且配合型号为TW-2080抛光液,光液主要组成为25%二氧化硅兑75%的水组成。
10.如权利要求9所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述制作方法还进一步包括在精抛后对金属基体表面上图案部***的区域进行喷砂或拉丝处理。
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