CN102683379A - 柔性显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及柔性显示装置及其制造方法。所述用于制造柔性显示装置的方法包括：在承载基板上形成热发生器；在所述热发生器上形成柔性基板；在所述柔性基板上形成薄膜晶体管；形成连接到所述薄膜晶体管的发光元件；以及通过对所述柔性基板加热将所述柔性基板与所述热发生器分离，所述加热包括由所述热发生器生热。

Description

柔性显示装置及其制造方法
技术领域
所描述的技术总体涉及显示装置。更具体地说，所描述的技术涉及柔性显示装置及其制造方法。
背景技术
通过引入容易实现大面积并展示出减少的重量和厚度的平板显示器(FPD)，显示装置市场已改变。例如，在诸多种类的FPD中，有机发光二极管(OLED)显示器由于其自发光特性，即不需要光源而展示出减少的厚度和重量。
传统FPD可以包括玻璃基板，所以其柔性减小并且其应用具有限制。进一步，传统FPD可以包括位于基板上以控制该FPD的薄膜晶体管。
以上在此背景部分中公开的信息仅仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此它可能包含不构成在本国已被本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于来提供一种用于制造柔性显示装置的方法，从而可以防止在柔性基板与承载基板分离时薄膜晶体管被损坏，并且可以减少处理成本以允许在大面积条件下快速分开。
示例性实施例提供一种用于制造柔性显示装置的方法，所述方法包括：在承载基板上形成热发生器；在所述热发生器上形成柔性基板；在所述柔性基板上形成薄膜晶体管；形成连接到所述薄膜晶体管的发光元件；以及通过对所述柔性基板加热将所述柔性基板与所述热发生器分离，所述加热包括由所述热发生器生热。
形成柔性基板可以包括在所述热发生器上形成单层。
将所述柔性基板与所述热发生器分离可以包括施加提供所述热发生器与所述柔性基板之间的大于所述柔性基板的熔点的界面温度的热量。
形成柔性基板可以包括以初始厚度形成柔性基板，并且形成所述热发生器包括形成向所述柔性基板传热的热发生器。
形成柔性基板可以包括：在所述热发生器上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成水汽渗透防止层；以及在所述水汽渗透防止层上形成主体层。将所述柔性基板与所述热发生器分离可以包括：将所述牺牲层与所述热发生器分离。
将所述牺牲层与所述热发生器分离可以包括施加提供所述热发生器与所述牺牲层之间的大于所述牺牲层的熔点的界面温度的热量。
一种可以通过以上所述方法制造的柔性显示装置，所述柔性基板的外部具有在从1nm到15nm的范围内的均方根粗糙度。
示例性实施例提供另一用于制造柔性显示装置的方法，所述方法包括：在承载基板上形成热发生器，所述热发生器包括具有预定电阻的导电材料；在所述热发生器上形成柔性基板；在所述柔性基板上形成包括薄膜晶体管的驱动电路；在所述驱动电路上形成发光元件和封装构件；通过向所述热发生器施加电压产生焦耳热，所产生的焦耳热被施加于所述柔性基板以将所述柔性基板与所述热发生器分离。
形成热发生器可以包括在所述承载基板上沉积金属和金属氧化物中的至少一种达一均匀厚度。
产生焦耳热可以包括向所述热发生器施加具有脉冲波形的电压。
形成柔性基板可以包括在所述热发生器上形成单层，使得所述单层的接触所述热发生器的预定部分在所述热发生器的焦耳热的作用下分解。
所述柔性基板可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
产生焦耳热可以包括将所述热发生器加热到300℃到900℃的温度。
形成柔性基板可以包括以初始厚度形成柔性基板，并且形成热发生器包括形成向所述柔性基板传热的热发生器。
形成柔性基板可以包括：在所述热发生器上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成水汽渗透防止层；以及在所述水汽渗透防止层上形成主体层。
所述牺牲层可以被形成为比所述主体层薄，所述牺牲层的至少一部分在所述热发生器的焦耳热的作用下分解，使得所述水汽渗透防止层和所述主体层与所述热发生器分离。
所述牺牲层可以由聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种形成。
所述热发生器的焦耳加热温度可以在300℃到900℃的范围内。
一种通过上述方法制造的柔性显示装置，所述柔性基板的外部具有1nm到15nm的均方根粗糙度。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，以上及其它特征和优点对于本领域普通技术人员来说将变得更加明显，附图中：
图1示出根据示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法的流程图。
图2A至图2E示出在根据示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法中各阶段的截面图。
图2F示出图2D的局部透视图。
图3A至图3C示出在根据另一示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法中各阶段的截面图。
图4示出在向热发生器施加电压时所测得的热分布模拟结果。
图5示出将柔性显示装置与热发生器和承载基板分离的照片。
图6示出用于指示在根据示例性实施例的柔性显示装置中的柔性基板的表面的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图7和图8示出用于指示在根据示例性实施例的柔性显示装置中的柔性基板的表面的原子力显微镜(AFM)照片。
图9示出用于指示在施加激光扫描处理的对比例的柔性显示装置中的柔性基板的表面的SEM照片。
图10示出用于指示在施加激光扫描处理的对比例的柔性显示装置中的柔性基板的表面的AFM照片。
图11示出用于指示在焦耳热诱导剥离(JILO)处理前/后薄膜晶体管的传输特性的图。
图12示出用于指示在根据偏置温度压力(BTS)测试的JILO处理后薄膜晶体管的传输特性的图。
图13A示出用于指示在根据高漏极电流(HDC)压力测试的JILO处理后薄膜晶体管的传输特性的图。
图13B示出用于指示在JILO处理后薄膜晶体管的滞后的图。
图14示出柔性显示装置的像素配置的布局。
图15示出沿图14的线A-A截取的截面图。
具体实施方式
现在，在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，这些实施例可以以不同的形式具体实现，而不应当被解释为限于这里所提出的实施例。更确切地说，这些实施例被提供以便本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。
附图中，为了例示的清楚起见，层和区域的尺寸可以被放大。还应当理解，当一层(或元件)被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在该另一层或基板上，或者也可以存在中间层。另外，还应当理解，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是这两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终指代相同的元件。
图1示出根据示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法的流程图。参见图1，用于制造柔性显示装置的方法可以包括：在承载基板上形成热发生器(操作S10)；在热发生器上形成柔性基板(操作S20)；在柔性基板上形成薄膜晶体管(TFT)(操作S30)；形成发光元件和封装构件(操作S40)；以及通过使用由热发生器产生的热将柔性基板与热发生器和承载基板分离(操作S50)。
图2A至图2E示出在图1所示的用于制造柔性显示装置的第一方法中各阶段的截面图，并且图2F示出图2D的局部透视图。现在将参照图1和图2A-2F描述根据第一示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法。
参见图2A，在操作S 10中，可以制备承载基板110，并且可以在承载基板110上形成热发生器120。承载基板110可以是作为硬绝缘基板的玻璃基板。热发生器120在预定条件下生热。热发生器120可以形成在承载基板110上以用作表面加热构件。
参见图2B，在操作S20中，可以在(例如，直接在)热发生器120上形成柔性基板210。例如，柔性基板210可以是塑料膜，并且可以通过在(例如，直接在)热发生器120上涂覆液态聚合物材料，紧接着通过热固化所涂覆的液态聚合物材料而制成。例如，柔性基板210可以由聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种形成。例如，聚酰亚胺可用在高于450℃的处理温度下，从而最小化制造期间在柔性基板210上的薄膜晶体管的劣化。
应当注意，由于由塑料膜制成的柔性基板210可能会通过加热而弯曲或延伸，因此可能难以在柔性基板210上形成配置有薄膜晶体管、发光元件和/或导线的精确薄膜图案。因此，柔性基板210可以形成在承载基板110上，以便承载基板110可以在随后的过程期间，即在柔性基板210上形成薄膜晶体管期间，为柔性基板210提供足够的支撑。
柔性基板210可以配置为单层，并且可以形成在热发生器120上以接触热发生器120。例如，柔性基板210可以比热发生器120小，以便热发生器120的边缘可以例如沿柔性基板210的整个周边延伸到柔性基板210之外。
参见图2C，在操作S30中，可以在柔性基板210上形成阻挡层220，并且可以在阻挡层220上形成包括薄膜晶体管的驱动电路230，例如阻挡层220可以位于柔性基板210与驱动电路230之间。为了例示的方便，驱动电路230在图2C中仅仅被示出为单层，例如实际的驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和多个电容器。多个导线可以形成在柔性基板210上。
如图2C中进一步示出的那样，在操作S40中，可以在驱动电路230上形成发光元件240，并且可以在发光元件240上形成封装构件250。发光元件240可以包括多个有机发光元件。发光元件240可以由驱动电路230控制，并且可以通过根据驱动信号发光来显示图像。为了容易描述，图2C将发光元件240简化为单层。
阻挡层220可以由无机层和/或有机层，或者堆叠的无机层和有机层形成。阻挡层220抑制诸如湿气或氧之类的不期望的元素通过柔性基板210渗透到发光元件240中，因为湿气或氧可以劣化发光元件240并减少发光元件240的寿命。
封装构件250可以由多层形成。封装构件250可以由多个有机层、多个无机层和/或多个交替堆叠的有机层和无机层形成。无机层可以包括例如氧化铝和/或氧化硅，并且有机层可以包括例如环氧树脂、丙烯酸脂和/或聚氨酯丙烯酸酯。
无机层防止外部湿气和氧渗透到发光元件240中。有机层削弱无机层的内部压力，或者填充无机层的微小的裂缝和针孔。无机层和有机层的材料是示例，并且不限制为所描述的材料，并且可以使用本领域技术人员已知的各种类型的无机层和有机层。
封装构件250可以环绕驱动电路230的侧部和发光元件240的侧部，使得驱动电路230和发光元件240的侧部不会暴露于外部。换句话说，封装构件250可以接触(例如，直接接触)阻挡层220，并且在驱动电路230和发光元件240位于封装构件250与阻挡层220之间。
参见图2D，在操作S50中，热发生器120可以生热并且向柔性基板210施加所产生的热。作为所施加的热的结果，柔性基板210的接触热发生器120的预定区域，即图中的底部区域，可以在热能的作用下分解，因此柔性基板210可以与热发生器120和承载基板110分离(图2E)。也就是说，热发生器120可以用作接触柔性基板210(例如直接接触柔性基板210的面向热发生器120的整个底表面)的热能源，使得热发生器120的热能在可以无媒介的情况下直接传递到柔性基板210。
相比而言，例如与示例性实施例的热发生器120相反，如果在承载基板上的柔性基板由激光源加热，则激光束(例如准分子激光束)可以从承载基板外部的区域穿过承载基板向柔性基板照射，以便向柔性基板传输热能。也就是说，激光源可以安装在承载基板的外部，例如承载基板的背对柔性基板的底表面之外，使得由激光源输出的激光束穿过承载基板的厚度而到达并聚集于柔性基板上，从而向柔性基板传输热能。相应地，与热发生器120(即接触柔性基板210并位于承载基板110与柔性基板210的结构内部的热源)相反，位于承载基板外部的激光源需要媒介(即承载基板)以便传递能量。
例如，热发生器120可以被配置有(例如，可以包括)用于在施加电压的条件下产生焦耳热的导电层。然而，热发生器120的配置及生热原理不限于以上所示的示例，而是可应用其它用于立即生热并热分解柔性基板120的一部分的配置。
热发生器120可以包括金属或金属氧化物。例如，热发生器120可以包括作为金属的钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、银(Ag)和铬(Cr)中的至少一种，和/或作为金属氧化物的氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种。
参见图2F，承载基板110和热发生器120可以被形成为具有比柔性基板210的面积大的面积，使得热发生器120的端部，例如热发生器120面对柔性基板210的上表面上位于热发生器120的两个相对边缘的部分，可以暴露于柔性基板210的外部。连接到外部电源(未示出)的两个焊盘130可以接触热发生器120的暴露的端部以向热发生器120施加例如具有脉冲波形的电压。
热发生器120的暴露的端部及在其上的两个焊盘可以沿承载基板110的方向，例如沿图中的x轴彼此面对，并且可以在交叉方向上以长杆形状形成，例如焊盘130可以沿y轴沿热发生器120及其暴露端部的总长度延伸。相应地，由于焊盘130接触热发生器120的相对端部，因此均匀的电流沿承载基板110的一个方向(例如图中的x轴方向)流过热发生器120，从而在热发生器120中产生焦耳热。
热发生器120根据电阻值和脉冲条件产生处于各种温度下的热，例如，热发生器120可以产生高于1000℃的热。热发生器120的温度可以被设置为在适合于控制热以在不影响形成在柔性基板210上的驱动电路230和发光元件240的情况下，快速穿透柔性基板210的预定部分并且立即分解所述预定部分达预定的热渗透深度。
例如，在操作S50中，热发生器120的加热温度可以被设置为在大约300℃到大约900℃的范围内。当热发生器120的加热温度低于300℃时，在柔性基板210的底部区域中的热分解可能是不均匀的，例如可以分解的材料不足，从而使得柔性基板210的分解变得困难。当热发生器120的加热温度高于900℃时，柔性基板210可能过热，从而导致形成在柔性基板210上的薄膜晶体管劣化。
热发生器120可以以均匀的厚度形成在承载基板110上以在整个热发生器120上产生均匀的焦耳热。
施加于热发生器120的电压的脉冲时段可以结合柔性基板210的热渗透深度进行控制。当柔性基板210的厚度为大约10μm时，热渗透深度可以小于大约1μm。在这种情况下，可以基本上最小化由提供给柔性基板210的热引起的驱动电路230和发光元件240的劣化。
以上所述的根据示例性实施例的分离处理可以被称之为焦耳热诱导剥离(JILO)处理。在利用JILO处理的当前示例性实施例中，通过向热发生器120施加电压而产生焦耳热。由于热发生器120接触柔性基板210的预定区域，因此从热发生器120传递到柔性基板210的预定区域的焦耳热例如根据如在前论述的电压脉冲时段渗透柔性基板210达预定的深度。柔性基板210的被热渗透的部分(例如柔性基板210与热发生器120之间的整个接触表面)分解，使得柔性基板210与热发生器120分离。分离处理也可以在几微秒(μs)内利用宽和/或大的基板执行，并且给柔性基板210上的驱动电路230和发光元件240带来很小的或没有造成任何的热和/或机械损坏。
相比而言，当激光束用于分离处理时，尽管会对激光束的强度和聚焦深度进行控制，但是由于柔性基板和在柔性基板上形成的层非常薄，因此驱动电路和发光元件可能会由于激光的强度而被损坏，进一步，由于激光***的昂贵，因此使用激光可能会增加成本，并且由于可用激光束的数目有限且必须扫描激光束，因此可能会增加生产时间。
图3A至图3C示出在图1所示的用于制造柔性显示装置的第二方法中各阶段的截面图。现在将参照图1和图3A-3C描述根据第二示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法。
参见图3A，在操作S10中，可以制备承载基板110，并且可以以与第一示例性实施例(图2A)相同的方式在承载基板110上形成热发生器120。在操作S20中，可以通过在(例如直接在)热发生器120上顺序沉积牺牲层21、水汽渗透防止层22和主体层23而在热发生器120上形成柔性基板211。换句话说，柔性基板211可以包括多层，即柔性基板211可以包括牺牲层21、水汽渗透防止层22和主体层23。牺牲层21可以在(例如直接在)热发生器120上形成以接触热发生器120。
牺牲层21和主体层23可以由与第一示例性实施例的柔性基板210相同的塑料膜制成，并且该塑料膜可以通过涂覆液态聚合物材料，紧接着通过热硬化而制成。例如，牺牲层21可以被形成为没有主体层23厚，例如，牺牲层21的厚度可以等于或大于柔性基板210的热渗透深度。主体层23可以被形成为具有与第一示例性实施例的柔性基板210的厚度相同的厚度。
水汽渗透防止层22可以包括作为金属层的铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、银(Ag)和铬(Cr)中的至少一种，并且可以通过溅射形成。水汽渗透防止层22控制外部湿气免于穿透柔性基板211并且渗透到发光元件240中。也就是说，在第二示例性实施例中，阻挡层220和水汽渗透防止层22共同抑制湿气和氧渗透到发光元件240中，从而提高阻挡湿气和氧的效率。
如在前参照图2C所描述的那样，在操作S30中，可以在柔性基板211上形成阻挡层220和驱动电路230。在操作S40中，可以在驱动电路230上形成发光元件240和封装构件250，这与第一示例性实施例对应。
参见图3B和图3C，在操作S50中，向热发生器120施加电压以产生焦耳热。牺牲层21的接触热发生器120的部分或全部可以在焦耳热的作用下热分解，并且柔性基板211的水汽渗透防止层22可以与热发生器120分离以完成柔性显示装置201。牺牲层21的没有被热分解的部分可以或没有保留在水汽渗透防止层22的表面上。热发生器120的电阻、加热温度和脉冲条件与第一示例性实施例的热发生器120的电阻、热温度和脉冲条件对应，即与第一示例性实施例的热发生器120的电阻、热温度和脉冲条件相同。
示例：
现在将描述根据第一示例性实施例的用于制造柔性显示装置的示例性方法和导热性模拟结果。
玻璃基板用于承载基板110，并且以单层钼(Mo)配置的热发生器120形成在玻璃基板上。聚酰亚胺膜用于柔性基板210。聚酰亚胺膜为大约10μm厚，并且在高于350℃的温度下硬化。形成聚酰亚胺膜之后的处理与一般OLED显示器的处理对应。具有脉冲波形的电压被施加给热发生器120以执行导热性模拟。
图4示出在向热发生器施加电压时所测得的热分布模拟结果。在图4中，“PI基板”为聚酰亚胺膜(即柔性基板)，“导电层”为热发生器，并且“玻璃”为作为承载基板的玻璃基板。
参见图4，热发生器的最高温度为600℃，并且聚酰亚胺膜与热发生器之间的界面温度为450℃，该温度比聚酰亚胺膜的熔点(360℃)高。因此，聚酰亚胺膜的一部分被热分解，使得聚酰亚胺膜(即柔性基板)与热发生器分离。
图5示出可与热发生器和承载基板分离的柔性显示装置的照片。在该处理期间所测得的聚酰亚胺膜的热渗透深度小于0.5μm。热渗透深度与整个聚酰亚胺膜的比率非常小，因此当焦耳加热温度高到足以熔化柔性基板时，不会在驱动电路和发光元件中发生热或机械损坏。
图6示出通过以上所述的根据第一示例性实施例的处理完成的柔性显示装置200的柔性基板210表面的扫描电子显微镜(SEM)照片，并且图7-8示出用于通过以上所述的根据第一示例性实施例的处理完成的柔性显示装置200的柔性基板210表面的原子力显微镜(AFM)照片。
图6至图8所示的柔性基板的表面指示通过与热发生器120接触后产生的焦耳热而与热发生器120分离的柔性基板的外表面。在根据第二示例性实施例的柔性显示装置201的情况下，牺牲层21的表面也具有与图6和图7相同的特性。图6的放大率为130,000倍。
根据对比例(即施加激光扫描处理以加热柔性基板)的柔性显示装置被制备，并且图9和图10分别示出在根据对比例的柔性显示装置中的柔性基板的表面的SEM照片和AFM照片。图9和图10所示的柔性基板的表面表示与承载基板接触之后通过激光束而与承载基板分离的柔性基板的外表面。图9的放大率为130,000倍。
除了在承载基板上形成柔性基板而不是热发生器，并且从承载基板的外部向柔性基板扫描激光束以将承载基板与柔性基板分离之外，根据对比例的柔性显示装置利用与根据当前示例性实施例的柔性显示装置相同的方法进行制造。
参见图6至图8，关于利用根据第一示例性实施例的JILO处理的柔性显示装置，柔性基板被实现为具有小得多的粗糙度的非常均匀的表面。表面特性由JILO处理特性导致，其中柔性基板的整个表面通过立即热分解同时与承载基板分离。
关于根据当前示例性实施例的柔性显示装置，柔性基板表面(例如柔性基板210的外部)的均方根(RMS)粗糙度在1nm至15nm的范围内。柔性基板的RMS粗糙度可随诸多因素而变，例如柔性基板类型、热发生器电阻、加热温度和施加于热发生器的电压的脉冲时段，并且该RMS粗糙度通常大于大约1nm且小于大约15nm。通过图7的AFM分析测得的柔性基板的RMS粗糙度基本上为大约2.5nm，而通过图8的AFM分析测得的柔性基板的RMS粗糙度基本上为大约7.5nm。
参见图9和图10，在利用根据对比例的激光扫描处理的柔性显示装置中，柔性基板具有大于20nm的RMS粗糙度，并且其实现了比根据当前示例性实施例的柔性基板粗糙且均匀度减小的表面。图10中示出的通过AFM表面测得的柔性基板表面的RMS粗糙度基本上为大约30nm。
根据对比例的柔性基板的表面特性依赖于激光扫描特性，在激光扫描特性中，柔性基板的热分解深度因为在控制激光束的强度和聚焦深度时其精度具有限制而不恒定，并且柔性基板的表面沿激光扫描方向顺序(即，部分)热分解。
现在将描述根据当前示例性实施例的柔性显示装置中的薄膜晶体管的在JILO处理之前和之后的特性变化。表1示出在执行JILO处理之前测得的薄膜晶体管的特性，并且图11示出用于指示在执行JILO处理之前和之后薄膜晶体管的传输特性的图。
  Ion/off比率   ＞108
  阈值电压(V)   -2.9
  电荷迁移率(cm2/Vsec)   90.4
  S-斜率(V/十进位)   0.32
  Ion(μA/μm)   3.5
  Ioff(pA)   2.7
在JILO处理之前，测得薄膜晶体管的电荷迁移率(μFET)为90.4cm2/Vsec，阈值电压为-2.9V，并且s-斜率(即子阈值斜率)为0.32V/十进位。在JILO处理之后，如图11所示，检查出薄膜晶体管的阈值电压和s-斜率不变。以上所述的结果表明JILO处理没有给薄膜晶体管性能带来实质的损坏。
图12示出偏置温度压力(BTS)测试结果的图，用于指示在执行JILO处理之后薄膜晶体管的传输特性。BTS测试在Vg＝15V、600秒和85℃的偏置压力条件下执行。
参见图12，与压力之前的情况相比，在Vds＝5.1V和0.1V的偏置压力条件下观测到0.1V的阈值电压移动。该值与形成在玻璃基板上的一般低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管类似。因此，JILO处理给薄膜晶体管的可靠性带来很小的影响。
图13A示出用于指示在执行JILO处理之后薄膜晶体管的传输特性的图，示出高漏极电流(HDC)压力测试结果。图13B示出用于指示在执行JILO处理后薄膜晶体管的滞后的图。
在图13A中，HDC压力条件为Vgs＝(-15V)、Vds＝(-20V)和60秒。根据图13A的结果确定在HDC压力之后没有给薄膜晶体管的电特性造成改变。而且，在图13B中，在JILO处理之后的阈值电压移动基本上为0.2V，这与一般LTPS薄膜晶体管非常类似。
从以上所述的测试结果发现，根据当前示例性实施例的JILO技术不影响薄膜晶体管的性能和可靠性，并且该技术适合于大规模生产。参见图14和图15，现在将描述柔性显示装置的内部配置。
图14示出柔性显示装置的像素配置的布局图，并且图15示出柔性显示装置关于图14的线A-A的截面图。图14和图15示出OLED显示器作为柔性显示装置的详细示例。
参见图14和图15，根据第一示例性方法形成的柔性显示装置200可以包括多个像素，该多个像素中的每个像素具有驱动电路230和有机发光元件240。驱动电路230包括开关薄膜晶体管30、驱动薄膜晶体管40和电容器50。栅极线61被提供在柔性基板210的一个方向上，并且数据线62和公共电源线63以绝缘的方式与栅极线61相交。
图14例示具有两个薄膜晶体管30和40以及电容器50的像素。进一步，柔性显示装置200针对每个像素可以具有三个以上薄膜晶体管以及两个以上电容器，并且可以进一步具有用于各种配置的额外电线。
开关薄膜晶体管30包括开关半导体层31、开关栅电极32、开关源电极33和开关漏电极34。驱动薄膜晶体管40包括驱动半导体层41、驱动栅电极42、驱动源电极43和驱动漏电极44。所述薄膜晶体管可以使用底栅结构的薄膜晶体管，也可以使用图15中示出的顶栅结构的薄膜晶体管。
电容器50包括一对电容器板51和52，在该对电容器板51和52之间具有层间绝缘层64。在这种情况下，层间绝缘层64利用介电材料形成。电容由充入电容器50中的电荷以及电容器板51和52之间的电压来确定。
有机发光元件240包括像素电极25、形成在像素电极25上的有机发射层26和形成在有机发射层26上的公共电极27。像素电极25可以是空穴注入电极，并且公共电极27可以是电子注入电极。根据用于驱动柔性显示装置200的方法，可以允许采用与此相反的设置。空穴和电子从像素电极25和公共电极27被注入有机发射层26中。当激子(即注入的空穴和电子的结合)从激发态进入基态时发光。
在反射电极用于像素电极25且透明或半透明电极用于公共电极27的情况下，有机发光元件240向封装构件250发光。在透明或半透明电极用于像素电极25且反射电极用于公共电极27的情况下，有机发光元件240将光给予柔性基板210。
开关薄膜晶体管30用作选择发光的像素的开关。开关栅电极32连接到栅极线61。开关源电极33连接到数据线62。开关漏电极34被布置为与开关源电极33分离并且连接到一个电容器板51。
驱动薄膜晶体管40向像素电极25施加用于使所选择的像素内的有机发光元件240的有机发射层26发光的驱动电力。驱动栅电极42连接到与开关漏电极34相连的电容器板51。驱动源电极43和另一电容器板52连接到公共电源线63。驱动漏电极44通过接触孔连接到有机发光元件240的像素电极25。
根据所述的配置，开关薄膜晶体管30通过施加于栅极线61的栅极电压而***作为向驱动薄膜晶体管40传输施加于数据线62的数据电压。与从公共电源线63被施加于驱动薄膜晶体管40的公共电压和由开关薄膜晶体管30传输的数据电压之间的差对应的电压，被存储在电容器50中，并且与存储在电容器50中的电压对应的电流流向有机发光元件240以发光。
根据示例实施例，承载基板和柔性基板可以在短时间(例如，几微秒(μs))内容易地分离，并且不会给柔性基板上的薄膜晶体管和发光元件带来热和/或机械损坏。该分离技术适合于通过大规模生产制造宽面积的柔性显示装置。进一步，柔性显示装置可以通过利用现有的制造***进行制造，从而避免提供新制造***的困难和成本。
这里已公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但这些术语仅仅以一般和描述性的意义被使用和解释，而不是为了限制的目的。相应地，本领域技术人员应当理解，在不背离如以下权利要求中提出的本发明的范围的情况下，可以在形式和细节方面做出各种改变。

Claims (19)

1.一种用于制造柔性显示装置的方法，所述方法包括：
在承载基板上形成热发生器；
在所述热发生器上形成柔性基板；
在所述柔性基板上形成薄膜晶体管；
形成连接到所述薄膜晶体管的发光元件；以及
通过对所述柔性基板加热将所述柔性基板与所述热发生器分离，所述加热包括由所述热发生器生热。
2.根据权利要求1所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中形成柔性基板包括：在所述热发生器上形成单层。
3.根据权利要求2所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中将所述柔性基板与所述热发生器分离包括：施加提供所述热发生器与所述柔性基板之间的大于所述柔性基板的熔点的界面温度的热量。
4.根据权利要求1所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中形成柔性基板包括：
在所述热发生器上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成水汽渗透防止层；以及
在所述水汽渗透防止层上形成主体层，并且
其中将所述柔性基板与所述热发生器分离包括：将所述牺牲层与所述热发生器分离。
5.根据权利要求4所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中将所述牺牲层与所述热发生器分离包括：施加提供所述热发生器与所述牺牲层之间的大于所述牺牲层的熔点的界面温度的热量。
6.一种通过权利要求1的所述的用于制造柔性显示装置的方法制造的柔性显示装置，所述柔性基板的外部具有在从1nm到15nm范围内的均方根粗糙度。
7.一种用于制造柔性显示装置的方法，所述方法包括：
在承载基板上形成热发生器，所述热发生器包括具有预定电阻的导电材料；
在所述热发生器上形成柔性基板；
在所述柔性基板上形成包括薄膜晶体管的驱动电路；
在所述驱动电路上形成发光元件和封装构件；
通过向所述热发生器施加电压来产生焦耳热，所产生的焦耳热被施加于所述柔性基板以将所述柔性基板与所述热发生器分离。
8.根据权利要求7所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中形成热发生器包括：在所述承载基板上沉积金属和金属氧化物中的至少一种达一均匀厚度。
9.根据权利要求8所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中产生焦耳热包括：向所述热发生器施加具有脉冲波形的电压。
10.根据权利要求7所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中形成柔性基板包括：在所述热发生器上形成单层，使得所述单层的接触所述热发生器的预定部分在所述热发生器的焦耳热的作用下分解。
11.根据权利要求10所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中所述柔性基板包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中产生焦耳热包括：使所述热发生器加热到300℃到900℃的温度。
13.根据权利要求7所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中形成柔性基板包括：
在所述热发生器上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成水汽渗透防止层；并且
在所述水汽渗透防止层上形成主体层。
14.根据权利要求13所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中所述牺牲层被形成为比所述主体层薄，所述牺牲层的至少一部分在所述热发生器的焦耳热的作用下分解，使得所述水汽渗透防止层和所述主体层与所述热发生器分离。
15.根据权利要求14所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中所述牺牲层由聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种形成。
16.根据权利要求15所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中所述热发生器的焦耳加热温度在300℃到900℃的范围内。
17.根据权利要求7所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中：
所述发光元件包括多个有机发光元件。
18.根据权利要求17所述的用于制造柔性显示装置的方法，其中：
所述封装构件利用包括多个有机层和多个无机层的多层进行配置。
19.一种通过权利要求7的所述的用于制造柔性显示装置的方法制造的柔性显示装置，所述柔性基板的外部具有1nm到15nm的均方根粗糙度。
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