CN102668708A

CN102668708A - 有机el装置

Info

Publication number: CN102668708A
Application number: CN2010800429587A
Authority: CN
Inventors: 笠原健司; 清水诚也
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2009-09-29
Filing date: 2010-09-22
Publication date: 2012-09-12
Also published as: TW201119494A; EP2485569A4; WO2011040501A1; KR20120091122A; JP2011076795A; EP2485569A1; US20120181526A1

Abstract

本发明提供有机EL装置。该有机EL装置具有：第1基板、在上述第1基板上配置的阳极、在上述阳极上配置的发光层、由绝缘材料形成并且划分上述发光层的隔壁、覆盖上述发光层并且在隔壁上延伸的阴极、和隔着密封构件在上述第1基板重叠的第2基板，上述阴极具有多层膜结构，该多层膜结构具有向上述发光层注入电子的电子注入层和至少一个导电层，上述电子注入层覆盖上述发光层，至少一个导电层覆盖上述电子注入层。

Description

有机EL装置

技术领域

本发明涉及具有有机电致发光(以下称为“有机EL”)元件的有机EL装置。

背景技术

具有有机EL元件的有机EL装置，作为移动电话用等已实用化。有机EL元件是具有阳极和阴极、被这些电极夹持的包含发光层的1层以上的有机EL层的层叠体。发光层由如果被施加电压而有电流流过则发光的有机化合物形成。有机EL元件具有各种特性。有机EL元件能够将薄膜层叠而形成。通过使用有机EL元件，能够将发光装置等装置制造成极薄型。

对于现有的有机EL装置，参照图9进行说明。

图9中所示的现有的有机EL装置具有：矩形状的第1基板3、在第1基板3上配置的阳极21、含配线的电路层(未图示)、在电路层和阳极21上以点矩阵状配置的发光层22、在发光层22相互之间和发光层22的周围配置的隔壁23、在发光层22与隔壁23上配置的阴极240、和隔着密封构件4重叠于第1基板3的第2基板5。

其他的现有的有机EL装置记载于专利文献1。

专利文献1中记载的发光装置具有：在基板上排列并且具有发光层和将其夹持的阳极及阴极的多个OLED(有机发光二极管)、将多个OLED的阳极和阴极相互绝缘的绝缘膜、位于绝缘膜的外侧的周边壁、将多个OLED和绝缘膜覆盖的密封层。该发光装置的密封层由1层或多层的薄膜构成。在绝缘膜和周边壁之间配置有构成密封层的薄膜中膜厚最厚的薄膜(有机缓冲膜或气密层)端。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-311239号公报

发明内容

图9中所示的现有的有机EL装置中，在形成构成阴极240的电子注入层2410和导电层2420时，使用相同的掩模。因此，将电子注入层2410端部和导电层2420的端部配置在相同的位置，电子注入层2410的端面露出。

在第1基板3和第2基板5之间的内部空间中填充惰性气体，或填充密封树脂。但是，水分经由密封构件4而一点一点浸入内部空间，通过电子注入层2410与隔壁23之间、电子注入层2410与导电层2420之间到达发光层22。形成发光层22的有机化合物不耐水分，容易劣化，因此如果水分到达发光层22，则招致有机EL装置的亮度降低。

专利文献1中记载的发光装置中，在蒸镀导电性的材料而形成的阴极层上，由1层或多层的薄膜构成的密封层覆盖阴极层而配置。但是，有必要在阴极层上重新配置密封层。因此，用于形成密封层的成膜工序是必要的，制造成本增大。

在专利文献1中，将阴极层作为1层来图示和说明，但记载了可以是多层。但是，对于阴极的多层构成，也没有具体的记载，也没有提及经由阴极的水分浸入的问题。

专利文献1中，假如省略密封层，使阴极层成为层叠体的表面层，采用相同的掩模形成了电子注入层和导电层的情况下，即使阴极层覆盖绝缘膜(隔壁)而配置，电子注入层的端面也露出，与图9中所示的以往的有机EL装置同样地，水分浸入内部空间，到达发光层。

本发明的目的在于，提供水分向发光层的浸入得到抑制的有机EL。

本发明的有机EL装置，具有：第1基板、在所述第1基板上配置的阳极、在所述阳极上配置的发光层、由绝缘材料形成并且划分所述发光层的隔壁、覆盖所述发光层并且在隔壁上延伸的阴极、和隔着密封构件而重叠于所述第1基板的第2基板；所述阴极具有多层膜结构，该多层膜结构具有将电子注入所述发光层的电子注入层和至少1个导电层，所述电子注入层覆盖所述发光层，至少1个导电层覆盖所述电子注入层。

本发明中，覆盖发光层并且在隔壁上延伸的阴极由电子注入层和导电层形成。由于电子注入层覆盖发光层，导电层覆盖电子注入层，因此能够抑制水分通过电子注入层和隔壁之间、电子注入层和导电层之间浸入。其中，所谓“延伸”，意味着从发光层到隔壁上延伸的状态。

上述导电层优选将上述隔壁覆盖。即使在隔壁由透过水分的材料构成的情况下，由于导电层将隔壁覆盖，因此能够进一步抑制水分向发光层的浸入。

优选上述电子注入层将上述隔壁覆盖。由此，即使是薄膜状的电子注入层，也能够进一步抑制水分向发光层的浸入。

优选上述导电层由在上述电子注入层上配置的第1导电层和覆盖该第1导电层的第2导电层构成。由此，电子注入层自身的氧化产生的层剥离得到抑制。

优选上述第2导电层将上述隔壁覆盖。由此能够进一步抑制水分向发光层的浸入。

上述第1导电层和第2导电层，可分别由相同的导电材料构成。上述第1导电层可由第1导电材料构成，第2导电层可由与第1导电材料不同的第2导电材料构成。只要上述第1导电层和第2导电层分别由不同的导电材料构成，导电材料的选择范围就增加。作为第1导电材料，可以选择能够以对于发光层的损伤低的电阻加热蒸镀法、单元(cell)加热蒸镀法、电子束蒸镀法等成膜方式进行成膜的Al、Ag等导电材料。作为第2导电材料，可以选择能以能够使成膜速度加速的电子束蒸镀法、高频感应加热蒸镀法、溅射法、离子镀法等成膜方式进行成膜的Al、Ag、Cu、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)等导电材料。由此，能够在抑制发光层的特性下降的同时，使整个阴极形成工序的工序速度加速。从与隔壁的额缘部的密合性的观点出发，作为第2导电材料，优选Al、Ag、Cu。

作为上述第1导电材料的实例，可以列举从Al、Cu和Ag中选择的金属或者含有这些金属中的1种作为主成分的合金、或者铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。作为上述第2导电材料的实例，可以列举从Al、Cu和Ag中选择的金属或者含有这些金属中的1种作为主成分的合金、或者铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。通过选择这些导电材料，结果能够改善有机EL装置的亮度下降率。

在第1导电层和第2导电层由相同的导电材料构成的情况下，导电层具有只是第2导电层的区域和由第1导电层和第2导电层组成的区域，即具有膜厚不同的区域。由此，能够确认第1导电层和第2导电层的存在。

优选电子注入层和第1导电层为相同的图案。在采用真空蒸镀法形成电子注入层和第1导电层时，能够使用相同的掩模形成。能够容易地形成电子注入层和第1导电层。

附图说明

图1表示本发明的实施方式1涉及的有机EL装置的平面图。

图2表示图1中的有机EL装置的A-A线截面图。

图3表示对图1中的有机EL装置的电路构成进行说明的图。

图4表示对图1中的有机EL装置的使用状态进行说明的截面图。

图5表示本发明的实施方式2涉及的有机EL装置的平面图。

图6表示图5中的有机EL装置的B-B线截面图。

图7表示本发明的实施方式3涉及的有机EL装置的平面图。

图8表示图7中的有机EL装置的C-C线截面图。

图9表示对现有的有机EL装置进行说明的部分截面图。

附图标记的说明：

1、10x、10y-有机EL装置

2-像素电路

21-阳极

22-发光层

23-隔壁

23a-格子部

23b-额缘部

24、24x、24y、240-阴极

241、241x-电子注入层

242-导电层

242a-第1导电层

242b-第2导电层

243-阴极用接触孔

3-第1基板

31-无机绝缘膜

4-密封构件

5-第2基板

6-外部端子

7-扫描线驱动电路

8-数据线驱动电路

L1-扫描配线

L2-数据配线

S1-像素电路形成区域

S2-电子注入层形成区域

S3-隔壁形成区域

S4-导电层形成区域

S4a-第1导电层形成区域

S4b-第2导电层形成区域

具体实施方式

(实施方式1)

根据附图对本发明的实施方式1涉及的有机EL装置进行说明。

图1表示本发明的实施方式1涉及的有机EL装置的平面图，图2表示图1中的有机EL装置的A-A线截面图，图3表示对有机EL装置的电路构成进行说明的图。

有机EL装置1作为发光装置使用。如图2所示，在有机EL装置1中，在作为配置有形成各个像素的像素电路2的支持基板的第1基板3，隔着密封构件4重叠有第2基板5。如图3所示，像素电路2由作为各个像素发光的有机EL元件和用于驱动有机EL元件的电路构成，配置为排列成纵列和横列的点矩阵状。

在有机EL装置1中，将用于向像素电路2输入数据的数据线、依次选择像素电路2并且从一方向另一方依次扫描显示面的扫描线和向像素电路2供给电源的电源线，作为外部端子6(参照图1)设置在一端部。

如图3所示，扫描配线L1通过扫描线驱动电路7，向各个像素电路2，相对于显示面在左右方向配线，数据配线L2通过数据线驱动电路8，相对于显示面在上下方向配线。

将这些扫描线驱动电路7和数据线驱动电路8配置在形成有像素电路2的作为图像显示区域的矩形状的像素电路形成区域S1(参照图1)的外侧。

构成第1基板3的材料，在形成阳极21、阴极24等电极、发光层22(有机EL层)时化学上稳定即可。作为该材料的实例，可列举玻璃、塑料、高分子膜、硅基板、金属板、和将这些中的2种以上层叠而成的材料等。

如图2所示，为了使第1基板3的表面平坦化，可在第1基板3的表面形成无机绝缘膜31(例如SiNx、SiO₂等)。在形成有无机绝缘膜31的第1基板3上，层叠有阳极21、包含扫描配线、数据配线等配线层的用于驱动有机EL元件的电路(图3中未图示)、发光层22、隔壁23和阴极24。

将阳极21与排列成纵列和横列的像素对应地配置。作为阳极21，优选具有光透过性的透明电极。由此，能够得到通过阳极21发光的元件。作为该透明电极，可列举由从电导率高的金属氧化物、金属硫化物和金属中选择的材料形成的薄膜，优选为光透过率高的材料。透明电极可根据有机层的种类适当选择。作为构成透明电极的材料的实例，具体可列举氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等金属氧化物、金、铂、银、铜、铝等金属、或者含它们中的1种以上的金属的合金等。

发光层22配置在阳极21上，包含发荧光或磷光的有机物(低分子化合物和高分子化合物)。发光层22还可包含掺杂剂材料。作为构成发光层22的材料，可列举例如以下的色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料和掺杂剂材料等。

作为色素系材料，可列举例如环戊胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、三富马酰基胺(トリフマニルアミン)衍生物、噁二唑二聚体、吡唑啉二聚体等。

作为金属络合物系材料，可列举例如铱络合物、铂络合物等具有来自三重线激发状态的发光功能的金属络合物；羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、铕络合物等具有Al、Zn、Be、或Tb、Eu、Dy等稀土类金属作为中心金属，具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等作为配体的金属络合物等。

作为高分子系材料，可列举聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、将上述色素体、金属络合物系发光材料高分子化的材料等。

关于发光层22，为了发光效率的提高、使发光波长发生变化等，可以含有掺杂剂材料。作为这样的掺杂剂材料，可列举例如苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸(スクアリウム)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁酮等。发光层的厚度通常约为2nm～2000nm。

在有机EL元件中，发光层22通常配置1层，也可为2层以上。2层以上的发光层可彼此直接相接地配置，也可在层间配置发光层以外的其他层。

在阳极21和发光层22之间，作为阳极的一部分，可以配置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。在设置了空穴注入层和空穴传输层两者的情况下，接近阳极21的层为空穴注入层，接近发光层的层为空穴传输层。在空穴注入层或空穴传输层具有阻挡电子传输的功能的情况下，有时这些层兼作电子阻挡层。

空穴注入层配置在阳极21和空穴传输层之间、或者阳极21和发光层22之间。作为构成空穴注入层的空穴注入层材料，并无特别限制，能够适当使用公知的材料。作为空穴注入层材料，可列举例如苯基胺系、星爆型胺系、酞菁系、腙衍生物、咔唑衍生物、***衍生物、咪唑衍生物、具有氨基的噁二唑衍生物；氧化钒、氧化钽、氧化钨、氧化钼、氧化钌、氧化铝等氧化物；无定形碳、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。

作为构成空穴传输层的空穴传输层材料，并无特别限制。作为空穴传输层材料，可列举例如N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)4，4’-二氨基联苯(TPD)、NPB(4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯)等芳香族胺衍生物、聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。

隔壁23划分发光层22，由绝缘材料形成。构成该隔壁23的绝缘材料，是电绝缘性的材料即可。作为绝缘材料，可列举例如从丙烯酸系、聚酰胺、聚酰亚胺、苯并环丁烯、硅氧烷聚合物、含烷基的氧化硅中选择的1种以上的材料。发光层22被在发光层22彼此之间配置的隔壁23的格子部23a和配置为点矩阵状的将发光层22的周围包围的宽幅的额缘部23b所划分。

阴极24覆盖发光层22，在隔壁23上延伸。本实施方式中，阴极24具有由电子注入层241和导电层242的2层组成的多层膜结构。关于阴极24，通过与夹持形成有电子注入层241的电子注入层形成区域S2并设置在两侧的阴极用接触孔243连接，从而与外部端子6的接地线导通连接。

电子注入层241，在将发光层22和隔壁23的格子部23a覆盖的同时，从发光层22连续地将隔壁23的额缘部23b的一部分覆盖。电子注入层241的层厚为1～10nm。

作为电子注入层241，优选容易对发光层22注入电子的材料。优选构成电子注入层241的材料的功函数比构成导电层242的材料的功函数小，并且导电层242的电导率比电子注入层241的电导率大。本实施方式1的电子注入层241的材料，优选是从金属、金属的氟化物和金属的氧化物(其中，“金属”是钡(Ba)、钙(Ca)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、镁(Mg)、铷(Rb)和铯(Cs)中选择的1种以上的金属元素。)中选择的1种以上的材料。

导电层242，在通过将电子注入层241全体覆盖而将隔壁23的格子部23a覆盖的同时，将隔壁23的额缘部23b覆盖，在第1基板3(无机绝缘膜31)上延伸。导电层242将包含隔壁23的端面的隔壁23全体覆盖。形成了图1中所示的导电层242的导电层形成区域S4，比隔壁形成区域S3面积大(参照图2)。

作为构成导电层242的材料，优选向发光层22的电子注入容易的材料。作为该材料，可列举例如铝(Al)、钪(Sc)、钒(V)、锌(Zn)、钇(Y)、铟(In)、铈(Ce)、钐(Sm)、铕(Eu)、铽(Tb)、镱(Yb)、铜(Cu)、银(Ag)等金属、或者含有这些金属中的1种作为主成分的合金，例如这些金属中的1种与金(Au)、铂(Pt)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、锡(Sn)中的1种以上的金属的合金，或者石墨或石墨层间化合物，或者铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锡等金属氧化物等。

在发光层22产生的光从阳极21侧到达外部的本实施方式的有机EL装置，从效率的观点出发，优选在发光层22产生的光在阴极24侧向内部反射，作为构成导电层242的材料，优选反射率高的材料。作为构成导电层242的优选材料，可列举例如从Al、Cu和Ag中选择的金属或含有这些金属中的1种作为主成分的合金等。

在阴极侧发光或者在阳极侧和阴极侧两者发光的情况下，作为导电层242的材料，选择透光性良好的材料即可，可以使用ITO、IZO、氧化锡等金属氧化物，金属薄膜。

导电层242可以是2层以上的层叠结构。在使用了层叠结构的导电层的情形下，在后述的实施方式3中详细说明。

关于导电层242的膜厚，可考虑电导率、耐久性来适当选择，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。作为导电层242的制作方法，可列举真空蒸镀法、溅射法、以及将金属薄膜热压接的层压法等。

在阴极24和发光层22之间，作为阴极24的一部分，可配置电子传输层、空穴阻挡层等。在电子注入层241或电子传输层具有阻挡空穴传输的功能的情况下，这些层有时兼作空穴阻挡层。

作为构成电子传输层的电子传输材料，并无特别限制，能够使用公知的材料。作为电子传输材料，可列举例如噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌(diphenoquinone)衍生物、或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。

关于第2基板5，可以以密封构件4作为隔离构件，与第1基板3一起将各个像素电路2、扫描线驱动电路7、数据线驱动电路8、配线等密封。第2基板5可以为玻璃基板、膜基板、金属板。

根据如上所述构成的本实施方式1涉及的有机EL装置1，如图4中所示，即使水分浸透密封构件4而浸入内部，由于电子注入层241将发光层22覆盖，导电层242将电子注入层241覆盖，因此也能够抑制水分从电子注入层241与隔壁23之间、电子注入层241与导电层242之间浸入发光层。即使隔壁23由透过水分的绝缘有机材料形成，由于导电层242将隔壁23全体覆盖，因此也能够防止水分浸入发光层22。关于有机EL装置1，由于通过阴极24来阻止水分浸入发光层22，因此不必增加进一步的成膜工序。因此，关于有机EL装置1，通过抑制水分浸入发光层22，能够抑制发光层的劣化，实现品质稳定化，同时能够抑制制造成本的增大。

(实施方式2)

根据附图对本发明的实施方式2涉及的有机EL装置进行说明。在图5和图6中，与图1和图2相同的构成标注相同附图标记，省略说明。

本实施方式2涉及的有机EL装置中，电子注入层将隔壁全体与导电层一起覆盖。

如图5和图6所示，有机EL装置10x中，阴极24x中的电子注入层241x将发光层22覆盖，同时将隔壁23的格子部23a和隔壁23的额缘部23b覆盖，在第1基板3(无机绝缘膜31)上延伸，从而包含隔壁23的端面，将隔壁23全体覆盖。电子注入层241x，由于被导电层242覆盖，因此电子注入层241x没有露出。因此，电子注入层形成区域S2比隔壁形成区域S3面积大。

电子注入层241x可以是与实施方式1涉及的电子注入层241同样的材质、膜厚。

这样，通过形成电子注入层241x，不仅获得与实施方式1同样的效果，而且即使是薄膜状的电子注入层241x，也能够进一步抑制水分向发光层22的浸入。

(实施方式3)

根据附图对本发明的实施方式3涉及的有机EL装置进行说明。图7和图8中，与图1及图2、图5及图6相同的构成标注相同附图标记，并省略说明。

本实施方式3涉及的有机EL装置中，导电层由多个层构成。

图7和图8所示的有机EL装置10y中，阴极24y具有电子注入层241，同时具有由第1导电层242a和第2导电层242b这2层构成的导电层242。

将第1导电层242a配置在电子注入层241上，形成与电子注入层241相同的图案。第1导电层242a和电子注入层241，将端部配置在相同的位置。与实施方式1涉及的电子注入层241同样地，第1导电层242a将发光层22和隔壁23的格子部23a覆盖，同时从发光层22连续地将额缘部23b的一部分覆盖。如图8中所示，第1导电层形成区域S4a与电子注入层形成区域S2相同。

关于第1导电层242a，从与电子注入层241相接的观点出发，作为第1导电层242a的材料，能够使用实施方式1中例示的构成导电层242的材料。作为第1导电层242a的材料，优选为从Al、Cu和Ag中选择的金属或者含有这些金属中的1种作为主成分的合金、或者铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，更优选从高导电率、材料成本的观点出发，是铝或者含有铝作为主成分的合金。优选第1导电层242a的材料的功函数比构成电子注入层241的材料的功函数大。在从阳极21侧发光的类型的有机EL装置的情况下，优选选择可见光区域中的反射率高的材料作为构成第1导电层242a的材料，从该观点出发，构成第1导电层242a的材料，优选为从铝、银和铜中选择的金属或含有这些金属中的1种作为主成分的合金等。

在本实施方式3中，关于第1导电层242a的优选层厚，在最薄部为10～500nm。

将第2导电层242b配置在第1导电层242a和隔壁23上。详细而言，第2导电层242b将第1导电层242a覆盖，从没有配置电子注入层241和第1导电层242a的隔壁23的额缘部23b在第1基板3(无机绝缘膜31)上延伸，从而包含隔壁23的端面，将隔壁23全体覆盖。

如图8中所示，第2导电层形成区域S4b比隔壁形成区域S3大。

第2导电层242b，由于除电子注入层241的端面部分以外并未直接相接，因此作为构成第2导电层242b的材料，可适当选择电导率高的材料使用。构成第2导电层242b的材料，优选为从Al、Cu和Ag中选择的金属或含有这些金属中的1种作为主成分的合金、或者铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，更优选为Ag或含有Ag作为主成分的合金。

本实施方式3中，关于第2导电层242b的优选的层厚，在最薄部为50～1000nm。

本实施方式3涉及的有机EL装置10y中，通过第2导电层242b将隔壁23全体覆盖，从而获得与实施方式1同样的效果。此外，导电层242是由在电子注入层241上配置的第1导电层242a和配置在第1导电层242a上且覆盖第1导电层242a的第2导电层242b构成的2层结构，这在制造方面具有以下的优点。例如，作为将本实施方式2涉及的有机EL装置的阴极24成膜的方法，可以列举(1)在同一成膜室中边从电子注入层用的掩模更换为导电层用的掩模，边分别将电子注入层和导电层242加以层叠的手法，(2)准备2个成膜室，在第1个室中将电子注入层成膜后，将基板搬运到第2个室内，将导电层242成膜而加以层叠的手法。如果考虑有机EL元件的连续生产性，上述(1)的手法由于需要对每个基板进行掩模更换，因此难以连续生产，因此，优选选择上述(2)的手法。但是，在将基板搬运到第2个室内时，有可能由于水分、氧而使电子注入层受到损害。另一方面，在本实施方式3中，按照上述(2)的手法，通过在第1个室中将电子注入层成膜，使用相同的掩模直接连续且迅速地将第1导电层242a成膜后，将基板搬运到第2个室内，将第2导电层242b成膜，从而能够减轻上述的损害。电子注入层241的端面被第2导电层242b覆盖，也能够抑制电子注入层241自身的来自端面的氧化产生的层剥离。

第1导电层242a与第2导电层242b分别由第1导电材料和与第1导电材料不同的第2导电材料构成，从而导电材料的选择范围增加。作为构成第1导电层242a的第1导电材料，可选择能够以对于发光层损害低的电阻加热蒸镀法、单元加热蒸镀法、电子束蒸镀法等成膜方式进行成膜的Al、Ag等导电材料。作为构成第2导电层242b的第2导电材料，可选择能以能够使成膜速度加速的电子束蒸镀法、高频感应加热蒸镀法、溅射法、离子镀法等成膜方式进行成膜的Al、Ag、Cu、ITO、IZO等导电材料。由此，能够在抑制发光层22的特性下降的同时，使阴极形成工序全体的工序速度加速。作为构成第2导电层242b的材料，从与额缘部23b的密合性好的材料的观点出发，也可选择Al、Ag、Cu等导电材料。

如上所述，由于电子注入层241和第1导电层242a是相同的图案，因此采用真空蒸镀法形成电子注入层241和第1导电层242a时，能够使用相同的掩模形成。能够容易地形成电子注入层241和第1导电层242a。

本实施方式3中，第1导电层242a和第2导电层242b由不同的导电材料形成，但也可由相同的导电材料形成。在第1导电层242a与第2导电层242b由相同的导电材料构成的情况下，导电层24y具有只是第2导电层242b的区域和由第1导电层242a和第2导电层242b组成的区域，即具有膜厚不同的区域。由此，能够确认第1导电层242a和第2导电层242b的存在。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，在实施方式1～3中，以导电层242将隔壁23全体覆盖的方式形成，但只要至少将电子注入层覆盖，就能够抑制水分从导电层与电子注入层之间、电子注入层与隔壁之间浸入。

产业上的利用可能性

根据本发明，能够有效地抑制水分向有机EL装置的发光层的浸入，能够抑制发光层的劣化，能够实现有机EL装置的品质稳定化，能够抑制有机EL装置的制造成本的增大。本发明适合具有有机EL元件的有机EL装置，有机EL装置既能够使用有源矩阵型又能够使用无源矩阵型。本发明的有机EL装置，例如可作为需要有机EL元件的密封的显示装置、照明装置被采用。

Claims

1.一种有机EL装置，其具有：

第1基板、

在所述第1基板上配置的阳极、

在所述阳极上配置的发光层、

由绝缘材料形成并且划分所述发光层的隔壁、

覆盖所述发光层并且在隔壁上延伸的阴极、和

隔着密封构件而重叠于所述第1基板的第2基板；

所述阴极具有多层膜结构，该多层膜结构具有将电子注入所述发光层的电子注入层和至少1个导电层，

所述电子注入层覆盖所述发光层，

至少1个导电层覆盖所述电子注入层。

2.如权利要求1所述的有机EL装置，其中，

所述导电层覆盖所述隔壁。

3.如权利要求2所述的有机EL装置，其中，

所述电子注入层覆盖所述隔壁。

4.如权利要求1～3中任一项所述的有机EL装置，其中，

所述导电层由在所述电子注入层上配置的第1导电层和覆盖该第1导电层的第2导电层构成。

5.如权利要求4所述的有机EL装置，其中，

所述第2导电层覆盖所述隔壁。

6.如权利要求4或5所述的有机EL装置，其中，

所述第1导电层由第1导电材料构成，第2导电层由与第1导电材料不同的第2导电材料构成。

7.如权利要求4或5所述的有机EL装置，其中，

所述第1导电材料是从Al、Cu和Ag中选择的金属或含有这些金属中的1种作为主成分的合金、或者铟锡氧化物或铟锌氧化物。

8.如权利要求4或5所述的有机EL装置，其中，

所述第2导电材料是从Al、Cu和Ag中选择的金属或含有这些金属中的1种作为主成分的合金、或者铟锡氧化物或铟锌氧化物。

9.如权利要求4～6中任一项所述的有机EL装置，其中，

电子注入层和第1导电层为相同的图案。