CN102662426B - 一种具有自我esd保护功能的输出驱动电路 - Google Patents

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Abstract

一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、预驱动电路及其输出控制端OEN、接收的内部输出信号out、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、输出端PAD;预驱动电路输出两路驱动信号P、N,分别驱动上拉输出驱动管MP1和下拉输出驱动管MN1的栅极。和其它输出电路相比,该电路不需要额外添加ESD保护电路,缩小了芯片面积,节省了成本,同时该电路不受制造工艺的限制,可以广泛的应用于体硅CMOS工艺、SOI CMOS工艺以及其它一些先进的工艺中。

Description

一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域,具体涉及集成电路中输出驱动电路的静电放电(ESD)保护电路领域。
背景技术
随着集成电路制造工艺的不断进步,多晶硅栅的长度越来越小,栅氧厚度越来越薄,结深越来越浅,由ESD所造成的栅氧击穿、PN结热击穿、互连线烧毁及潜在性损伤等问题越来越严重,ESD已经成为集成电路领域亟待解决的可靠性问题,因此ESD保护电路已经成为CMOS集成电路可靠性研究的热点和重点。为了确保CMOS集成电路的ESD保护能力,通常需要在输入电路、输出电路以及电源和地之间加入ESD保护电路。
一般情况下,输出端连接输出MOS管的漏极,如图1所示,而漏极一般和衬底或阱区形成反偏的PN结,通常情况下,输出MOS管的漏极和栅极具有交叠区,因此输出端ESD保护电路的主要任务是保证反偏的PN结不被热击穿和输出MOS管交叠的栅氧化层不介质击穿。在进行输出电路ESD保护设计时,通常需要满足以下要求:(1)输出ESD保护电路的触发电压小于反偏PN结的热击穿电压和输出MOS管的漏栅交叠电容的击穿电压;(2)输出ESD保护电路的导通电阻要小于输出驱动管的导通电阻,以保证ESD电流通过输出ESD保护管进行电流泄放。(3)输出ESD保护管要不影响输出管的驱动能力和性能。经常采用的输出ESD保护电路有包含镇流电阻的二极管、GGNMOS、LVSCR等。
如果输出ESD保护管的设计不当,存在输出管先于ESD保护管开启,进行ESD电流泄放而发生热击穿的危险。同时,为了保证输出电路具有一定的驱动能力,输出MOS管的尺寸通常都比较大,如果再加上大尺寸的输出ESD保护电路,将会占用非常大的芯片面积,大大增加成本。
发明内容
本发明通过添加体区控制电路,使得输出驱动电路具有自我ESD保护功能。在正常工作条件下,MP1的体区控制电路确保MP1的体区接电源VDD,MN1的体区控制电路确保MN1的体区接地VSS。在ESD冲击条件下,体区控制电路能够调节MP1和MN1的体区电位,降低ESD保护时的开启电压,辅助MP1的寄生PNP管和MN1的寄生NPN管快速导通进行ESD电流泄放,增强ESD保护能力。该电路不需要在输出端再额外添加ESD保护电路,能够减小芯片面积,节约成本,同时也能完全避免输出管先于ESD保护管开启而发生热击穿的风险。
根据本发明提供的技术方案,该电路主要包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、MP1的驱动电路、MN1的驱动电路、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、内部输出信号out、输出控制端OEN和输出PAD。
上拉输出驱动管MP1的栅极接inv2的输出端,源极接电源VDD,漏极接PAD,体区接MP2的漏极和MP3的源极、栅极及体区。
下拉输出驱动管MN1的栅极接inv4的输出端,源极接地VSS,漏极接PAD,体区接MN2的漏极和MN3的源极、栅极及体区。
预驱动电路的输出信号P、inv1、inv2构成上拉输出驱动管MP1的驱动电路,预驱动电路的输出信号P送给反相器inv1的输入端,inv1的输出端连接反相器inv2的输入端,inv2的输出端连接MP1的栅极。
预驱动电路的输出信号N、inv3、inv4构成下拉输出驱动管MN1的驱动电路,预驱动电路的输出信号N送给反相器inv3的输入端,inv3的输出端连接反相器inv4的输入端,inv4的输出端连接MN1的栅极。
MP2、MP3和电阻RP构成上拉输出驱动管MP1的体区控制电路,MP2的源极和体区接电源VDD,栅极接预驱动电路的输出信号P,漏极接MP1的体区及MP3的栅极、源极和体区,MP3的栅极、源极和体区接MP1的体区及MP2的漏极,漏极接电阻RP的一端,电阻RP一端接MP3的漏极,另一端接输出PAD。
MN2、MN3和电阻RN构成下拉输出驱动管MN1的体区控制电路,MN2的源极和体区接地VSS,栅极接预驱动电路的输出信号N,漏极接MN1的体区及MN3的栅极、源极和体区,MN3的栅极、源极和体区接MN1的体区及MN2的漏极,漏极接电阻RN的一端,电阻RN一端接MN3的漏极,另一端接输出PAD。
和其它输出电路相比,该电路不仅能够省去输出ESD保护管占用大片的芯片面积,节省成本,还能够通过体区控制电路降低ESD保护时的开启电压,增强ESD保护能力。同时,该电路不受制造工艺的限制,可以广泛的应用于体硅CMOS工艺、SOI CMOS工艺以及其它一些先进的工艺中。
附图说明
图1是典型的具有额外输出保护的输出电路。
图2是本发明提出的具有自我ESD保护的大驱动输出电路。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施及工作原理做进一步详细描述:
如图2所示,该具有自我ESD保护功能的输出驱动电路主要包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、MP1的驱动电路、MN1的驱动电路、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、内部输出信号out、输出控制端OEN和输出PAD。
上拉输出驱动管MP1的栅极接inv2的输出端,源极接电源VDD,漏极接PAD,体区接MP2的漏极和MP3的源极、栅极及体区。
下拉输出驱动管MN1的栅极接inv4的输出端,源极接地VSS,漏极接PAD,体区接MN2的漏极和MN3的源极、栅极及体区。
预驱动电路的输出信号P、inv1、inv2构成上拉输出驱动管MP1的驱动电路,预驱动电路的输出信号P分别送给inv1的输入端和MP2的栅极,以保证MP1的体区提前上拉至高电平,inv1的输出端连接反相器inv2的输入端,inv2的输出端连接MP1的栅极。
预驱动电路的输出信号N、inv3、inv4构成下拉输出驱动管MN1的驱动电路,预驱动电路的输出信号N分别送给inv3的输入端和MN2的栅极,以保证MN1的体区提前下拉至低电平,inv3的输出端连接反相器inv4的输入端,inv4的输出端连接MN1的栅极。
MP2、MP3和电阻RP构成上拉输出驱动管MP1的体区控制电路,MP2的源极和体区接电源VDD,栅极接预驱动电路的输出信号P,漏极接MP1的体区及MP3的栅极、源极和体区,MP3的栅极、源极和体区接MP1的体区及MP2的漏极,漏极接电阻RP的一端,电阻RP一端接MP3的漏极,另一端接输出PAD。
MN2、MN3和电阻RN构成下拉输出驱动管MN1的体区控制电路,MN2的源极和体区接地VSS,栅极接预驱动电路的输出信号N,漏极接MN1的体区及MN3的栅极、源极和体区,MN3的栅极、源极和体区接MN1的体区及MN2的漏极,漏极接电阻RN的一端,电阻RN一端接MN3的漏极,另一端接输出PAD。
该具有自我ESD保护功能的输出电路的工作原理如下:
(一)输出电路在正常工作状态
(1)如果内部输出信号out为高电平,预驱动电路的输出信号P和N均为低电平,MN1和MN2的栅极均为低电平,处于关断状态,MP1和MP2的栅极均为低电平,处于导通状态,由于反相器in1和inv2的延迟作用,MP2首先导通,将MP1的体区上拉至高电平,MP3处于关断状态,MP1导通将输出PAD上拉至高电平;
(2)如果内部输出信号out为低电平,预驱动电路的输出信号P和N均为高电平,MP1和MP2的栅极均为高电平,处于关断状态,MN1和MN2的栅极均为高电平,处于导通状态,由于反相器inv3和inv4的延迟作用,MN2首先导通,将MN1的体区下拉至低电平,MN3处于关断状态,MN1导通将输出PAD下拉至低电平。
(二)输出电路进行ESD测试状态
(1)当PAD上施加ESD电压,GND接地时。电阻RN、MN3的漏栅交叠电容和M1体区与源极形成的二极管形成耦合电路,在MN1的体区耦合一定的电压,辅助MN1管中寄生的NPN管导通进行ESD电流泄放;
(2)当PAD接地,GND上施加ESD电压时。MN2管体区和漏端的寄生二极管导通,则MN1的体区接高电平,使得MN1管中寄生的NPN管的发射结正偏,寄生的NPN导通进行ESD电流泄放;
(3)当PAD上施加ESD电压,VDD接地时。MP3管体区和漏端的寄生二极管导通,则MP1管的体区和漏端相差一个PN结正向导通电压,MP1中寄生的PNP管的发射结正偏,寄生的PNP管导通进行ESD电流泄放;
(4)当PAD接地,VDD上施加ESD电压时。MP1管体区和漏端的寄生二极管、MP3漏栅交叠电容和电阻RP形成耦合电阻,在MP1的体区耦合一定的电压,辅助MP1管中寄生的PNP管导通进行ESD电流泄放。
在该具有自我ESD保护功能的输出驱动电路中,通过利用输出管进行自我ESD保护,大大节省了芯片面积,减小了成本。通过利用体区控制电路对输出管进行辅助触发,减小了输出管在进行ESD保护时的开启电压,利于多个并联输出管的均匀导通,大大提高ESD保护能力。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施方式仅限于此,对于本发明所属ESD保护领域的技术人员来说,在不脱离本发明思路的前提下,还可以设计若干有效的体区控制电路,都应当视为属于本发明所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (5)

1.一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,其特征在于:包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、预驱动电路、预驱动电路的输出控制端OEN、预驱动电路接收的内部输出信号out、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、输出端PAD;预驱动电路输出两路驱动信号P、N,分别驱动上拉输出驱动管MP1和下拉输出驱动管MN1的栅极;上拉输出驱动管MP1的源极与电源VDD相连、漏极与下拉输出驱动管MN1的漏极相连、体区与MP1的体区控制电路相连;下拉输出驱动管MN1的的源极与地VSS相连、体区与MN1的体区控制电路相连;上拉输出驱动管MP1的漏极与下拉输出驱动管MN1的漏极之间引出输出端PAD。
2.如权利要求1所述的具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,其特征在于:还包括两组串联的反相器,一组连接于预驱动电路输出的驱动信号P和上拉输出驱动管MP1之间,一组连接于预驱动电路输出的驱动信号N和下拉输出驱动管MN1的栅极之间。
3.如权利要求1或2所述的具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,其特征在于:所述MP1的体区控制电路包括MOS管MP2、MP3和电阻RP;MP2的栅极连接到预驱动电路输出的驱动信号P端,源极和体区连接到电源VDD,漏极连接到MP3的源极,MP3的源极、栅极和体区相连接、漏极连接到电阻RP的一端;电阻RP的另一端与MN1的体区控制电路相连;上拉输出驱动管MP1的体区连接于MP2的漏极和MP3的源极之间。
4.如权利要求3所述的具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,其特征在于:所述MN1的体区控制电路包括MOS管MN2、MN3和电阻RN;所述电阻RP的另一端与电阻RN的一端相连接,RN的另一端与MN3的漏极相连;MN3的栅极、体区、源极相连接,源极连接到MN2的漏极;MN2的栅极连接到预驱动电路输出的驱动信号N端、源极与地VSS相连接;下拉输出驱动管MN1的体区连接于MN2的漏极和MN3的源极之间。
5.如权利要求4所述的具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,其特征在于:所述输出端PAD还连接在电阻RP的另一端与电阻RN的一端之间。
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