CN102648245B - 用于制备掩模图案的糊剂和使用该糊剂制备太阳能电池的方法 - Google Patents

用于制备掩模图案的糊剂和使用该糊剂制备太阳能电池的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种用于制备蚀刻掩模图案的糊剂和使用该糊剂制备硅太阳能电池的方法。所述用于制备掩模图案的糊剂组合物用来形成硅太阳能电池的选择性发射极，包含无机粉末、有机溶剂、粘合剂树脂和增塑剂。由所述糊剂组合物制备的掩模图案具有与基板良好的粘合性，从而防止了卷边，以及在用于形成选择性发射极的回蚀工序中具有良好的抗蚀刻特性，从而能够形成稳定的发射极。

Description

用于制备掩模图案的糊剂和使用该糊剂制备太阳能电池的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制备掩模图案的糊剂和使用该糊剂制备太阳能电池的方法，更具体而言，涉及一种使用丝网印刷形成蚀刻掩模图案的糊剂，该蚀刻掩模图案可以稳定地形成选择性发射极层，以及涉及一种使用该糊剂制备硅太阳能电池的方法。
背景技术
近年来，预测常规能源例如石油或炭将枯竭，因此，对替代能源的关注与日俱增。在这些替代能源中，特别是太阳能电池具有丰富的能量资源且不会造成环境污染，因此，成为关注的目标。
太阳能电池分成太阳能热电池和太阳能光电池，太阳能热电池利用太阳热产生使涡轮运转所需要的蒸汽，太阳能光电池利用半导体的性能将光子转变成电能。一般地，太阳能光电池(在下文中称为太阳能电池)表示太阳能电池。
太阳能电池根据原料主要包括硅太阳能电池、化合物半导体太阳能电池和级联太阳能电池。其中，硅太阳能电池引领太阳能电池市场。
图1是图示说明硅太阳能电池的基本结构的横截面图。参照图1，硅太阳能电池包括p-型硅半导体基板101和n-型硅半导体发射极层102。在基板101和发射极层102之间的界面处以与二极管相似的方式形成有p-n结。
当光线落在具有上述结构的太阳能电池上，在掺杂有杂质的硅半导体中由于光电效应而产生电子和电子空穴。具体地，在n-型硅半导体发射极层102中产生电子作为多数载流子，而在p-型硅半导体基板101中产生电子空穴作为多数载流子。由于光电效应产生的电子和电子空穴分别被吸向n-型硅半导体和p-型硅半导体，并分别移向发射极层102上方的前电极103和基板101下方的后电极104。当前电极103和后电极104彼此以电线连接时，即有电流流动。
太阳能电池的输出特性使用太阳能电池的输出电流-电压曲线来评价。在输出电流-电压曲线上，由输出电流Ip乘以输出电压Vp得到Ip×Vp值最大时的点，被定义为最大输出Pm，且由最大输出Pm除以入射在太阳能电池上的总光能(S×I:S是装置面积,I是照射在太阳能电池上的光强度)被定义为转换效率η。为了改善转换效率η，需要增加短路电流Isc(在输出电流-电压曲线上当V=0时的输出电流)或开路电压Voc(在输出电流-电压曲线上当I=0时的输出电压)或者需要增加度量输出电流-电压曲线的正方性(squareness)的填充因数。当填充因数接近1时，输出电流-电压曲线接近理想的正方性且转换效率η增加。
当通过将n-型杂质扩散至p-型硅半导体基板的表面来形成发射极层时，在上述用于确定太阳能电池的转换效率的三个因素中，开路电压性能与n-型杂质的掺杂浓度密切相关。供作参考，n-型杂质的掺杂曲线显示出掺杂浓度在发射极层的表面处最大，并且根据高斯分布或误差函数朝着发射极层的内部减小。
通常，倾向以杂质过量掺杂发射极层，以增加太阳能电池的开路电压。在此情形中，发射极层的最上部分(下文称为死层)具有比固体在硅半导体中的溶解度更高的n-型杂质掺杂浓度。供作参考，死层的厚度在约50～约200nm之间。结果，靠近发射极层表面的载流子的迁移率降低，载流子的复合率由于杂质过度扩散的影响而增加，且载流子的寿命缩短。
为了解决上述问题，已经提出发射极回蚀法。发射极回蚀法是以这样的方式进行的：在过度掺杂杂质的条件下通过扩散过程形成发射极层之后，通过使用硝酸和氢氟酸的混合物的湿式蚀刻或CF4等离子体蚀刻除去不利地影响太阳能电池性能的死层。
然而，硝酸和氢氟酸的混合物或CF4等离子体具有差的蚀刻选择性和对于过度掺杂n-型杂质的区域蚀刻速率高的缺点。因此，在仅选择性地除去过度掺杂n-型杂质的区域(即，发射极层的表面)中，常规的发射极回蚀法具有低的方法再现性和低的稳定性。
在这种情形下，为了确保发射极回蚀法的方法再现性和稳定性，通常会发生过度蚀刻，即，和过度掺杂n-型杂质的区域上一样，甚至适当掺杂n-型杂质的区域的部分也被蚀刻。当发射极层被过度蚀刻时，由于发射极层表面的低杂质浓度，与发射极层连接的前电极的接触特性劣化。结果，前电极和发射极层之间的接触电阻增加，因此，太阳能电池的填充因数减小。而且，填充因数的减小导致了太阳能电池的转换效率的降低。
同时，已经提出了选择性发射极法以克服发射极回蚀法的不足。选择性发射极法在发射极回蚀过程之后进行，并且选择性发射极法包括：形成仅暴露待形成前电极的区域的掩模图案，进一步使n-型杂质扩散至通过掩模图案暴露出来的发射极层的表面中，使得仅在待形成前电极的区域处形成掺杂高浓度n-型杂质的发射极层。然而，选择性发射极法需要光刻法和额外的杂质扩散过程以形成掩模图案，结果，它具有使太阳能电池的制备工艺复杂化和增加制备成本的缺点。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种使用丝网印刷制备硅太阳能电池的方法，该方法可以确保形成选择性发射极层的工艺的可靠性和简单性以改善硅太阳能电池的效率，并且可以降低太阳能电池的制备成本。
为了实现所述目的，根据本发明的用于制备掩模图案的糊剂组合物可以用于形成硅太阳能电池的选择性发射极层，并且可以包含无机粉末、有机溶剂、粘合剂树脂和增塑剂。
在本发明的糊剂中，所述增塑剂可以包括，例如，苯二甲酸酯(phthalicacidester)、苯甲酸酯、磷酸酯、偏苯三酸酯、聚酯、柠檬酸酯、己二酸酯和环氧化合物或其混合物。然而，就这一点而言，所述增塑剂不受限制。所述增塑剂可以是任何能够提供可塑性的溶剂。
另外，为了实现所述目的，根据本发明的制备硅太阳能电池的方法可以包括：(a)制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；(b)通过用具有与所述第一导电杂质相反极性的第二导电杂质掺杂所述基板的上部而在该基板上形成发射极层；(c)通过在所述发射极层上的前电极连接区域处丝网印刷包含无机粉末、有机溶剂、粘合剂树脂和增塑剂的糊剂而形成蚀刻掩模图案；(d)使用所述蚀刻掩模图案作为掩模来回蚀所述发射极层；(e)除去回蚀后残留的蚀刻掩模图案；(f)在所述基板的前表面上形成防反射膜；(g)穿过所述防反射膜在前电极和前电极连接区域之间建立连接；和(h)在后电极和所述基板的后表面之间建立连接。
在所述制备方法中，所述第一导电杂质是p-型杂质，以及所述第二导电杂质是n-型杂质。
优选地，在步骤(d)中，所述发射极层可以使用选择性湿式蚀刻剂来回蚀，在所述选择性湿式蚀刻剂中HNO3、HF、CH3COOH和H2O以10:0.1~0.01:1~3:5~10的体积比混合。在此情况下，所述选择性湿式蚀刻剂对发射极层中的高密度杂质区域可以具有0.08～0.12μm/sec的蚀刻速率，对发射极层中的低密度杂质区域可以具有0.01～0.03μm/sec的蚀刻速率。
或者，在步骤(d)中，所述发射极层可以使用碱性湿式蚀刻剂例如KOH或使用干式蚀刻剂例如CF4等离子体进行回蚀。
发明效果
根据本发明，通过回蚀过程由本发明的糊剂组合物形成的掩模图案不容易脱离，从而稳定地形成发射极。另外，在发射极回蚀过程中选择性湿式蚀刻剂的使用可以确保回蚀过程的稳定性和再现性。
另外，与常规选择性发射极层形成过程完全不同，因为高温杂质掺杂仅进行一次，所以可以防止基板中杂质的活化。
而且，因为丝网印刷用于形成蚀刻掩模图案，所以可以导致比光刻法更简单的制备工艺和更低的制备成本。
此外，因为掩模图案由丝网印刷糊剂组合物而简易地形成，所以可以免除对真空沉积设备或高温炉的需要。
附图说明
从下面参考附图对实施方案的描述中，本发明的其它目的和方面将变得显而易见，其中：
图1是图示说明常规硅太阳能电池的结构的示意横截面图。
图2～7是图示说明根据本发明的优选实施方案使用丝网印刷制备硅太阳能电池的方法的横截面图。
图8是图示说明由本发明实施例1的糊剂组合物形成的印刷图案在蚀刻前(a)和蚀刻后(b)的光学显微镜图像。
图9是图示说明由本发明实施例2的糊剂组合物形成的印刷图案在蚀刻前(a)和蚀刻后(b)的光学显微镜图像。
图10是图示说明由本发明实施例3的糊剂组合物形成的印刷图案在蚀刻前(a)和蚀刻后(b)的光学显微镜图像。
图11是图示说明由实施例1的糊剂组合物(a)和对比例1的糊剂组合物(b)形成的印刷图案在蚀刻后的光学显微镜图像。
<附图标记>
201：基板
202：发射极层
202’：选择性发射极层
203：蚀刻掩膜图案
204：防反射膜
205：前电极
206：后电极
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方案。在描述之前，应当理解说明书和所附权利要求中使用的术语不应该解释为限于一般含义和字典含义，而应当根据允许发明人为了最好地说明而适当地定义术语的原则，基于与本发明的技术方面相应的含义和概念来解释。
如上所述，选择性发射极法需要形成仅暴露待形成前电极的区域的蚀刻掩模图案。常规地，所述蚀刻掩模图案通过光刻法形成，然而，本发明提供了一种使用丝网印刷形成蚀刻掩模图案的糊剂组合物，使得比光刻法工艺更简单和经济效率更高。
根据本发明用于形成蚀刻掩模图案的糊剂组合物可以包含无机粉末、有机溶剂和粘合剂树脂，并且可以还包含增塑剂。
用于形成蚀刻掩模图案的常规糊剂组合物在印刷图案形成工序之后的干燥工序中经常发生卷边。这在多晶片中更经常地发生。认为卷边是由于在干燥工序中基板和印刷图案之间的热膨胀差异而导致的。在蚀刻工序中，蚀刻剂可能渗透发生卷边的部分，导致印刷图案的脱离。
然而，本发明的糊剂组合物包含有助于改善与基板的粘合和减少与基板的热膨胀差异的增塑剂，从而防止了卷边。因此，使用本发明的糊剂组合物形成的蚀刻掩模图案可以在蚀刻工序中对蚀刻剂具有高抗性，因此，可以稳定地形成发射极。
根据本发明的增塑剂可以包括，例如，苯二甲酸酯、苯甲酸酯、磷酸酯、偏苯三酸酯、聚酯、柠檬酸酯、己二酸酯和环氧化合物或其混合物，然而就这一点而言，所述增塑剂不受限制。所述增塑剂可以是任何能够提供可塑性的溶剂。
每100重量份的糊剂组合物，所述增塑剂的含量可以是0.01～30重量份，优选0.1～30重量份，更优选1～20重量份。
当所述增塑剂的含量小于0.01重量份时，糊剂几乎不具备流平性，且对基板具有低的润湿性。当增塑剂的含量超过30重量份时，图案宽度增加，粘合剂的含量相对减小，当印刷糊剂时该糊剂的滚压性能降低，并且在蚀刻工序后的清洁工序中不容易除去掩模图案。
根据本发明用于形成蚀刻掩模图案的糊剂组合物中包含的无机粉末可以包括，但不限于，选自基于SiO2-PbO的粉末、基于SiO2-PbO-B2O3的粉末、基于Bi2O3-B2O3-SiO2的粉末和基于PbO-Bi2O3-B2O3-SiO2的粉末中的玻璃粉末；选自SiO2、TiO2、P2O5、BaO、ZnO、ITO和Al2O3中的金属氧化物粉末；或者其混合物。
根据本发明的无机粉末的平均粒度可以是，例如，在1nm～10μm之间，优选在1nm～3μm。然而，当平均粒度更小时，印刷图案的脱离起始时间可能延迟。因此，无机粉末的平均粒度不限于示例性范围。
所述无机粉末的含量可以依据表观密度而变化，以得到本发明期望的效果。例如，根据所述糊剂组合物的总重量，无机粉末的含量可以是0.1～80重量%。
所述粘合剂树脂可以包括乙基纤维素、基于丙烯酸酯的树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚苯乙烯、聚丙烯等。优选地，所述粘合剂树脂的分子量(Mw)为5,000～1,000,000。
在本发明的糊剂组合物中，所述有机溶剂均匀地溶解和/或分散该糊剂中的各个组分。所述有机溶剂可以是醇类溶剂，例如松油醇、二甘醇一丁醚或二甘醇一丁醚乙酸酯和2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯(texanol)等，或其混合物，然而，就这一点而言，本发明不受限制。
在本发明中，依据所述无机粉末的含量，所述粘合剂的含量(包括粘合剂树脂和有机溶剂)基于糊剂的总重量可以是20～99.9重量%。此处，粘合剂树脂的含量可以根据多种条件适当地选择。例如，基于所述粘合剂的总重量，粘合剂树脂的含量可以是5～50重量%，然而，就这一点而言，本发明不受限制。如果粘合剂树脂的含量小于5重量%，则所述糊剂可能具有过低的粘度和过高的流动性。如果粘合剂树脂的含量超过50重量%，则取决于树脂的分子量，所述树脂可能不能完全地溶解在溶剂中，或者尽管树脂溶解在溶剂中，但由于糊剂固有的高粘度，该糊剂可能显示出低流动性。
任选地，在本发明的糊剂中，可以用具有疏水基团的有机硅烷化合物、硅油或脂肪酸或与它们类似的有机化合物包覆金属或金属氧化物粒子，以延长掩模图案的脱离起始时间。
任选地，在产生粒子的过程中，可以加入分散剂以保持无机粉末的分散稳定性，例如，脂肪酸类分散剂、苯并***类分散剂和氢醌类分散剂等。考虑到对所用粘合剂的稳定性，可以使用多种分散剂。
并且，显然本发明的糊剂组合物可以还包含本领域通常使用的添加剂，例如，润湿剂、触变剂、增稠剂、消泡剂和流平剂等。
在下文中，参照图2～7描述使用根据本发明的用于形成蚀刻掩模图案的糊剂组合物制备硅太阳能电池的方法的例子。图2～7是图示说明根据本发明的优选实施方案使用丝网印刷制备太阳能电池的方法的横截面图。
参照图2，首先，制备基板201并装入扩散炉中。此处，基板201由硅半导体制成并掺杂有第一导电杂质。基板201是单晶、多晶或非晶硅半导体，并掺杂有元素周期表中第3族元素的p-型杂质，例如B、Ga和In等。然后，将元素周期表中第5族元素的n-型杂质源，例如P、As和Sb等与氧气一起注入扩散炉中，且发生热氧化反应，使得以预定厚度在基板201的前表面上形成含有n-型杂质的氧化膜。然后，通过将扩散炉中的温度升至800～900℃而将氧化膜中含有的n-型杂质驱动到基板201的上部。此时，扩散时间为30～60分钟，以使足够量的n-型杂质扩散至基板201中。当氧化膜中含有的n-型杂质通过基板201的表面扩散至基板201中时，以预定厚度在基板201的上部处形成了n-型硅半导体发射极层202。
使用上述n-型杂质扩散工艺，植入发射极层202中的n-型杂质的浓度在发射极层202的表面最高，并且根据高斯分布或误差函数朝着基板201内部减小。而且，因为控制该工艺条件以在扩散工序中扩散足够量的n-型杂质，因此，掺杂有浓度比固体的溶解度更高的n-型杂质的死层存在于发射极层202的最上部分。
图8是图示说明在完成n-型杂质的扩散后，n-型杂质的浓度从发射极层202的表面朝着基板201变化的图。在该图中，相对于发射极层202的表面，横轴是测量n-型杂质浓度的点的深度，纵轴是在测量点处的n-型杂质的浓度。
参照图8，n-型杂质的浓度在靠近发射极层202的表面最高，且在基板201的内部降低。特别地，掺杂有浓度比硅半导体中固体的溶解度更高的n-型杂质的死层存在于靠近发射极层202的表面(如点状单元所示)。死层中含有的n-型杂质的浓度取决于该n-型杂质的种类。例如，当n-型杂质是磷(P)时，n-型杂质的浓度是1020个原子/cm3或大于1020个原子/cm3。
同时，在本发明实施方案中公开的发射极层形成工艺仅是用于说明目的的优选实施例，不是用来限制本发明的范围，所以应该理解在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以做出其它等同形式和修改。
在如上所述形成发射极层202之后，如图3所示，使用丝网印刷在掺杂有n-型杂质掺杂的发射极层202上的前电极(图7的205)连接区域处形成蚀刻掩模图案203。具体地，将用于印刷的掩模(未显示)置于发射极层202上。此处，用于印刷的掩模在对应于将形成蚀刻掩模图案203的区域的部分处具有开口图案(openingpattern)。接下来，通过将用于形成蚀刻掩模图案的糊剂挤出至开口图案来填充该开口图案，同时以预定方向移动丝网印刷机(未显示)。然后，从发射极层202上除去用于印刷的掩模，以在发射极层202上形成蚀刻掩模图案203。然而，用于形成蚀刻掩模图案203的丝网印刷不限于上述具体工艺。
在蚀刻掩模图案203形成之后，如图4所示，通过使用发射极层202上的蚀刻掩模图案203作为掩模回蚀发射极层202而形成选择性发射极层202’。在发射极层202的回蚀工序中，仅没有覆盖蚀刻掩模图案203的发射极层202的上部以预定深度被蚀刻。因此，在掺杂有高浓度杂质的发射极层202中，仅可以选择性除去太阳光入射的区域。选择性发射极层202’仅在连接前电极205的区域处掺杂有高浓度的n-型杂质。因此，前电极205可以具有改善的接触特性，从而形成欧姆接触。另外，因为除去了发射极层中过度掺杂n-型杂质的区域，所以载流子的寿命缩短，从而防止了太阳能电池效率的降低。
在发射极层202的回蚀工序中，湿式蚀刻剂和干式蚀刻剂均可以使用。优选使用选择性湿式蚀刻剂，以确保回蚀工序的稳定性和再现性。例如，在本发明中，发射极层202使用选择性湿式蚀刻剂进行回蚀，在该选择性湿式蚀刻剂中，HNO3、HF、CH3COOH和H2O以10:0.1~0.01:1~3:5~10的体积比混合的。当植入发射极层202中的杂质的浓度较高时，所述选择性湿式蚀刻剂具有较快的蚀刻速率。即，对于掺杂有高浓度杂质的区域，所述选择性湿式蚀刻剂的蚀刻速率为0.08～0.12μm/sec，对于掺杂有低浓度杂质的区域，蚀刻速率为0.01～0.03μm/sec。因此，当使用选择性湿式蚀刻剂进行回蚀工序时，在蚀刻工序的初始阶段选择性地除去掺杂有高浓度n-型杂质的发射极层202的最上部分，从而确保了回蚀工序的稳定性和再现性。同时，显而易见的是，选择性湿式蚀刻剂的蚀刻速率可以依据蚀刻溶液组合物的体积比、扩散杂质的种类和浓度等而改变。或者，在发射极层202的回蚀工序中可以使用碱性湿式蚀刻剂例如KOH或干式蚀刻剂例如CF4等离子体，这对于本领域普通技术人员是显而易见的。
在发射极层202的回蚀工序完成之后，如图5所示，通过除去残留在基板201上的蚀刻掩模图案203而彻底形成选择性发射极层202’。然后，如图6所示，在选择性发射极层202’上形成防反射膜204。防反射膜204可以具有选自氮化硅膜、含氢的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、MgF2、ZnS、MgF2、TiO2和CeO2中的任何一种的单膜结构，或至少两层材料膜的多膜结构。防反射膜204可以通过真空沉积、化学气相沉积、旋转涂布、丝网印刷或喷涂来形成。然而，本发明不限于防反射膜204的具体结构和形成方法。
在防反射膜204形成之后，如图7所示，使前电极205和后电极206分别与选择性发射极层202’的上表面和基板201的后表面相连接。前电极205和后电极206可以通过各种公知技术来形成，然而优选丝网印刷。即，所述前电极205通过在待形成前电极的区域丝网印刷包含银(Ag)、玻璃粉和粘合剂的用于形成前电极的糊剂，随后进行热处理来形成。在热处理过程中，由于穿通现象所述前电极205穿透防反射膜204，并与选择性发射极层202’相连。
类似地，后电极206通过在基板201的后表面上印刷包含铝、硅石英和粘合剂的用于形成后电极的糊剂，随后进行热处理来进行。在后电极的热处理过程中，作为后电极成分之一的铝穿过基板201的后表面扩散，并且在后电极206和基板201之间的界面处可以形成背表面电场层(未显示)。该背表面电场层可以防止载流子移动至基板201的后表面和复合。防止载流子复合有助于增加开路电压和填充因数，从而改善太阳能电池的转换效率。
本发明不限于用于制备前电极205和后电极206的具体工艺。例如，除了丝网印刷之外，前电极205和后电极206可以通过常规的光刻法和金属沉积法来制备。
在下文中，将通过具体实施例详细地描述本发明。然而，此处提出的描述仅仅是用于说明目的的优选实施例，而不是用来限制本发明的范围，所以应当理解，提供这些实施例以对本领域普通技术人员提供更确切的解释。
实施例1～3和对比例1和2
根据下面表1所示的组成，制备用于形成蚀刻掩模图案的各糊剂组合物。增塑剂是苯甲酸二丙二醇酯(dipropyleneglycolbenzoate)(DPD)，粘合剂是通过将乙基纤维素(EC)加入到混合比例为4:1的二甘醇一丁醚(BC)和松油醇(T)的溶剂中，并加热和混合它们而得到。
表1
试验例：印刷图案的评价
由实施例1～3的糊剂组合物形成的印刷图案在蚀刻之前(a)和在蚀刻之后(b)的光学显微镜图像分别示于图8(实施例1)、图9(实施例2)和图10(实施例3)。
如图8～10所示，发现由实施例的糊剂组合物形成的印刷图案在蚀刻后没有出现卷边或与基板脱离，且认为这是由于加入增塑剂引起与基板粘合的改善。
另外，发现实施例在印刷图案的表面流平性和均匀的图案高度方面具有改善，因此，实施例避免了图案的不均匀蚀刻。
相反地，对比例1的印刷图案在蚀刻后发生卷边。实施例1和对比例1之间印刷图案的差异示于图11中(实施例1(a)和对比例1(b))。

Claims (8)

1.一种用于制备掩模图案的糊剂组合物，该掩模图案用于制备硅太阳能电池，所述糊剂组合物包含：
无机粉末、有机溶剂、粘合剂树脂和增塑剂，
其中，每100重量份的所述糊剂组合物，所述增塑剂的含量是0.01～30重量份,
所述无机粉末包含用具有疏水基团的有机硅烷化合物、硅油或脂肪酸包覆的金属氧化物粉末。
2.根据权利要求1所述的用于制备掩模图案的糊剂组合物，其中，所述增塑剂是选自苯二甲酸酯、苯甲酸酯、磷酸酯、偏苯三酸酯、聚酯、柠檬酸酯、己二酸酯和环氧化合物中的任何一种，或者是其混合物。
3.一种硅太阳能电池的制备方法，包括：
(a)制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；
(b)通过用具有与所述第一导电杂质相反极性的第二导电杂质掺杂所述基板的上部而在该基板上形成发射极层；
(c)通过在所述发射极层上的前电极连接区域处丝网印刷包含无机粉末、有机溶剂、粘合剂树脂和增塑剂的糊剂而形成蚀刻掩模图案；
(d)使用所述蚀刻掩模图案作为掩模来回蚀所述发射极层；
(e)除去回蚀后残留的蚀刻掩模图案；
(f)在所述基板的前表面上形成防反射膜；
(g)穿过所述防反射膜在前电极和所述前电极连接区域之间建立连接；和
(h)在后电极和所述基板的后表面之间建立连接，
其中，每100重量份的所述糊剂组合物，所述步骤(c)中的增塑剂的含量是0.01～30重量份，
所述无机粉末包含用具有疏水基团的有机硅烷化合物、硅油或脂肪酸包覆的金属氧化物粉末。
4.根据权利要求3所述的硅太阳能电池的制备方法，其中，所述第一导电杂质是p-型杂质，所述第二导电杂质是n-型杂质。
5.根据权利要求3所述的硅太阳能电池的制备方法，其中，所述步骤(c)中的增塑剂是选自苯二甲酸酯、苯甲酸酯、磷酸酯、偏苯三酸酯、聚酯、柠檬酸酯、己二酸酯和环氧化合物中的任何一种，或者是其混合物。
6.根据权利要求3所述的硅太阳能电池的制备方法，其中，在所述步骤(d)中，使用选择性湿式蚀刻剂来回蚀所述发射极层，在所述选择性湿式蚀刻剂中，HNO3、HF、CH3COOH和H2O以10:0.1～0.01:1～3:5～10的体积比混合。
7.根据权利要求6所述的硅太阳能电池的制备方法，其中，所述选择性湿式蚀刻剂对于所述发射极层中的高浓度杂质区域的蚀刻速率为0.08～0.12μm/sec，以及对于所述发射极层中的低浓度杂质区域的蚀刻速率为0.01～0.03μm/sec。
8.根据权利要求3所述的硅太阳能电池的制备方法，其中，在所述步骤(d)中，使用碱性湿式蚀刻剂或等离子体干式蚀刻剂来回蚀所述发射极层。
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