KR20110040713A - 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 - Google Patents

은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 Download PDF

Info

Publication number
KR20110040713A
KR20110040713A KR1020100099638A KR20100099638A KR20110040713A KR 20110040713 A KR20110040713 A KR 20110040713A KR 1020100099638 A KR1020100099638 A KR 1020100099638A KR 20100099638 A KR20100099638 A KR 20100099638A KR 20110040713 A KR20110040713 A KR 20110040713A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
paste composition
silver paste
solar cell
front electrode
plasticizer
Prior art date
Application number
KR1020100099638A
Other languages
English (en)
Inventor
김민서
허수연
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to TW099135362A priority Critical patent/TWI404780B/zh
Priority to CN201080055943.4A priority patent/CN102763172B/zh
Priority to EP10823604.3A priority patent/EP2490228B1/en
Priority to PCT/KR2010/007001 priority patent/WO2011046365A2/ko
Priority to US13/501,681 priority patent/US20120325308A1/en
Priority to JP2012534110A priority patent/JP5542212B2/ja
Publication of KR20110040713A publication Critical patent/KR20110040713A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

본 발명은 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 은 페이스트 조성물은 반사방지막 상에 도포되며, 은 분말, 글래스 프릿 분말, 유기 바인더, 및 가소제를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물은 인쇄패턴이 균일하고 기판과의 접착력이 우수하다.

Description

은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지{Silver paste composition and solar cell using the same}
본 발명은 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스크린 인쇄법 등을 통해 도포되는 경우에 그 인쇄 패턴의 균일성, 안정성, 접착력 등이 향상되는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있으며, 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지로 분류되는데, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
태양전지는 원료 물질에 따라 크게 실리콘 태양전지(silicon solar cell), 화합물 반도체 태양전지(compound semiconductor solar cell) 및 적층형 태양전지(tandem solar cell)로 구분된다. 이러한 3가지 종류의 태양전지 중 태양전지 시장에서는 실리콘 태양전지가 주류를 이루고 있다.
도 1은 실리콘 태양전지의 기본적인 구조를 보여주는 단면도이다. 도면을 참조하면, 실리콘 태양전지는 p형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101)과 n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층(102)을 포함하고, 기판(101)과 에미터층(102)의 계면에는 다이오드와 유사하게 p-n 접합이 형성되어 있다.
위와 같은 구조를 갖는 태양전지에 태양광이 입사되면, 광기전력효과(photovoltaic effect)에 의해 불순물이 도핑된 실리콘 반도체에서 전자와 정공이 발생한다. 참고로, n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층(102)에서는 전자가 다수 캐리어로 발생되고, p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101)에서는 정공이 다수 캐리어로 발생된다. 광기전력효과에 의해 발생된 전자와 전공은 각각 n형 실리콘 반도체 및 p형 실리콘 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 기판(101) 하부 및 에미터층(102) 상부와 접합된 전면전극(103) 및 후면전극(104)으로 이동하며, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전류가 흐르게 된다.
통상적으로 상기 전면전극(103)의 형성을 위해서는 은 페이스트 조성물이 사용되며, 후면전극(104)의 형성을 위해서는 알루미늄 페이스트 조성물이 사용된다. 특히 전면전극(103)의 경우에는 입사광을 최대로 하면서도 전기적 접속을 원활하게 하기 위해 좁은 선폭 및 높은 선고가 필수적이며, 그에 따라 높은 점도를 갖도록 제조된다.
하지만, 고점도의 조성물은 인쇄시 인쇄 패턴의 균일성을 확보하기가 어렵고, 잔류물의 발생율이 높아 태양전지의 전면부에 shadowing area를 증가시키는 문제점이 있다.
따라서, 높은 점도로 제조되더라도 인쇄 패턴의 균일성 및 잔류물 발생이 적은 페이스트 조성물의 개발이 필요하다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고점도를 갖도록 제조하여도 인쇄패턴의 균일성이 우수하고, 잔류물 발생이 적으며 보존성이 우수한 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 은 페이스트 조성물은 은 분말, 글래스 프릿 분말, 유기 바인더, 및 가소제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 가소제를 포함하는 은 페이스트 조성물은 페이스트 조성물의 가공성 및 유연성을 향상시킴으로써 인쇄 패턴 형성시에 페이스트 조성물의 롤링(rolling) 특성, 레벨링(leveling) 특성, 기판 젖음(wetting)성이 향상되어 기판과 인쇄패턴 간의 접착성이 향상된다.
전술한 본 발명에 따른 가소제는 예를 들면, 프탈산 에스테르, 벤조산 에스테르, 인산 에스테르, 트리멜리트산 에스테르, 폴리에스테르, 시트르산 에스테르, 아디프산 에스테르 또는 에폭시 화합물을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 이외에 가소성을 부여할 수 있는 용매라면 사용이 가능하므로 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 가소제는 은 페이스트 조성물 100 중량부에 대해서 0.01 내지 15 중량부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 본 발명의 은 페이스트 조성물은 반사방지막 상에 도포되어 실리콘 태양전지의 전면전극 및 태양전지의 제조에 사용될 수 있다.
본 발명의 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물은 개선된 롤링 특성 및 레벨링 특성을 가지므로 미세한 패턴의 균일한 형성이 가능하며, 잔류물(residue)의 생성도 감소된다.
또한, 본 발명의 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물은 기판과 인쇄 패턴 간의 열팽창 정도의 차이를 감소시킬 수 있으며, 특히 에지 컬(edge curl) 현상을 감소시킴으로써 인쇄 패턴의 안정성 및 균일성을 높일 수 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 종래 기술에 따른 실리콘 태양전지의 개략적인 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 구현예에 따라 제조되는 태양전지의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 조성물로 형성된 인쇄 패턴의 광학현미경사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따라 제조된 조성물로 형성된 인쇄 패턴의 광학현미경사진이다.
도 5는 본 발명의 비교예 1과 실시예 2에 따라 제조된 조성물로 형성된 인쇄 패턴의 측면을 나타내는 광학현미경사진이다.
<도면의 주요 참조 번호>
201: 기판 202: 에미터층
203: 반사방지막
204: 전면 전극 205: 후면 전극
이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 은 페이스트 조성물은 전술한 바와 같이, 은 분말, 글래스 프릿 분말, 및 유기 바인더를 포함하며, 특히 가소제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 가소제의 구체적인 예를 들면 프탈산 에스테르, 벤조산 에스테르, 인산 에스테르, 트리멜리트산 에스테르, 폴리에스테르, 시트르산 에스테르, 아디프산 에스테르 또는 에폭시 화합물 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 가소성을 부여할 수 있는 용매라면 사용이 가능하므로 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 있어서 가소제의 함량은 상기 은 페이스트 조성물 100 중량부에 대해서 0.01 내지 15 중량부일 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 1 내지 5 중량부일 수 있다.
상기 함량이 0.01 중량부 미만이면 레벨링 특성이 거의 나타나지 않고 기판과의 젖음성이 부족할 수 있고, 15 중량부를 초과하면 패턴의 선폭 퍼짐이 커지고 주 바인더의 함량이 감소되어 인쇄시 은페이스트의 롤링 특성이 감소하여 인쇄성이 부족하게 될 수 있다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 포함되는 은 분말의 은 입자는 통상적으로 사용되는 은 입자라면 제한없이 사용될 수 있다. 예를 들면 평균 입경이 0.5 μm 내지 7 μm 인 것이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용될 수 있는 글래스 프릿 분말은 당분야에서 사용되는 글래스 프릿이 제한없이 사용될 수 있다. 이러한 글래스 프릿 분말의 예를 들면, 납산화물 및/또는 비스무트 산화물을 포함할 수 있다. 구체적으로는 SiO2-PbO계, SiO2-PbO-B2O3계, Bi2O3-B2O3-SiO2계, 또는 PbO-Bi2O3-B2O3-SiO2계 분말 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상기 은 분말, 글래스 프릿 분말 및 가소제를 페이스트 상으로 제조하기 위해 유기 바인더를 첨가한다. 본 발명에서 사용되는 유기 바인더는 은 페이스트 조성물을 제조하기 위해 당분야에서 사용되는 유기 바인더라면 제한없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 셀룰로오스(Celluose), 부틸카르비톨(Butyl carbitol) 또는 터피네올(terpineol) 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 있어서 글래스 프릿 분말과 유기 바인더는 은 페이스트 조성물의 구체적인 용도에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들면, 글래스 프릿 분말의 함량은 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기 바인더는 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부가 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서 전극 형성이 용이하고, 스크린 프린팅에 매우 용이한 점도를 가질 수 있을 뿐만 아니라 스크린프린팅 후 페이스트가 흘러내리는 것을 방지하여 적합한 종횡비(Aspect ratio)를 나타낼 수 있다.
상기와 같이 준비된 조성물의 성분들이 균일하게 분산되도록 당분야에 알려진 다양한 방법으로 혼합시키면 본 발명의 은 페이스트 조성물을 얻을 수 있다.
선택적으로, 본 발명의 은 페이스트 조성물은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 추가적인 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들면 습윤제(wetting agent), 요변성제(thixotropic agent) 등을 필요에 따라 본 발명의 조성물에 더 첨가할 수 있다.
본 발명의 은 페이스트 조성물의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 기본적으로는, 은 분말, 글래스 프릿 분말, 바인더 및 가소제를 동시에 넣고 혼합하는 방법을 이용해 페이스트 제조가 가능하다. 바람직하게는, 은 분말, 그래스 프릿 분말 및 바인더를 먼저 혼합(1차 혼합)한 후, 그 후에 가소제를 첨가하여 혼합(2차 혼합)을 할 수 있다. 각 성분들의 혼합은 3롤 밀(3 roll mill) 등을 이용하여 균일하게 혼합한다.
모든 성분을 동시에 혼합하는 방식도 본 발명이 목적하는 효과를 나타낼 수 있으나, 가소제 성분을 다른 성분과 동시에 투입하고 혼합하면 가소제가 은 분말 및 글래스 프릿 분말에 먼저 흡수되어 균일하게 분산되지 못할 수 있다. 따라서, 1차 혼합을 통해 은 분말과 글래스 프릿 분말이 바인더에 충분히 젖은 후에 가소제를 첨가혼합(2차 혼합)해 주는 것이 가소제가 페이스트 내에서 균일하게 분산되어 작용할 수 있도록 하므로 가소제 효과를 극대화 할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 은 페이스트 조성물을 사용하는 실리콘 태양전지를 일 실시예로서 도 2를 참조하여 설명한다. 그러나, 이하 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2에는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 태양전지의 구조를 개략적인 단면도가 나타나 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 태양전지는, 실리콘 반도체 기판(201), 상기 기판(201)의 상부에 형성되는 에미터층(202), 상기 에미터층(202) 상에 형성된 반사방지막(203), 상기 반사방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)의 상부 표면과 접속된 전면 전극(204), 및 상기 기판(201)의 배면에 접속된 후면 전극(205)을 포함한다.
기판(201)에는 p형 불순물로서 3족 원소인 B, Ga, In 등이 불순물로 도핑될 수 있고, 에미터층(202)에는 n형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등이 불순물로 도핑될 수 있다. 이처럼 기판(201)과 에미터층(202)에 반대 도전형의 불순물이 도핑되면, 기판(201)과 에미터층(202)의 계면에는 p-n 접합이 형성된다. 한편 p-n 접합은 기판(201)에 n형 불순물을 도핑하고 에미터층(202)에 p형 불순물을 도핑하여 형성해도 무방하다.
상기 반사방지막(203)은 에미터층(202)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함(예컨대, 댕글링 본드)을 부동화하고 기판(201)의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시킨다. 에미터층(202)에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지의 개방전압이 증가한다. 그리고 태양광의 반사율이 감소되면 p-n 접합까지 도달되는 빛의 량이 증대되어 태양전지의 단락전류가 증가한다. 이처럼 반사방지막(203)에 의해 태양전지의 개방전압과 단락전류가 증가되면 그 만큼 태양전지의 변환효율이 향상된다.
상기 반사방지막(203)은 예를 들면 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막, MgF2, ZnS, MgF2, TiO2 및 CeO2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 물질막이 조합된 다중막 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 상기 반사방지막(203)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있다. 하지만 본 발명에 따른 상기 반사방지막(203)의 형성방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전면 전극(204)과 후면 전극(205)은 각각 은과 알루미늄으로 이루어진 금속 전극이다. 상기 전면 전극(204)는 본 발명의 은 페이스트 조성물로 제조된다. 은 전극은 전기 전도성이 우수하고, 알루미늄 전극은 전기 전도성이 우수할 뿐만 아니라 실리콘 반도체로 이루어진 기판(201)과의 친화력이 우수하여 접합이 잘 되는 장점이 있다.
상기 전면 전극(204)과 후면 전극(205)은 공지된 여러 가지 기술에 의해 제조 가능하지만, 바람직하게는 스크린 인쇄법에 의해 형성된 것이다. 즉, 전면 전극(204)은 전술한 바와 같이 본 발명의 은 페이스트 조성물을 전면 전극 형성 지점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 열처리가 시행되면 펀치 스루(punch through) 현상에 의해 전면 전극이 반사방지막(203)을 뚫고 에미터층(202)과 접속된다.
이와 유사하게, 후면 전극(205)은 알루미늄, 석영 실리카, 바인더 등이 첨가된 후면 전극용 알루미늄 페이스트를 기판(201)의 배면에 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 후면 전극의 열처리 시에는 전극 구성 물질인 알루미늄이 기판(201)의 배면을 통해 확산됨으로써 후면 전극(205)과 기판(201)의 경계면에 후면 전계(Back Surface field: 미도시)층이 형성될 수도 있다. 후면 전계층이 형성되면 캐리어가 기판(201)의 배면으로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있다. 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압과 충실도가 상승하여 태양전지의 변환효율이 향상된다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
실시예 1~6 및 비교예 1
하기 표 1에 나타낸 조성(단위는 중량%)에 따라, 은 분말, 글래스 프릿 분말, 유기 바인더(에틸 셀룰로오스) 및 첨가제(가소제, 습윤제, 요변성제)를 혼합하고 3 롤 밀링(roll milling) 방식으로 균일하게 분산시켜 은 페이스트 조성물을 제조했다.
하기 표 1에서 실시예 1~4의 가소제는 dipropyleneglycol dibenzoate(DPD), 실시예 5의 가소제는 dioctyl phthalate(DOP), 실시예 6의 가소제는 dioctyl adipic acid(DOA), 실시예 7의 가소제는 tricresyl phosphate(TCP)이었다.
글래스 프릿 첨가제 함량 바인더
가소제 습윤제 요변성제 에틸
셀룰로오스
실시예 1 80 4 1(DPD) 0 0 15
실시예 2 80 4 2(DPD) 0 0 14
실시예 3 80 4 3(DPD) 0 0 13
실시예 4 80 4 4(DPD) 0 0 12
실시예 5 80 4 2(DOP) 0.5 0.5 13
실시예 6 80 4 2(DOA) 0.5 0.5 13
실시예 7 80 4 2(TCP) 0.5 0.5 13
비교예 1 80 4 0 0.5 0.5 15
시험예 1: 점도 측정
상기 제조된 실시예1~7 및 비교예 1에 따른 은 페이스트 조성물의 제조 후 점도 변화율을 측정하였다. 점도 변화율은 밀링 횟수와 시간 변화에 따라 측정하였다.
(1) 밀링 횟수에 다른 점도 변화율(Vm)은 하기 수학식 1로 산출하였으며, 점도 측정은 시료가 준비된 후 약 200 초 내에 이루어졌다.
Figure pat00001
상기 수학식 1에서, Vm,4는 밀링 공정을 4회 수행한 후 측정한 점도이고, Vm,12는 밀링 공정을 12회 수행한 후 측정한 점도이다.
측정된 Vm이 10% 이하이면 ○, 10% 초과 내지 30% 이하이면 △, 30% 초과이면 Ⅹ로 평가하여, 하기 표 2에 그 결과를 기재하였다.
(2) 또한, 시간 변화에 다른 점도 변화율(Vt)은 하기 수학식 2로 산출하였으며, 점도 측정은 50℃에서 시료가 준비된 후 약 200 초 내에 이루어졌다.
Figure pat00002
상기 수학식 2에서, Vt,0은 시료가 준비된 직후 측정한 점도이고, Vt,72는 시료가 준비된 후 50℃에서 72시간 보존 후 측정한 점도이다.
측정된 Vt가 10% 이하이면 ○, 10% 초과 내지 30% 이하이면 △, 30% 초과이면 Ⅹ로 평가하여, 하기 표 2에 그 결과를 기재하였다.
점도변화율 평가
밀링 횟수 시간 변화
실시예 1
실시예 2
실시예 3
실시예 4
실시예 5
실시예 6
실시예 7
비교예 1 X X
표 2에 나타난 바와 같이, 비교예 1의 경우 밀링횟수에 따른 점도 변화율이 큰 반면 실시예들의 경우 밀링 횟수에 상관없이 거의 일정한 점도를 가지는 결과를 보였다.
또한, 비교예 1의 경우에는 시간 경과에 따라 점도가 크게 증가하는 것(1.5배 이상)을 확인하였으나, 실시예 들의 경우에는 점도 상승이 10% 이내로 유지되는 결과를 보였다.
따라서, 가소제를 사용하지 않은 비교예 1보다 실시예들의 조성물의 점도 변화가 적은 것을 알 수 있으며, 그에 따라 본 발명의 은 페이스트 조성물의 안정성이 우수함을 확인할 수 있다. 또한, 가소제 첨가로 인해 기타 첨가제의 투입이 없이도 페이스트의 보존 안정성을 확보할 수 있다.
시험예 2: 선폭 측정
상기 실시예 1~7 및 비교예 1에 따라 제조된 조성물을 사용하여 스크린 인쇄 방식으로 120 μm 의 선폭을 갖는 패턴을 인쇄한 후, 200 ℃로 건조하였다. 이렇게 얻어진 인쇄 패턴들의 선폭을 측정하였다.
상기 측정값에서 각 패턴의 선폭의 최대값 대비 최소값의 비율을 산출하였으며, 그 비율이 0.95 이상이면 ○, 0.93 이상 내지 0.95 미만이면 △, 0.93 미만이면 Ⅹ로 평가 에 따라 그 값이 여 그 결과를 도 5에 나타내었다.
선폭 변화율
실시예 1
실시예 2
실시예 3
실시예 4
실시예 5
실시예 6
실시예 7
비교예 1 X
상기 표 3을 참조하면, 실시예들의 조성물로 형성된 인쇄 패턴이 비교예 1에 의한 인쇄 패턴보다 선폭의 변화율이 더 적은 것을 확인할 수 있다.
시험예 3: 인쇄 패턴 관찰
상기 형성된 인쇄 패턴 중에서 상기 실시예 2 및 비교예 1의 조성물로 형성된 인쇄 패턴의 선폭을 광학 현미경으로 관찰하여 그 결과를 도 3(실시예 2) 및 도 4(비교예 1)에 나타내었으며, 인쇄 패턴의 측면을 도 5에 나타내었다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 실시예2의 조성물로 형성된 인쇄 패턴이 비교예 1에 의한 인쇄 패턴보다 선폭이 더 좁고 균일하며 잔류물도 적은 것을 확인할 수 있다.
도 5를 참조하면, 비교예1과 실시예 2의 조성물로 형성된 인쇄 패턴 중 선고를 광학 현미경으로 측정한 것으로서 요변성제(TA)를 첨가하지 않고서도 가소제 성분 첨가만으로도 요변성제를 첨가한 비교에 1과 비슷한 선고를 가지는 것을 확인하였다.

Claims (7)

  1. 은 분말, 글래스 프릿 분말, 유기 바인더 및 가소제를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가소제는 프탈산 에스테르, 벤조산 에스테르, 인산 에스테르, 트리멜리트산 에스테르, 폴리에스테르, 시트르산 에스테르, 아디프산 에스테르 및 에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가소제의 함량은 은 페이스트 조성물 100 중량부에 대해서 0.01 내지 15 중량부인 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 글래스 프릿 분말은 납 산화물 또는 비스무트 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 셀룰로오스, 부틸카르비톨 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물.
  6. 은 분말, 글래스 프릿 분말 및 유기 바인더를 혼합한 후에 가소제를 첨가하여 혼합하는 태양전지 전면전극 형성용 은 페이스트 조성물의 제조방법.
  7. 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전면 전극; 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함하는 실리콘 태양전지에 있어서,
    상기 전면 전극은 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 은 페이스트 조성물을 상기 반사방지막 상에 소정의 패턴으로 도포하고 소성시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지.
KR1020100099638A 2009-10-13 2010-10-13 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 KR20110040713A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099135362A TWI404780B (zh) 2009-10-13 2010-10-13 銀糊料組成物及使用該組成物之太陽能電池
CN201080055943.4A CN102763172B (zh) 2009-10-13 2010-10-13 银糊剂组合物及其制备方法以及使用该银糊剂组合物的太阳能电池
EP10823604.3A EP2490228B1 (en) 2009-10-13 2010-10-13 Silver paste composition and solar cell using same
PCT/KR2010/007001 WO2011046365A2 (ko) 2009-10-13 2010-10-13 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
US13/501,681 US20120325308A1 (en) 2009-10-13 2010-10-13 Silver paste composition and solar cell using the same
JP2012534110A JP5542212B2 (ja) 2009-10-13 2010-10-13 銀ペースト組成物及びそれを用いた太陽電池

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20090097296 2009-10-13
KR1020090097296 2009-10-13

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130031747A Division KR20130042524A (ko) 2009-10-13 2013-03-25 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110040713A true KR20110040713A (ko) 2011-04-20

Family

ID=44047006

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100099638A KR20110040713A (ko) 2009-10-13 2010-10-13 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
KR1020130031747A KR20130042524A (ko) 2009-10-13 2013-03-25 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130031747A KR20130042524A (ko) 2009-10-13 2013-03-25 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120325308A1 (ko)
EP (1) EP2490228B1 (ko)
JP (1) JP5542212B2 (ko)
KR (2) KR20110040713A (ko)
CN (1) CN102763172B (ko)
TW (1) TWI404780B (ko)
WO (1) WO2011046365A2 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077605A1 (ko) * 2011-11-21 2013-05-30 한화케미칼 주식회사 태양전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
WO2015037798A1 (ko) 2013-09-13 2015-03-19 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US9608137B2 (en) 2013-04-11 2017-03-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
KR20170136466A (ko) * 2012-12-29 2017-12-11 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US10115845B2 (en) 2015-04-22 2018-10-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming solar cell electrodes and electrodes fabricated using the same
US10544314B2 (en) 2014-04-10 2020-01-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120234384A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 E.I. Du Pont Nemours And Company Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
US20120234383A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 E.I.Du Pont De Nemours And Company Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
WO2014104618A1 (ko) * 2012-12-29 2014-07-03 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6372760B2 (ja) * 2013-06-04 2018-08-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池セル
WO2015030361A1 (ko) * 2013-08-28 2015-03-05 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101693070B1 (ko) * 2013-08-28 2017-01-04 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102266093B1 (ko) * 2019-09-06 2021-06-18 (주)바이오니아 코어-쉘 구조의 은 코팅 구리 나노와이어를 포함하는 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 전도성 필름

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11193613A (ja) * 1998-01-06 1999-07-21 Canon Inc 太陽電池モジュール及び太陽電池付き外囲体
JP4212035B2 (ja) * 2003-06-05 2009-01-21 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 銀粉末を主体とする導体ペースト及びその製造方法
JP4802097B2 (ja) * 2004-07-01 2011-10-26 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP4843291B2 (ja) * 2005-10-18 2011-12-21 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウムペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
JP2007194122A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性ペーストおよびそれを用いた配線基板
JP4791872B2 (ja) * 2006-03-30 2011-10-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電性ペースト
DE102006062269A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Eckart Gmbh & Co. Kg Verwendung von sphärischen Metallpartikeln als Lasermarkierungs- oder Laserschweißbarkeitsmittel sowie lasermarkierbarer und/oder laserschweißbarer Kunststoff
JPWO2008078374A1 (ja) * 2006-12-25 2010-04-15 ナミックス株式会社 太陽電池用導電性ペースト
CN101295739B (zh) * 2007-04-26 2010-09-29 比亚迪股份有限公司 太阳能电池正面电极用导电浆料及其制备方法
KR101280489B1 (ko) * 2007-05-09 2013-07-01 주식회사 동진쎄미켐 태양전지 전극 형성용 페이스트
KR20080114008A (ko) * 2007-06-26 2008-12-31 조선대학교산학협력단 나노실버입자를 이용한 소성 전극용 페이스트 조성물 및이의 제조방법
US20090107546A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Palo Alto Research Center Incorporated Co-extruded compositions for high aspect ratio structures
KR100931291B1 (ko) * 2008-01-14 2009-12-11 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널
JP2009194121A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Namics Corp 結晶系シリコン太陽電池電極形成用導電性ペースト
JP2009194141A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Namics Corp 太陽電池電極形成用導電性ペースト
KR101189623B1 (ko) * 2008-02-19 2012-10-10 주식회사 엘지화학 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 금속 페이스트 조성물및 그 제조 방법과 이를 포함하는 실리콘 태양전지
KR101631711B1 (ko) * 2008-03-21 2016-06-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 확산용 인 페이스트 및 그것을 이용한 태양 전지의 제조 방법
US20110135931A1 (en) * 2008-09-04 2011-06-09 Kentaro Ishihara Glass composition for electrode formation and electrode formation material

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077605A1 (ko) * 2011-11-21 2013-05-30 한화케미칼 주식회사 태양전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
CN103945967A (zh) * 2011-11-21 2014-07-23 韩化石油化学株式会社 用于太阳能电池的前表面电极的糊剂组合物及使用该糊剂组合物的太阳能电池
KR20170136466A (ko) * 2012-12-29 2017-12-11 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US9608137B2 (en) 2013-04-11 2017-03-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
US9608136B2 (en) 2013-04-11 2017-03-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
WO2015037798A1 (ko) 2013-09-13 2015-03-19 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US9515202B2 (en) 2013-09-13 2016-12-06 Cheil Industries, Inc. Composition for forming solar cell electrode, and electrode produced from composition
US10544314B2 (en) 2014-04-10 2020-01-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
US10115845B2 (en) 2015-04-22 2018-10-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming solar cell electrodes and electrodes fabricated using the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011046365A2 (ko) 2011-04-21
TWI404780B (zh) 2013-08-11
EP2490228A2 (en) 2012-08-22
CN102763172A (zh) 2012-10-31
EP2490228B1 (en) 2016-03-23
EP2490228A4 (en) 2014-10-29
JP2013507750A (ja) 2013-03-04
JP5542212B2 (ja) 2014-07-09
TW201130933A (en) 2011-09-16
US20120325308A1 (en) 2012-12-27
CN102763172B (zh) 2015-03-18
KR20130042524A (ko) 2013-04-26
WO2011046365A3 (ko) 2011-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110040713A (ko) 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
JP6347577B2 (ja) 低金属含量導電性ペースト組成物
KR101322142B1 (ko) 규소 웨이퍼의 전면 상에 그리드 전극을 형성하는 방법
EP2696352B1 (en) Silver paste composition for forming an electrode, and method for preparing same
US20110073180A1 (en) Lead free glass frit powder for manufacturing silicon solar cell, its producing method, metal paste composition containing the same and silicon solar cell
US20120000523A1 (en) Metal paste composition for forming electrode and silver-carbon composite electrode and silicon solar cell using the same
KR101322149B1 (ko) 규소 웨이퍼의 전면 상에 그리드 전극을 형성하는 방법
TW201840496A (zh) 玻璃料、導電膠及導電膠的用途
KR101859017B1 (ko) 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지
WO2013100254A1 (ko) 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 무기첨가제 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 태양전지
KR20140127947A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US20130160835A1 (en) Back-side electrode of p-type solar cell and method for forming the same
US9640298B2 (en) Silver paste composition for forming an electrode, and silicon solar cell using same
KR20140048465A (ko) 전극형성용 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지
KR20110024655A (ko) 낮은 휨 특성을 나타내는 태양전지 후면전극 형성용 조성물
KR20090126427A (ko) 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 그 제조 방법과 그를이용한 실리콘 태양전지
KR20140048464A (ko) 전극형성용 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지
KR101094197B1 (ko) 태양전지 전극용 전도성 은 페이스트 및 그 제조방법
KR20130067693A (ko) 전극형성용 은 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지
KR20130063266A (ko) 전극형성용 은 페이스트 조성물, 이를 이용한 실리콘 태양전지
KR20110029751A (ko) 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
KR20120002974A (ko) 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 그 제조 방법과 그를 이용한 실리콘 태양전지
KR20130063264A (ko) 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지
US20130160834A1 (en) Back-side electrode of p-type solar cell, and method for forming the same
KR20130063265A (ko) 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20130325

Effective date: 20140630