CN102531581A - 一种中介电常数高q值微波介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于材料科学技术领域,尤其涉及一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷及其制备方法。一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷,其配方表达式为:xCaaSr1-aTiO3-(1-x)SmbY(1-b)AlO3+ywt%BO,其中,BO为MnO2、WO3、CeO2、Nb2O5、TiO2、Fe2O3、Ta2O3中的一种或多种混合而成,0.6≤x≤0.8,0.01≤a≤0.2,0.4≤b≤1,0≤y≤3。本发明的微波介质陶瓷具有中介电常数,高Q值,谐振频率温度系数可调等特点,其介电常数为42~50,Qf值为30000~40000GHz,谐振频率温度系数实现系列化-10≤Tf≤+10ppm,可用来制造大功率、高稳定性的滤波器、双工器、合路器等微波频率器件。因此,本发明在工业上具有极大的应用价值。
Description
技术领域
本发明属于材料科学技术领域,尤其涉及一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷是一类应用于微波频段(300MHz~300GHz),在电路***中发挥介质隔离、介质波导和介质谐振等一系列电路功能的陶瓷。用微波介质陶瓷制得的谐振器、滤波器、天线、双工器等频率器件可广泛应用于无线通信、卫星信号接收、各种雷达***、全球卫星信号导航***等众多领域;特别是近年来通讯基站、数字电视接收***等的长足发展,对中介电常数高Q值微波介质陶瓷需求越来越大,同时也提出了更高的要求:介电常数应较大,以减小器件的尺寸大小;Qf值应越高越好,以减小微波元器件的介电损耗;谐振频率温度系数应系列化,以满足不同产品需求,达到产品随温度变化性能的稳定性。
目前,已见报道的中介电常数高Q值微波介质材料体系和介电性能如下:(1)BaTi4O9,εr≈38,Qf=30000~40000GHz,τ f ≈+14ppm/℃;(2)Ba2Ti9O20,εr≈39,Qf=32000~40000GHz,τ f ≈4ppm/℃;(3)(Zr,Sn)TiO4,εr≈37~39,Qf=32000~40000GHz,τ f ≈-4~+12ppm/℃。上述材料εr都在40以下,为了制备εr大于40、高Q值微波介质陶瓷材料,本发明选用较大介电常数(Ca,Sr)TiO3材料和高Q值(Sm,Y)AlO3材料进行复合,成功制备出εr=42~50中介电常数高Q值微波介质材料。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供的一个目的是提供及一种介电常数为42~50、高Q值、谐振频率温度系数可调的中介电常数高Q值微波介质陶瓷。本发明的另外一个目的是提供一种上述的中介电常数高Q值微波介质陶瓷的制备方法。
为了实现上述的第一个目的,本发明所采用的技术方案如下:
一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷,该微波介质陶瓷的原料配方表达式为:xCaaSr1-aTiO3+(1-x)SmbY(1-b)AlO3+ywt%BO;其中,
0.6≤x≤0.8;
0.01≤a≤0.3;
0.4≤b≤1;
0≤y≤3,y为占xCaTiaO3+(1-x)SmbY(1-b)AlO3的质量百分数;
所述BO为MnO2、WO3、CeO2、Nb2O5、TiO2、Fe2O3、Ta2O3中的一种或多种混合而成。
作为优选,上述的微波介质陶瓷的原料配方中0.68≤x≤0.75;0.01≤a≤0.2;0.6≤b≤0.9;0≤y≤1。
再作为优选,上述的微波介质陶瓷的原料配方中0.01≤a≤0.05;0.6≤b≤0.8;0≤y≤0.7。
为了实现上述的第二个目的,本发明所采用的技术方案如下:
上述中介电常数高Q值微波介质陶瓷制备方法,该方法依次按如下步骤:
1)将原材料CaCO3、SrCO3、TiO2、Sm2O3、Y2O3和Al2O3在400℃~1000℃进行热处理2小时;
2)将CaCO3、SrCO3、TiO2按CaaSr1-aTiO3化学式配料,湿式球磨法混合18~30小时,烘干后在1100~1200℃,大气气氛中预烧2.5~3.5小时,合成CaaSr1-aTiO3;
3)将Sm2O3、Y2O3和Al2O3按SmbY(1-b)AlO3化学式配料,湿式球磨法混合18~30小时,烘干后在1150~1300℃,大气气氛中预烧2.5~3.5小时,合成SmbY(1-b)AlO3;
4)将合成的CaaSr1-aTiO3、SmbY(1-b)AlO3和原材料BO按所述的配方二次配料,用湿式球磨法混合18~30小时,烘干后得到瓷料;把这种瓷料加入5wt%聚乙烯醇粘合剂造粒,在4~6MPa压力下压制圆片,在1400~1500℃,大气气氛中烧结3~8小时,得到所述的中介电常数高Q值微波介质陶瓷材料。
采用上述配方及工艺组成的本发明,通过SrCO3部分取代CaCO3,在保证Qf值较大的情况下有效提高了介电常数;通过Y2O3部分取代Sm2O3,可有效提高Q值;氧化物BO适量的引入,可有效提高Q值和降低成烧温度;本发明可得到εr=42~50,Qf值为30000~40000 GHz,谐振频率温度系数可调(-10≤Tf≤+10ppm)的微波介质陶瓷材料。本发明的工艺中通过对原材料进行热处理,可有效提高粉料纯度与活性,达到提高Qf值的目的;该材料工艺过程易控制,重现性好,适用于大规模生产。
附图说明
图1是实施例4所制得瓷体断面的SEM图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
首先将原材料CaCO3、SrCO3、TiO2、Sm2O3、Y2O3和Al2O3在400℃~1000℃进行热处理2小时。
其次将CaCO3、SrCO3、TiO2按CaaSr1-aTiO3化学式配料,湿式球磨法混合18~30小时,烘干后在1100~1200℃,大气气氛中预烧3小时,合成CaaSr1-aTiO3。将Sm2O3、Y2O3和Al2O3按SmbY(1-b)AlO3化学式配料,湿式球磨法混合18~30小时,烘干后在1150~1300℃,大气气氛中预烧3小时,合成SmbY(1-b)AlO3。
然后将合成的 CaaSr1-aTiO3、SmbY(1-b)AlO3和原材料BO按权利要求1所述的配方二次配料,用湿式球磨法混合18~30小时,烘干后得到瓷料。把这种瓷料加入5wt%聚乙烯醇(PVA)粘合剂造粒,在5MPa压力下压制成直径20mm,厚度11~13mm的圆片,在1400~1500℃,大气气氛中烧结3~8小时,得到中介电常数高Q值微波介质陶瓷材料。
表1示出了构成本发明的配方组成,表2示出了对应的工艺条件及介电性能。
表1配方组成
表2 工艺条件及介电性能
编号 | 热处理 温度(℃) | 成烧温度(℃) | εr | Qf | Tf |
1 | 400 | 1500 | 42.5 | 42000 | -1.7 |
2 | 400 | 1500 | 42.6 | 41200 | -2.1 |
3 | 400 | 1500 | 43.1 | 40200 | 0.1 |
4 | 600 | 1480 | 44.5 | 40000 | 1.1 |
5 | 600 | 1480 | 45.2 | 39600 | 2.5 |
6 | 600 | 1480 | 45.8 | 39000 | 3.0 |
7 | 800 | 1450 | 47.5 | 34600 | 4.1 |
8 | 800 | 1480 | 46.8 | 38200 | 3.5 |
9 | 800 | 1450 | 47.0 | 35800 | 3.8 |
10 | 800 | 1450 | 47.1 | 34800 | 3.6 |
11 | 1000 | 1450 | 47.3 | 33000 | 3.5 |
12 | 1000 | 1450 | 47.7 | 33900 | 3.8 |
用扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)观察实施例4瓷体断面的微观形貌,结果如图1所示。从图中可以看出,瓷体断面致密,仅有少量微小气孔的存在,符合高Q材料瓷体致密的特性。
上述实施例阐明了本发明的技术构思及特点,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所做的等效变化和修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷,其特征在于该微波介质陶瓷的原料配方表达式为:xCaaSr1-aTiO3+ (1-x)SmbY(1-b)AlO3+ywt%BO;其中,
0.6≤x≤0.8;
0.01≤a≤0.3;
0.4≤b≤1;
0≤y≤3,y为占xCaTiaO3+(1-x)SmbY(1-b)AlO3的质量百分数;
所述BO为MnO2、WO3、CeO2、Nb2O5、TiO2、Fe2O3、Ta2O3中的一种或多种混合而成。
2.根据权利要求1所述的一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷,其特征在于该微波介质陶瓷的原料配方中0.68≤x≤0.75;0.01≤a≤0.2;0.6≤b≤0.9;0≤y≤1。
3.根据权利要求2所述的一种中介电常数高Q值微波介质陶瓷,其特征在于该微波介质陶瓷的原料配方中0.01≤a≤0.05;0.6≤b≤0.8;0≤y≤0.7。
4.一种制备如权利要求1或2或3所述的中介电常数高Q值微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于该方法依次按如下步骤:
1)将原材料CaCO3、SrCO3、TiO2、Sm2O3、Y2O3和Al2O3在400℃~1000℃进行热处理2小时;
2)将CaCO3、SrCO3、TiO2按CaaSr1-aTiO3化学式配料,湿式球磨法混合18~30小时,烘干后在1100~1200℃,大气气氛中预烧2.5~3.5小时,合成CaaSr1-aTiO3;
3)将Sm2O3、Y2O3和Al2O3按SmbY(1-b)AlO3化学式配料,湿式球磨法混合18~30小时,烘干后在1150~1300℃,大气气氛中预烧2.5~3.5小时,合成SmbY(1-b)AlO3;
4)将合成的CaaSr1-aTiO3、SmbY(1-b)AlO3和原材料BO按所述的配方二次配料,用湿式球磨法混合18~30小时,烘干后得到瓷料;把这种瓷料加入5wt%聚乙烯醇粘合剂造粒,在4~6MPa压力下压制圆片,在1400~1500℃,大气气氛中烧结3~8小时,得到所述的中介电常数高Q值微波介质陶瓷材料。
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
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