CN102498234A - 用于将涂层沉积到本体上的pvd方法及由此制造的涂覆体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及制造包括涂层和衬底的涂覆体的方法,其中使用PVD沉积工艺在所述衬底上沉积涂层。涂层包括选自元素周期表的IVb,Vb,VIb族和Al,Y以及Si中的一个或更多个元素的氮化物、碳化物、氧化物、硼化物或其混合物。沉积工艺包括至少一个在保持活性靶材的同时改变衬底偏压的序列,其中改变衬底偏压的序列包括子序列Si;在第一衬底偏压Bi下沉积10秒至60分钟之间的沉积时间Ti,然后在10秒至40分钟之间的斜线时间Ri期间,在沉积的同时逐渐将所述衬底偏压变化到第二衬底偏压Bi+1,其中,|Bi-Bi+1|≥10V;重复子序列Si,直到i=n,其中,i=0,1,2,…n,n≥2,并且其中每个新的子序列均在之前的子序列结束时所使用的相同衬底偏压下开始沉积。

Description

用于将涂层沉积到本体上的PVD方法及由此制造的涂覆体
技术领域
本发明涉及使用PVD方法制造涂覆体的方法。PVD方法包括改变衬底偏压的序列。本发明还涉及根据本方法制造的涂覆体。
背景技术
PVD涂层,特别是在切削刀具上的PVD涂层,在本领域中是众所周知的。最普遍已知的PVD技术是电弧蒸发和磁控溅射。在本领域中已知根据涂层成分改变衬底偏压。不同的靶材成分能够需要不同的衬底偏压。
改变衬底偏压的另一种PVD沉积技术是单极和双极脉冲技术,其中衬底偏压以高频改变。
US 2007/0275179A1公开了具有MX/LX/MX/LX叠层状结构的非周期性、多层涂层。所产生的涂层包含至少一个电绝缘层。利用双极脉冲双磁控溅射(BPDMS)沉积所述涂层,其中脉冲时间在微秒的范围内。
为改善PVD涂层,也已经测试了衬底偏压的变化。
US 2007/0218242公开了在涂层内具有压应力变化的PVD涂层。通过改变衬底偏压来获得压应力变化。
发明内容
本发明的目的是获得具有改善的耐磨性的涂层。
然而,需要不断努力以进一步改善PVD涂层的性能以满足改善耐磨性和增加刀具寿命的日益增加的需求。
本发明的目的是获得具有增加的刀具寿命的涂层。
现已经发现能够通过以一定的图案施加改变衬底偏压的序列来沉积PVD涂层而实现上述目的。
附图说明
图1a-1e示出本发明的不同实施例,其中以不同图案改变衬底偏压。
图2是本发明的一个实施例的示意图,示出该实施例在扫描电子显微镜下看起来的样子。图2示出衬底(1)、预涂覆有内层(2)、根据本发明沉积的涂层(3)以及外层(5)。根据本发明的包括改变衬底偏压的序列(4)的涂层具有分层外表。
具体实施方式
本发明涉及制造包括涂层和衬底的涂覆体的方法,其中使用PVD沉积工艺在所述衬底上沉积涂层。涂层包括选自元素周期表的IVb,Vb,VIb族和Al,Y以及Si中的一个或更多个元素的氮化物、碳化物、氧化物、硼化物或其混合物。沉积工艺包括至少一个在保持活性靶材的同时改变衬底偏压的序列,其中改变衬底偏压的序列包括子序列Si
-在第一衬底偏压Bi下沉积10秒至60分钟之间的沉积时间Ti,然后在10秒至40分钟之间的斜线时间Ri期间,在沉积的同时逐渐将衬底偏压变化到第二衬底偏压Bi+1,其中,|Bi-Bi+1|≥10V,
重复子序列Si,直到i=n,其中,i=0,1,2,…n,n≥2,且其中每个新的子序列在结束之前的子序列时所使用的相同衬底偏压下开始沉积。
值n合适地是2≤n≤1000,优选地6≤n≤100,且更优选地10<n<20。
衬底偏压Bi=1,Bi=2等合适地在-10至-300V之间,且优选地在-20至-200V之间。
第一衬底偏压与第二衬底偏压之间的差值的绝对值|Bi+1-Bi|优选地是≥40V,更优选地≥70V,但≤290V。
沉积时间Ti优选地在30秒至30分钟之间,且更优选地在1至15分钟之间。
斜线时间Ri优选地在20秒至20分钟之间,更优选地在30秒至10分钟之间。
在这里,逐渐改变衬底偏压的意思是可连续地改变或递增地改变衬底偏压。
在根据本发明的沉积工艺期间,保持活性靶材。在这里,保持活性靶材的意思是在整个改变衬底偏压的序列中,使用相同的保持继续沉积。
本发明的一个实施例中,序列包括在整个改变衬底偏压的序列中交替的两个不同的子序列A和B。那么两个子序列将是:
A:在衬底偏压B1下沉积10秒至60分钟之间的沉积时间T1,然后在10秒至40分钟之间的斜线时间R1期间,在沉积的同时逐渐将衬底偏压变化到衬底偏压B2
B:在衬底偏压B2下沉积10秒至60分钟之间的沉积时间T2,然后在10秒至40分钟之间的斜线时间R2期间,在沉积的同时逐渐将衬底偏压变化到衬底偏压B1,其中|B1-B2|≥10V。子序列A和B是交替的。在图1a中示出该实施例的一个实例。
在本发明的又另一个实施例中,改变衬底偏压的序列由子序列构成,使得在第一、第三、第五等子序列中以沉积时间Ti沉积期间,衬底偏压逐渐增加,而且在第二、第四、第六等子序列中以沉积时间Ti沉积期间,衬底偏压逐渐增加。在图1b中示出该实施例的一个实例。
在本发明的又另一个实施例中,改变衬底偏压的序列由子序列构成,使得在第一、第三、第五等子序列中以沉积时间Ti沉积期间,衬底偏压逐渐减小,而且在第二、第四、第六等子序列中以沉积时间Ti沉积期间,衬底偏压逐渐减小。在图1c中示出该实施例的一个实例。
在本发明的又另一个实施例中,对于每个子序列来说,绝对值|Bi-Bi+1|增加。在图1d中示出该实施例的一个实例。
在本发明的又另一个实施例中,建立序列,使得衬底偏压、沉积时间以及斜线时间随机地变化。在图1e中示出该实施例的一个实例。
该方法还能够包括上述实施例中一个或更多个的混合。
根据本发明沉积的涂层的成分由靶材成分和沉积腔室中存在的工艺气体来确定。根据本发明沉积的涂层,即在改变衬底偏压的至少一个序列期间所沉积的涂层,合适地是选自元素周期表的IVb,Vb,VIb族和Al,Y以及Si中的一个或更多个元素的氮化物、碳化物、氧化物、硼化物或其混合物。优选地,根据本发明沉积的涂层是选自元素周期表的IVb,Vb,VIb族和Al,Y以及Si中的一个或更多个元素的氮化物,更优选地为Ti,Al,Cr,Si和Y中的一个或更多个的氮化物。
在本发明的一个实施例中,根据本发明沉积的涂层是(Ti,Al)N,优选地带有(Ti1-xAlx)N的成分,其中,x合适地是在0.2至0.9之间,优选地在0.4至0.8之间,更优选地在0.5至0.7之间。
在本发明的另一个实施例中,根据本发明沉积的涂层是(Ti,Al,Cr)N,优选地带有(Al1-x-yTixCry)N成分,其中,x在0.05至0.25之间,优选地在0.10至0.20之间,而y是在0.05至0.30之间,优选地是在0.10至0.25之间,且0.30<x+y<0.70。
在本发明的又另一个实施例中,根据本发明沉积的涂层是(Ti,Al,Cr,Si)N。
根据本发明的方法能够被应用于所有通用的PVD技术,诸如阴极电弧蒸发、磁控溅射、高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)、离子镀等,优选地阴极电弧蒸发和磁控溅射。在本领域中用于将PVD涂层沉积到衬底上的工艺(除衬底偏压外)是常规的并取决于特定的沉积设备、涂层成分等。通常,沉积温度在100至900℃之间变化。
沉积过程中的压力通常是0.1至10Pa之间的存在的工艺气体。根据目的涂层成分,工艺气体可以是O2,N2,Ar,C2H2,CH4或或含硅气体(例如三甲基硅烷)中的一个或更多个。
可适于本发明的衬底优选地是切削刀具,例如切削刀具刀片、或圆形刀具,诸如钻头、端铣刀、丝锥等。衬底优选地由硬质合金、金属陶瓷、陶瓷、立方氮化硼、多晶金刚石或高速钢中的任一种制成,更优选地由硬质合金制成。
在本发明的一个实施例中,衬底能够预涂覆有直接沉积在衬底上的内层,用以确保与衬底的良好附着,该内层包括纯金属和/或氮化物,优选地为Cr,Ti,CrN或TiN,所述内层是0.005-0.5μm,优选地0.02-0.2μm,并作为涂层的剩余部分在同一涂层工艺中沉积。
在本发明的一个实施例中,在没有改变衬底偏压的序列的情况下,即在常规沉积条件下,该方法能够进一步包括沉积其他PVD层。能够在改变衬底偏压的序列之前或之后执行这些附加的沉积序列。作为沉积步骤的剩余部分在同一沉积设备中进行这些附加的沉积序列。
在本发明的一个实施例中,该方法能够进一步包括根据本发明的一个或更多个附加序列,其中在每个序列之间,改变活性靶材,即在改变衬底偏压的序列期间,活性靶材不变,但如果开始新的序列,则改变活性靶材。
总的涂层厚度在0.5与20μm之间,优选地在0.5与8μm,且最优选地在1与6μm之间。
在这里,所有的给定厚度都指在位于从靶材的直接视线中的适度平坦表面上进行的测量。对于在沉积过程中安装在刀架上的刀片来说,这意味着在直接面对靶材的一侧的中间上测量的厚度。对于不规则表面来说,诸如在例如钻头和端铣刀上的不规则表面,这里所给定的厚度指在任何适度平坦表面上或具有相对较大曲率的表面上并且距离任何边缘或角部一定距离测量的厚度。例如,在钻头上,在***上进行测量,并且在端铣刀上,在后刀面一侧上进行测量。
在本发明的一个实施例中,该方法进一步包括后处理步骤。后处理步骤能够例如是刷光、喷砂、喷丸加工等。
在本发明的一个实施例中,改变衬底偏压的序列如下:
a)以在-120至-80V之间,优选地以在-110和-90V之间的衬底偏压沉积2至10分钟的时间,优选地沉积4和8分钟之间的时间;
b)在30秒至4分钟之间,优选地在1至3分钟之间的时间期间,将衬底偏压增加到-220至-180V之间,优选地在-210和-190V之间;
c)以在-220至-180V之间,优选地在-210和-190V之间的衬底偏压沉积2至10分钟的时间,优选地沉积4和8分钟之间的时间;
d)在30秒至4分钟的时间期间,优选地在1至3分钟之间的时间期间,将衬底偏压增加到-120至-80V,优选地在-110和-90V之间;
其中,重复步骤a)至d),直到达到期望的涂层厚度。
在本发明的又另一个实施例中,改变衬底偏压的序列如下:
a)以在-90至-60V之间,优选地在-80和-70V之间的衬底偏压沉积2至10分钟的时间,优选地沉积4和8分钟之间的时间;
b)在30秒至4分钟,优选地在1至3分钟之间的时间期间,将衬底偏压增加到-170至-130V,优选地在-160和-140V之间;
d)以在-170至-130V之间,优选地在-160和-140V之间的衬底偏压沉积2至10分钟的时间,优选地沉积4和8分钟之间的时间;
e)在30秒至4分钟,优选地在1至3分钟之间的时间期间,将衬底偏压增加到-90至-60V,优选地在-80和-70V之间;
其中,重复步骤a)至d),直到达到期望的涂层厚度。
本发明还涉及根据上述方法制造的涂覆体。
改变偏压的序列显示为层状结构,当使用扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)时能够看到该层状结构。
实例1
使用Ti0.33Al0.67靶材,用PVD电弧蒸发涂覆具有几何形状R216.34-10050-BC22P的硬质合金端铣刀。在沉积具有约0.050μm厚度的Ti起始层之前,衬底首先经受蚀刻工艺。
在蚀刻工艺之后,进行(Ti,Al)N涂层的沉积。在600℃温度下并在1.0Pa的N2压力下沉积该涂层。根据以下序列改变衬底偏压:
a)以-100V沉积6分钟
b)在2分钟的时间期间,将衬底偏压增加到-200V
c)以-200V沉积6分钟
d)在2分钟的时间期间,将衬底偏压减小到-100V
重复步骤a)至d),直到涂层到达在后刀面一侧上2.8μm的涂层厚度。
在这里,端铣刀被称为发明1。
实例2
使用Ti0.33Al0.67靶材,用PVD电弧蒸发涂覆几何形状和成分与实例1相同的硬质合金端铣刀。在沉积具有约0.050μm厚度的Ti起始层之前,衬底首先经受蚀刻工艺。在蚀刻工艺之后,进行(Ti,Al)N涂层的沉积。在600℃温度、1.0Pa的N2压力下,并在100V的恒定衬底偏压下沉积涂层,直到达到最终的3.8μm的涂层厚度。在这里,根据实例2的端铣刀被称为参照1。
实例3
分别在以下面切削条件的钢材半精加工切削操作中测试根据实例1和2的端铣刀:
Figure BDA0000144259770000081
还包括与实例1和2(成分和几何形状)相同的硬质合金端铣刀的第三变型,即对照1作为参照,对照1已经由外部供应商沉积有均质Al65Ti35N层(利用EDS分析出来的)并且在后刀面一侧上具有3.2μm的厚度。测试每个变型的三个端铣刀并且在表1中的结果给出三个端铣刀的平均:
表1
  刀具寿命(m)
  发明1   323
  参照1   217
  对照1   220
表1清楚地示出,根据本发明涂覆的端铣刀,即发明1具有比现有技术即参照1和对照1显著长的刀具寿命。
实例4
分别在以下面切削条件的不锈钢半精加工切削操作中测试根据实施例1和2的端铣刀:
Figure BDA0000144259770000091
还包括与实例1和2(成分和几何形状)相同的硬质合金端铣刀的第三变型,即对照1作为参照,对照1已经由外部供应商沉积有均质Al65Ti35N层(利用EDS分析出来的)并且在后刀面一侧上具有3.2μm的厚度。测试每个变型的两个端铣刀并且在表2中的结果给出两个端铣刀的平均:
表2
  最大磨损(mm)
  发明1   0.10
  参照1   0.16
  对照1   0.17
表2清楚地示出,根据本发明涂覆的端铣刀,即发明1具有比参照1和对照1显著好的耐磨性,即,更低的最大磨损。
实例5
分别根据实例1中描述的方法将几何形状为266RG-16MM01A150M的攻丝刀片涂覆到2.3μm的涂层厚度并且根据实例2中的方法将几何形状为266RG-16MM01A150M的攻丝刀片涂覆到2.1μm的涂层厚度。在这里,它们称为发明2和参照2。在间隙攻丝应用下测试它们,如下:
材料:SS2541
量化:螺纹数
Vc=110m/分钟
走刀次数=8
螺纹长度=25mm
刀具寿命标准:Vb/Vbmax≥0.15mm
测试每个变型的两个刀片并且在表3中的结果给出两个刀片的平均:
表3
  刀具寿命(螺纹数)
  发明2   115
  参照2   65
表3清楚地示出,根据本发明涂覆的攻丝刀片,即发明2具有比现有技术,即参照2长的刀具寿命。
实例6
用Ti0.30Al0.70靶材和Cr30Al70靶材,使用PVD电弧蒸发涂覆具有几何形状为R166.OG-16VM01-002的硬质合金攻丝刀片。在沉积具有约0.10μm厚度的Ti起始层之前,衬底首先经受蚀刻工艺。
在蚀刻工艺之后,进行(Ti,Cr,Al)N涂层的沉积。在600℃温度下并在1.0Pa的N2压力下沉积该涂层。衬底的三维旋转获得TiAlN和AlCrN的交替层,且子层的厚度在0.2nm至30nm范围内。根据以下序列改变衬底偏压:
a)以-75V沉积6分钟
b)在2分钟的时间期间,将衬底偏压增加到-150V
c)以-150V沉积6分钟
d)在2分钟的时间期间,将衬底偏压减小到-75V
重复步骤a)至d),直到涂层到达在后刀面一侧上2.2μm的涂层厚度。以约0.2μm的薄TiN颜色层结束沉积循环。在这里,攻丝刀片被称为发明3。
实例7
在450℃下,使用离子镀方法沉积几何形状为R166.OG-16VM01-002的硬质合金攻丝刀片,使之沉积上TiN。在这里,攻丝刀片被称为参照3。
实例8
在攻丝操作中测试实例6和7的攻丝刀片、以及这里称为发明4的具有相同几何形状但是根据实例1沉积的攻丝刀片,如下:
材料:316Ti
量化:螺纹数
Vc= 90m/分钟
走刀次数=14
螺纹长度=30mm
刀具寿命标准:Vb/Vbmax≥0.15mm
测试每个变型的两个攻丝刀片并且在表4中的结果给出两个攻丝刀片的平均:
表4
  涂层厚度(μm)   刀具寿命(螺纹数)
  发明3   2.2   96
  发明4   2.3   96
  参照3   2.8   45
表4清楚地示出,根据本发明涂覆的攻丝刀片,发明1和发明2具有比现有技术,即参照3显著长的刀具寿命。

Claims (14)

1.一种制造涂覆体的方法,包括提供衬底,使用PVD沉积工艺将涂层沉积到所述衬底上,所述涂层包括选自元素周期表的IVb,Vb,VIb族和Al,Y以及Si中的一个或更多个元素的氮化物、碳化物、氧化物、硼化物或其混合物,其特征在于,所述沉积工艺包括至少一个在保持活性靶材的同时改变衬底偏压的序列,其中所述改变衬底偏压的序列包括子序列Si
-在第一衬底偏压Bi下沉积10秒至60分钟之间的沉积时间Ti,然后在10秒至40分钟之间的斜线时间Ri期间,在沉积的同时逐渐将所述衬底偏压变化到第二衬底偏压Bi+1,其中|Bi-Bi+1|≥10V,
重复所述子序列Si,直到i=n,其中,i=0,1,2,…n,n≥2,并且其中每个子序列在之前的子序列结束时所使用的相同衬底偏压下开始所述沉积。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,|Bi+1-Bi|≥40V。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,|Bi+1-Bi|≥70V。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,2≤n≤1000。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述衬底偏压Bi在-10和-300V之间。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述沉积时间Ti在30秒与30分钟之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述斜坡时间Ri在20秒和20分钟之间。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在所述至少一个改变所述衬底偏压的序列期间沉积的涂层是选自元素周期表的IVb,Vb,VIb族和Al,Y以及Si中的一个或更多个元素的氮化物。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在所述至少一个改变所述衬底偏压的序列期间沉积的涂层是(Ti,Al)N。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在所述至少一个改变所述衬底偏压的序列期间沉积的涂层是(Ti,Al,Cr)N。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述涂层进一步受到后处理步骤。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述涂覆体是切削刀具。
13.一种根据权利要求1-12中所述方法制造的涂覆体。
14.根据权利要求12所述的涂覆体,其特征在于,所述涂覆体是切削刀具。
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