KR101891900B1 - TixSi1-xN 층 및 그의 생산 - Google Patents

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 Ti_xSi_{1 - x}N 층을 포함하는 코팅을 구비하는 워크피스로서, x≤0.85이고 상기 Ti_xSi_{1 - x}N 층이 나노결정을 포함하며, 존재하는 나노결정이 15nm보다 크지 않은 평균 입도 및 (200) 텍스처를 가진다. 본 발명은 또한 전술된 층을 생산하기 위한 프로세스에 관한 것으로, 이 층은 0.2A/cm²보다 큰 전류 밀도가 스퍼터링 타깃의 타깃 표면 상에서 발생하는 스퍼터링 프로세스를 이용하여 생산되며, 타깃이 Ti_xSi_{1 - x}N 타깃이고 x≤0.85인 것으로 특징지어진다. TiAlN 또는 CrAlN을 함유하는 중간층이 바람직하게는 Ti_xSi_{1 - x}N 층과 워크피스의 기판 바디 사이에 제공된다.

Description

TixSi1-xN 층 및 그의 생산{TIXSI1-XN LAYERS AND THE PRODUCTION THEREOF}

본 발명은 실리콘을 함유하는 적어도 하나의 층을 포함하는 코팅에 관한 것이다.

실리콘은 층 응력(stress)을 증가시키기 위해서 때때로 경질 재료 층과 함께 사용되는 화학적 원소이다. 층 응력을 증가시키는 것은 일반적으로 층의 경도(hardness)의 증가로 이어진다. 예를 들어, 이것은 티타늄 질화물과 함께 사용된다. 결과적인 층은 구조식 Ti_xSi_{1 - x}N에 의해 화학적으로 기술될 수 있으며, 이때 x는 오직 금속 원소들만이 고려되었을 때 at%으로 표현된 Ti의 농도이다. 이러한 방식으로 기록될 때, 백분율로 표시된 원자 농도는 더하여 100%이 된다.

이러한 층은 소위 음극성 스파크 증발(cathodic spark evaporation)에 의해 극도로 단단한 형태로 생산될 수 있다. 여기에서, 스파크는 캐소드로서 사용되는 금속성 원소들을 제공하는 타깃과 타깃 표면으로부터 고밀도 전자류(electron stream)가 추출되게 하는 어노드 사이에서 연소된다. 극도로 국부화된, 타깃 표면에서의 매우 높은 전류 밀도로 인해, 타깃 표면이 국부적으로 과열되고 재료가 이온화된 형태로 증발한다.

따라서 그 후에 이온화된 형태로 증발되는 재료는 기판에 인가된 음의 전압의 도움으로 기판을 향해 가속화된다. 만약 반응성 기체가 추가로 코팅 챔버 내에 도입되면, 증발된 이온들이 반응성 기체와 결합하여 기판 표면 상에 상응하는 코팅을 형성한다.

그러나, 이러한 방법에서 소위 드롭렛(droplet) 문제가 종종 관찰될 수 있다: 타깃 표면 상에서의 갑작스러운 국부적 가열은 폭발성 용융이 발생하게 하며, 이것에 의해 타깃 재료의 모든 드롭들이 주변 영역으로 나아가게 된다. 그 다음 이러한 드롭들 중 일부가 기판 표면 상에 놓이게 되며 일반적으로 이는 층 특성 및 품질에 부정적인 영향을 발생시킨다. 그동안 이러한 드롭렛을 걸러내기 위한 방법들이 존재하지만, 이러한 필터들은 코팅 속도를 크게 감소시키고, 코팅 프로세스를 경제적으로 운용하는 것이 사실상 불가능해진다.

다른 한편으로, 15at%보다 큰 실리콘 함유량은 종종 스파크 증발 동안 타깃에 대한 손상으로 이어진다. 극단적인 경우에, 타깃이 각 코팅 프로세스 후에 교환되어야만 하며, 이는 다시 프로세스의 경제적 실행가능성을 감소시킨다.

마그네트론 지원(마크네트론 스퍼터링)을 갖는 증발에 의한 기체 상태로부터의 종래의 증착의 경우에, 당업자는 이러한 문제와 다툴 필요가 없다. 그러나, 이온 이온 충격(ion bombardment)에 의해 타깃 표면으로부터 벗어난 입자들은 이온화되지 않거나 매우 제한된 정도까지 이온화되며, 따라서 기판에 인가되는 기판 바이어스에 의해 기판을 향해 가속화되지 않을 수 있다. 그 결과, 종래의 방식으로 스퍼터링된 층은 상대적으로 낮은 밀도 및 경도를 가진다.

스파크 증발 방법으로 획득된 것과 유사한 스퍼터링된 층들의 밀도 및 경도를 획득하기 위한 잘 알려진 접근법은 소위 HiPIMS 방법(HiPIMS=고 전력 임펄스 마그네트론 스퍼터링)이다. 이러한 스퍼터링 방법에서, 고 전력 펄스 밀도가 스퍼터링 캐소드에 인가되며, 이것은 높은 백분율로 이온화된 캐소드에 의해 스퍼터링되는 재료를 발생시킨다. 만약 코팅될 워크피스(workpiece)에 이제 음의 전압이 인가된다면, 이러한 이온들이 워크피스를 향해 가속화되어 매우 높은 밀도의 층으로 이어진다.

스퍼터링 캐소드에 인가되는 전력은 전력과 함께 도입되는 열을 소멸시키기 위한 시간을 주기 위해서 펄스 방식으로 인가되어야만 한다. HiPIMS 방법에서, 따라서 펄스 발생기가 전력원(power source)으로서 필요하다. 이러한 펄스 발생기는 매우 높은 전력의, 그러나 매우 짧은 펄스들을 출력할 수 있어야만 한다. 오늘날 이용가능한 펄스 발생기는 예를 들어 펄스 높이 및/또는 펄스 지속기간에 대해 유연성을 거의 갖지 않는다. 이상적으로, 구형파 펄스가 출력되어야만 한다. 그러나, 펄스 내의 전력 출력은 일반적으로 시간에 크게 의존하며, 이는 경도, 접착성, 잔류 응력 등과 같은 층 특성들에 대한 즉각적인 효과를 갖는다. 또한, 코팅 속도는 구형파 프로파일로부터의 편차에 의해 부정적인 영향을 받는다.

이러한 문제들은, 특히 재현성(reproducibility)과 관련한 의문을 제기한다.

본 출원인이 아는 한, HiPIMS 방법에 의해 Ti_xSi_{1 - x}N 층을 생산하기 위한 시도는 아직 이루어지지 않았다.

따라서 Ti_xSi_{1 - x}N 층이 높은 전력을 갖는 마그네트론 스퍼터링에 의해 생산될 수 있는 방법에 대한 필요성이 존재한다.

본 발명에 따르면, 전력원이 일정하게 높은 전력을 출력하는 스퍼터링 방법에 의해 생산된다. 여기에서 복수의 스퍼터링 캐소드가 사용된다. 종래의 HiPIMS 방법과 다르게, 펄스 발생기가 사용되지 않으며, 오히려 전력원의 전체 전력 및 따라서 높은 전력 밀도가 처음에 제1 스퍼터링 캐소드에만 인가된다. 후속하여, 제2 스퍼터링 캐소드가 전력원의 출력에 접속된다. 처음에, 비교적 약간 발생할 때, 이때의 제2 스퍼터링 캐소드의 임피던스가 실질적으로 제1 스퍼터링 캐소드의 임피던스보다 더 높다. 오직 제1 스퍼터링 캐소드가 전력원의 출력으로부터 분리될 때 제2 스퍼터링 캐소드를 통해 전력이 실질적으로 출력된다. 상응하는 고전력 마그네트론 스퍼터링 방법이 WO2013060415에 더욱 가깝게 기술되었다. 전형적으로, 전력원은 약 60kW로 작동된다. 시간 평균으로 스퍼터링 캐소드들이 노출되는 전형적인 전력은 약 8kW이다.

본 출원인은 이제 놀랍게도 15at% 이상의 실리콘 함유량을 갖는 TiSi 타깃들로 작동된다면, 이러한 방법이 재생가능한 방식으로 매우 우수한 기계적 특성을 갖는 나노결정 층들을 생산할 수 있음을 발견하였다. 특히 흥미로운 것은 15at% 또는 그보다 큰 타깃 내의 Si 농도에서, 나노결정들이 도 1에 도시된 바와 같이 15nm보다 작은 평균 입도(grain size)를 가진다. 도 2는 코팅을 위해 사용되는 타깃 내의 농도 조건이 대부분 코팅된 층 내에 직접 반영되는 방식을 나타낸다. 소정의 Si 농도를 갖는 타깃이 선택되자마자, 입도가 도 7에 도시된 바와 같이 질소 소비량에 의해 미세하게 조정될 수 있음이 인지되어야만 한다.

이것은 도 3으로부터 볼 수 있는 바와 같이 매우 강력한 현상이다. 회전 캐러셀(carousel) 상의 서로 다른 위치들에서 코팅된 층의 입도들이 측정된다. 검정색으로 채워진 원들을 갖는 일련의 판독 값들은 Ti₉₅Si₅ 타깃을 지칭한다. 흰색으로 채워진 원들을 갖는 일련의 판독 값들은 Ti₉₀Si₁₀ 타깃을 지칭한다. 검정색으로 채워진 사각형들을 갖는 일련의 판독 값들은 Ti₈₅Si₁₅ 타깃을 지칭한다. 흰색으로 채워진 삼각형들을 갖는 일련의 판독 값들은 Ti₈₀Si₂₀ 타깃을 지칭한다. 검정색으로 채워진 삼각형들을 갖는 일련의 판독 값들은 Ti₇₅Si₁₅ 타깃을 지칭한다. 명백하게, 입도는 챔버의 전체 코팅 높이 위로 유지된다.

실리콘 함유량이 증가하면서, 도 4에 도시된 바와 같이 층들이 증가된 경도 및 감소된 E-계수를 가진다. 이것이 층 내의 농도 비율을 나타내는 것은 아니며, 층을 생산하기 위해 사용되는 타깃 내의 Ti 대 Si 농도 비율을 나타낸다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 금속 성분 중 적어도 15at%의 Si 함유량을 갖는 Ti_xSi_{1 - x}N 층은 코팅될 기판 상에 직접 도포되지 않으며, 오히려 TiAIN 층이 기판과 본 발명에 따른 층 사이의 중간층으로서 제공된다. 이러한 중간층은 특히 매우 높은 잔류 응력을 갖는 매우 단단한 Ti_xSi_{1 - x}N 층과 덜 취약한 기판 사이의 응력 및/또는 압력 조건에 대한 전이(transition)로서의 기능을 한다는 장점을 가진다. 따라서 조각이 떨어져 나가는 것(flake off)이 크게 감소되고, 층 접착성이 상응하여 향상된다.

도 5는 본 발명에 따른 일련의 이러한 2-층 구조를 도시하며, 이때 이미 논의된 바와 같이, 서로 다른 타깃들이 도면에 표시된 바와 같이 Ti_xSi_{1 -x} 층을 코팅하기 위해 사용된다. 일련의 층들 내의 Ti_xSi_{1 -x} 층들의 서로 다른 구조들을 명확하게 볼 수 있으며, 이것은 Si 함유량이 증가함에 따라 점점 더 정교해진다. 현재의 예에서, 타깃이 40at% 티타늄과 60at% 알루미늄을 포함하는 중간층을 생산하기 위해 사용된다. 두 개의 층들 TiAlN 및 TiSiN이 (200) 텍스처를 가지는 경우에 특히 바람직함이 확립되었다.

서로 다른 Si 함유량을 갖는 이러한 이중 층들이 툴 상에서 테스트되었다. 기계가공 테스트가 다음의 조건들 하에서 수행되었다: 45HRC까지 경화된 워크피스 스틸 DIN 1.2344, 툴 지름 10mm, 고체 시멘트화-탄화물 제분 절단기, 절단 속도 220m/분, 날당 이송(feed per tooth) 0.1mm, 축 인피드(infeed) 10mm, 반지름 인피드 0.5mm. 손상되지 않고 상응하는 툴이 몇 미터 기계가공될 수 있는지가 측정되었다. 일반적인 상업적으로 입수가능한 코팅으로 코팅된 툴은 200m 넘게 견뎌낸다. 전술된 이중 층으로 코팅된 툴은, 외부 층이 오직 5% 실리콘만을 포함할 때 대략 동일한 거리만큼 견뎌낸다. 반면에, 테스트는 만약 외부 층이 적어도 15% 실리콘을 함유한다면 툴이 500m 넘게 견뎌낼 수 있음을 나타낸다. 도 1은 140m 절단 거리 후에 툴 상에서 측정된 마모 값들을 나타낸다. 마모가 30% 실리콘을 함유하는 코팅에서 가장 낮음을 꽤 명백하게 볼 수 있다.

추가로 바람직한 실시예에 따르면 전이 층이 TiAlN 중간층과 Ti_xSi_{1 -x} 층 사이에 제공되며, 전이 층은 공동-스퍼터링(co-sputtering)에 의해 생산된다. 전술된 스퍼터링 방법을 이용하여, 공동-스퍼터링은 예를 들어 반응성 기체 소비량의 최대치가 본질적으로 서로 위에 놓이는 코팅 챔버 내에 존재하는 압력의 함수로서 곡선을 이루는 방식으로 서로 다른 타깃들에 대한 펄스 폭들이 선택되는 방식으로 공동-스퍼터링이 쉽게 수행될 수 있다. 이것은 펄스 지속기간이 상응하는 최대치의 위치에 직접 영향을 미치기 때문에 가능하다. 이것은, 예를 들어 세 개의 서로 다른 펄스 지속기간들(0.05ms, 0.2ms 및 2ms)이 스퍼터링에 사용된 도 6에 도시되었다. 이러한 방식으로, 동일한 기체 흐름 조건 하에서 챔버 내에 존재하는 동일한 압력으로 두 타깃들을 적절하게 작동하는 것이 가능하다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전이 층이 기판 표면으로부터의 거리가 증가할 때 TiAlN 내의 감소하는 함유량 및 Ti_xSi_{1 - x}N의 증가하는 함유량을 갖는 등급화된 층으로서 구현된다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 최종 Ti_xSi_{1 - x}N 층이 순수한 Ti_xSi_{1 - x}N 층은 아니지만 소정의 비율의 TiAlN도 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 Ti_xSi_{1 -x} 타깃 및 제2 Ti_zSi_{1 -z} 타깃이 코팅을 위해 사용되며, 이때 0≤x≤1이고 0≤z≤1이지만, z≠x이고, 즉 제1 및 제2 타깃들의 조성이 상이하며 (x+z)/2≤0.85이고, 그에 따라 15at% 이상의 Si 농도를 갖는 추가의 층들이 생산될 수 있다. 이 방법에서, 두 타깃들 모두가 전술된 공동-스퍼터링 방법에 따라 작동될 수 있다. 이것은 Si 농도가 코팅 중에 달라지는 것을 허용하며, 즉 Si 농도 기울기를 구현하는 것을 허용한다.

또한, 본 출원인은 중간층으로서 Cr_yAl_{1 - y}N 층을 사용함으로써 본 발명에 따라 침착되는 층을 이용하여 놀랍게 우수한 층 성능이 획득될 수 있음을 확립하였다. 따라서, 중간층으로서 Cr_yAl_{1 - y}N 층을 포함하는 본 발명의 추가적인 바람직한 실시예들이 아래에 기술될 것이다.

본 발명의 추가적인 실시예에 따르면, 금속성 성분 중 적어도 15at%의 Si 함유량을 갖는 Ti_xSi_{1 - x}N 층이 코팅될 기판 상에 직접 도포되지 않지만, 오히려 Cr_yAl_{1 -y}N 층이 기판과 본 발명에 따른 층 사이에서 중간층으로서 제공된다. 40at%의 크로뮴 백분율 및 60at%의 알루미늄 함유량이 바람직한 것으로 입증되었다. 이러한 중간층은 특히 매우 높은 잔류 응력을 갖는 매우 단단한 Ti_xSi_{1 - x}N 층과 덜 취약한 기판 사이의 응력 및/또는 압력 조건에 대한 전이로서의 기능을 한다는 장점을 가진다. 따라서 조각이 떨어져 나가는 것이 크게 감소되고, 층 접착성이 상응하여 향상된다.

이전의 섹션 및 아래의 설명에서, 오직 금속성 원소들만이 고려되었을 때 x는 at%으로 표현된 Ti의 농도이고 y는 at%로 표현된 Cr 농도이다.

서로 다른 Si 함유량을 갖는 이러한 이중 층들이 툴 상에서 테스트되었다. 뚜렷하게 손상되지 않고 상응하는 툴이 몇 미터 기계가공될 수 있는지가 측정되었다. 기계가공 테스트가 다음의 조건들 하에서 수행되었다: 워크피스 스틸 DIN 1.2379, 69HRC까지 경화, 툴 지름 2mm 고체 시멘트화-탄화물 구형 헤드 제분 절단기, 절단 속도 110m/분, 날당 이송 0.04mm, 축 인피드 0.1mm, 반지름 인피드 0.04mm. 일반적인 상업적으로 입수가능한 코팅으로 코팅된 툴은 60m 넘게 견뎌낸다. 반면에, 외부 층이 적어도 10% 실리콘을 함유하는 전술된 이중 층으로 코팅된 툴은 100m 넘게 견뎌내었다. 흥미로운 사실은 CrAlN 층이 상대적으로 얇게 유지되어야만 한다는 것이다. 이것은 CrAlN 층이 본질적으로 접착성 층의 역할을 취한다는 것을 나타내는 것으로 보인다.

다른 바람직한 실시예에 따르면, 전이 층이 CrAlN 중간층과 Ti_xSi_{1 -x} 층 사이에 제공되며, 전이 층은 공동-스퍼터링에 의해 생산된다. 전술된 스퍼터링 방법을 이용하여, 공동-스퍼터링은 예를 들어 반응성 기체 소비량의 최대치가 본질적으로 서로 위에 놓이는 코팅 챔버 내에 존재하는 압력의 함수로서 곡선을 이루는 방식으로 서로 다른 타깃들에 대한 펄스 폭들이 선택되는 방식으로 신뢰가능하게 수행될 수 있다. 이것은 펄스 지속기간이 상응하는 최대치의 위치에 직접 영향을 미치기 때문에 가능하다. 이것은, 예를 들어 세 개의 서로 다른 펄스 지속기간들(0.05ms, 0.2ms 및 2ms)이 스퍼터링에 사용된 도 6에 도시되었다. 이러한 방식으로, 동일한 기체 흐름 조건 하에서 챔버 내에 존재하는 동일한 압력으로 두 타깃들을 적절하게 작동하는 것이 가능하다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전이 층이 기판 표면으로부터의 거리가 증가할 때 CrAlN 내의 감소하는 함유량 및 Ti_xSi_{1 - x}N의 증가하는 함유량을 갖는 등급화된 층으로서 구현된다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 최종 Ti_xSi_{1 - x}N 층이 순수한 Ti_xSi_{1 - x}N 층은 아니지만 소정의 비율의 CrAlN도 포함한다.

본 발명은 또한 특히 코팅을 구비하는 워크피스와 관련되며, 이러한 코팅은 적어도 하나의 Ti_xSi_{1 - x}N 층을 포함하고, x≤0.85이고 Ti_xSi_{1 - x}N 층이 나노결정을 포함하고 존재하는 나노결정이 15nm보다 크지 않은 평균 입도를 가지며 바람직하게는 (200) 텍스처를 갖는 것으로 특징지어진다. 본 발명은 또한 적어도 전술된 Ti_xSi_{1 -x}N 층을 포함하는 코팅으로 워크피스를 코팅하기 위한 방법에 관한 것이며, Ti_xSi_{1 -x}N 층을 생산하기 위해 사용되는 이러한 방법은 적어도 하나의 Ti_xSi_{1 -x} 타깃이 스퍼터링 타깃으로서 사용되는 스퍼터링 방법이며, at% 단위로 x≤0.85이고 적어도 0.2A/cm², 바람직하게는 0.2A/cm²보다 큰 전류 밀도가 스퍼터링 타깃의 타깃 표면 상에서 발생한다. 바람직하게는 TiAlN 또는 CrAlN 또는 TiAlN 및 CrAlN을 포함하는 중간층이 Ti_xSi_{1 - x}N 층과 워크피스의 기판 바디 사이에 제공된다.

전이 층이 침착되는 본 발명에 따른 워크피스를 코팅하기 위한 방법의 바람직한 실시예에 따르면, 전이 층은 공동-스퍼터링에 의해 생산된다.

만약 소정의 응용에 있어서 바람직하다면, 본 발명에 따른 Ti_xSi_{1 - x}N 층은 또한 TiAlN 또는 CrAlN 또는 TiAlN 및 CrAlN 백분율을 포함할 수 있다.

응용에 따라서, 원하는 층 속성을 획득하기 위해서 TiAlN 또는 CrAlN 대신 본 발명의 전술된 실시예들에서 코팅을 위한 다른 금속 질화물 또는 금속 질화물-기반 재료를 사용하는 것 또한 가능하다.

Claims (16)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 적어도 하나의 Ti_xSi_1-xN 층을 포함하는 코팅을 구비하는 워크피스(workpiece)로서, x≤0.85이고, 상기 Ti_xSi_1-xN 층이 나노결정을 포함하며, 존재하는 상기 나노결정이 15nm보다 크지 않은 평균 입도(grain size)를 가지고, 오직 금속성 원소들만이 고려될 때 x가 at%로 표현된 Ti의 농도이고, 상기 Ti_xSi_1-xN 층을 생산하도록 스퍼터링 프로세스가 사용되는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법에 있어서, 생산된 Ti_xSi_1-xN 층이 나노결정 층이고, 이는 스퍼터링 방법에 의해 생산되고, 여기에서 전력원이 일정한 전력을 출력하고, 여기에서 복수의 스퍼터링 캐소드가 사용되고, 여기에서 전력원의 전체 전력 및 따라서 전력 밀도가 처음에 제1 스퍼터링 캐소드에만 인가되고, 후속하여, 제2 스퍼터링 캐소드가 전력원의 출력에 접속되고, 여기에서 TiSi 타깃이 스퍼터링 캐소드로서 사용되고, 여기에서 전류 밀도가 0.2A/cm² 이상이고, 스퍼터링 타깃의 타깃 표면 상에서 발생하고, 여기에서 나노결정 층을 생산하기 위하여 사용되는 TiSi 타깃이 15at% 이상의 Si 농도를 갖는 것임을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
9. 삭제
10. 제 8 항에 있어서,
    TiAlN을 함유하는 중간층이 상기 Ti_xSi_1-xN 층과 상기 워크피스의 기판 바디 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
11. 제 8 항에 있어서,
    TiAlN 및 Ti_xSi_1-xN 모두를 함유하는 전이 층(transition layer)이 중간층과 상기 Ti_xSi_1-xN 층 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
12. 제 8 항에 있어서,
    전이 층은 기판 표면으로부터의 거리가 증가함에 따라 증가하는 실리콘 함유량을 갖는 등급화된 층인 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
13. 제 8 항에 있어서,
    Cr_yAl_1-yN을 함유하는 중간층이 상기 Ti_xSi_1-xN 층과 상기 워크피스의 기판 바디 사이에 제공되고, y는 오직 금속성 원소들만이 고려될 때 at%로 표현된 Cr의 농도를 나타내는 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
14. 제 13 항에 있어서,
    Cr_yAl_1-yN 및 Ti_xSi_1-xN 모두를 함유하는 전이 층이 상기 중간층과 상기 Ti_xSi_1-xN 층 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 전이 층은 기판 표면으로부터의 거리가 증가함에 따라 증가하는 실리콘 함유량을 갖는 등급화된 층인 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.
16. 제 11 항, 제 12 항, 제 14 항, 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전이 층이 공동 스퍼터링(co-sputtering)에 의해 생산되는 것을 특징으로 하는, 워크피스를 코팅하기 위한 방법.

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