CN102456735B - 半导体器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽;在所述沟槽的内壁上形成衬里;在所述沟槽内沉积相变材料;对所述相变材料进行相变处理,以形成应变相变材料,从而对所述衬底施加拉应力或压应力,以使所述衬底产生拉应变或压应变;在所述衬底上形成栅极;再次对所述相变材料进行相变处理,以确保所述相变材料形成所述应变相变材料;以及在所述栅极两侧形成源极硅化物和漏极硅化物。在本发明中,在浅沟槽隔离区中形成相变材料。通过相变材料在发生相变时所产生的体积或密度改变,能够产生较大的形变应力,从而增强半导体器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及半导体器件制造方法,更具体地,涉及一种包含应变相变材料(stressed Phase Change Material(PCM))的半导体器件的制造方法。
背景技术
半导体器件衬底中的机械应变可以用于改变半导体器件的性能。例如,在Si衬底中,当Si衬底层处于压应变状态时,空穴迁移率将得到提升;相反地,当Si衬底层处于拉应变状态时,电子迁移率将得到提升。因此,有利地,可以在半导体器件的衬底层区域中产生拉应力(n型半导体器件)或压应力(p型半导体器件),以增强n型或p型半导体器件的性能。
传统工艺是在半导体器件的沟道区内形成应变缓冲层(SiGe等),以实现上述拉应变或压应变。但是,这样做的缺点在于只能提供有限的拉应力或压应力(大约200MPa~大约500MPa的范围内),而这极大地限制了所得到的半导体器件的性能。
发明内容
考虑到传统工艺的上述缺陷,本发明提出了一种包含应变相变材料的半导体器件的制造方法,能够在半导体器件中提供更大的拉应力或压应力,以进一步增强n型或p型半导体器件的性能。
根据本发明,提出了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽;在所述沟槽的内壁上形成衬里;在所述沟槽内沉积相变材料;对所述相变材料进行相变处理,以形成应变相变材料,从而对所述衬底施加拉应力或压应力,以使所述衬底产生拉应变或压应变;在所述衬底上形成栅极;再次对所述相变材料进行相变处理,以确保所述相变材料形成所述应变相变材料;以及在所述栅极两侧形成源极硅化物和漏极硅化物。
优选地,所述半导体器件制造方法还包括:形成保护层,覆盖所述应变相变材料的顶部。更优选地,所述保护层是氧化物层或氮化物层,所述衬里是氧化物衬里或氮化物衬里。
优选地,所述应变相变材料是氧族化合物基相变材料或含有IV、V、VI族元素的相变材料。更优选地,所述应变相变材料通常选择氧族化合物基相变材料中的Ge2Sb2Te5、In2Se3和Sb2Te中的任一种。
在本发明中,在用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的浅沟槽隔离(STI)区中形成相变材料。通过相变材料在发生相变时所产生的体积或密度改变,能够产生较大的形变应力,从而增强半导体器件的性能。
附图说明
通过下面结合附图说明本发明的优选实施例,将使本发明的上述及其它目的、特征和优点更加清楚,其中:
图1~11示出了本发明所提出的n型半导体器件制造方法的各个步骤的示意图,其中图11示出了根据本发明所提出的n型半导体器件制造方法制造完成的n型半导体器件;以及
图1~3和12~19示出了本发明所提出的p型半导体器件制造方法的各个步骤的示意图,其中图19示出了根据本发明所提出的p型半导体器件制造方法制造完成的p型半导体器件。
应当注意的是,本说明书附图并非按照比例绘制,而仅为示意性的目的,因此,不应被理解为对本发明范围的任何限制和约束。在附图中,相似的组成部分以相似的附图标号标识。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明,在描述过程中省略了对于本发明来说是不必要的细节和功能,以防止对本发明的理解造成混淆。
在本发明中,采用了应变相变材料(stressed Phase ChangeMaterial,PCM)来提高所能提供给半导体器件沟道区的拉应力或压应力。首先,在用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的浅沟槽隔离(STI)区中,以非应变相形成PCM部分;然后,通过相变处理,使PCM部分由非应变相转换为应变相(体积增大或收缩),由此使PCM部分对周围的其他结构产生压应力或拉应力。
相变材料在本领域是公知的,例如,氧族化合物材料(例如,Ge2Sb2Te5(GST)、In2Se3(IS)、Sb2Te(ST)等)。其他的相变材料还包括第IV主族~第VI主族的某些元素和化合物,当被加热到不同的温度时,或者当被施加以电脉冲时,可以稳定地在非晶相和晶相之间转换。有关氧族化合物基相变材料的更多详细介绍可参考以下参考文献:
Matthias Wutting,“Towards A Universal Memory”,NATUREMATERIALS,Vol.4,第265~266页,2005年4月;
Van Pieterson等,“Phase-Change Recording Materials with aGrouth Dominated Crystallization Mechanisms:A MaterialsOverview”,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,Vol.97,083520,2005年;和
Heon Lee等,“Indium Selenide(In2Se3)Thin Film forPhase-Change Memory”,MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B,Vol.119,第196~201页,2005年。
以氧族化合物基相变材料Ge2Sb2Te5(GST)为例,当GST从非晶相转换为晶相时,体积收缩,由此对周围的其他结构产生拉应力;而当GST从晶相转换为非晶相时,体积增大,由此对周围的其他结构产生压应力。在本说明书中,将能够对周围的其他结构产生拉应力的PCM部分称为拉应变PCM部分;而将能够对周围的其他结构产生压应力的PCM部分称为压应变PCM部分。
应当清楚以下虽然以GST为例对本发明所提出的半导体器件及其制造工艺进行详细描述,但本发明并不局限于相变材料GST,也可以采用其他的相变材料,如IS、ST或第IV主族~第VI主族的某些元素和化合物。
【n型半导体器件】
首先,参考图11,对根据本发明所提出的工艺制造的n型半导体器件进行详细描述。图11示出了根据本发明所提出的n型半导体器件制造方法制造完成的n型半导体器件的示意图。
如图11所示,根据本发明所提出的工艺制造的n型半导体器件主要包括:衬底100(Si晶片、SOI或其他能够用于半导体制造中的其他衬底结构等);栅极部分800;分别位于栅极部分800相对侧的源极部分110和漏极部分120,形成在衬底100内;位于源极部分110另一侧的拉应变PCM部分610,形成在衬底100的浅沟槽隔离(STI)区中;位于漏极部分120另一侧的拉应变PCM部分620,形成在衬底100的STI区中,其中拉应变PCM部分610和620对衬底100施加拉应力,以使衬底100产生拉应变。本发明的n型半导体器件还可以进一步包括:保护层(例如氧化物盖层或氮化物盖层)710和720,分别覆盖拉应变PCM部分610和620的顶部;以及氧化物衬里510和520,位于沟槽的内壁上,分别围绕沟槽中的拉应变PCM部分610和620的底壁和侧壁。保护层710和720能够在形成拉应变PCM部分610和620后的其他工艺(例如CMP或刻蚀)中,避免对拉应变PCM部分610和620的损伤。
根据本发明的n型半导体器件,拉应变PCM部分610和620对衬底100施加拉应力,使Si衬底100产生拉应变,从而使得位于栅极部分800下方的沟道区中的拉应力大大增强,由此提升了电子迁移率,增强了n型半导体器件的性能。
接下来,将结合图1~11,对根据本发明的n型半导体器件制造方法的各个步骤进行详细描述。
首先,如图1所示,在衬底100(Si晶片、SOI或其他能够用于半导体制造中的其他衬底结构)上顺序沉积氧化物层200(厚度为5~20nm)和氮化物层300,在氮化物层300上形成光刻胶图案400,对氮化物层300、氧化物层200和衬底100进行光刻。
具体地,对氮化物层300进行反应离子刻蚀;之后,对氧化物层200进行反应离子刻蚀;以及对Si衬底100进行反应离子刻蚀。
如图2所示,在对氮化物层300、氧化物层200和衬底100进行光刻后,形成STI沟槽。
接下来,如图3所示,去除光刻胶图案400,并进行热氧化处理,以在Si衬底100的STI沟槽的内壁上形成氧化物衬里510和520。
之后,如图4所示,针对n型半导体器件(nMOSFET),在<500℃的温度下,沉积非晶相氧族化合物基相变材料Ge2Sb2Te5(GST)600’。
然后,如图5所示,对图4所示结构进行退火处理(相变处理),优选地,针对GST材料600’的退火条件是500℃~600℃、退火时间大于100ns,从而使非晶相GST材料600’重新结晶为晶相GST材料600,由于位于STI结构中的GST材料的体积缩小,从而产生对Si衬底100的拉应力,形成拉应变PCM。
接下来,如图6所示,对图5所示结构进行化学机械平坦化(CMP)处理,去除顶部的晶相GST材料600,直至露出氮化物层300;然后,对晶相GST材料600进行内刻蚀(湿法刻蚀)至Si衬底100的顶面以下。这样,晶相GST材料600的剩余部分形成了拉应变PCM部分610和620。
之后,如图7所示,在图6所示结构上沉积氧化物层,并执行CMP处理,去除顶部的氧化物层,直至露出氮化物层300;然后,对氧化物层进行内刻蚀(湿法刻蚀)至氮化物层300的顶面以下。这样,氧化物层的剩余部分形成了分别覆盖拉应变PCM部分610和620的保护层710和720。
然后,如图8所示,利用热磷酸去除氮化物层300。
接下来,如图9所示,利用反应离子刻蚀去除氧化物层200。此时,虽然保护层710和720同时被刻蚀,但仍然起到保护拉应变PCM部分610和620的作用。
之后,如图10所示,按照传统工艺,在衬底100上形成n型半导体器件的预栅极部分800’。此时,为了确保晶相GST材料600仍然处于晶相,再次对图10所示的结构进行退火处理(相变处理),优选地,针对GST材料的退火条件是500℃~600℃、退火时间大于100ns。由于在进行第一次退火之后又进行了其他工艺,很可能导致已经处于晶相的拉应变PCM部分610和620又回到非晶相状态,因此本发明的实施例优选再进行一次退火,以保证处于非晶相状态的半导体结构回到晶相状态。
最后,如图11所示,按照传统工艺,执行硅化物(例如NiSi)形成工艺,形成栅极部分800和位于Si衬底100中的源极部分110和漏极部分120。
根据上述工艺制造的n型半导体器件,位于浅沟槽隔离区中的拉应变PCM部分610和620对衬底100施加拉应力,使Si衬底100产生拉应变,从而使得位于栅极部分800下方的沟道区中的拉应力大大增强,由此提升了电子迁移率,增强了n型半导体器件的性能。
【p型半导体器件】
首先,参考图19,对根据本发明所提出的工艺制造的p型半导体器件进行详细描述。图19示出了根据本发明所提出的p型半导体器件制造方法制造完成的p型半导体器件的示意图。
如图19所示,根据本发明所提出的工艺制造的p型半导体器件主要包括:衬底100(Si晶片、SOI或其他能够用于半导体制造中的其他衬底结构等);栅极部分800;分别位于栅极部分800相对侧的源极部分110和漏极部分120,形成在衬底100内;位于源极部分110另一侧的压应变PCM部分610’,形成在衬底100的浅沟槽隔离(STI)区中;以及位于漏极部分120另一侧的压应变PCM部分620’,形成在衬底100的STI区中,其中压应变PCM部分610’和620’对衬底100施加压应力,以使衬底100产生压应变。本发明的p型半导体器件还可以进一步包括:保护层(例如氧化物盖层或氮化物盖层)710和720,分别覆盖压应变PCM部分610’和620’的顶部;以及氧化物衬里510和520,位于沟槽的内壁上,分别围绕沟槽中的压应变PCM部分610’和620’的底壁和侧壁。保护层710和720能够在形成压应变PCM部分610’和620’后的其他工艺(例如CMP或刻蚀)中,避免对压应变PCM部分610’和620’的损伤。
根据本发明的p型半导体器件,压应变PCM部分610’和620’对衬底100施加压应力,使Si衬底100产生压应变,从而使得位于栅极部分800下方的沟道区中的压应力大大增强,由此提升了空穴迁移率,增强了p型半导体器件的性能。
接下来,将结合图1~3和12~19,对根据本发明的p型半导体器件制造方法的各个步骤进行详细描述。
图1~3的步骤与本发明所提出的n型半导体器件制造方法相同,为了行文简洁起见,这里省略了对图1~3的详细描述,具体内容可参考前述【n型半导体器件】中的详细描述。
如图3所示,Si衬底100的STI沟槽的内壁上已形成氧化物衬里510和520。
之后,如图12所示,针对p型半导体器件(nMOSFET),在500℃~600℃的温度下,沉积晶相氧族化合物基相变材料Ge2Sb2Te5(GST)600。
然后,如图13所示,对图12所示结构进行退火处理(相变处理),优选地,针对GST材料600的退火条件是600℃~700℃、退火时间小于50ns,从而将晶相GST材料600非结晶化为非晶相GST材料600’,由于位于STI结构中的GST材料的体积增大,从而产生对Si衬底100的压应力,形成压应变PCM。
接下来,如图14所示,对图13所示结构进行化学机械平坦化(CMP)处理,去除顶部的非晶相GST材料600’,直至露出氮化物层300;然后,对非晶相GST材料600’进行内刻蚀(湿法刻蚀)至Si衬底100的顶面以下。这样,非晶相GST材料600’的剩余部分形成了压应变PCM部分610’和620’。
之后,如图15所示,在图14所示结构上沉积氧化物层,并执行CMP处理,去除顶部的氧化物层,直至露出氮化物层300;然后,对氧化物层进行内刻蚀(湿法刻蚀)至氮化物层300的顶面以下。这样,氧化物层的剩余部分形成了分别覆盖压应变PCM部分610’和620’的保护层710和720。
然后,如图16所示,利用热磷酸去除氮化物层300。
接下来,如图17所示,利用反应离子刻蚀去除氧化物层200。此时,虽然保护710和720同时被刻蚀,但仍然起到保护压应变PCM部分610’和620’的作用。
之后,如图18所示,按照传统工艺,在衬底100上形成p型半导体器件的预栅极部分800’。此时,为了确保非晶相GST材料600’仍然处于非晶相,再次对图18所示的结构进行退火处理(相变处理),优选地,针对GST材料的退火条件是600℃~700℃、退火时间小于50ns。由于在进行第一次退火之后又进行了其他工艺,很可能导致已经处于非晶相的压应变PCM部分610’和620’又回到晶相状态,因此本发明的实施例优选再进行一次退火,以保证处于晶相状态的半导体结构回到非晶相状态。
最后,如图19所示,按照传统工艺,执行NiSi形成工艺,形成栅极部分800和位于Si衬底100中的源极部分110和漏极部分120。
根据上述工艺制造的p型半导体器件,位于浅沟槽隔离区中的压应变PCM部分610’和620’对衬底100施加压应力,使Si衬底100产生压应变,从而使得位于栅极部分800下方的沟道区中的压应力大大增强,由此提升了空穴迁移率,增强了p型半导体器件的性能。
至此已经结合优选实施例对本发明进行了描述。应该理解,本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以进行各种其它的改变、替换和添加。因此,本发明的范围不局限于上述特定实施例,而应由所附权利要求所限定。
Claims (5)
1.一种半导体器件制造方法,包括:
在衬底上形成用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽;
在所述沟槽的内壁上形成衬里;
在所述沟槽内沉积相变材料;
对所述相变材料进行相变处理,以形成应变相变材料,从而对所述衬底施加拉应力或压应力,以使所述衬底产生拉应变或压应变;
在所述衬底上形成栅极;
再次对所述相变材料进行相变处理,以确保所述相变材料形成所述应变相变材料;以及
在所述栅极两侧形成源极硅化物和漏极硅化物。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法,还包括:
形成保护层,覆盖所述应变相变材料的顶部。
3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法,其特征在于
所述保护层是氧化物层或氮化物层,所述衬里是氧化物衬里或氮化物衬里。
4.根据权利要求1~3之一所述的半导体器件制造方法,其特征在于
所述应变相变材料是氧族化合物基相变材料或含有IV、V、VI族元素的相变材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法,其特征在于
所述应变相变材料是Ge2Sb2Te5、In2Se3和Sb2Te中的任一种。
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