CN102427061B - 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法 - Google Patents

有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102427061B
CN102427061B CN 201110419047 CN201110419047A CN102427061B CN 102427061 B CN102427061 B CN 102427061B CN 201110419047 CN201110419047 CN 201110419047 CN 201110419047 A CN201110419047 A CN 201110419047A CN 102427061 B CN102427061 B CN 102427061B
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact hole
substrate
layer
emitting display
active matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 201110419047
Other languages
English (en)
Other versions
CN102427061A (zh
Inventor
王磊
邱勇
黄秀颀
李建文
费国东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Original Assignee
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd filed Critical Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Priority to CN 201110419047 priority Critical patent/CN102427061B/zh
Publication of CN102427061A publication Critical patent/CN102427061A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102427061B publication Critical patent/CN102427061B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上形成TFT；接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极；在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露源极电极或漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层，对有机平坦化层进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔的位置为全曝光，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；最后，在衬底的整个表面形成像素电极。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。

Description

有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法
技术领域
本发明涉及一种阵列基板制造方法，尤其涉及一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法。
背景技术
有机发光显示器件（OLED ）是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器（TFT -LCD ) , OLED 具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
图1是常规有源矩阵有机发光显示器的截面图。在制造具有上述结构的有机发光显示器的方法中，通过一系列半导体制造工艺，在衬底10上形成具有缓冲层(图未示)、半导体11、源极/漏极区域14-1和14-2、栅极绝缘层12、栅极电极13、层间绝缘层15、通孔16-1和16-2、及源极/漏极电极17-1和17-2的TFT。
接着在衬底10上TFT上方沉积无机层18-1（优选氮化硅层）作为钝化层18来覆盖源极/漏极电极17-1、17-2。当在无机层18-1上形成光致抗蚀剂图案之后，通过使用光致抗蚀剂图案作为掩膜的蚀刻工艺，形成暴露源极/漏极电极17-2的接触孔或通孔19-1。然后通过氧等离子体工艺，光致抗蚀剂剥离工艺或其他类似工艺除去光致抗蚀剂图案。
接下来，当在接触孔19-1上形成光敏性或者蚀刻型第一有机平坦化层18-2和形成光致抗蚀剂图案之后，对光致抗蚀剂图案进行另一个掩膜蚀刻工艺，因此在第一有机平坦化层18-2中形成接触孔19。
接着，当在衬底10的整个表面上形成导电材料之后，随同曝光、显影和蚀刻工艺进行典型的光刻工艺，由此形成像素电极20，其通过接触孔19连接到源极/漏极17-2上。
然后在衬底10的整个表面上形成第二有机平坦化层21，从而覆盖像素电极20，且形成开口22来暴露像素电极20；最后，通过在像素电极20上形成有机层(图未示)和上电极(图未示)制造出有源矩阵有机发光显示器。
现有的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，有机平坦化层18-2和平坦化层21分开来做，需要两次掩膜工艺。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，能够一起完成平坦化层制作，达到减少一道掩膜刻蚀工艺的目的，简化生产流程。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上形成缓冲层、半导体、源极区域、漏极区域和栅极绝缘层；在上述衬底上继续形成栅极电极、层间绝缘层、源极电极及漏极电极，所述源极电极通过通孔和源极区域相连，所述漏极电极通过通孔和漏极区域相连；接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极；在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层，对有机平坦化层进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔的位置为全曝光，形成第二接触孔，所述的第二接触孔和第一接触孔相贯通，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；最后，在衬底的整个表面形成像素层，利用曝光、显影和蚀刻方式形成像素电极，所述像素电极通过第一接触孔、第二接触孔连接到漏极电极上。
上述的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其中，所述有机平坦化层曝光前的厚度为2um～6um。
上述的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其中，所述钝化层为氮化硅层。
上述的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其中，所述衬底为玻璃基板。
本发明对比现有技术有如下的有益效果：本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。
附图说明
图1为常规有源矩阵有机发光显示器的截面示意图；
图2为本发明形成有源矩阵TFT截面示意图；
图3为本发明无机钝化层工艺截面示意图；
图4为本发明有机平坦化层工艺涂布后截面示意图；
图5为本发明有机平坦化层曝光显影后截面示意图；
图6为本发明像素电极工艺后截面示意图。
图中：
10 衬底                  11 半导体层           12 栅极绝缘层
13 栅极电极             14-1 源极区域         14-2 漏极区域
15 层间绝缘层         16-1、16-2 通孔       17-1 源极
17-2 漏极               18 钝化层             18-1 无机层
18-2 有机平坦化层     19、19-1 接触孔       20 像素电极
21 平坦化层            22 开口
30 衬底                  31 半导体层           32 栅极绝缘层
33 栅极电极             34-1 源极区域         34-2 漏极区域
35 层间绝缘层          36-1、36-2 通孔       37-1 源极
37-2 漏极               38 钝化层             39 第一接触孔
40 有机平坦化层       41第二接触孔          42像素电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图2～图6为本发明有源矩阵有机发光显示器的各工艺步骤的截面示意图。
请参见图２，提供一衬底30，如玻璃基板，通过一系列半导体制造工艺，在衬底30上形成具有缓冲层(图未示)、半导体31、源极/漏极区域34-1和34-2、栅极绝缘层32、栅极电极33、层间绝缘层35、通孔36-1和36-2、源极电极37-1及漏极电极37-2的TFT。
如图3所示，接着在衬底30上TFT上方沉积无机层 (优选氮化硅层)作为无机钝化层38来覆盖源极电极37-1和漏极电极37-2；当在无机钝化层38上形成光致抗蚀剂图案之后，通过使用光致抗蚀剂图案作为掩膜的蚀刻工艺，形成暴露源极电极37-1或漏极电极37-2的第一接触孔39；然后通过氧等离子体工艺，光致抗蚀剂剥离工艺或其他类似工艺除去光致抗蚀剂图案。
如图4所示，接下来，当在第一接触孔39上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层40。现有的有机平坦化层18-2和平坦化层21的材料可一样，也可不一样；平坦化层的主要作用是在不同介质层间起平整作用，便于后续层的制作，但前提是有一定的厚度，因此本发明的平坦化层的厚度优选为传统二者之和，以达到两个平坦化的要求；如传统的两者厚度为2±1um；因此本发明的厚度优选为4±2um。
如图5所示，对有机平坦化层40进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，在第一接触孔39的位置为全曝光，形成与第一接触孔相贯通的第二接触孔41，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光。
如图6所示，在衬底30的整个表面形成像素电极材料层之后，随同曝光、显影和蚀刻工艺进行典型的光刻工艺，由此形成像素电极42，所述像素电极42通过第一接触孔39、第二接触孔41连接到漏极电极37-2上。最后，通过在像素电极42上形成有机发光层(图未示)和上电极(图未示)制造出有源矩阵有机发光显示器。
综上所述，本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (4)

1.一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底（30）；
在衬底（30）上形成缓冲层、半导体层（31）、源极区域（34-1）、漏极区域（34-2）和栅极绝缘层(32)；
在上述衬底（30）上继续形成栅极电极(33)、层间绝缘层(35)、源极电极（37-1) 及漏极电极（37-2），所述源极电极（37-1)通过通孔(36-1)和源极区域（34-1）相连，所述漏极电极（37-2）通过通孔(36-2)和漏极区域（34-2）相连；
接着在上述衬底（30）上方继续沉积钝化层（38）覆盖源极电极（37-1) 及漏极电极（37-2）；在钝化层（38）上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露漏极电极的第一接触孔（39）并去除剩余光刻胶层；
接下来继续在第一接触孔（39）上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层（40），对有机平坦化层（40）进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔（39）的位置为全曝光，形成第二接触孔（41），所述第二接触孔（41）和第一接触孔（39）相贯通，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；
最后，在衬底（30）的整个表面形成透明导电层，利用曝光、显影和蚀刻方式形成像素电极（42），所述像素电极（42）通过第一接触孔（39）、第二接触孔（41）连接到漏极电极上。
2.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述有机平坦化层（40）曝光前的厚度为2um～6um。
3.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述钝化层（38）为氮化硅层。
4.如权利要求1～3任一项所述的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述衬底（30）为玻璃基板。
CN 201110419047 2011-12-15 2011-12-15 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法 Active CN102427061B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110419047 CN102427061B (zh) 2011-12-15 2011-12-15 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110419047 CN102427061B (zh) 2011-12-15 2011-12-15 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102427061A CN102427061A (zh) 2012-04-25
CN102427061B true CN102427061B (zh) 2013-02-13

Family

ID=45961026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110419047 Active CN102427061B (zh) 2011-12-15 2011-12-15 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102427061B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465509B (zh) * 2013-09-18 2017-08-04 昆山国显光电有限公司 一种oled显示器件阵列基板及其制备方法
CN103928343B (zh) * 2014-04-23 2017-06-20 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及有机发光二极管显示器制备方法
CN104112711B (zh) * 2014-07-22 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 共平面型氧化物半导体tft基板的制作方法
TW201612606A (en) * 2014-09-29 2016-04-01 Au Optronics Corp Fabricating methods of pixel structure and liquid crystal display panel
CN108064414A (zh) * 2016-11-23 2018-05-22 深圳市柔宇科技有限公司 阵列基板的制造方法
KR20200117101A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111128875B (zh) * 2019-12-20 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1596045A (zh) * 2003-09-12 2005-03-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
CN102116980A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100611148B1 (ko) * 2003-11-25 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 사용하는 유기전계발광소자
KR101345171B1 (ko) * 2007-11-14 2013-12-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100964227B1 (ko) * 2008-05-06 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1596045A (zh) * 2003-09-12 2005-03-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
CN102116980A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102427061A (zh) 2012-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102427061B (zh) 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法
JP5588740B2 (ja) Ｔｆｔ−ｌｃｄアレイ基板およびその製造方法
WO2019140733A1 (zh) 柔性amoled基板及其制作方法
US8298883B2 (en) Method of forming photoresist burr edge and method of manufacturing array substrate
US9349760B2 (en) Method of manufacturing a TFT-LCD array substrate having light blocking layer on the surface treated semiconductor layer
WO2015100898A1 (zh) 薄膜晶体管、tft阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2013155840A1 (zh) 阵列基板及其制造方法和显示装置
JP2007318144A (ja) Ｔｆｔ−ｌｃｄアレイ基板構造及びその製造方法
WO2016173027A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
US9502235B2 (en) Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device
US20180212061A1 (en) Dual gate oxide thin-film transistor and manufacturing method for the same
WO2013181909A1 (zh) 薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法
WO2019095482A1 (zh) Tft基板及其制作方法
WO2015188594A1 (zh) 多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板
WO2015143745A1 (zh) 一种阵列基板的制造方法
US20150014692A1 (en) Array Substrate, Manufacturing Method Thereof, And Display Device
WO2015043008A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板的制造方法
KR20140094447A (ko) 박막 트랜지스터 및 어레이 기판의 제조 방법
JP6110412B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JP2008166669A (ja) アレイ回路基板の製造方法
CN101414564B (zh) 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
WO2021120378A1 (zh) 一种阵列基板及其制作方法
WO2016026176A1 (zh) Tft基板的制作方法及其结构
TWI396916B (zh) 薄膜電晶體陣列基板之製作方法
WO2014117444A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant