一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件
技术领域
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及VDMOS器件的过温保护技术。
背景技术
VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件是功率半导体的主流器件之一,目前已经广泛于各类功率***。与双极型晶体管相比,其开关速度快、损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、频率特性好。VDMOS器件在工作过程中不可避免的会产生功率损耗,这些功率损耗大部分将转化为热能,引起器件温升。过高的温度对器件的工作性能和可靠性都有很大的影响,会造成器件性能的退化,严重时甚至会导致器件失效。有研究表明,功率器件的工作温度每升高10℃,其失效率将增加一倍左右,称之为10℃法则。为了减少功率VDMOS器件的热失效,提高其可靠性,除了从封装等方面增强器件的散热性能,另一条有效的途径就是利用过温保护模块对VDMOS器件采取过温保护:当VDMOS器件温度过高时,启动过温保护功能对器件进行有效关断,防止热失效的发生。而温度采样是实现过温保护的前提,只有准确地对器件温度进行实时采样,才能提供精确的过温控制信号。
发明内容
本发明针对VDMOS器件热失效的技术问题,提供一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件。该复合VDMOS器件将VDMOS、温度采样器件和过温保护电路单片集成,实现对VDMOS器件温度的精确采样及过温保护,以防止器件的热失效和增加器件使用寿命,具有结构简单、采样精确度高、与VDMOS器件工艺兼容、单片集成等一系列优点。
本发明的技术方案如下:
一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件,如图1至图3所示,包括集成于同一衬底基片上的VDMOS器件M0、多晶硅热敏二极管D1和过温保护电路;所述多晶硅热敏二极管D1制作于VDMOS器件M0表面的绝缘层上,以实现对VDMOS器件M0温度的采样;所述过温保护电路基于多晶硅热敏二极管D1的温度采样信号对整个复合VDMOS器件的栅输入电压Vin进行分压得到VDMOS器件M0的栅控电压VG,进而对VDMOS器件M0实现过温保护:即当VDMOS器件M0温度达到TH时,关断VDMOS器件M0;当VDMOS器件M0关断后温度降到TL时,启动VDMOS器件M0;其中TH>TL,ΔT=TH-TL为温度回差。
上述技术方案中,所述多晶硅热敏二极管D1最好制作于VDMOS器件M0表面中心位置的绝缘层上,以实现VDMOS器件M0温度的精确采样。
上述技术方案中,所述VDMOS器件M0可以是任意结构的VDMOS器件、且表面具有绝缘层14,如图2所示,至少包括金属化漏电极1、第一导电类型半导体掺杂衬底2、第一导电类型半导体掺杂漂移区3、第二导电类型半导体基区4、第一导电类型半导体掺杂源区5、第二导电类型半导体掺杂接触区6、金属化源电极7、多晶硅栅电极8和栅介质层9;金属化漏电极1位于第一导电类型半导体掺杂衬底2的背面,第一导电类型半导体掺杂漂移区3位于第一导电类型半导体掺杂衬底2的正面;第二导电类型半导体基区4位于第一导电类型半导体掺杂漂移区3的顶部,第二导电类型半导体基区4内具有分别与金属化源电极7相接触的第一导电类型半导体掺杂源区5和第二导电类型半导体掺杂接触区6;栅介质层9位于第二导电类型半导体基区4和第一导电类型半导体掺杂漂移区3的上表面,多晶硅栅电极8位于栅介质层9的上表面,多晶硅栅电极8与金属化源电极7之间填充的是绝缘介质层。
上述技术方案中,所述多晶硅热敏二极管D1(如图2所示),包括P型半导体区10、N型半导体区11、阳极电极12和阴极电极13;其中P型半导体区10和N型半导体区11相接触并位于VDMOS器件M0表面的绝缘层14中,阳极电极12与P型半导体区10相连并从VDMOS器件M0表面的绝缘层14中引出,阴极电极13与N型半导体区11相连并从VDMOS器件M0表面的绝缘层14中引出。
上述技术方案中,所述过温保护电路(如图3所示)包括一个稳压二极管D2、四个NMOS管(M1~M4)和六个电阻(R1~R6);栅输入电压Vin通过第一电阻R1和稳压管D2的串联电路后接地;第一NMOS管M1的漏极通过第二电阻R2接第二NMOS管M2的栅极的同时通过第三电阻R3接地,第一NMOS管M1的源极接地;第二NMOS管M2的漏极接第三NMOS管M3的栅极的同时通过第四电阻R4接栅输入电压Vin,第二NMOS管M2的源极接地;第三NMOS管M3的漏极接第四NMOS管M4的栅极的同时通过第五电阻R5接栅输入电压Vin,第三NMOS管M3的源极接地;第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接栅输入电压Vin,第四NMOS管M4的源极接地;第一NMOS管M1的栅极通过第六电阻R6接栅输入电压Vin。所述过温保护电路与多晶硅热敏二极管D1的连接关系为:第一电阻R1和稳压管D2的连接点接多晶硅热敏二极管D1的阳极,多晶硅热敏二极管D1的阴极接第二NMOS管M2的栅极。所述过温保护电路与VDMOS器件M0的连接关系为:第一NMOS管M1的栅极与VDMOS器件M0的栅极相连。
本发明的核心思想是利用多晶硅二极管的正向压降的负温度特性(即其正向压降随着温度的升高反而减小)充当温度传感器来检测VDMOS器件内部的温度变化。当VDMOS器件内部温度发生变化时,多晶硅二极管的正向压降将随之发生变化,当其温度超过一定值时将触发过温保护电路工作,关断VDMOS器件。
理论上,PN结的伏安特性可表示为:
式中I
F和V
F分别为PN结的正向电流和正向压降;
为饱和电流,B和γ是由材料决定的常数,与温度无关;E
g0为材料绝对零度时的禁带宽度;T为绝对温度;
当V
F远远大于V
T时,可以将式(1)括号中的1略去,对式(1)两边除以I
S,并取对数,整理后得:
由式(2)可知:在恒定的电流IF下,PN结的正向电压VF随着温度的升高而降低。研究表明:多晶硅二极管的虽然与体硅二极管有一定的差异,但变化趋势基本一致。文献(陈二柱,梁平治,CMOS工艺制作的横向多晶硅p+p-n+结的温度特性及其应用,《半导体光电》2005年6月第26卷第3期)指出:在室温附近,多晶硅二极管的温度每升高1℃,正向压降减小1.5mV左右。因此可利用多晶硅二极管的这种良好的温度特性作为温度传感器。
由于多晶硅二极管置于VDMOS内部的介质层之上,离热源距离近,因此对VDMOS器件温度的采样精确、灵敏度高,同时也减小了外界因素的影响。从制备工艺上看,多晶硅二极管可与VDMOS器件的多晶硅栅电极同时制备,工艺完全兼容,具有结构简单、单片集成等一系列优点,可以大大降低VDMOS的失效概率,增加器件的使用寿命,从而提高***的稳定性以及可靠性。同时,多晶硅二极管置于绝缘的介质层之上,与VDMOS器件及过温保护电路实现了天然隔离,与采用体硅工艺制作温度采样器件的方案相比,节省了隔离区面积,减少器件间的相互干扰,消除了寄生效应。
综上所述,本发明提供的具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件,将VDMOS器件、多晶硅热敏二极管、过温保护电路单片集成,能够实现对VDMOS器件温度的精确采样和过温保护,以防止器件的热失效和增加器件使用寿命,具有结构简单、采样精确度高、与VDMOS器件工艺兼容、单片集成等一系列优点。
附图说明
图1是本发明提供的具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件的结构示意图。
图2是本发明中集成了多晶硅热敏二极管的VDMOS器件结构示意图。
图3是本发明中采用的过温保护电路结构图。
图4是图2中的过温保护电路的Spice仿真结果。
具体实施方式
一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件,如图1至图3所示,包括集成于同一衬底基片上的VDMOS器件M0、多晶硅热敏二极管D1和过温保护电路;所述多晶硅热敏二极管D1制作于VDMOS器件M0表面中心位置的绝缘层上,以实现对VDMOS器件M0温度的采样;所述过温保护电路基于多晶硅热敏二极管D1的温度采样信号对整个复合VDMOS器件的栅输入电压Vin进行分压得到VDMOS器件M0的栅控电压VG,进而对VDMOS器件M0实现过温保护:即当VDMOS器件M0温度达到TH时,关断VDMOS器件M0;当VDMOS器件M0关断后温度降到TL时,启动VDMOS器件M0;其中TH>TL,ΔT=TH-TL为温度回差。
所述VDMOS器件M0可以是任意结构的VDMOS器件、且表面具有绝缘层14,如图2所示,至少包括金属化漏电极1、第一导电类型半导体掺杂衬底2、第一导电类型半导体掺杂漂移区3、第二导电类型半导体基区4、第一导电类型半导体掺杂源区5、第二导电类型半导体掺杂接触区6、金属化源电极7、多晶硅栅电极8和栅介质层9;金属化漏电极1位于第一导电类型半导体掺杂衬底2的背面,第一导电类型半导体掺杂漂移区3位于第一导电类型半导体掺杂衬底2的正面;第二导电类型半导体基区4位于第一导电类型半导体掺杂漂移区3的顶部,第二导电类型半导体基区4内具有分别与金属化源电极7相接触的第一导电类型半导体掺杂源区5和第二导电类型半导体掺杂接触区6;栅介质层9位于第二导电类型半导体基区4和第一导电类型半导体掺杂漂移区3的上表面,多晶硅栅电极8位于栅介质层9的上表面,多晶硅栅电极8与金属化源电极7之间填充的是绝缘介质层。
所述多晶硅热敏二极管D1(如图2所示),包括P型半导体区10、N型半导体区11、阳极电极12和阴极电极13;其中P型半导体区10和N型半导体区11相接触并位于VDMOS器件M0表面的绝缘层14中,阳极电极12与P型半导体区10相连并从VDMOS器件M0表面的绝缘层14中引出,阴极电极13与N型半导体区11相连并从VDMOS器件M0表面的绝缘层14中引出。
所述过温保护电路(如图3所示)包括一个稳压二极管D2、四个NMOS管(M1~M4)和六个电阻(R1~R6);栅输入电压Vin通过第一电阻R1和稳压管D2的串联电路后接地;第一NMOS管M1的漏极通过第二电阻R2接第二NMOS管M2的栅极的同时通过第三电阻R3接地,第一NMOS管M1的源极接地;第二NMOS管M2的漏极接第三NMOS管M3的栅极的同时通过第四电阻R4接栅输入电压Vin,第二NMOS管M2的源极接地;第三NMOS管M3的漏极接第四NMOS管M4的栅极的同时通过第五电阻R5接栅输入电压Vin,第三NMOS管M3的源极接地;第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接栅输入电压Vin,第四NMOS管M4的源极接地;第一NMOS管M1的栅极通过第六电阻R6接栅输入电压Vin。所述过温保护电路与多晶硅热敏二极管D1的连接关系为:第一电阻R1和稳压管D2的连接点接多晶硅热敏二极管D1的阳极,多晶硅热敏二极管D1的阴极接第二NMOS管M2的栅极。所述过温保护电路与VDMOS器件M0的连接关系为:第一NMOS管M1的栅极与VDMOS器件M0的栅极相连。
图3是本发明采用的一种过温保护电路,其过温保护的主要原理如下:
由于D1的正向压降VF具有负温度系数,当M0温度升高时VF下降,从而使A点电位VA=VZ-VF上升;当A点电位上升到VA=VZ-VF≥|VT(M2)|时,即大于等于M2的阈值电压时,M2管导通。导通后M2管漏端电位降低使得M3的栅源电压低阈值电压,致使M3管截止,从而将B点电位即M4管的栅电位拉高,使M4导通;M4导通后其漏端电压即主功率管的栅电压VG降低;当VG小于VDMOS的阈值电压后,VDMOS关闭,器件停止发热。当器件温度降到一定程度,该电路又能实现自动重启。当VDMOS温度下降时,D1的正向压降VF上升,A点电位VA=VZ-VF随之下降,当A点电位下降至小于M2管的阈值电压时,M2管截止,从而拉高M3管栅电位,M3管导通,进而降低M4管栅电位,M4管截止,保证了VDMOS的VG为高电位,器件开启。
为了防止振荡的发生,须使关断温度和自重启温度之间有一个差值。R2、R3、M1和M4构成了一个双稳态的正反馈电路,可实现关断温度和自重启温度之间的温度差。稳定状态一即为器件正常工作时的状态,主功率器件VDMOS正常工作时,M1管导通,M4管截止,此时VA=V(R2),由于R2阻值相对较小从而保证了A点的低电位,因此VG为高电位,从而主功率VDMOS管维持着开启状态。稳态二即为过温保护过程,当主功率VDMOS管的温度上升超过设定的温度保护阈值点时,随着VF的降低A点电位的升高,从而导致M4导通,M1截止。流向D1的电流需要经过具有较高的阻值R3,这使得A点的电位进一步抬高,即VA=V(R2)+V(R3),从而进一步将VG拉低,维持了主功率MOS管的关断状态;非稳态时,M1和M4饱和,M2和M3工作在放大状态,由于M1、M2、M3、M4形成正反馈环路,器件之间互相激励,产生足够强的正反馈,快速向稳定状态转变。
采用电路仿真软件H-Spice对该过温保护电路进行了仿真验证,如图4所示:环境温度从20℃升至180℃然后再降至20℃。在温度上升过程中,升至174℃时,过温保护功能启动,VG迅速降低至1.5v,此值低于VDMOS的阈值电压,因此VDMOS管关断,电流截止,芯片停止发热,温度开始下降。当温度下降到142℃时,VDMOS栅电位迅速上升至5v,VDMOS开启,处于正常工作状态。由上可知,保护模式下,器件关断和开启状态的转换速度快,精准度高。该器件的温度将保持在142℃至174℃之间,温度回差ΔT=TH-TL=32℃。32℃的回差很好地避免了热振荡。
本领域技术人员应当知道,本发明提供的具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件,当所述第一导电类型半导体为N型半导体、第二导电类型半导体为P型半导体时,所述VDMOS器件M0为N沟道VDMOS器件;当所述第一导电类型半导体为P型半导体、第二导电类型半导体为N型半导体时,所述VDMOS器件(M0)为P沟道VDMOS器件。