CN102385988B - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子部件。外部电极(14a)包括设置于侧面(S5)的侧面电极(16a)、以及与侧面电极(16a)连接且按照与主面(S1)的角(C1)相接的方式设置于主面(S1)的长方形形状的主面电极(18a)。外部电极(14b)与电容器导体连接，且包括设置于侧面(S6)的侧面电极(16b)、以及与侧面电极(16b)连接且按照与位于角(C1)的对角处的主面(S1)的角(C2)相接的方式设置于主面(S1)的长方形形状的主面电极(18b)，该主面电极(18b)在主面(S1)的长边延伸的x轴方向上与主面电极(18a)对置。由此，可实现低ESL化且可易于向电路基板内安装。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及电子部件，特别涉及内置有电容器的电子部件。
背景技术
作为现有的电子部件，例如已知专利文献1记载的层叠电容器。该层叠电容器具备电容器本体、第一外部端子电极、第二外部端子电极及电容器。电容器本体具有以被层叠的多个电介质层构成的层叠构造，呈长方体形状，该长方体形状具有沿着电介质层的面方向延伸且相互对置的第一主面及第二主面、相互对置的第一侧面及第二侧面、以及相互对置的第一端面及第二端面的，且具有第一端面及第二端面各自的长边方向的尺寸比第一侧面及第二侧面各自的长边方向的尺寸长的形状。另外，第一外部端子电极与电容器连接，且设置在第一端面上。第二外部端子电极与电容器连接，且设置在第二端面上。
根据专利文献1记载的层叠电容器，如下面的说明所示，较之在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器，能实现低ESL化。具有第一端面及第二端面各自的长边方向的尺寸比第一侧面及第二侧面各自的长边方向的尺寸长的形状。由此，在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器中，信号线路连结在距离相对长且宽度相对窄的第一侧面和第二侧面之间。
另一方面，在专利文献1记载的层叠电容器中，第一外部端子电极及第二外部端子电极分别设置于第一端面及第二端面。由此，信号线路连结在距离相对短且宽度相对宽的第一端面和第二端面之间。因此，在专利文献1记载的层叠电容器的信号线路上产生的电感值，比在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器的信号线路上产生的电感值小。也就是说，根据专利文献1记载的层叠电容器，较之在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器，能实现低ESL化。
可是，专利文献1记载的层叠电容器却具有向电路基板内的安装比较困难的问题。图13(a)是专利文献1记载的层叠电容器500被安装在电路基板600内的情况下的断面构造图，图13(b)是专利文献1记载的层叠电容器500被安装在电路基板600内情况下的俯视图。
如图13(a)所示，层叠电容器500被安装在电路基板600的凹部602内。之后，在层叠电容器500上用密封件604实施密封。在电路基板600的主面上设置有布线608a、608b。布线608a、608b和外部端子电极504a、504b通过通孔导体606a、606b进行连接。基于上述结构，层叠电容器500被安装在电路基板600内。
另外，通孔导体606a、606b通过下述步骤进行制作。在将层叠电容器500安装在凹部602内，用密封件604实施密封之后，在规定的位置照射具有50μm～100μm直径的激光束，从而形成通孔。然后，对通孔填充导电性膏剂或实施镀覆，从而形成了通孔导体606a、606b。
可是，如图13(b)所示，外部端子电极504a、504b分别被设置于第一端面及第二端面。第一侧面及第二侧面的长边方向的尺寸L2比第一端面及第二端面的长边方向的尺寸L1短。因此，如图13(b)所示，被折返到外部端子电极504a、504b的第一主面上的部分的宽度W变窄了。由此，为使与外部端子电极504a、504b相连接而形成通孔导体606a、606b是比较困难的。特别是，因为设置有密封件604，所以难以在正确的位置照射激光束，故为使与外部端子电极504a、504b相连接而形成通孔导体606a、606b是比较困难的。
专利文献1：JP特开2009-170873号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够实现低ESL化、且易于向电路基板内安装的电子部件。
本发明的一实施方式所涉及电子部件，其特征在于，具备：长方体形状的层叠体，具有位于层叠方向两端的第一主面和第二主面、以及位于该第一主面的短边延伸的短边方向的两端的第一侧面及第二侧面；第一电容器导体及第二电容器导体，在所述层叠体内构成了电容器；第一外部电极，包括与所述第一电容器导体连接且设置于所述第一侧面的第一侧面电极、以及与该第一侧面电极连接且按照与所述第一主面的第一角相接的方式设置于该第一主面的长方形形状的第一主面电极；和第二外部电极，包括与所述第二电容器导体连接且设置于所述第二侧面的第二侧面电极、以及与第二侧面电极连接且按照与位于所述第一角的对角处的所述第一主面的第二角相接的方式设置于该第一主面的长方形形状的第二主面电极，该第二主面电极在该第一主面的长边延伸的长边方向上与所述第一主面电极对置。
根据本发明，能够实现低ESL化、且易于向电路基板内安装。
附图说明
图1是第一实施方式涉及的电子部件的外观立体图及部分放大图。
图2是图1的电子部件的层叠体的分解立体图。
图3是电子部件的母层叠体的分解立体图。
图4是现有的电子部件的外观立体图。
图5是计算机模拟仿真的分析结果。
图6是电子部件被安装在电路基板内情况下的工序剖视图。
图7是第一变形例涉及的电子部件10b的外观立体图。
图8是图7的电子部件10b的层叠体12的分解立体图。
图9是第二变形例涉及的电子部件10c的外观立体图。
图10是图9的电子部件10c的层叠体12的分解立体图。
图11是第二实施方式涉及的电子部件的外观立体图。
图12是图11的电子部件的层叠体的分解立体图。
图13(a)是专利文献1记载的层叠电容器被安装在电路基板内情况下的断面构造图，图13(b)是专利文献1记载的层叠电容器被安装在电路基板内情况下的俯视图。
符号说明：
C电容器
C1～C8角
S1、S2主面
S3、S4端面
S5、S6侧面
10a～10d电子部件
12层叠体
14a、14b外部电极
16a、16b、16-1a～16-3a、16-1b～16-3b侧面电极
18a、18b、19a、19b主面电极
20绝缘体层
22a、22b  电容器导体
23a、23b、24a、24b引出导体
30a、30b、32a、32b端面电极
112母层叠体
120陶瓷印刷电路基板
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明实施方式所涉及的电子部件。
第一实施方式
电子部件的结构
首先，参照附图说明第一实施方式涉及的电子部件的结构。图1是第一实施方式涉及的电子部件10a的外观立体图及部分放大图。图2是图1的电子部件10a的层叠体12的分解立体图。下面，将层叠体12的层叠方向设为z轴方向。将在从z轴方向俯视层叠体12时层叠体12的主面的长边延伸的长边方向定义为x轴方向。将在从z轴方向俯视层叠体12时层叠体12的短边延伸的短边方向定义为y轴方向。
电子部件10a为芯片电容器，如图1及图2所示，具备层叠体12、外部电极14(14a、14b)及电容器C(图1中未示出)。芯片电容器呈具有约600μm(x轴方向)×约300μm(y轴方向)×约150μm(z轴方向)外形尺寸的长方体形状。此外，优选芯片电容器的z轴方向的高度为50μm以上330μm以下。此外，芯片电容器的z轴方向的高度从薄型观点出发，优选为50μm以上150μm以下。
层叠体12呈长方体形状。下面，在层叠体12中，将z轴方向的正方向侧的面称为主面S1，将z轴方向的负方向侧的面称为主面S2。也就是说，主面S1、S2位于z轴方向的两端。另外，将x轴方向的负方向侧的面称为端面S3，将x轴方向的正方向侧的面称为端面S4。也就是说，端面S3、S4位于x轴方向的两端。另外，将y轴方向的负方向侧的面称为侧面S5，将y轴方向的正方向侧的面称为侧面S6。也就是说，侧面S5、S6位于y轴方向的两端。
层叠体12如图2所示，多个绝缘体层20层叠而成。在本实施方式中，层叠了30层的绝缘体层20。绝缘体层20呈长方形形状，由电介质陶瓷制作。作为电介质陶瓷的例子，例如有BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3或CaZrO3。另外，也可将这些材料作为主成分，将Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或Ni化合物作为副成分。下面，将绝缘体层20的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将绝缘体层20的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。
另外，在将端面S3与S4之间的距离设为L、将侧面S5与S6之间的距离设为W、将上面S1与底面S2之间的距离设为T的情况下，优选L＞W＞T关系成立。特别是，优选T≤0.25mm，0.2·W≤T≤1.5·W。
如以上，层叠体12的主面S1由设置于z轴方向的最正方向侧的绝缘体层20的表面构成。层叠体12的主面S2由设置于z轴方向的最负方向侧的绝缘体层20的背面构成。另外，端面S3由相连多个绝缘体层20的x轴方向的负方向侧的短边而构成。端面S4由相连多个绝缘体层20的x轴方向的正方向侧的短边而构成。侧面S5由相连多个绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边而构成。侧面S6由相连多个绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边而构成。
另外，在层叠体12的主面S1上，将位于x轴方向的负方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C1。在层叠体12的主面S1上，将位于x轴方向的正方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C2。在层叠体12的主面S1上，将位于x轴方向的负方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C3。在层叠体12的主面S1上，将位于x轴方向的正方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C4。
另外，在层叠体12的主面S2上，将位于x轴方向的负方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C5。在层叠体12的主面S2上，将位于x轴方向的正方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C6。在层叠体12的主面S2上，将位于x轴方向的负方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C7。在层叠体12的主面S2上，将位于x轴方向的正方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C8。
如图2所示，电容器C由内置于层叠体12的电容器导体22(22a、22b)而构成。电容器导体22例如由Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等导电性材料制作。
电容器导体22a如图2所示那样设置在绝缘体层20的表面上，且呈长方形形状。电容器导体22a被引出到绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边。电容器导体22b如图2所示那样设置在绝缘体层20的表面上，且呈长方形形状。电容器导体22b被引出到绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边。电容器导体22a、22b隔着绝缘体层20相互对置，产生容量。由此，电容器导体22a、22b在层叠体12内构成了电容器C。
采样上述结构的电容器导体22a、22b以沿着z轴方向交替排列的方式设置在多个绝缘体层20上。并且，将层叠了设置有电容器导体22的多个绝缘体层20的区域称为内层区域。另外，在内层区域的z轴方向的正方向侧，层叠了未设置有电容器导体22的多个绝缘体层20。同样地，在内层区域的z轴方向的负方向侧，层叠了未设置有电容器导体22的多个绝缘体层20。下面，将这两个区域称为外层区域。
外部电极14a如图1所示那样包括侧面电极16a及主面电极18a、19a。侧面电极16a以覆盖侧面S5整体的方式设置，且与电容器导体22a连接。侧面电极16a通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。另外，侧面电极16a因为通过浸渍法(dipping method)形成基底电极，因此如图1放大图所示，折返到与侧面S5相邻的主面S1、S2及端面S3、S4而形成。并且，将侧面电极16a的折返宽度设为宽度D。优选宽度D为5μm以上20μm以下。
主面电极18a通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极18a与侧面电极16a连接，且被设置在z轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。更详细而言，主面电极18a是以与主面S1的角C1相接的方式设置在主面S1上的长方形形状的导体层。主面电极18a在y轴方向的负方向侧的边上与侧面电极16a相接。其中，主面电极18a的y轴方向的负方向侧的边，仅与主面S1的y轴方向的负方向侧的一部分长边相接。在主面电极18a的y轴方向的正方向侧的边与主面S1的y轴方向的正方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极18a与外部电极14b被绝缘。其中，主面电极18a的y轴方向的正方向侧的边，较之主面S1的对角线的交点P1而位于y轴方向的正方向侧。另外，主面电极18a的x轴方向的负方向侧的边，与主面S1的x轴方向的负方向侧的短边相一致。另外，主面电极18a的x轴方向的正方向侧的边，较之交点P1在x轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。
主面电极19a通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极19a与侧面电极16a连接，且被设置在z轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19a是以与主面S2的角C5相接的方式设置在主面S2上的长方形形状的导体层。主面电极19a在y轴方向的负方向侧的边上与侧面电极16a相接。其中，主面电极19a的y轴方向的负方向侧的边，仅与主面S2的y轴方向的负方向侧的一部分长边相接。在主面电极19a的y轴方向的正方向侧的边与主面S2的y轴方向的正方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极19a与外部电极14b被绝缘。其中，主面电极19a的y轴方向的正方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2位于y轴方向的正方向侧。另外，主面电极19a的x轴方向的负方向侧的边，与主面S2的x轴方向的负方向侧的短边相一致。另外，主面电极19a的x轴方向的正方向侧的边，较之交点P2在x轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。
外部电极14b如图1所示那样包括侧面电极16b及主面电极18b、19b。侧面电极16b以覆盖侧面S6整体的方式设置，且与电容器导体22b连接。侧面电极16b通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。另外，侧面电极16b因为通过浸渍法(dipping method)形成基底电极，因此与侧面电极16a同样地，折返到与侧面S6相邻的主面S1、S2及端面S3、S4而形成。并且，将侧面电极16b的折返宽度设为宽度D。优选宽度D为5μm以上20μm以下。
主面电极18b通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极18b与侧面电极16b连接，且被设置在z轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。更详细而言，主面电极18b是以与位于角C1对角处的主面S1的角C2相接的方式设置在主面S1上的长方形形状的导体层。主面电极18b在y轴方向的正方向侧的边上与侧面电极16b相接。其中，主面电极18b的y轴方向的正方向侧的边，仅与主面S1的y轴方向的正方向侧的一部分长边相接。在主面电极18b的y轴方向的负方向侧的边与主面S1的y轴方向的负方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极18b与外部电极14a被绝缘。其中，主面电极18b的y轴方向的负方向侧的边，较之主面S1的对角线的交点P1而位于y轴方向的负方向侧。另外，主面电极18b的x轴方向的正方向侧的边，与主面S1的x轴方向的正方向侧的短边相一致。另外，主面电极18b的x轴方向的负方向侧的边，较之交点P1而在x轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极18a的x轴方向的正方向侧的边与主面电极18b的x轴方向的负方向侧的边，相互并行地沿着y轴方向延伸，在从x轴方向俯视时一部分重叠。也就是说，主面电极18a、18b在x轴方向上隔着间隙相互对置。
主面电极19b通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极19b与侧面电极16b连接，且被设置在z轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19b是以与位于角C5的对角处的主面S2的角C6相接的方式设置在主面S2上的长方形形状的导体层。主面电极19b在y轴方向的正方向侧的边上与侧面电极16b相接。其中，主面电极19b的y轴方向的正方向侧的边，仅与主面S2的y轴方向的正方向侧的一部分长边相接。在主面电极19b的y轴方向的负方向侧的边与主面S2的y轴方向的负方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极19b与外部电极14a被绝缘。其中，主面电极19b的y轴方向的负方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2而位于y轴方向的负方向侧。另外，主面电极19b的x轴方向的正方向侧的边，与主面S2的x轴方向的正方向侧的短边相一致。另外，主面电极19b的x轴方向的负方向侧的边，较之交点P2而在x轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极19a的x轴方向的正方向侧的边与主面电极19b的x轴方向的负方向侧的边，相互并行地沿着y轴方向延伸，在从x轴方向俯视时一部分重叠。也就是说，主面电极19a、19b在x轴方向上隔着间隙相互对置。
采用上述结构的外部电极14a、14b上形成的镀覆Cu的厚度，优选为2μm以上20μm以下，如果如后述还考虑耐激光性及薄型化，则进一步优选为5μm以上15μm以下。另外，优选外部电极14a、14b的表面粗糙度(Ra)为1.55μm以下。所谓表面粗糙度(Ra)是在JISB0601-1994中规定的算术平均粗糙度Ra。
电子部件的制造方法
下面，说明电子部件10a的制造方法。图3是电子部件10a的母层叠体112的分解立体图。
首先，将作为主成分的BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3或CaZrO3和作为副成分的Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或Ni化合物，以规定的比率进行称重，投入到球磨机(ball mill)中进行湿式调和。在将所得到的混合物干燥之后粉碎，并将所得到的粉末进行预煅烧。将所得到的预煅烧粉末由球磨机进行湿式粉碎之后，干燥后再粉碎，从而得到电介质陶瓷粉末。
在该电介质陶瓷粉末中加入结合剂、可塑剂、湿润剂及分散剂由球磨机进行混合，然后通过减压进行脱泡。通过刮粉刀法将所得到的陶瓷生料在载体薄片上形成为薄片状进行干燥，从而制作图3所述的陶瓷印刷电路基板120。
其次，通过丝网印刷法等方法，在陶瓷印刷电路基板120上涂敷由导电性材料构成的膏剂，形成了电容器导体22a、22b，准备出形成有电容器导体22a、22b的陶瓷印刷电路基板。由导电性材料构成的膏剂，例如在Ni中加入了清漆及溶剂。
另外，通过丝网印刷法等方法，在陶瓷印刷电路基板120上涂敷由导电性材料构成的膏剂，形成了主面电极18a、18b或主面电极19a、19b，分别准备出形成了主面电极18a、18b或主面电极19a、19b的陶瓷印刷电路基板。由导电性材料构成的膏剂，例如在Ni中加入了清漆及溶剂。
其次，将陶瓷印刷电路基板120一枚一枚地层叠并临时压接，得到了未烧成的母层叠体112。在层叠陶瓷印刷电路基板120时，在内层区域中层叠了形成有电容器导体22a、22b的陶瓷印刷电路基板120，在外层区域中层叠了未设置电容器导体22的多个陶瓷印刷电路基板120。进而，还在层叠体的最外侧层叠了形成有主面电极18a、18b或主面电极19a、19b的陶瓷印刷电路基板120使得主面电极配置在外侧，而得到了母层叠体112。
然后，以静水压压接的方式对未烧成的母层叠体112实施正式压接。
其次，将未烧成的母层叠体112剪切成规定尺寸(例如，0.6mm×0.3mm×0.3mm)，得到了多个未烧成的层叠体12。
接着，通过浸渍法在未烧成的层叠体12的侧面S5、S6上形成应该成为侧面电极16的Ni电极。此时，膏剂状的Ni因表面张力仅涂敷在与侧面S5、S6相邻的主面S1、S2及端面S3、S4上(参照图1的放大图)。
然后，对未烧成的层叠体12进行烧成。烧成温度例如优选900℃以上1300℃以下。通过上述工序，完成了内置有电容器导体22的已烧成的层叠体12的准备工作。
其次，通过镀覆法，对应该成为侧面电极16及主面电极18、19的Ni电极实施Cu镀覆，而形成了侧面电极16及主面电极18、19。由此，形成了外部电极14。经过以上工序，完成了电子部件10a。
(效果)
根据以上的电子部件10a，能实现低ESL化。图4(a)是现有的电子部件210的外观立体图。图5是表示电子部件10a及电子部件210的频率与阻抗之间关系的曲线图。图5是计算机模拟仿真的分析结果。
图4(a)的电子部件210具备外部电极214a、214b。外部电极214a、214b分别包括端面电极216a、216b及主面电极218a、218b、219a、219b。端面电极216a、216b分别设置于端面S3、S4。主面电极218a、218b、219a、219b分别设置于主面S1、S2。由此，在电子部件210中，信号线路为端面电极216a与216b之间。也就是说，沿着主面S1的长边方向(x轴方向)传送信号。
另一方面，在电子部件10a中，侧面电极16a、16b分别设置于侧面S5、S6。由此，在外部电极14a中，信号线路为侧面电极16a与16b之间。也就是说，沿着主面S1的短边方向(y轴方向)传送信号。因此，在电子部件10a中，较之电子部件210，信号线路短且信号线路更宽。其结果，电子部件10a较之电子部件210，能实现低ESL化。
此外，如图5所示，根据计算机仿真结果也可知，在电子部件10a中，较之电子部件210，能实现低ESL化。更详细而言，电子部件10a较之电子部件210，谐振频率变高。由此可知，主要在200MHz以上的频带中，电子部件10a的阻抗比电子部件210的阻抗小。也就是说，可知电子部件10a较之于电子部件210实现了低ESL化。进而，在谐振方面上，电子部件10a具有比电子部件210小的阻抗。由此可知，电子部件10a的电阻值比电子部件210的电阻值小。即，可知在电子部件10a中，与电子部件210相比，ESR下降了。
另外，电子部件10a易于安装在电路基板内。图4(b)是现有的电子部件310的外观立体图。图4(b)的电子部件310具备外部电极314a、314b。外部电极314a、314b分别包括侧面电极316a、316b及主面电极318a、318b、319a、319b。侧面电极316a、316b分别设置于侧面S5、S6。主面电极318a、319a分别沿着主面S1、S2的y轴方向的负方向侧的长边设置。主面电极318b、319b分别沿着主面S1、S2的y轴方向的正方向侧的长边设置。在以上的电子部件310被安装在电路基板内的情况下，如图13所示，被收容在电路基板600的凹部602内。并且，主面电极318a、318b与通孔导体606a、606b连接。
可是，在电子部件310中，因为主面电极318a、318b沿着主面S1的整个长边设置，因此无法将主面电极318a、318b的y轴方向的宽度增大为主面S1的y轴方向的宽度的一半以上。为此，在电子部件310中，以与主面电极318a、318b连接的方式形成通孔导体606a、606b是比较困难的。
另一方面，在电子部件10a中，主面电极18a、18b分别是以与主面S1的角C1、C2相接的方式设置在主面S1上的长方形形状的导体层。由此，主面电极18a、18b在x轴方向上，隔着间隙相互对置。也就是说，在电子部件10a中，主面电极18a的y轴方向的正方向侧的边，较之主面电极18b的y轴方向的负方向侧的边位于y轴方向的正方向侧。由此，在电子部件10a中，能够将主面电极18a、18b的y轴方向的宽度增大至主面S1的y轴方向的宽度的一半以上。由此，在电子部件10a中，与电子部件310相比，易于形成通孔导体606a、606b并使其与主面电极18a、18b连接。以上，在电子部件10a中，既能实现低ESL化，又能容易安装在电路基板600内。此外，在本实施方式中，通孔导体606a、606b的直径为100μm。
另外，在电子部件10a中，抑制了向电路基板600内安装时层叠体12的破损。图6是电子部件10a被安装在电路基板600内时的工序剖视图。
在电子部件10a向电路基板600内安装时，由喷嘴300吸引层叠体12的主面S1的状态下，将设置于凹部602内的粘合剂610a、610d和主面电极19a、19b进行对位，而装配在凹部602内。此时，层叠体12在主面S1的中央部分，从喷嘴300向z轴方向的负方向侧施力，在主面电极19a、19b中，从凹部602向z轴方向的正方向侧施力。因此，电子部件10a的长边有可能会弯曲成V字型而破损。特别是在薄型化的电子部件10a中，破损的可能性变高。
因此，在电子部件10a中，以覆盖侧面S5、S6的方式设置有侧面电极16a、16b。由此，增强了层叠体12。其结果抑制了电子部件10a的破损。
进而，在电子部件10a中，侧面电极16a、16b稍微向与侧面S5、S6相邻的主面S1、S2及端面S3、S4折返。由此，更有效地抑制了电子部件10a的破损。
采用上述结构的外部电极14a、14b的镀覆Cu的厚度，优选为2μm以上20μm以下，如果还考虑耐激光性及薄型化，则进一步优选为5μm以上15μm以下。更详细而言，在外部电极14a、14b的镀覆Cu的厚度小于5μm的情况下，在安装电子部件10a进行激光束照射时，会损伤外部电极14a、14b。另一方面，在外部电极14a、14b的镀覆Cu的厚度大于15μm的情况下，形成外部电极14a、14b时的成本变高，且妨碍了薄型化。
外部电极14a、14b的表面粗糙度(Ra)为1.55μm以下，从而在安装电子部件10a进行激光束照射时，在外部电极14a、14b中抑制了激光束的乱反射。
第一变形例
下面，参照附图说明第一变形例涉及的电子部件10b。图7是第一变形例涉及的电子部件10b的外观立体图。图8是图7的电子部件10b的层叠体12的分解立体图。
电子部件10与电子部件10b的不同点在于，外部电极14的形状及电容器导体22的形状。
电容器导体22a如图8所示那样呈长方形形状，且被引出到绝缘体层20的x轴方向的负方向侧的边。电容器导体22b呈长方形形状，且被引出到绝缘体层20的x轴方向的正方向侧的边。
外部电极14(14a、14b)如图7所示，还包括端面电极30(30a、30b)。端面电极30a设置于层叠体12的端面S3，且与上面电极18a、底面电极19a及侧面电极16a连接，并覆盖了在端面S3上电容器导体22a露出的部分。其中，端面电极30a不与端面S3的y轴方向的正方向侧的短边相接，以免与侧面电极16b接触。
端面电极30b设置于层叠体12的端面S4，且与上面电极18b、底面电极19b及侧面电极16b连接，并覆盖了在端面S4上电容器导体22b露出的部分。其中，端面电极30b不与端面S4的y轴方向的负方向侧的短边相接，以免与侧面电极16a接触。
根据采用上述结构的电子部件10b，端面电极30a、30b还设置于端面S3、S4。由此，在外部电极14a、14b中，信号分别经由侧面电极16a、16b及端面电极30a、30b进行传送。因此，在电子部件10b中，较之电子部件10a，信号线路变宽。其结果，电子部件10b较之电子部件10a，实现了低ESL化。
(第二变形例)
下面，参照附图说明第二变形例涉及的电子部件10c。图9是第二变形例涉及的电子部件10c的外观立体图。图10是图9的电子部件10c的层叠体12的分解立体图。
电子部件10b和电子部件10c的不同点在于，外部电极14的形状及电容器导体22的形状。
电容器导体22a如图10所示，被引出到绝缘体层20的x轴方向的负方向侧的边，并且沿着绝缘体层20的y轴方向的负方向侧而被引出到绝缘体层20的x轴方向的正方向侧的短边。电容器导体22b呈长方形形状，且被引出到绝缘体层20的x轴方向的正方向侧的边，并沿着绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边而被引出到绝缘体层20的x轴方向的负方向侧的短边。
外部电极14(14a，14b)如图9所示，还包括端面电极32(32a、32b)。端面电极32a被设置于层叠体12的端面S4，且与侧面电极16a连接，并覆盖在端面S4上电容器导体22a露出的部分。其中，端面电极32a不与端面电极30b相接。
端面电极32b被设置于层叠体12的端面S3，且与侧面电极16b连接，并覆盖在端面S3上电容器导体22b露出的部分。其中，端面电极32b不与端面电极30a相接。
根据采用上述结构的电子部件10c，端面电极32a、32b还设置于端面S4、S3。由此，在外部电极14a、14b中，信号分别经由侧面电极16a、16b及端面电极30a、30b、32a、32b进行传送。由此，在电子部件10c中，较之电子部件10b，信号线路更宽。其结果，较之电子部件10b，电子部件10c实现了低ESL化。
第二实施方式
电子部件的结构
其次，参照附图说明第二实施方式涉及的电子部件10d的结构。图11是第二实施方式涉及的电子部件10d的外观立体图。图12是图11的电子部件10d的层叠体12的分解立体图。
电子部件10d是芯片电容器，如图11及图12所示，具备层叠体12、外部电极14(14a、14b)、引出导体23(23a、23b)、24(24a、24b)(在图11中未示出)及电容器C(在图11中未示出)。芯片电容器呈具有约600μm(x轴方向)×约300μm(y轴方向)×约150μm(z轴方向)尺寸的长方体形状。电子部件10d的层叠体12的外观与电子部件10a的层叠体12的外观相同，因此省略说明。
层叠体12如图12所示那样层叠了多个绝缘体层20而构成。由于电子部件10d的绝缘体层20与电子部件10a的绝缘体层20相同，因此省略说明。
电容器C如图12所示，由内置于层叠体12的电容器导体22(22a、22b)而构成。由于电子部件10d的电容器C与电子部件10a的电容器C相同，因此省略说明。
引出导体23a、23b较之内层区域而设置于z轴方向的正方向侧所设的外层区域的绝缘体层20的表面。引出导体24a、24b较之内层区域而设置于z轴方向的负方向侧所设的外层区域的绝缘体层20的表面。
引出导体23a设置成：与绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边相接，自x轴方向的负方向侧的短边起延伸。在从z轴方向俯视的情况下，引出导体23a与该长边相接的部分，和电容器导体22a与该长边相接的部分重叠。引出导体23b设置成：与绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边相接，自x轴方向的正方向侧的短边起延伸。在从z轴方向俯视的情况下，引出导体23b与该长边相接的部分，与电容器导体22b与该长边相接的部分重叠。
引出导体24a设置成：与绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边相接，自x轴方向的正方向侧的短边起延伸。在从z轴方向俯视的情况下，引出导体24a与该长边相接的部分，和电容器导体22a与该长边相接的部分重叠。引出导体24b设置成：与绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边相接，自x轴方向的负方向侧的短边起延伸。在从z轴方向俯视的情况下，引出导体24b与该长边相接的部分，和电容器导体22b与该长边相接的部分重叠。
外部电极14a如图11所示，包括侧面电极16-1a、16-2a、16-3a及主面电极18a、19a。侧面电极16-1a是为覆盖侧面S5的一部分而设置的长方形形状的电极，且与电容器导体22a连接。侧面电极16-1a通过对电容器导体22a从侧面S5露出的部分实施Cu镀覆而制作的。
侧面电极16-2a是为覆盖侧面S5的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-1a连接。侧面电极16-2a通过对引出导体23a从侧面S5露出的部分实施Cu镀覆而制作的。
侧面电极16-3a是为覆盖侧面S5的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-1a连接。侧面电极16-3a通过对引出导体24a从侧面S5露出的部分实施Cu镀覆而制作的。
主面电极18a与侧面电极16-2a连接，且被设置于z轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。更详细而言，主面电极18a是以与主面S1的角C1、以及夹持短边和角C1相邻的角C3相接的方式在主面S1上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极18a在y轴方向的负方向侧的边上，与侧面电极16-2a相接。并且，主面电极18a的三边与主面S1的x轴方向的负方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极18a的x轴方向的正方向侧的边，较之主面S1的对角线的交点P1而在x轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。
主面电极19a与侧面电极16-3a连接，且设置在z轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19a是以与主面S2的角C6、以及夹持短边和角C6相邻的角C8相接的方式在主面S2上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极19a在y轴方向的负方向侧的边上，与侧面电极16-3a相接。并且，主面电极19a的三边与主面S2的x轴方向的正方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极19a的x轴方向的负方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2而在x轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。
外部电极14b如图11所示，包括侧面电极16-1b、16-2b、16-3b及主面电极18b、19b。侧面电极16-1b是为覆盖侧面S6的一部分而设置的长方形形状的电极，且与电容器导体22b连接。侧面电极16-1b通过对电容器导体22b从侧面S6露出的部分实施Cu镀覆而制作的。
侧面电极16-2b是为覆盖侧面S6的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-1b连接。侧面电极16-2b通过对引出导体23b从侧面S6露出的部分实施Cu镀覆而制作的。
侧面电极16-3b是为覆盖侧面S6的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-1b连接。侧面电极16-3b通过对引出导体24b从侧面S6露出的部分实施Cu镀覆而制作的。
主面电极18b与侧面电极16-2b连接，且被设置于z轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。更详细而言，主面电极18b是以与主面S1的角C2、以及夹持短边与角C2相邻的角C4相接的方式在主面S1上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极18b在y轴方向的正方向侧的边上，与侧面电极16-2b相接。并且，主面电极18b的三边与主面S1的x轴方向的正方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极18b的x轴方向的负方向侧的边，较之主面S1的对角线的交点P1而在x轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极18a的x轴方向的正方向侧的边与主面电极18b的x轴方向的负方向侧的边，相互平行地沿着y轴方向延伸，在从x轴方向俯视的情况下重叠。也就是说，主面电极18a、18b在x轴方向上隔着间隙相互对置。
主面电极19b与侧面电极16-3b连接，且设置在z轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19b是以与主面S2的角C5、以及夹持短边和角C5相邻的角C7相接的方式在主面S2上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极19b在y轴方向的正方向侧的边上，与侧面电极16-3b相接。并且，主面电极19b的三边与主面S2的x轴方向的负方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极19b的x轴方向的正方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2而在x轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极19a的x轴方向的负方向侧的边与主面电极19b的x轴方向的正方向侧的边，相互平行地沿着y轴方向延伸，在从x轴方向俯视的情况下重叠。也就是说，主面电极19a、19b在x轴方向上隔着间隙相互对置。
如电子部件10d，侧面电极16-1a～16-3a、16-1b～16-3b也可不覆盖侧面S5、S6的整个面。此外，侧面电极16-1a～16-3a、16-1b～16-3b，通过在侧面S5、S6上镀覆而直接形成。由此，在电子部件10d的制造方法中，因为不需要用于形成基底电极的浸渍工序，因此可减少工序数。
另外，在电子部件10d中，较之电子部件10a，主面电极18a，18b的y轴方向的宽度宽。因此，易于将电子部件10d安装于电路基板600。进而，在电子部件10d中，与电子部件10a同样，能够实现低ESL化。
此外，在电子部件10a～10d中，外部电极14a、14b也可通过下述工序形成。具体而言，在层叠体12上，由包括可扩散至Cu中的金属及陶瓷粘合剂的导电膏剂形成基底电极，在基底电极上形成第一Cu镀覆膜。其次，对基底电极及第一Cu镀覆膜进行加热，使基底电极的金属扩散至第一Cu镀覆膜。进而，在第一Cu镀覆膜上形成第二Cu镀覆膜。
在以上制作的外部电极14a、14b中，未扩散金属的第二Cu镀覆膜构成了外部电极14a、14b的表面。由此，外部电极14a、14b相对于激光束具有高的反射率。因此，抑制了激光束照射时对外部电极14a、14b造成的损伤。其中，第二Cu镀覆膜也可不设置于外部电极14a、14b。
以上，本发明在电子部件中是有用的，特别是在能实现低ESL化且易于向电路基板内安装的方面是优异的。

Claims (6)

1.一种电子部件，其特征在于，具备：
长方体形状的层叠体，具有位于层叠方向两端的第一主面和第二主面、以及位于该第一主面的短边延伸的短边方向的两端的第一侧面及第二侧面；
第一电容器导体及第二电容器导体，在所述层叠体内构成了电容器；
第一外部电极，包括与所述第一电容器导体连接且设置于所述第一侧面的第一侧面电极以及第一主面电极，该第一主面电极与该第一侧面电极连接且按照与所述第一主面的第一角相接的方式设置于该第一主面，并且在该第一主面的长边延伸的长边方向上，该第一主面电极短于该第一侧面电极；和
第二外部电极，包括与所述第二电容器导体连接且设置于所述第二侧面的第二侧面电极以及第二主面电极，该第二主面电极与第二侧面电极连接且按照与位于所述第一角的对角处的所述第一主面的第二角相接的方式设置于该第一主面，并且在该第一主面的长边延伸的长边方向上，该第二主面电极短于该第二侧面电极。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述第一侧面电极覆盖整个所述第一侧面。
3.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述第一主面电极被设置成与第三角相接，该第三角夹着所述第一主面的短边与所述第一角相邻，
所述第二主面电极被设置成与第四角相接，该第四角夹着所述第一主面的短边与所述第二角相邻。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的电子部件，其特征在于，
所述层叠体的层叠方向的高度为50μm以上150μm以下。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的电子部件，其特征在于，
所述第一侧面电极及所述第二侧面电极通过镀覆形成。
6.根据权利要求4所述的电子部件，其特征在于，
所述第一侧面电极及所述第二侧面电极通过镀覆形成。
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